專利名稱：閃存裝置及其閃存單元的擦除方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種閃存裝置及其閃存單元的擦除方法，特別是涉及一種NAND型式的閃存儲裝置，其中可執(zhí)行一種單元區(qū)塊或頁面單元的擦除操作，以及關(guān)于一種擦除其閃存單元的方法。
背景技術(shù)：
通常，一NAND型閃存裝置由多個(gè)單元區(qū)塊(cell block)組成。每一個(gè)單元區(qū)塊包含多個(gè)單元串(其序列連接有多個(gè)單元)、多個(gè)位線、多個(gè)字線、連接在單元串與位線之間的漏極選擇晶體管，以及連接在單元串與共同源極線之間的源極選擇晶體管。同時(shí)，共享一個(gè)字線的多個(gè)存儲單元組成一頁(one page)，且所有單元共享一P阱。該存儲單元還包含一傳遞(pass)晶體管用以提供預(yù)定的電壓到該單元區(qū)塊。該傳遞晶體管包含用于漏極選擇、源極選擇和單元選擇的多個(gè)高壓晶體管。
在上述結(jié)構(gòu)的NAND型閃存裝置中，為了編程數(shù)據(jù)到存儲單元，首先被執(zhí)行一擦除操作，接著執(zhí)行一僅影響被選擇的單元的編程操作。然而，在NAND型閃存組件上執(zhí)行的編程操作是在一頁面單元中進(jìn)行的，而執(zhí)行的擦除操作是在單元區(qū)塊中進(jìn)行的，這是因?yàn)樗械膯卧蚕碓揚(yáng)阱的緣故。下面將簡短描述一個(gè)已知的擦除NAND型閃存裝置的方法。
多個(gè)單元區(qū)塊中的一個(gè)單元區(qū)塊被選擇。一電源電壓接著被施加到用于漏極選擇、源極選擇和在連接到被選擇的單元區(qū)塊的傳遞晶體管的內(nèi)的用于單元選擇的各個(gè)高壓晶體管的柵極端。接著，4.5V的電壓通過用于漏極選擇的高壓晶體管與用于源極選擇的高壓晶體管被施加到一漏極選擇晶體管與一源極選擇晶體管。一0V的電壓接著通過用于單元選擇的高壓晶體管被施加到一存儲單元。此外，一0V電壓接著被施加到用于漏極選擇、源極選擇與在連接到被選擇的單元區(qū)塊的傳遞晶體管的內(nèi)的用于單元選擇的各個(gè)高壓晶體管的柵極端。此外，一擦除電壓被施加到全部單元區(qū)塊的P阱。然而，當(dāng)P阱的電壓升高到擦除電壓時(shí)，在未被選擇單元的P阱中，未選擇單元區(qū)塊的字線電壓會增加，這是因?yàn)樽志€的電容與在字線以及P阱之間的電容耦合影響的關(guān)系。因此，未選擇的單元區(qū)塊并未被擦除。
在已知的NAND型閃存裝置中，其擦除是如上所述在于單元區(qū)塊內(nèi)被影響，即使僅有一被選的頁面需要被擦除以便僅編程該選擇的頁面，也會有一單元區(qū)塊被完全擦除。因此，就會有數(shù)據(jù)管理效率顯著低下的問題產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明鑒于上述問題，提供一閃存裝置，其能夠在單元區(qū)塊單元或頁面單元中執(zhí)行擦除，以及提供擦除其閃存單元的方法。
本發(fā)明的其它目的，為提供一閃存裝置，其中擦除能夠影響一單元區(qū)塊單元或頁面單元，使得假使該擦除是在單元區(qū)塊單元中執(zhí)行，一單元區(qū)塊當(dāng)中所有的字線都保持為0V，以及假使該擦除影響的是在頁面單元內(nèi)，則僅有對應(yīng)至頁面的字線保持為0V，且其它剩余的字線變成浮動，使得擦除未被執(zhí)行，并且本發(fā)明亦提供一擦除其閃存單元的方法。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種閃存裝置，其包含包含序列連接有多個(gè)單元的多個(gè)單元串的單元區(qū)塊，其中各個(gè)單元串均提供有一位線，且共享在多個(gè)單元中的一個(gè)字線的單元組成了一頁；一根據(jù)區(qū)塊地址選擇單元區(qū)塊中的一個(gè)的區(qū)塊選擇電路；一預(yù)譯碼器，用于根據(jù)頁面地址與頁面擦除信號，依據(jù)單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除確定多個(gè)全局字線的偏壓(bias)；以及一開關(guān)單元，用于根據(jù)區(qū)塊選擇電路的輸出信號，施加一個(gè)預(yù)定的偏壓到單元區(qū)塊的字線。
該單元區(qū)塊包括連接于單元串與位線之間的漏極選擇晶體管；和連接于單元串與共同源極線之間的源極選擇晶體管。
該預(yù)譯碼器包含一字線譯碼器，用于根據(jù)頁面地址，選擇性的輸出多個(gè)選擇信號，和多個(gè)字線開關(guān)，其均用于接收頁面擦除信號與各個(gè)選擇信號，且依據(jù)單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除，通過多個(gè)全局字線的每一個(gè)施加一預(yù)定的偏壓。
各個(gè)字線開關(guān)包含邏輯裝置，用于接收選擇信號與一頁面擦除信號的反相信號；一第一開關(guān)，用于根據(jù)邏輯裝置的反相的輸出信號，輸出一第一電壓(其導(dǎo)致一被選的單元區(qū)塊或被選的頁面被擦除)到全局字線；與一第二開關(guān)，用于根據(jù)邏輯裝置的輸出信號，輸出一第二電壓(其導(dǎo)致未被選的單元區(qū)塊或未被選的頁面不被擦除)到全局字線。
該邏輯裝置可包含一NOR門。
該第一電壓為0V且該第二電壓是一高于電源電壓的電壓。
該字線開關(guān)還包括多個(gè)第一升壓(boosting)裝置，用以根據(jù)邏輯裝置的反相的輸出信號，輸出一第一升壓信號，因而驅(qū)動該第一開關(guān)，以及一第二升壓(boosting)裝置，用以根據(jù)邏輯裝置的輸出信號，輸出一第二升壓信號，因而驅(qū)動該第二開關(guān)。
該開關(guān)裝置包含用于被連接在漏極選擇晶體管與預(yù)譯碼器之間的源極選擇的多個(gè)晶體管；多個(gè)晶體管，用于單元選擇，其均被連接于存儲單元的字線與全局字線之間，以及用于源極選擇的多個(gè)晶體管，其均連接于源極選擇晶體管與預(yù)譯碼器之間。
根據(jù)本發(fā)明，提供有一擦除在閃存裝置中的閃存單元的擦除方法，其中該閃存裝置包含有多個(gè)單元區(qū)塊，所述單元區(qū)塊包含串均有多個(gè)單元的多個(gè)單元串，其中各個(gè)單元串均配置有一位線，在多個(gè)單元中共享一字線的單元組成一頁，連接于單元串與位線之間的漏極選擇晶體管以及連接于單元串與共同源極線之間的源極選擇晶體管，一根據(jù)區(qū)塊地址選擇單元區(qū)塊中的一個(gè)的區(qū)塊選擇電路，一預(yù)譯碼器，用于根據(jù)頁面地址與頁面擦除信號，依據(jù)單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除確定多個(gè)全局字線的偏壓(bias)，以及一開關(guān)單元，用于根據(jù)區(qū)塊選擇電路的輸出信號，施加一個(gè)預(yù)定的偏壓到單元區(qū)塊的字線，其中根據(jù)區(qū)塊地址一個(gè)單元區(qū)塊被選定之后，即依照頁面地址與頁面擦除信號，通過全局字線與開關(guān)單元依據(jù)單元區(qū)塊或頁面單元的擦除將一偏壓施加到被選擇的單元區(qū)塊或被選擇的頁面的位線。
被選擇的單元區(qū)塊的位線與源極端被浮動，且開關(guān)單元接著被使能，使得一第二電壓被施加到漏極選擇晶體管與源極選擇晶體管，且一第一電壓被施加到字線，從而執(zhí)行擦除。
未被選擇單元區(qū)塊的位線與源極端變?yōu)楦樱议_關(guān)單元接著被截止，使得漏極選擇晶體管與源極選擇晶體管變成浮動，且電源并未被施加到未被選擇的單元區(qū)塊的字線，從而不執(zhí)行擦除操作。
被選擇單元區(qū)塊的位線與源極端變?yōu)楦?，該開關(guān)單元接著被使能以提供一第二電壓到漏極選擇晶體管與源極選擇晶體管，且該第一電壓被施加到一被選定頁面的字線，且第二電壓被施加到未被選擇的頁面的字線，從而僅在被選擇頁面上執(zhí)行擦除操作。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的NAND型閃存裝置的電路圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的包含在NAND型閃存裝置的預(yù)譯碼器的方塊圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的包含在預(yù)譯碼器中的一字線開關(guān)的方塊圖；以及圖4A到圖4C為電路圖，為用來解說根據(jù)本發(fā)明的擦除NAND型閃存裝置的方法中的單元區(qū)塊的狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式
以下，結(jié)合附圖詳述本發(fā)明的最佳實(shí)施例。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的具有多個(gè)單元區(qū)塊100a、100b與一列譯碼器200的NAND型閃存裝置的電路圖。
參考圖1，各個(gè)單元區(qū)塊100a、100b包含序列串接有多個(gè)單元的單元串110a、100b；m個(gè)位線BL；n個(gè)字線WL；連接于單元串110a、100b與位線BL之間的多個(gè)漏極選擇晶體管；以及連接于單元串110a、100b與共同源極線之間的源極選擇晶體管。同時(shí)，共享一個(gè)字線的多個(gè)存儲單元組成一頁(one page)140a，140b，且所有單元共享一P阱。再者，漏極選擇晶體管120a，120b共享一源極選擇線DSL和源極選擇晶體管130a，130b共享一源極選擇線SSL。
列譯碼器200包含一預(yù)譯碼器210、一區(qū)塊選擇電路220與多個(gè)傳遞晶體管230a、230b。該預(yù)譯碼器210用以根據(jù)頁面地址信號Page Addr與一頁面擦除信號Page Erase依照一單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除確定多個(gè)全局字線GWL0到GWLn-1的偏壓。預(yù)譯碼器210會通過多個(gè)全局字線GWL0到GWLn-1提供一選擇電壓(Vsel)或未選擇電壓(Vunsel)。此時(shí)，該選擇電壓(Vsel)為0V，且該未選擇電壓(Vunsel)為一高于電源電壓(Vcc)的電壓。
區(qū)塊選擇電路220輸出一區(qū)塊選擇信號BSel用以根據(jù)區(qū)塊地址BlockAddr選擇一區(qū)塊。區(qū)塊選擇信號Bsel用來導(dǎo)通被選擇的單元區(qū)塊的傳遞晶體管230a與230b，以及用來截止未被選擇的傳遞晶體管230a與230b。因此，選擇電壓(Vsel)或未選擇電壓(Vunsel)通過多個(gè)全局位線GWL0到GWLn-1被施加到被選擇的單元區(qū)塊、該多個(gè)傳遞晶體管230a，230b與該被選擇的單元區(qū)塊100的字線WL0到WLn-1。同時(shí)，當(dāng)傳遞晶體管230a，230b截止時(shí)，該電壓不通過多個(gè)全局字線GWL0到GWLn-1施加至被選擇的單元區(qū)塊，且該字線WL0到WLn-1保持浮動(floated)。
同時(shí)，該傳遞晶體管230a，230b作為一開關(guān)，用于通過全局字線GWL0到GWLn-1施加一給定的電壓到單元區(qū)塊100內(nèi)的字線WL0到WLn-1。傳遞晶體管230a，230b包含用于漏極選擇240a，240b的高壓晶體管、用于源極選擇260a，260b的高壓晶體管與用于單元選擇250a，250b的高壓晶體管。
圖2為根據(jù)本發(fā)明的包含在NAND型閃存裝置的預(yù)譯碼器的方塊圖。
參考圖2，該預(yù)譯碼器包含一字線譯碼器310與多個(gè)字線開關(guān)320，以執(zhí)行在一頁面單元中的擦除操作。字線譯碼器310根據(jù)頁面地址信號PageAddr<0:m-1>選擇性的輸出n個(gè)選擇信號sel<0:n-1>。多個(gè)字線開關(guān)320到32n-1根據(jù)頁面擦除信號Page Erase與多個(gè)選擇信號sel<0:n-1>通過全局字線GWL0到GWLn-1提供選擇電壓(Vsel)或未選擇電壓(Vunsel)。
圖3為根據(jù)本發(fā)明的包含在預(yù)譯碼器中的一字線開關(guān)的方塊圖。
參考圖3，一NOR門410接收選擇信號sel與頁面擦除信號Page Erase(其經(jīng)由一第一反向器420被反相)，且接著該NOR門410確定一輸出信號。第一升壓裝置440輸出一相依于第二反相器430(其反相該NOR門410的輸出信號)的輸出信號的第一升壓信號。一第二升壓裝置460輸出一相依于NOR門410的輸出信號的第二升壓信號。一第一NMOS晶體管450根據(jù)該第一升壓裝置440的第一升壓信號傳輸該選擇電壓(Vsel)到該全局字線GWL，并且該第二NMOS晶體管470根據(jù)該第二升壓裝置460的第二升壓信號傳輸該未選擇電壓(Vunsel)到該全局字線GWL。此時(shí)，該選擇電壓(Vsel)為0V，且該未選擇電壓(Vunsel)為該高于電源電壓(Vcc)的電壓。此外，如果擦除操作在單元區(qū)塊單元生效，則該頁面擦除信號Page Erase被作為低電平輸出。同時(shí)，該第一與第二升壓裝置440與460被采用來產(chǎn)生電壓，其分別高于選擇電壓(Vsel)與未選擇電壓(Vunsel)，使得選擇電壓(Vsel)與未選擇電壓(Vunsel)能夠被傳輸?shù)饺肿志€GWL，而不用在該電壓為高的時(shí)候，降低閾值電壓。下面將詳述根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動上述構(gòu)成的字線開關(guān)的方法。
A)在單元區(qū)塊是在單元區(qū)塊單元的擦除操作中被選擇的情況該選擇信號sel被施加為高電平，且該頁面擦除信號Page Erase被施加為低電平。NOR門410接收高電平的選擇信號sel與低電平的頁面擦除信號Page Erase(其通過第一反向器420被反相)，且接著輸出一低電平信號。NOR門410的低電平的輸出信號截止該第二升壓裝置460。一高電平信號(其為通過第二反相器430被反相的NOR門410的低電平的輸出信號)，使能該第一升壓裝置440。因此，第一NMOS晶體管450被導(dǎo)通，且選擇電壓(Vsel)被提供給全局字線GWL。此時(shí)，由于多個(gè)連接到被選擇的單元區(qū)塊的傳遞晶體管被導(dǎo)通，因此該選擇電壓(Vsel)即被提供到被選擇的單元區(qū)塊。
B)在單元未在單元區(qū)塊單元的擦除操作中被選擇的情況該選擇信號sel被施加為低電平，且該頁面擦除信號Page Erase被施加為低電平。NOR門410會接收低電平的選擇信號sel與高電平的頁面擦除信號Page Erase(其從一低電平通過第一反向器420被反相)，且接著輸出一低電平信號。NOR門410的低電平的輸出信號會截止該第二升壓裝置460。一高電平信號(其為通過第二反相器430被反相的NOR門410的低電平的輸出信號)，會使能該第一升壓裝置440。因此，第一NMOS晶體管450被導(dǎo)通，且選擇電壓(Vsel)被輸入到全局字線GWL。此時(shí)，由于多個(gè)連接到未被選擇的單元區(qū)塊的傳遞晶體管被截止，該選擇電壓(Vsel)未被施加到未被選擇的單元區(qū)塊。
C)在頁面在頁面單元的擦除操作中被選擇的情況該選擇信號sel被施加為高電平，且該頁面擦除信號Page Erase被施加為高電平。NOR門410會接收高電平的選擇信號sel與低電平的頁面擦除信號Page Erase(其從一高電平通過第一反向器420被反相)，且接著輸出一低電平信號。NOR門410的低電平的輸出信號會截止該第二升壓裝置460。一高電平信號(其為通過第二反相器430被反相的NOR門410的低電平的輸出信號)，會使能該第一升壓裝置440。因此，第一NMOS晶體管450被導(dǎo)通，且選擇電壓(Vsel)會被輸入到全局字線GWL。此時(shí)，由于多個(gè)連接到被選擇的單元區(qū)塊的傳遞晶體管被導(dǎo)通，該選擇電壓(Vsel)即被施加到被選擇的單元區(qū)塊。
D)在頁面在頁面單元的擦除操作中未被選擇的情況該選擇信號sel被施加為低電平，且該頁面擦除信號Page Erase被施加為高電平。NOR門410會接收低電平的選擇信號sel與低電平的頁面擦除信號Page Erase(其從一高電平通過第一反向器420被反相)，且接著輸出一高電平信號。NOR門410的高電平的輸出信號會截止該第二升壓裝置460。一低電平信號(其為通過第二反相器430被反相的NOR門410的高電平的輸出信號)，其會截止該第一升壓裝置440。因此，第二NMOS晶體管470被導(dǎo)通，且未選擇電壓(Vunsel)被輸入到全局字線GWL。此時(shí)，由于多個(gè)連接到被選擇的單元區(qū)塊的傳遞晶體管被導(dǎo)通，該未選擇電壓(Vunsel)即被施加到未被選擇的單元區(qū)塊。
圖4A到圖4C為電路圖，為用來解說根據(jù)本發(fā)明的依靠擦除NAND型閃存裝置的傳遞晶體管與單元區(qū)塊的狀態(tài)。圖4A為一電路圖，顯示在單元區(qū)塊單元的擦除操作的被選擇的單元區(qū)塊。圖4B為一電路圖，顯示在單元區(qū)塊單元的擦除操作的未被選擇的單元區(qū)塊。圖4C為電路圖，顯示在頁面單元的擦除操作的單元區(qū)塊。
參考圖4A，0V的選擇電壓(Vsel)通過被選擇的單元區(qū)塊的全局字線GWL0到GWLn-1被施加，且4.5V的電壓通過全局漏極選擇線GDSL與全局源極選擇線GSSL被施加。此時(shí)，電源電壓(Vcc)被施加到因此而被導(dǎo)通的傳遞晶體管。因此，一0V的電壓被施加到被選擇的單元區(qū)塊的字線。此狀態(tài)中，假使擦除電壓(VEr)被施加到P阱，該擦除電壓(VEr)被施加到被選擇的單元區(qū)塊的字線與該P(yáng)阱之間，使得擦除操作根據(jù)F-N隧道效應(yīng)被執(zhí)行。
參考圖4B，0V的選擇電壓(Vsel)通過未被選擇的單元區(qū)塊的全局字線GWL0到GWLn-1被施加，且全局漏極選擇線GDSL與全局源極選擇線GSSL被變?yōu)楦?。此時(shí)，0V的電壓被施加到因此而被截止的傳遞晶體管。因此，被選擇的單元區(qū)塊的字線未被施加電源。在此狀態(tài)中，假使擦除電壓(VEr)被施加到未被選擇的單元區(qū)塊的P阱，則一未被選擇的單元區(qū)塊的字線的電壓會增加，這是因?yàn)橛捎谧志€的電容與字線與P阱間的電容的耦合效應(yīng)的關(guān)系。因此，未選擇的單元區(qū)塊的擦除操作沒有影響。
參考圖4C，0V的選擇電壓(Vsel)僅被施加于連接在被選擇的頁面的全局字線GWL1。一高于電源電壓(Vcc)的未選擇電壓(Vunsel)被施加到剩余的全局字線、該漏極選擇線與該源極選擇線。此時(shí)，連接至被選擇頁面的傳遞晶體管被導(dǎo)通，但是連接至未被選擇頁面的傳遞晶體管被截止。因此，該選擇電壓(Vsel)被施加到被選擇頁面的字線，但是未選擇電壓(Vunsel)并未被施加到被選擇頁面的字線。此狀態(tài)中，假使擦除電壓(VEr)被施加到P阱，則該擦除電壓(VEr)被施加到被選擇的頁面與該P(yáng)阱的字線之間，使得擦除操作根據(jù)F-N隧道效應(yīng)被執(zhí)行。然而，在未被選擇的頁面的情形中，當(dāng)P阱的電壓增加到擦除電壓(VEr)，因?yàn)橛捎趯?yīng)字線的電容與字線與P阱間的電容的耦合效應(yīng)的關(guān)系，字線的一電壓會增加到Ver一樣的程度。因此，因?yàn)樵谧志€與P阱間的電壓的差異小的緣故，擦除操作未產(chǎn)生影響。此時(shí)，位線與共同源極線被保持浮動。
為了參考之便，表格1示出了根據(jù)本發(fā)明的NAND型閃存裝置的讀取操作、編程操作、單元區(qū)塊單元的擦除操作與頁面單元的擦除操作的偏壓狀態(tài)。
表格1


如上所述，根據(jù)本發(fā)明，一單元區(qū)塊單元或一頁面單元的擦除操作能藉由包含在一預(yù)譯碼器中的字線開關(guān)根據(jù)頁面擦除信號來執(zhí)行。假使擦除操作在單元區(qū)塊單元中被執(zhí)行，則一個(gè)單元區(qū)塊中的所有的字線都被保持為0V。同時(shí)，假使擦除操作僅在頁面單元生效，則僅有對應(yīng)頁面的字線被保持為0V，且該剩余的字線被浮動，使得擦除操作未被執(zhí)行。因此，本發(fā)明具有改善數(shù)據(jù)管理功效的優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)椴脸僮鲀H在單元區(qū)塊單元或頁面單元中被執(zhí)行。
本發(fā)明參考最佳實(shí)施例子以說明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，在不背離本發(fā)明權(quán)利要求的精神與范圍的前提下，可對本發(fā)明進(jìn)行改變或修飾。
權(quán)利要求
1.一種閃存裝置，其包括包含順次連接有多個(gè)存儲單元的多個(gè)單元串的多個(gè)單元區(qū)塊，其中各個(gè)單元串均分配有一位線，且共享在多個(gè)存儲單元中的一個(gè)字線的單元組成了一頁面；一根據(jù)區(qū)塊地址用于選擇單元區(qū)塊中的一個(gè)的區(qū)塊選擇電路；一預(yù)譯碼器，用于根據(jù)頁面地址與頁面擦除信號，依據(jù)單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除確定多個(gè)全局字線的偏壓；以及一開關(guān)單元，用于根據(jù)區(qū)塊選擇電路的輸出信號，施加一個(gè)預(yù)定的偏壓到單元區(qū)塊的字線。
2.如權(quán)利要求1所述的閃存裝置，其中該單元區(qū)塊包含連接于單元串與位線之間的漏極選擇晶體管；以及連接于單元串與共同源極線之間的源極選擇晶體管。
3如權(quán)利要求1所述的閃存裝置，其中該預(yù)譯碼器包含一字線譯碼器，用于根據(jù)頁面地址選擇性的輸出多個(gè)選擇信號；以及多個(gè)字線開關(guān)，均用于接收頁面擦除信號與各個(gè)選擇信號，并用于通過各個(gè)多個(gè)全局位線施加依據(jù)單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除的一個(gè)預(yù)定的偏壓。
4.如權(quán)利要求3所述的閃存裝置，其中各個(gè)字線開關(guān)包含多個(gè)邏輯裝置，用于接收選擇信號與該頁面擦除信號的反相的信號；一第一開關(guān)，用于根據(jù)邏輯裝置的被反相的輸出信號輸出其導(dǎo)致一被選擇的單元區(qū)塊或一被選擇的頁面被擦除的一第一電壓至全局字線；以及一第二開關(guān)，用于根據(jù)邏輯裝置的輸出信號輸出其導(dǎo)致一未被選擇的單元區(qū)塊或一未被選擇的頁面不被擦除的一第二電壓至全局字線。
5.如權(quán)利要求4所述的閃存裝置，其中該邏輯裝置包含一NOR門。
6.如權(quán)利要求4所述的閃存裝置，其中該第一電壓為0V且該第二電壓是一高于電源電壓的電壓。
7.如權(quán)利要求4所述的閃存裝置，其中字線開關(guān)還包含第一升壓裝置，用于根據(jù)邏輯裝置的被反相的輸出信號而輸出一第一升壓信號，因而驅(qū)動該第一開關(guān)；以及第二升壓裝置，用于根據(jù)邏輯裝置的輸出信號而輸出一第二升壓信號，因而驅(qū)動該第二開關(guān)。
8.如權(quán)利要求1所述的閃存裝置，其中該開關(guān)單元包含多個(gè)連接于漏極選擇晶體管與預(yù)譯碼器之間的用于漏極選擇的晶體管；多個(gè)連接于存儲單元的字線與全局字線之間的用于單元選擇的晶體管；以及多個(gè)連接于源極選擇晶體管與預(yù)譯碼器之間的用于源極選擇的晶體管。
9.一種擦除閃存裝置中閃存單元的方法，其中該閃存裝置包含包含有串接多個(gè)單元的多個(gè)單元串的多個(gè)單元區(qū)塊，其中各個(gè)單元串分配有一條位線，在多個(gè)單元中共享一條字線的單元組成一頁面，連接于單元串與位線之間的漏極選擇晶體管以及連接于單元串與共同源極線之間的源極選擇晶體管；一根據(jù)區(qū)塊地址用于選擇單元區(qū)塊中的一個(gè)的區(qū)塊選擇電路；一預(yù)譯碼器，用于根據(jù)頁面地址與頁面擦除信號，依據(jù)單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除確定多個(gè)全局字線的偏壓；以及一開關(guān)單元，用于根據(jù)區(qū)塊選擇電路的輸出信號，施加一個(gè)預(yù)定的偏壓到單元區(qū)塊的字線；其中在根據(jù)區(qū)塊地址選定一個(gè)單元區(qū)塊之后，即根據(jù)頁面地址與頁面擦除信號，通過全局字線與開關(guān)單元依據(jù)單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除將一偏壓施加到被選擇的單元區(qū)塊或被選擇的頁面的字線。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中被選擇的單元區(qū)塊的位線與源極端被浮動，且開關(guān)單元接著被使能，使得一第二電壓被施加到漏極選擇晶體管與源極選擇晶體管，且一第一電壓被施加到字線，從而擦除有效。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中未被選擇單元區(qū)塊的位線與源極端系變?yōu)楦?，且該開關(guān)單元接著截止，使得漏極選擇晶體管與源極選擇晶體管變成浮動，且電源并未被施加到未被選擇的單元區(qū)塊的字線，從而擦除操作并未被執(zhí)行。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中被選擇單元區(qū)塊的位線與源極端變?yōu)楦樱撻_關(guān)單元接著被使能以提供一第二電壓到漏極選擇晶體管與源極選擇晶體管，且該第一電壓被施加到一被選定頁面的字線，且第二電壓被施加到未被選擇的頁面的字線，從而僅在被選擇頁面上執(zhí)行擦除操作。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于閃存裝置以及擦除其的閃存單元的方法。該單元區(qū)塊單元或頁面單元的擦除，系根據(jù)頁面擦除信號藉由包含在預(yù)譯碼器中的字線開關(guān)來發(fā)生效用的。假使擦除操作在單元區(qū)塊單元中被執(zhí)行，一個(gè)單元區(qū)塊中的所有的字線都被保持為0V。同時(shí)，假使擦除操作僅在頁面單元生效，則僅有對應(yīng)頁面的字線被保持為0V，且該剩余的字線被變得浮動，使得擦除操作未被執(zhí)行。因此，擦除操作可于單元區(qū)塊單元或頁面單元中被執(zhí)行。其即可有效的增進(jìn)數(shù)據(jù)管理效率。
文檔編號G11C16/14GK1744232SQ20051000577
公開日2006年3月8日 申請日期2005年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月3日
發(fā)明者樸鎮(zhèn)壽 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司