專利名稱：在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法。
背景技術(shù)：
在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，一般的數(shù)據(jù)編程操作是通過控制所選擇用于編程的存儲(chǔ)單元的閾值電壓執(zhí)行的。所選擇存儲(chǔ)單元的字線被提供有預(yù)定的編程電壓，并根據(jù)要被編程的數(shù)據(jù)控制相應(yīng)的位線。在該狀態(tài)期間，對(duì)所選擇存儲(chǔ)單元的閾值電壓的控制基于相應(yīng)位線的電壓電平。
圖1是一時(shí)序圖，它示出了在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的傳統(tǒng)方法。在該傳統(tǒng)的方法中，存在存儲(chǔ)單元編程周期P10和驗(yàn)證周期P20。在存儲(chǔ)單元編程周期P10期間內(nèi)，借助連接到所選擇存儲(chǔ)單元上的位線BL的電壓增加該所選擇存儲(chǔ)單元的閾值電壓。在該周期期間內(nèi)，利用地電壓VSS向位線BL充電(即可編程狀態(tài))，而沒有與該所選擇存儲(chǔ)單元連接的其它位線被設(shè)置到電源電壓VDD(即，禁止編程狀態(tài))。在驗(yàn)證周期P20中，執(zhí)行驗(yàn)證，以檢查已經(jīng)在編程周期P10中被處理的該所選擇存儲(chǔ)單元是處于正確的狀態(tài)還是已經(jīng)失敗于適當(dāng)?shù)木幊?。在該周期期間內(nèi)，在相應(yīng)的位線BL上加載所選擇存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)位。如果在驗(yàn)證周期P20確定所選擇存儲(chǔ)單元為編程失敗狀態(tài)，那么，重復(fù)進(jìn)行存儲(chǔ)單元編程周期P10，以便正確地編程所選擇的存儲(chǔ)單元。
如圖1所示，在傳統(tǒng)的編程驅(qū)動(dòng)操作的順序中，位線放電周期P31跟在存儲(chǔ)單元編程周期P10之后。另外，另一個(gè)位線放電周期P32跟在驗(yàn)證周期P20之后和在存儲(chǔ)單元編程周期P10’之前。在放電周期P31和P32中，所有的位線BL都降低到地電壓VSS。另外，在閾值電壓控制處理T12和T12’期間，所選擇存儲(chǔ)單元的字線WL被提供有編程電壓VPGM以控制它的閾值電壓。在位線讀處理T22期間，利用所選擇存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)位確定位線BL的電壓。
由于在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的傳統(tǒng)方法，所以放電周期P31或P32在位線預(yù)充電處理T21之前以對(duì)位線BL重復(fù)預(yù)充電，或者在位線設(shè)置處理T11’之前以復(fù)位位線BL。
這樣，在傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)編程操作的方法中，由于存在兩個(gè)位線放電周期P31和P32，所以，對(duì)用于所選擇存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行編程需要增加的編程時(shí)間和不必要的電流損耗。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法能夠減少編程時(shí)間和電流損耗。


附圖被用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并構(gòu)成說明書的一部分。附圖示出了本發(fā)明的范例性實(shí)施例，并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。
圖1是一個(gè)時(shí)序圖，它示出了在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的傳統(tǒng)方法；圖2是一個(gè)電路圖，它示出了可根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的方法進(jìn)行操作的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件；圖3是一個(gè)剖面圖，它示出了圖2所示存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)；圖4A和4B是時(shí)序圖，示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例用于在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的特性；圖5是一個(gè)時(shí)序圖，它示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例用于在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的特性；圖6和圖7是電路圖，示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的其它結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖描述本發(fā)明的最佳實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以利用不同的形式來實(shí)施，并且不作為對(duì)這里所描述實(shí)施例的限制。在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
圖2的電路圖示出了可由根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的方法操作的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。參看圖2，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)單元陣列100和行解碼器200。
存儲(chǔ)單元陣列100由偶數(shù)和奇數(shù)單元串Ste和STo構(gòu)成，它們被分別相應(yīng)地耦合到偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo上。偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo一起形成了一對(duì)位線。在驅(qū)動(dòng)編程操作期間，選擇位線對(duì)中的一個(gè)而同時(shí)排除另一個(gè)。換言之，控制偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo，以便使它們不被同時(shí)選擇。在該編程操作期間，未被選擇的位線(例如，BLe或BLo)用做屏蔽線(shielding line)，而對(duì)于所選擇的位線(例如，BLo或BLe)則激活感測操作。
如圖2所示，每個(gè)單元串STe或STo包括連接到其對(duì)應(yīng)位線BLe或BLo上的串選擇晶體管SST、連接到公共源線CSL上的地選擇晶體管GST和連接在所述串和地選擇晶體管SST和GST之間的存儲(chǔ)單元MC。這種結(jié)構(gòu)形成了NAND類型的回路。
響應(yīng)于串選擇信號(hào)SSL，串選擇晶體管SST被選通，同時(shí)，響應(yīng)于地選擇信號(hào)GSL，地選擇晶體管GST被選通。有選擇地施加字線信號(hào)WL1-WLn，以控制存儲(chǔ)單元MC的柵極。
串選擇信號(hào)SSL、地選擇信號(hào)GSL和字線信號(hào)WL1-WLn由行解碼器200提供。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，行解碼器200的結(jié)構(gòu)和操作通常是已知的，因此，這里將不再詳細(xì)描述。
如圖3所示，每個(gè)存儲(chǔ)單元MC都是由源/漏S/D、浮動(dòng)?xùn)臚G和控制柵CG構(gòu)成的浮動(dòng)?xùn)啪w管所形成的。如已經(jīng)知道的，存儲(chǔ)單元MC通過與其位線BLe或BLo的電壓電平對(duì)應(yīng)的溝道熱電子或Fowler-Nordheim隧道的效應(yīng)來編程。
返回圖2，非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括位線選擇偏置電路300和頁式緩沖器400。
位線選擇偏置電路300將頁式緩沖器400連接到交替的偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo之一上。另外，位線選擇偏置電路300控制偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo的電壓電平。
在位線選擇偏置電路300中，第一NMOS晶體管301響應(yīng)于偶數(shù)控制信號(hào)VCONe而控制是否將偶數(shù)位線BLe設(shè)置成虛擬的電源電壓VPWR。根據(jù)非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的激活以適當(dāng)?shù)碾娖秸{(diào)節(jié)該虛擬電源電壓VPWR。第二NMOS晶體管303響應(yīng)于奇數(shù)控制信號(hào)VCONo而控制是否將奇數(shù)位線BLo設(shè)置成虛擬電源電壓VPWR。
另外，在位線選擇偏置電路300中，第三NMOS晶體管305響應(yīng)于偶數(shù)選擇信號(hào)BLSLTe而將偶數(shù)位線BLe連接到頁式緩沖器400上。第四NMOS晶體管307響應(yīng)于奇數(shù)選擇信號(hào)BLSLTo而將奇數(shù)位線BLo連接到頁式緩沖器400上。
頁式緩沖器400在數(shù)據(jù)輸入操作期間鎖存由數(shù)據(jù)線DBL提供的數(shù)據(jù)位，并使用該鎖存的數(shù)據(jù)位控制偶數(shù)位線BLe或奇數(shù)位線BLo。此外，在數(shù)據(jù)輸出操作期間，頁式緩沖器400鎖存與偶數(shù)位線BLe或奇數(shù)位線BLo的電壓電平對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)位并使用該鎖存的數(shù)據(jù)位來控制數(shù)據(jù)線DBL。由于頁式緩沖器的通常結(jié)構(gòu)和操作為本領(lǐng)域技術(shù)人員所周知，因此這里不再對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。
可以使用各種技術(shù)來實(shí)現(xiàn)頁式緩沖器400，并且不局限于本實(shí)施例的特性。
圖4A和4B是示出根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的編程操作的時(shí)序圖。
在該實(shí)施例中，為方便起見，此后假設(shè)所選擇的存儲(chǔ)單元MCsel(圖2)是連接到偶數(shù)位線BLe上的第一存儲(chǔ)單元。
參看圖4A，有存儲(chǔ)單元編程周期P110和驗(yàn)證周期P120。在存儲(chǔ)單元編程周期P110中，借助于位線電壓增加所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的閾值電壓。編程周期P110包括位線設(shè)置過程T111和閾值電壓控制過程T112。
在位線設(shè)置過程T111中，當(dāng)偶數(shù)控制信號(hào)VCONe被設(shè)置成地電壓VSS以及偶數(shù)選擇信號(hào)BLSLTe達(dá)到讀出電壓VREAD(這里，讀出電壓VREAD高于電源電壓VDD)時(shí)，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置成與將被編程到所選擇存儲(chǔ)單元MCsel中的數(shù)據(jù)位對(duì)應(yīng)的電壓。如果要被編程的數(shù)據(jù)位是‘0’，那么，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置到地電壓VSS，這是可編程狀態(tài)。相反，如果要被編程的數(shù)據(jù)位是‘1’，那么，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置到電源電壓VDD，這是禁止編程狀態(tài)。
關(guān)于該電路的“奇數(shù)”側(cè)，在位線設(shè)置過程T111中，虛擬電源電壓VPWR是電源電壓VDD，奇數(shù)控制信號(hào)VCONo或是讀出電壓VREAD或是電源電壓VDD，奇數(shù)選擇信號(hào)BLSLTo是地電壓VSS。因此，奇數(shù)位線BLo被設(shè)置成電源電壓VDD，即，處于禁止編程狀態(tài)中。
在閾值電壓控制過程T112中，增加所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的閾值電壓以便對(duì)該單元編程。換言之，耦合到所選擇存儲(chǔ)單元MCsel上的字線WL1(sel)被設(shè)置成預(yù)定的編程電壓VPGM，而未被選擇的存儲(chǔ)單元MC的其他字線WL<2-n>被設(shè)置成通過電壓(pass voltage)VPASS和串選擇信號(hào)SSL被設(shè)置成電源電壓VDD。
這里，編程電壓VPGM能夠在所選擇的存儲(chǔ)單元MCsel中形成傳導(dǎo)溝道并根據(jù)偶數(shù)位線BLe的電壓電平增加它的閾值電壓，其在大約為15-20V的范圍中。換言之，當(dāng)偶數(shù)位線BLe被設(shè)置得接近地電壓VSS時(shí)，經(jīng)過其字線WL1(sel)施加有編程電壓VPGM的所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的閾值電壓可以增加。但是，當(dāng)偶數(shù)位線BLe被設(shè)置得接近電源電壓VDD時(shí)，所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的閾值電壓不變。
通過電壓VPASS是不能導(dǎo)致相應(yīng)存儲(chǔ)單元MC的閾值電壓變化的電壓電平，其大約為8V。
根據(jù)本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)編程操作的方法包括驗(yàn)證周期P120。在驗(yàn)證周期P120中，執(zhí)行對(duì)于所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的數(shù)據(jù)讀出操作，以檢查所選擇的存儲(chǔ)單元MCsel是否已經(jīng)被成功編程。在最佳實(shí)施例中，驗(yàn)證周期P120包括位線預(yù)充電過程T121和位線讀出過程T122。
在位線預(yù)充電過程T121中，偶數(shù)位線BLe被充電到預(yù)定的預(yù)充電電壓VPRE。預(yù)充電電壓VPRE是一個(gè)用于得到所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的數(shù)據(jù)位的電壓電平，并可以是和電源電壓VDD的電平相同的電平，如圖4A所示。但是，預(yù)充電電壓VPRE也可以被設(shè)置成低于電源電壓VDD的電壓，例如，約是電源電壓VDD的一半。
在位線讀出過程T122中，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置成與所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的數(shù)據(jù)位對(duì)應(yīng)的電壓電平。
值得注意的是，在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的驅(qū)動(dòng)編程操作的方法不包括如在如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中那樣的、用于偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo的放電處理。即，驗(yàn)證周期P120的位線預(yù)充電過程T121直接跟在存儲(chǔ)單元編程周期P110的閾值電壓控制過程T112之后而沒有放電過程。
對(duì)于要編程到所選擇存儲(chǔ)單元MCsel中的數(shù)據(jù)位‘0’，偶數(shù)位線BLe在閾值電壓控制過程T112中最初被設(shè)置成地電壓VSS。這和對(duì)偶數(shù)位線BLe放電具有相同的效果。因此，雖然在完成存儲(chǔ)單元編程周期T110的閾值電壓控制過程T112之后沒有對(duì)偶數(shù)位線BLe放電的特定操作，但是，可以在驗(yàn)證周期P120中得到所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的編程狀態(tài)。
如果在較早時(shí)間所選擇的存儲(chǔ)單元MCsel被防止編程或被完成編程，那么，就沒有理由再驗(yàn)證所選擇存儲(chǔ)單元的編程狀態(tài)。頁式緩沖器400充當(dāng)單向鎖存器，通過該單向鎖存器，在驗(yàn)證周期P120中，響應(yīng)于接近電源電壓VDD的位線BLe的電壓，鎖存的數(shù)據(jù)位被觸發(fā)(flip)。由此，當(dāng)所選擇存儲(chǔ)單元MCsel被保持在禁止編程狀態(tài)中時(shí)，在頁式緩沖器中鎖存的數(shù)據(jù)位即使是在位線BLe的電壓電平為低的情況下也不被觸發(fā)。
如上所述，圖4A中所示的在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的驅(qū)動(dòng)編程操作的方法不包括在編程周期P110的閾值電壓控制過程T112和驗(yàn)證周期P120的位線預(yù)充電過程T121之間的、將偶數(shù)位線BLe放電到地電壓VSS的過程。結(jié)果是，提高了編程速度。
另外，在閾值電壓控制過程T112期間，當(dāng)被連接到要被編程的存儲(chǔ)單元上時(shí)，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置成地電壓VSS。相反，當(dāng)被連接到被禁止編程的存儲(chǔ)單元或已經(jīng)完成編程的存儲(chǔ)單元上時(shí)，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置成電源電壓VDD。然后，在位線預(yù)充電過程T121中，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置成預(yù)充電電壓VPRE，該電壓可以和電源電壓VDD相同。
換言之，利用預(yù)充電電壓VPRE直接控制偶數(shù)位線BLe。因此，與在被設(shè)置成預(yù)充電電壓電平之前位線BL總是被放電到地電壓VSS的傳統(tǒng)情況相比，實(shí)現(xiàn)了減少的電流損耗。
圖4B是圖4A的時(shí)序圖之后的時(shí)序圖，并示出了在用于存儲(chǔ)單元的驗(yàn)證操作之后恢復(fù)編程操作的時(shí)序。
參看圖4B，所述方法包括在存儲(chǔ)單元編程周期P110’期間的位線設(shè)置過程T111’和閾值電壓控制過程T112’。首先執(zhí)行在驗(yàn)證周期P120中的位線讀出過程T122。在位線讀出過程T111’中，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置成與所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的數(shù)據(jù)位對(duì)應(yīng)的電壓電平。如果驗(yàn)證了所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的編程狀態(tài)(PASS)，則偶數(shù)位線BLe被設(shè)置到接近電源電壓VDD的電壓電平。反之，如果所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的編程狀態(tài)沒有通過驗(yàn)證(FAIL)，那么，偶數(shù)位線BLe被設(shè)置到接近地電壓VSS的電壓電平。
在驗(yàn)證周期P120中，如果所選擇存儲(chǔ)單元MCsel被檢測為沒有被正確編程，則執(zhí)行位線設(shè)置過程T111’和閾值電壓控制過程T112’。
在位線設(shè)置過程T111’中，已保持在禁止編程狀態(tài)中的偶數(shù)位線BLe被設(shè)置到電源電壓VDD。
在閾值電壓控制過程T112’中，增加所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的閾值電壓，以編程所選擇的存儲(chǔ)單元MCsel，這與前述圖4A中所示的閾值電壓控制過程T111相同。在該周期內(nèi)，編程電壓高于前述的、圖4A中所示的過程T111中的電壓。
與圖1所示的傳統(tǒng)方法相反，這些實(shí)施例不包括在位線讀出過程T122中控制偶數(shù)位線BLe之后和在閾值電壓控制過程T112’之前的用于偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo的放電處理。即，閾值電壓控制過程T112’被安排在緊跟在驗(yàn)證周期P120的位線讀出過程T122之后而不經(jīng)過用于偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo的放電處理。
如果所選擇存儲(chǔ)單元MCsel被檢測為沒有被正確編程，則偶數(shù)位線BLe在位線讀出過程T122中最初被設(shè)置為地電壓VSS。相反，如果所選擇存儲(chǔ)單元MCsel被檢測為被成功編程(PASS)，那么，偶數(shù)位線BLe在位線讀出過程T122中被設(shè)置到電源電壓VDD。
換言之，通過在位線讀出過程T122中放電，偶數(shù)位線BLe在與圖4A的位線設(shè)置過程T111之后的狀態(tài)相同的狀態(tài)中結(jié)束。如果偶數(shù)位線BLe被保持在禁止編程狀態(tài)中，那么，它將被設(shè)置到地電壓VSS。
在位線設(shè)置過程T111’期間，在位線讀出過程T122期間處于禁止編程狀態(tài)的偶數(shù)位線BLe被設(shè)置到電源電壓VDD。在位線設(shè)置過程T111’期間，不管在編程之后是被確認(rèn)為失敗還是通過，不控制偶數(shù)位線BLe。
因此，雖然排除了用于偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo的放電處理，但通過在存儲(chǔ)單元編程周期P110’期間內(nèi)的位線設(shè)置過程T111’和閾值控制過程T112’，增加了所選擇存儲(chǔ)單元MCsel的閾值電壓。
如上面所解釋的，本發(fā)明的實(shí)施例排除了在驗(yàn)證周期P120和存儲(chǔ)單元編程周期P110’之間的、偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo的放電處理。結(jié)果是，編程速度得到了提高。另外，與位線BL在被放電到地電壓VSS之后被再次設(shè)置為高的傳統(tǒng)情況相比，減少了電流損耗。
概括圖4A和4B中所示的在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中的驅(qū)動(dòng)編程操作的方法，在驗(yàn)證周期P120和存儲(chǔ)單元編程周期P110或P110’之間沒有用于對(duì)偶數(shù)位線BLe放電的操作。結(jié)果是，提高了編程速度并減小了電流損耗。
在位線讀出過程T122期間可能發(fā)生電子噪聲。具體地說，在位線讀出過程T122期間，公共源線CSL被設(shè)置到地電壓VSS。此時(shí)，由字線ML1選通的奇數(shù)位線BLo的存儲(chǔ)單元MC可以被設(shè)置成擦除狀態(tài)。這樣，奇數(shù)位線BLo的電荷被傳送給公共源線CSL，而這有可能引起噪聲。
另外，在位線讀出過程T122期間可能發(fā)生耦合噪聲。具體地說，在位線讀出過程T122期間，奇數(shù)位線BLo處于浮動(dòng)狀態(tài)。此時(shí)，奇數(shù)位線BLo不能屏蔽偶數(shù)位線。由此，偶數(shù)位線BLe耦合到相鄰的奇數(shù)位線BLo。并且，奇數(shù)位線BLo耦合到其它的偶數(shù)位線BLe，這可能引起偶數(shù)位線之間的耦合噪聲。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例的在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法，其中，該方法能夠避免發(fā)生上述的電子和耦合噪聲。
除了在閾值電壓控制過程T112和驗(yàn)證周期P120的位線預(yù)充電過程T121之間插入了位線放電周期P130以外，圖5所示的方法與圖4A所示方法類似。
在位線放電周期P130期間，奇數(shù)位線BLo被放電到地電壓VSS，并因此可以避免在公共源線CSL上的電子噪聲和耦合噪聲。
但是，可以看到，仍然沒有將偶數(shù)位線BLe(作為所選擇的位線)放電到地電壓VSS的操作。因此，在圖5方法中使用的位線放電周期P130不同于在圖1中的其中所有位線BL都被放電到地電壓VSS的位線放電周期P31。
由于在圖5的方法中不發(fā)生對(duì)偶數(shù)位線BLe(作為所選擇的位線)放電的處理，因而具有減少電流損耗的優(yōu)點(diǎn)。
圖6和圖7是示出可根據(jù)本發(fā)明某些實(shí)施例操作的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的其它結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6所示的結(jié)構(gòu)與圖2所示類似。但是，圖6所示的器件在下述方面不同，即偶數(shù)和奇數(shù)位線BLe和BLo的地選擇晶體管GSTe和GSTo的每一個(gè)分別由不同的地選擇信號(hào)GSLe和GSLo選通。
在圖6所示的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中，甚至圖4A中所示的驅(qū)動(dòng)編程操作的方法可被應(yīng)用于避免在公共源線CSL上和偶數(shù)位線之間產(chǎn)生噪聲。具體地說，不管將奇數(shù)位線BLo放電到地電壓VSS的操作，如果奇數(shù)位線BLo的地選擇晶體管GSTo被截止，那么，可以避免在公共源線CSL上和偶數(shù)位線之間的噪聲。
圖7是示出本發(fā)明的另一實(shí)施例的電路圖。當(dāng)配置非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件以使得頁式緩沖器400連接到單一位線BL上時(shí)，在公共源線CSL上和在偶數(shù)位線之間不會(huì)產(chǎn)生噪聲。
本發(fā)明可以多種方式實(shí)踐。其遵循本發(fā)明某些實(shí)施例的范例性、非限定的描述。
根據(jù)本發(fā)明的某些實(shí)施例，在具有偶數(shù)和奇數(shù)位線和電連接到相應(yīng)偶數(shù)和奇數(shù)位線上的存儲(chǔ)單元的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法包括交替選擇偶數(shù)和奇數(shù)位線的處理、控制所選擇的要被編程的存儲(chǔ)單元的閾值電壓的處理、將存儲(chǔ)單元連接到偶數(shù)和奇數(shù)位線中所選擇一個(gè)的處理、將偶數(shù)和奇數(shù)位線中未被選擇的一個(gè)放電到地電壓的處理和驗(yàn)證所選擇存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)的處理。根據(jù)該方法，所選擇的位線在控制閾值電壓的處理之后或在驗(yàn)證所選擇存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)的處理之前沒有被放電到地電壓。
雖然已經(jīng)結(jié)合附圖中所示的實(shí)施例描述了本發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于此。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員很清楚，在不脫離本發(fā)明范圍和精神的前提下可以做出各種替換、修改和變化。
例如，雖然這些實(shí)施例描述了所選擇存儲(chǔ)單元連接到偶數(shù)位線的特征，但是所選擇的存儲(chǔ)單元可以連接到奇數(shù)位線上。在這種情況下，可以用奇數(shù)位線代替偶數(shù)位線作為耦合到所選擇存儲(chǔ)單元的位線，這在本質(zhì)上不改變本發(fā)明的目的的實(shí)現(xiàn)。
再有，提供了這些實(shí)施例，以便本公開將是徹底和完整的，并且，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，這將完全覆蓋通過權(quán)利要求書所體現(xiàn)的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種在具有偶數(shù)和奇數(shù)位線對(duì)并具有電連接到偶數(shù)和奇數(shù)位線的每一個(gè)上的多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法，所述偶數(shù)和奇數(shù)位線是交替可選擇的，該方法包括根據(jù)所選擇位線的電壓電平，控制所選擇的要被編程的存儲(chǔ)單元的閾值電壓，所選擇存儲(chǔ)單元連接到偶數(shù)和奇數(shù)位線中的所選擇的一個(gè)上；將所述偶數(shù)和奇數(shù)位線中的未被選擇的一個(gè)放電到地電壓；和驗(yàn)證所選擇的已經(jīng)被編程的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，其中，在驗(yàn)證數(shù)據(jù)之前和控制閾值電壓之后排除用于將所選擇位線放電到地電壓的操作。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述驗(yàn)證數(shù)據(jù)包括將所選擇位線預(yù)充電到預(yù)定的預(yù)充電電壓，和其中，在預(yù)充電所選擇位線之前和控制閾值電壓之后排除用于將所選擇位線放電到地電壓的操作。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是NAND型。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在控制閾值電壓之前，將所選擇位線設(shè)置到與所選擇存儲(chǔ)單元中要被編程的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電壓并將未被選擇的位線設(shè)置在禁止編程狀態(tài)中。
5.一種在具有偶數(shù)和奇數(shù)位線對(duì)和具有電連接到偶數(shù)和奇數(shù)位線的每一個(gè)上的多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法，所述偶數(shù)和奇數(shù)位線是交替可選擇的，該方法包括根據(jù)所選擇位線的電壓電平，控制所選擇的要被編程的存儲(chǔ)單元的閾值電壓，所選擇的存儲(chǔ)單元連接到偶數(shù)和奇數(shù)位線中的所選擇的一個(gè)上；和驗(yàn)證所選擇的被編程的存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，其中，在驗(yàn)證數(shù)據(jù)之前和控制閾值電壓之后用于排除將所選擇位線放電到地電壓的操作。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述驗(yàn)證數(shù)據(jù)包括將所選擇位線預(yù)充電到預(yù)定的預(yù)充電電壓，和其中，在預(yù)充電所選擇位線之前和控制閾值電壓之后用于排除將所選擇位線放電到地電壓的操作。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是
8.如權(quán)利要求5所述的方法，還包括在控制閾值電壓之前，將所選擇位線設(shè)置到與所選擇存儲(chǔ)單元中要被編程的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電壓并將未被選擇的位線設(shè)置在禁止編程狀態(tài)中。
9.一種在具有偶數(shù)和奇數(shù)位線對(duì)和電連接到偶數(shù)和奇數(shù)位線的每一個(gè)上的多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法，所述偶數(shù)和奇數(shù)位線是交替可選擇的，該方法包括將偶數(shù)和奇數(shù)位線的被選擇的一個(gè)控制在與連接到所選擇位線的所選擇存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電壓電平上；和根據(jù)所選擇位線的電壓電平，控制所選擇存儲(chǔ)單元的閾值電壓，其中，在控制閾值電壓之前和控制所選擇位線之后排除用于將所選擇位線放電到地電壓的操作。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是NAND型。
11.一種在具有位線和連接到該位線上的多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法，該方法包括根據(jù)位線的電壓電平，控制連接到要被編程的位線上的所選擇存儲(chǔ)單元的閾值電壓；和驗(yàn)證所選擇存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)，其中，在驗(yàn)證數(shù)據(jù)之前和在控制閾值電壓之后排除用于將位線放電到地電壓的操作。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述驗(yàn)證包括將位線預(yù)充電到預(yù)定的預(yù)充電電壓，和其中，在預(yù)充電位線之前和控制閾值電壓之后排除用于將位線放電到地電壓的操作。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是NAND型。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在控制閾值電壓之前，將位線設(shè)置成與所選擇存儲(chǔ)單元中要被編程的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電壓。
15.一種在具有位線和連接到該位線上的多個(gè)存儲(chǔ)單元的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法，該方法包括將位線控制在與連接到所述位線上的所選擇存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的電壓電平上；和根據(jù)所述位線的電壓電平，控制所選擇的連接到要被編程的位線上的存儲(chǔ)單元的閾值電壓，其中，在控制閾值電壓之前和控制所述位線之后排除將所述位線放電到地電壓的操作。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是NAND型。
全文摘要
在一個(gè)實(shí)施例中，一種在非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中驅(qū)動(dòng)編程操作的方法可在編程周期和驗(yàn)證周期之間不對(duì)連接到要被編程的存儲(chǔ)單元上的位線放電的情況下進(jìn)行操作。這明顯提高了編程速度并減少了電流損耗。
文檔編號(hào)G11C7/00GK1811982SQ20061000606
公開日2006年8月2日 申請(qǐng)日期2006年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月24日
發(fā)明者李真燁 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社