專(zhuān)利名稱：浮動(dòng)塊、及磁盤(pán)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及浮動(dòng)塊、及磁盤(pán)裝置，特別是涉及通過(guò)在空氣潤(rùn)滑面和磁盤(pán)介質(zhì)之間的空氣流而浮在磁盤(pán)介質(zhì)上的浮動(dòng)塊、及使用該浮動(dòng)塊的磁盤(pán)裝置。
背景技術(shù)：
近年，磁盤(pán)裝置的數(shù)據(jù)記錄密度的顯著提高，據(jù)稱該記錄密度的增加為年增長(zhǎng)率150％。由于這種顯著的數(shù)據(jù)記錄密度的增加，磁盤(pán)裝置的數(shù)據(jù)記錄容量飛躍地提高。數(shù)據(jù)記錄容量的增加促進(jìn)磁盤(pán)裝置的小型化，如代替在日本特開(kāi)平8-249127號(hào)公報(bào)上被公開(kāi)的照相機(jī)、傳真機(jī)、移動(dòng)電話、調(diào)制解調(diào)器、傳呼機(jī)、手動(dòng)計(jì)算裝置、打印機(jī)、復(fù)印機(jī)等的各種各樣的電子裝置的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的性能價(jià)格比高的產(chǎn)品變得實(shí)用起來(lái)。
今天的磁盤(pán)裝置為了得到快的存取速度具有類(lèi)似錄音機(jī)的拾音器的旋轉(zhuǎn)型促動(dòng)器。在該促動(dòng)器臂的前端安裝著浮動(dòng)塊。該浮動(dòng)塊面對(duì)磁盤(pán)介質(zhì)的面為空氣潤(rùn)滑面，浮動(dòng)塊將伴隨磁盤(pán)介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)發(fā)生的空氣流引入空氣潤(rùn)滑面和磁盤(pán)介質(zhì)表面之間，因而浮在磁盤(pán)介質(zhì)上。即，浮動(dòng)塊在與磁盤(pán)介質(zhì)的記憶面之間形成·維持自身加壓式的空氣潤(rùn)滑膜。因此，浮動(dòng)塊相對(duì)于磁盤(pán)介質(zhì)表面的浮動(dòng)高度、即磁盤(pán)介質(zhì)表面與浮動(dòng)塊的距離是該空氣潤(rùn)滑膜的高度。而且，通過(guò)該膜，在磁盤(pán)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)中浮動(dòng)塊與磁盤(pán)介質(zhì)不容易產(chǎn)生機(jī)械的接觸，抑制摩擦及磨損。
該浮動(dòng)塊內(nèi)藏著在磁盤(pán)介質(zhì)上填寫(xiě)數(shù)據(jù)、或從磁盤(pán)介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的磁頭。一般的，磁頭配設(shè)在浮動(dòng)塊的面對(duì)磁盤(pán)介質(zhì)的空氣潤(rùn)滑面的空氣流出端附近。
還有，如前所述通過(guò)使用旋轉(zhuǎn)型促動(dòng)器，浮動(dòng)塊與磁盤(pán)介質(zhì)的滑動(dòng)及浮動(dòng)塊下的空氣流已經(jīng)不只是一個(gè)方向，相對(duì)于浮動(dòng)塊的縱軸(通過(guò)浮動(dòng)塊的中心、在浮動(dòng)塊或者促動(dòng)器的長(zhǎng)度方向上的假想軸)具有各種各樣的角度。再有，由于存取中的促動(dòng)器高速的探索動(dòng)作成為浮動(dòng)塊和磁盤(pán)介質(zhì)之間的滑動(dòng)方向以及在浮動(dòng)塊下流動(dòng)的空氣流的方向相對(duì)于縱軸傾斜的原因，在近年的具有旋轉(zhuǎn)型促動(dòng)器的磁盤(pán)裝置中，滑動(dòng)方向已經(jīng)不考慮浮動(dòng)塊從前方向后方的縱軸方向、或者從該方向僅略微偏離程度的方向。
在此，對(duì)于浮動(dòng)塊的縱軸磁盤(pán)介質(zhì)的滑動(dòng)方向的成角被稱作斜交角?；瑒?dòng)方向在促動(dòng)器臂位于磁盤(pán)介質(zhì)的外側(cè)的一端或者接觸外面時(shí)，斜交角為正，在促動(dòng)器臂位于磁盤(pán)介質(zhì)的內(nèi)側(cè)的一端或者接觸輪轂時(shí)，斜交角為負(fù)。
在磁盤(pán)裝置中，伴隨著記錄密度的增加，進(jìn)行記錄重放時(shí)的浮動(dòng)塊的對(duì)于磁盤(pán)介質(zhì)的上浮量有變小的傾向。該上浮量的下降如在專(zhuān)利第1505878號(hào)、專(zhuān)利第2778518號(hào)、專(zhuān)利第2803639號(hào)等上公開(kāi)的那樣，以高度不同的多個(gè)大致平面形成浮動(dòng)塊的空氣潤(rùn)滑面，為了使浮動(dòng)塊與磁盤(pán)介質(zhì)之間的間隙變小在高處形成的大致平面上產(chǎn)生正壓(作用在使浮動(dòng)塊遠(yuǎn)離磁盤(pán)介質(zhì)的方向的壓力)，為了使浮動(dòng)塊與磁盤(pán)介質(zhì)之間的間隙變大在低處形成的大致平面上產(chǎn)生負(fù)壓(作用在使浮動(dòng)塊接近磁盤(pán)介質(zhì)的方向的壓力)，通過(guò)使正壓和負(fù)壓平衡而使浮動(dòng)塊浮起，通過(guò)所謂的負(fù)壓利用型浮動(dòng)塊來(lái)達(dá)成。
如前所述，在磁盤(pán)裝置中進(jìn)行數(shù)據(jù)存取時(shí)，浮動(dòng)塊在從磁盤(pán)介質(zhì)的內(nèi)周到磁盤(pán)介質(zhì)的外周的范圍內(nèi)移動(dòng)，這種情況下，浮動(dòng)塊的上浮量及上浮姿勢(shì)將變動(dòng)。這是因?yàn)樵诰哂行D(zhuǎn)型促動(dòng)器的磁盤(pán)裝置中，通過(guò)磁盤(pán)介質(zhì)的半徑位置不僅使浮動(dòng)塊與磁盤(pán)介質(zhì)的相對(duì)速度變動(dòng)，由于斜交角也一起變動(dòng)，使在空氣潤(rùn)滑面上產(chǎn)生的空氣的壓力分布發(fā)生變動(dòng)。這樣的浮動(dòng)塊的上浮量變動(dòng)存在使磁頭的電磁變換功率惡化的問(wèn)題。特別是在要求高記錄密度的磁盤(pán)裝置中，要求在從磁盤(pán)介質(zhì)的內(nèi)周直到外周的磁頭位置上的上浮量均等，再有，伴隨著浮動(dòng)塊的低上浮量化，針對(duì)上浮量變動(dòng)的限制也被進(jìn)一步嚴(yán)格地要求。
還有，浮動(dòng)塊上浮姿勢(shì)的變動(dòng)，特別是浮動(dòng)塊橫軸方向的傾側(cè)角的變動(dòng)，對(duì)于在前述磁頭位置上被要求一定上浮的浮動(dòng)塊，會(huì)招致在最小上浮量位置上的上浮量降低，浮動(dòng)塊與磁盤(pán)介質(zhì)相接觸，存在可能誘發(fā)所謂的磁頭碰撞的問(wèn)題。
還有，在現(xiàn)在正在推進(jìn)開(kāi)發(fā)的使用直徑27mm等的小徑磁盤(pán)介質(zhì)的磁盤(pán)裝置中，例如與使用直徑95mm或84mm的磁盤(pán)介質(zhì)的磁盤(pán)裝置相比，由于浮動(dòng)塊與磁盤(pán)介質(zhì)的相對(duì)速度有很大的不同，通過(guò)空氣流不能充分得到上浮力，使維持一定的上浮量及維持一定的上浮姿勢(shì)更加困難，成為在開(kāi)發(fā)小型磁盤(pán)裝置上的巨大的問(wèn)題。
本發(fā)明是為了解決上述現(xiàn)有的問(wèn)題所作的技術(shù)方案，其目的在于，通過(guò)抑制浮動(dòng)塊的傾側(cè)角和上浮量的變動(dòng)，提供一種能夠維持一定的上浮姿勢(shì)和一定的上浮量的浮動(dòng)塊，以及使用該浮動(dòng)塊的磁盤(pán)裝置。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第1技術(shù)方案的浮動(dòng)塊，具有磁頭和空氣潤(rùn)滑面，該磁頭在與磁盤(pán)介質(zhì)之間進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或者重放，該空氣潤(rùn)滑面具有產(chǎn)生負(fù)壓的凹部，該浮動(dòng)塊通過(guò)在該空氣潤(rùn)滑面與前述磁盤(pán)介質(zhì)之間的空氣流浮在前述磁盤(pán)介質(zhì)之上，其特征在于，前述空氣潤(rùn)滑面具有位于前述凹部的空氣流入端側(cè)、成為在該空氣潤(rùn)滑面上最高的大致平面的空氣流入側(cè)襯墊，在通過(guò)浮動(dòng)塊中心在浮動(dòng)塊長(zhǎng)度方向假想的縱軸與磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)方向所成的斜交角在0(rad)的位置時(shí)，將前述浮動(dòng)塊與前述磁盤(pán)介質(zhì)的相對(duì)速度設(shè)為V(mm/s)，將前述空氣流入側(cè)襯墊與在該空氣流入側(cè)襯墊的空氣流入端側(cè)上形成的大致平面的差距設(shè)為d(mm)，將從前述空氣流入端至空氣流入側(cè)襯墊的距離設(shè)為y(mm)的情況下，V×(d/y)＜1.5。
依照本發(fā)明，通過(guò)抑制磁盤(pán)半徑比斜交角為0(rad)的位置的磁道大的位置上的上浮量的增加，能夠遍及磁盤(pán)半徑全體地抑制在所期望的上浮量變動(dòng)以下，能夠得到在磁盤(pán)介質(zhì)的所有位置上的可確保穩(wěn)定的上浮量的效果。
根據(jù)本發(fā)明的第2技術(shù)方案的浮動(dòng)塊，是在第1技術(shù)方案所述的浮動(dòng)塊中，其特征在于，V×(d/y)＜1.0。
依照本發(fā)明，通過(guò)更小、更穩(wěn)定地抑制磁盤(pán)半徑比斜交角為0(rad)的位置的磁道大的位置上的上浮量的增加，能夠遍及磁盤(pán)半徑全體地抑制在所期望的上浮量變動(dòng)以下，能夠得到在磁盤(pán)介質(zhì)的所有位置上的可確保穩(wěn)定的上浮量的效果。
根據(jù)本發(fā)明的第3技術(shù)方案的浮動(dòng)塊，是在第1技術(shù)方案所述的浮動(dòng)塊中，其特征在于，在前述空氣流入側(cè)襯墊的空氣流入端側(cè)上形成的大致平面延伸至空氣流入端。
依照本發(fā)明，通過(guò)形成所期望的空氣潤(rùn)滑面，能夠得到在磁盤(pán)介質(zhì)的所有位置上的可確保穩(wěn)定的上浮量的效果。
根據(jù)本發(fā)明的第4技術(shù)方案的浮動(dòng)塊，是在第1技術(shù)方案所述的浮動(dòng)塊中，其特征在于，前述空氣流入側(cè)襯墊包括在前述浮動(dòng)塊的橫軸方向上延伸的橫向軌道。
依照本發(fā)明，形成所期望的空氣潤(rùn)滑面，能夠得到在磁盤(pán)介質(zhì)的所有位置上的可確保穩(wěn)定的上浮量的效果。
根據(jù)本發(fā)明的第5技術(shù)方案的磁盤(pán)裝置，其特征在于，是具有如第1技術(shù)方案中所述的浮動(dòng)塊的磁盤(pán)裝置。
依照本發(fā)明，在磁盤(pán)介質(zhì)的全領(lǐng)域中，得到可以實(shí)現(xiàn)浮動(dòng)塊的穩(wěn)定的上浮姿勢(shì)和被抑制的上浮變動(dòng)的效果。
根據(jù)本發(fā)明的第6技術(shù)方案的磁盤(pán)裝置，是在第5技術(shù)方案所述的磁盤(pán)裝置中，其特征在于，對(duì)于通過(guò)浮動(dòng)塊中心在浮動(dòng)塊長(zhǎng)度方向上假想的縱軸對(duì)稱地形成前述凹部。
依照本發(fā)明，特別是將磁頭設(shè)置在浮動(dòng)塊的縱軸上的情況下，能夠?qū)A側(cè)角的變動(dòng)限制在最小限度，得到在磁盤(pán)介質(zhì)的全部位置上可確保穩(wěn)定的上浮量和上浮姿勢(shì)的效果。
根據(jù)本發(fā)明的第7技術(shù)方案的磁盤(pán)裝置，是在第5技術(shù)方案所述的磁盤(pán)裝置中，其特征在于，對(duì)于通過(guò)浮動(dòng)塊中心在浮動(dòng)塊長(zhǎng)度方向上假想的縱軸對(duì)稱地形成前述空氣潤(rùn)滑面。
依照本發(fā)明，特別是將磁頭設(shè)置在浮動(dòng)塊的縱軸上的情況下，能夠?qū)A側(cè)角的變動(dòng)限制在最小限度，得到在磁盤(pán)介質(zhì)的全部位置上可確保穩(wěn)定的上浮量和上浮姿勢(shì)的效果。
根據(jù)本發(fā)明的第8技術(shù)方案的磁盤(pán)裝置，是在第5技術(shù)方案所述的磁盤(pán)裝置中，其特征在于，依照PCMCIA標(biāo)準(zhǔn)。
依照本發(fā)明，具有能夠提供依照PCMCIA標(biāo)準(zhǔn)的記錄密度高、高可靠性的超小型的磁盤(pán)裝置效果。
根據(jù)本發(fā)明的第9技術(shù)方案的磁盤(pán)裝置，是在第5技術(shù)方案所述的磁盤(pán)裝置中，其特征在于，依照閃存卡標(biāo)準(zhǔn)。
依照本發(fā)明，具有能夠提供依照閃存卡標(biāo)準(zhǔn)的記錄密度高、高可靠性的超小型的磁盤(pán)裝置效果。


圖1是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的磁盤(pán)裝置的內(nèi)部的立體圖。
圖2是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的磁盤(pán)裝置的剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的一張磁盤(pán)介質(zhì)和促動(dòng)器臂的模式圖。
圖4(a)及圖4(b)是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的為了說(shuō)明浮動(dòng)塊的上浮姿勢(shì)的模式圖。
圖5(a)是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面的形狀的圖，圖5(b)是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面的橫截面的圖。
圖6是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面中的后掠角θ與傾側(cè)角的關(guān)系的圖。
圖7(a)是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面的形狀的圖，圖7(b)是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面的橫截面的圖。
圖8是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面中的后掠角θ與傾側(cè)角的關(guān)系的圖。
圖9(a)是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面的形狀的圖，圖9(b)是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面的橫截面的圖。
圖10是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面中的后掠角θ與傾側(cè)角的關(guān)系的圖。
圖11是表示本發(fā)明第1實(shí)施例空氣潤(rùn)滑面中的θ×X與傾側(cè)角的關(guān)系的圖。
圖12是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面中的后掠角η與傾側(cè)角的關(guān)系的圖。
圖13是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面中的后掠角η與傾側(cè)角的關(guān)系的圖。
圖14是表示本發(fā)明第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面中的后掠角η與傾側(cè)角的關(guān)系的圖。
圖15是表示本發(fā)明第1實(shí)施例空氣潤(rùn)滑面中的η×X與傾側(cè)角的關(guān)系的圖。
圖16是表示本發(fā)明第1實(shí)施例中的傾側(cè)角與相對(duì)速度的關(guān)系的圖。
圖17是表示本發(fā)明第2實(shí)施例的浮動(dòng)塊的上浮量與磁盤(pán)半徑位置的關(guān)系的圖。
圖18是表示本發(fā)明第2實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面的層差d與浮動(dòng)塊的上浮量的關(guān)系的圖。
圖19是表示本發(fā)明第2實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面的層差d與浮動(dòng)塊的上浮量的關(guān)系的圖。
圖20是表示本發(fā)明第2實(shí)施例中的適應(yīng)系數(shù)α與上浮量變動(dòng)量的關(guān)系的圖。
圖21(a)是表示空氣潤(rùn)滑面的形狀的圖，圖21(b)是表示空氣潤(rùn)滑面的橫截面的圖。
圖22(a)是表示空氣潤(rùn)滑面的形狀的圖，圖22(b)是表示空氣潤(rùn)滑面的橫截面的圖。
圖23(a)是表示空氣潤(rùn)滑面的形狀的圖，圖23(b)是表示空氣潤(rùn)滑面的橫截面的圖。
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施例)下面，參照?qǐng)D面，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第1實(shí)施例的浮動(dòng)塊及磁盤(pán)裝置。
圖1是表示磁盤(pán)裝置的內(nèi)部的立體圖。圖2是表示磁盤(pán)裝置的剖面圖。磁盤(pán)裝置具有外殼罩(圖中未示)，磁盤(pán)介質(zhì)2或浮動(dòng)塊3等被該外殼罩覆蓋。促動(dòng)器臂的組5被可旋轉(zhuǎn)地安裝在促動(dòng)器軸20上，通過(guò)音圈馬達(dá)6的動(dòng)力繞著促動(dòng)器軸20的周?chē)D(zhuǎn)。在該促動(dòng)器臂的組5的分別的前端安裝著懸臂14。而且，在分別的懸臂14的前端，安裝著具有磁氣變換器或者磁頭(在圖1中未示)的浮動(dòng)塊3。
在外殼7中安裝著主軸1，多個(gè)磁盤(pán)介質(zhì)2可旋轉(zhuǎn)地隔開(kāi)間隔安裝在該主軸1上。磁盤(pán)介質(zhì)2與通過(guò)馬達(dá)8旋轉(zhuǎn)的主軸1一起向圖1中的箭頭A所示的方向旋轉(zhuǎn)。浮動(dòng)塊3具有的磁頭相對(duì)于磁盤(pán)介質(zhì)2的位置由促動(dòng)器臂的組5決定，該磁頭在磁盤(pán)介質(zhì)2上寫(xiě)入數(shù)據(jù)或者從磁盤(pán)介質(zhì)2讀取數(shù)據(jù)。
浮動(dòng)塊3和與其一體化的磁頭，在磁盤(pán)介質(zhì)2的任何磁道上能夠記憶數(shù)據(jù)的磁氣的表示地在磁盤(pán)介質(zhì)2的表面上移動(dòng)。在磁盤(pán)裝置中，這種磁頭的移動(dòng)是通過(guò)繞促動(dòng)器軸20周?chē)D(zhuǎn)地移動(dòng)。通過(guò)使促動(dòng)器臂組5旋轉(zhuǎn)，浮動(dòng)塊3及其中的磁頭能夠位于磁盤(pán)介質(zhì)2的表面上的任何磁道上。
圖3是表示從上面看的一張磁盤(pán)介質(zhì)2和促動(dòng)器臂的模式圖。正如作為磁盤(pán)裝置的技術(shù)被熟知的那樣，在分別的磁盤(pán)介質(zhì)2上具有記錄磁氣情報(bào)的同心狀的磁道的列。內(nèi)直徑(ID)磁道11是記憶數(shù)據(jù)的最內(nèi)側(cè)的同心磁道。外直徑(OD)磁道12是記憶數(shù)據(jù)的最外側(cè)的同心磁道。相對(duì)于浮動(dòng)塊3的縱軸55磁盤(pán)介質(zhì)2表面的滑動(dòng)方向(磁盤(pán)介質(zhì)2的旋轉(zhuǎn)方向)被稱為斜交角，它在從ID磁道11到OD磁道12之間發(fā)生大的變化。另外，在向旋轉(zhuǎn)促動(dòng)器軸20的促動(dòng)器臂組5的安裝位置上也依存。該斜交角可為正也可為負(fù)。當(dāng)促動(dòng)器臂組5位于如滑動(dòng)方向碰上浮動(dòng)塊3的外周側(cè)端44的位置的情況下，斜交角為正。當(dāng)促動(dòng)器臂組5位于如滑動(dòng)方向碰上浮動(dòng)塊3的內(nèi)周側(cè)端43的位置的情況下，斜交角為負(fù)。即對(duì)于圖3，OD磁道12中的斜交角最大，ID磁道11中的最小，中直徑(MD)磁道13中的斜交角為0度。另外，在本第1實(shí)施例中，磁盤(pán)介質(zhì)外直徑(OD)磁道12的半徑為12.5mm、斜交角為16度，內(nèi)直徑(ID)磁道11的半徑為6mm、斜交角為-5度，中直徑(MD)磁道13的半徑為8.7mm、旋轉(zhuǎn)速度為4500rpm。
圖4是磁盤(pán)介質(zhì)2在進(jìn)行記錄重放穩(wěn)定地旋轉(zhuǎn)時(shí)，為了說(shuō)明浮動(dòng)塊的上浮姿勢(shì)的模式圖。浮動(dòng)塊3通過(guò)樞軸15被安裝在懸臂14上。
如圖4(a)所示，當(dāng)磁盤(pán)介質(zhì)2在進(jìn)行記錄重放以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度穩(wěn)定地旋轉(zhuǎn)時(shí)，浮動(dòng)塊3浮在磁盤(pán)介質(zhì)2表面上，采取使裝載著磁氣磁頭99的空氣流出端42側(cè)的上浮量變小的上浮姿勢(shì)。一般將該浮動(dòng)塊3相對(duì)于磁盤(pán)介質(zhì)2的縱軸55方向的傾斜稱為俯仰角。俯仰角在與空氣流入端41側(cè)相比空氣流出端42側(cè)的上浮量小的情況下為正。
還有，如圖4(b)所示，將浮動(dòng)塊3相對(duì)于磁盤(pán)介質(zhì)2的橫軸56方向的傾斜稱為傾側(cè)角。傾側(cè)角在與磁盤(pán)內(nèi)周端43側(cè)相比磁盤(pán)外周端44側(cè)的上浮量小的情況下為正。
圖5(a)是表示本第1實(shí)施例的浮動(dòng)塊3的空氣潤(rùn)滑面的形狀的圖，圖5(b)是表示該空氣潤(rùn)滑面的A-A橫截面的剖面圖。
圖5的空氣潤(rùn)滑面30A由上層面31、中層面32、下層面33的3層的互相大致平行的平坦面構(gòu)成。在圖5中上層面31與中層面32的層差為100nm，中層面32與下層面33的層差為700nm。
空氣流入端41朝著磁盤(pán)介質(zhì)2的表面旋轉(zhuǎn)的方向。旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)介質(zhì)2由于粘性效果使磁盤(pán)介質(zhì)2的滑動(dòng)方向的空氣流從空氣流入端41流入空氣潤(rùn)滑面30A的下面。通過(guò)該空氣流在空氣潤(rùn)滑面30A上產(chǎn)生的壓力作用在使浮動(dòng)塊3從磁盤(pán)介質(zhì)2遠(yuǎn)離方向上的壓力稱為正壓，作用在使浮動(dòng)塊3接近磁盤(pán)介質(zhì)2方向上的壓力稱為負(fù)壓。
在空氣潤(rùn)滑面30A上，在上層面31構(gòu)成空氣流出側(cè)襯墊34和空氣流入側(cè)襯墊38，該空氣流出側(cè)襯墊34在空氣流出端42附近為了裝載磁氣磁頭99而設(shè)置。該空氣流入側(cè)襯墊38通過(guò)相互連接橫向軌道35、內(nèi)側(cè)的側(cè)軌道36和外側(cè)的側(cè)軌道37形成，該橫向軌道35從內(nèi)周側(cè)端43、外周側(cè)端44隔開(kāi)規(guī)定的間隔形成，該內(nèi)側(cè)的側(cè)軌道36從空氣流入端41、內(nèi)周側(cè)端43、空氣流出端42隔開(kāi)規(guī)定的間隔形成，該外側(cè)的側(cè)軌道37從空氣流入端41、外周側(cè)端44、空氣流出端42隔開(kāi)規(guī)定的間隔形成。還有，在空氣流出側(cè)襯墊34和空氣流入側(cè)襯墊38的空氣流入端41側(cè)上形成中層面32，促進(jìn)向襯墊34、38的空氣的流入。在該空氣流入側(cè)襯墊38的空氣流入端側(cè)上形成的中層面32的大致平面，延伸到空氣流入端41。在空氣潤(rùn)滑面30A的中央部通過(guò)下層面33形成被上層面31或者中層面32包圍的負(fù)壓發(fā)生凹部48。本第1實(shí)施例的空氣潤(rùn)滑面30A主要是在襯墊34、38中產(chǎn)生正壓、在負(fù)壓發(fā)生凹部48產(chǎn)生負(fù)壓而構(gòu)成。
負(fù)壓發(fā)生凹部48的空氣流入端側(cè)棱角線(橫向軌道35)和外周側(cè)端側(cè)棱角線(側(cè)軌道37)通過(guò)相對(duì)于在浮動(dòng)塊寬度方向上假想的橫軸56具有θ后掠角的棱角線被連結(jié)，空氣流入端側(cè)棱角線(橫向軌道35)和內(nèi)周側(cè)端側(cè)棱角線(側(cè)軌道36)被具有η后掠角的棱角線連結(jié)。在圖5中，設(shè)定θ＝0.2π(rad)、η＝0.2π(rad)，但在本發(fā)明中θ、η可以進(jìn)行一定程度的角度變更。但是為了得到所期望的特性，θ、η需要在規(guī)定范圍之內(nèi)。下面對(duì)這點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
圖6是表示將具有在圖5中所示的空氣潤(rùn)滑面30A的浮動(dòng)塊3位于OD磁道12時(shí)的傾側(cè)角作為后掠角θ的函數(shù)進(jìn)行解析的結(jié)果的圖。另外，在此所用的磁盤(pán)裝置，對(duì)于在磁氣磁頭99的位置上的目標(biāo)上浮量25nm被允許的上浮量數(shù)值差為+/-2nm，對(duì)于目標(biāo)傾側(cè)角0μrad被允許的傾側(cè)角數(shù)值差為+/-10μrad。從圖6可知傾側(cè)角對(duì)應(yīng)后掠角θ變化，在0.14π＜θ＜0.28π的范圍內(nèi)，能夠?qū)A側(cè)角控制在本第1實(shí)施例中所期望的傾側(cè)角變動(dòng)以下。
再有，圖8是表示關(guān)于圖7中所示的空氣潤(rùn)滑面30B、圖10是表示關(guān)于圖9中所示的空氣潤(rùn)滑面30C在OD磁道12上的傾側(cè)角與后掠角θ的關(guān)系的圖?？諝鉂?rùn)滑面30B、30C的上層面31、中層面32、下層面33的分別的層差與空氣潤(rùn)滑面30A的情況相同。從圖8可知關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30B，在0.19π＜θ＜0.30π的范圍內(nèi)，能夠?qū)A側(cè)角控制在所期望的傾側(cè)角變動(dòng)以下。從圖10可知關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30C，在0.22π＜θ＜0.38π的范圍內(nèi)，能夠?qū)A側(cè)角控制在所期望的傾側(cè)角變動(dòng)以下。
在此，分別在空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C中，將從空氣流入端41至負(fù)壓發(fā)生凹部48的距離x通過(guò)浮動(dòng)塊的長(zhǎng)度L進(jìn)行基準(zhǔn)化使X＝x/L，如果尋求θ×X與傾側(cè)角的關(guān)系，就會(huì)明了引人注目的事項(xiàng)。下面對(duì)于這點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。另外，在本第1實(shí)施例中的空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C的X分別為0.405、0.364、0.283。
圖11是將θ×X作為橫軸，分別將在圖6、圖8、圖10中所示的結(jié)果一起表示的圖?！穹?hào)是空氣潤(rùn)滑面30A、□符號(hào)是空氣潤(rùn)滑面30B、▲符號(hào)是空氣潤(rùn)滑面30C的結(jié)果。根據(jù)圖11，在全部的空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C中，所期望的傾側(cè)角所得的范圍一致，該值為0.06π＜θ×X＜0.12π。即在0.06π＜θ×X＜0.12π的領(lǐng)域中通過(guò)形成具有后掠角θ的棱角線，能夠?qū)⑿苯唤窃谡念I(lǐng)域中的浮動(dòng)塊3的傾側(cè)角控制在所期望的傾側(cè)角變動(dòng)量以下，可以得到斜交角在正的領(lǐng)域中的穩(wěn)定的浮動(dòng)塊3的上浮姿勢(shì)，能夠確保在最小上浮量位置上的穩(wěn)定的上浮量。
再有，從圖11可知，為了抑制傾側(cè)角變動(dòng)的θ×X的最適宜值為0.09π。
下面，說(shuō)明斜交角在負(fù)的領(lǐng)域中的傾側(cè)角的控制。圖12、圖13、圖14是分別表示關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C在ID磁道11上的傾側(cè)角與后掠角η關(guān)系的圖。從圖12可知關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30A，在0.10π＜η＜0.35π的范圍內(nèi)，能夠?qū)A側(cè)角控制在所期望的傾側(cè)角變動(dòng)以下。從圖13可知關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30B，在0.12π＜η＜0.38π的范圍內(nèi)，能夠?qū)A側(cè)角控制在所期望的傾側(cè)角變動(dòng)以下。從圖14可知關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30C，在0.20π＜η＜0.47π的范圍內(nèi)，能夠?qū)A側(cè)角控制在所期望的傾側(cè)角變動(dòng)以下。
圖15是將η×X作為橫軸，分別將在圖12、圖13、圖14中所示的結(jié)果一起表示的圖?！穹?hào)是空氣潤(rùn)滑面30A、□符號(hào)是空氣潤(rùn)滑面30B、▲符號(hào)是空氣潤(rùn)滑面30C的結(jié)果。根據(jù)圖15，在全部的空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C中，所期望的傾側(cè)角所得的范圍一致，該值為0.05π＜η×X＜0.13π。即在0.05π＜η×X＜0.13π的領(lǐng)域中通過(guò)形成具有后掠角η的棱角線，能夠?qū)⑿苯唤窃谡念I(lǐng)域中的浮動(dòng)塊3的傾側(cè)角控制在所期望的傾側(cè)角變動(dòng)量以下，可以得到斜交角在正的領(lǐng)域中的穩(wěn)定的浮動(dòng)塊3的上浮姿勢(shì)，能夠確保在最小上浮量位置上的穩(wěn)定的上浮量。
再有，從圖15可知，為了抑制傾側(cè)角變動(dòng)的η×X的最適宜值為0.09π。
圖16是表示在空氣潤(rùn)滑面30A的ID磁道11和OD磁道12中的傾側(cè)角的、關(guān)于磁盤(pán)介質(zhì)2的相對(duì)速度依存的結(jié)果的圖。另外相對(duì)速度表示的是在MD磁道13(斜交角為0度、半徑為8.7mm)上的數(shù)值。從圖16可知，如本第1實(shí)施例那樣在需要將傾側(cè)角控制在+/-10μrad以下的情況下，最好在相對(duì)速度為13m/s以下的領(lǐng)域內(nèi)使用。
還有，如本第1實(shí)施例那樣，對(duì)于磁氣磁頭99被設(shè)在縱軸55上的浮動(dòng)塊3，最好使在位于MD磁道13時(shí)的傾側(cè)角為0地、相對(duì)于縱軸55對(duì)稱地形成負(fù)壓發(fā)生凹部48。再有，最好相對(duì)于縱軸55對(duì)稱地形成空氣潤(rùn)滑面30。
還有，具有后掠角θ的棱角線不影響在斜交角為負(fù)的領(lǐng)域中的傾側(cè)角地、具有后掠角θ的棱角線最好形成在縱軸55上的外周側(cè)端側(cè)上，具有后掠角η的棱角線也由于上述的理由，最好形成在縱軸55上的內(nèi)周側(cè)端側(cè)上。
再有，后掠角θ、后掠角η是由假想線與橫軸56而成的角來(lái)定義的，該假想線將連結(jié)空氣流入側(cè)棱角線的接點(diǎn)與連結(jié)外周側(cè)端側(cè)棱角線或者內(nèi)周側(cè)端側(cè)棱角線的接點(diǎn)連接，本第1實(shí)施例中以直線表示具有后掠角θ、后掠角η的棱角線，實(shí)質(zhì)上在能夠得到本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，是曲線也可以。
如上所述，根據(jù)本第1實(shí)施例的浮動(dòng)塊及磁盤(pán)裝置，通過(guò)由相對(duì)于在浮動(dòng)塊寬度方向上假想的橫軸具有θ(rad)后掠角的棱角線連結(jié)空氣流入端側(cè)的棱角線與磁盤(pán)外周側(cè)端的棱角線、在空氣潤(rùn)滑面30上形成負(fù)壓發(fā)生凹部48，將從空氣潤(rùn)滑面30的空氣流入端41至負(fù)壓發(fā)生凹部48的距離x以浮動(dòng)塊3的長(zhǎng)度L進(jìn)行基準(zhǔn)化使X＝x/L的情況下，通過(guò)將θ×X作成0.06π～0.12π，能夠抑制斜交角在正的領(lǐng)域中的傾側(cè)角變動(dòng)，可以確保在最小上浮量位置上的穩(wěn)定的上浮量。
還有，通過(guò)由相對(duì)于在浮動(dòng)塊寬度方向上假想的橫軸具有η(rad)后掠角的棱角線連結(jié)空氣流入端側(cè)的棱角線與磁盤(pán)外周側(cè)端的棱角線、在空氣潤(rùn)滑面30上形成負(fù)壓發(fā)生凹部48，將從空氣潤(rùn)滑面30的空氣流入端41至負(fù)壓發(fā)生凹部48的距離x以浮動(dòng)塊3的長(zhǎng)度L進(jìn)行基準(zhǔn)化使X＝x/L的情況下，通過(guò)將η×X作成0.05π～0.13π，能夠抑制斜交角在正的領(lǐng)域中的傾側(cè)角變動(dòng)，可以確保在最小上浮量位置上的穩(wěn)定的上浮量。
(第2實(shí)施例)下面，參照?qǐng)D面，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第2實(shí)施例的浮動(dòng)塊及磁盤(pán)裝置。
圖17是將圖5的空氣潤(rùn)滑面30A的上層面31與中層面32的層差d設(shè)為25nm、50nm、100nm、150nm、200nm的情況下表示從ID磁道11至OD磁道12的上浮量的圖?！穹?hào)是層差d為25nm、□符號(hào)是層差d為50nm、▲符號(hào)是層差d為100nm、◇符號(hào)是層差d為150nm、*符號(hào)是層差d為200nm的情況。另外，根據(jù)第1實(shí)施例的磁盤(pán)介質(zhì)2的穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)速度4500rpm時(shí)的在MD磁道13的浮動(dòng)塊3與磁盤(pán)介質(zhì)2的相對(duì)速度為2π×8.7×(4500/60)4100mm/s＝4.1m/s。從圖17可知，層差d越大，特別是在OD磁道12中的上浮量如果有變大的傾向，在ID磁道11上的上浮量與在OD磁道12上的上浮量的差將變大。
圖18是分別關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C、表示層差d與在ID磁道11～OD磁道12的范圍中的上浮量變動(dòng)量的關(guān)系的圖。從圖18可知，在全部的空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C中，層差d越大上浮量變動(dòng)將越大。
圖19是關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30A在磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)速度為4500rpm和9000rpm的情況下，表示層差d與上浮量變動(dòng)量的關(guān)系的圖。從圖19可知，磁盤(pán)介質(zhì)2的旋轉(zhuǎn)速度(浮動(dòng)塊3與磁盤(pán)介質(zhì)2的相對(duì)速度)即使不同，如果層差d變大，上浮量變動(dòng)變大的傾向是同樣的。再有，從圖19還可知，相對(duì)速度大的一方在ID磁道11～OD磁道12的范圍中的上浮量變動(dòng)變大。
在此，將在MD磁道13上的浮動(dòng)塊3與磁盤(pán)介質(zhì)2的相對(duì)速度設(shè)為V(mm/s)，將從空氣流入端41至空氣流入側(cè)襯墊38的距離設(shè)為y(mm)，橫軸采用V×(d/y)(以下將V×(d/y)稱為適應(yīng)系數(shù)α)，如果將在分別的條件下的上浮量變動(dòng)匯總，將會(huì)判明新的傾向。另外，這個(gè)y嚴(yán)密地說(shuō)是從空氣流入端41至空氣流入側(cè)襯墊38的前緣的距離，即從空氣流入端41至空氣流入側(cè)襯墊38的最靠近空氣流入端41外緣的距離。還有，空氣潤(rùn)滑面30A中y＝0.41mm、空氣潤(rùn)滑面30B中y＝0.35mm、空氣潤(rùn)滑面30C中y＝0.19mm。
圖20是分別關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C，表示適應(yīng)系數(shù)α與上浮量變動(dòng)量的關(guān)系的圖?！穹?hào)、■符號(hào)、▲符號(hào)分別表示穩(wěn)定旋轉(zhuǎn)速度為4500rpm時(shí)的關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C的結(jié)果，◆符號(hào)是關(guān)于空氣潤(rùn)滑面30A旋轉(zhuǎn)速度為9000rpm(V8200mm/s＝8.2m/s)情況下的結(jié)果。從圖20可知，通過(guò)將上浮量變動(dòng)量設(shè)為適應(yīng)系數(shù)α的函數(shù)，在全部的空氣潤(rùn)滑面30A、30B、30C中的結(jié)果都一致，如果使ID磁道11～OD磁道12的范圍中的上浮量變動(dòng)量在4nm以下(+/-2nm以下)，適應(yīng)系數(shù)α將在1.5以下的領(lǐng)域。而且，在適應(yīng)系數(shù)α為1.0以下的領(lǐng)域中，上浮量變動(dòng)量在2nm(+/-1nm)程度以下顯示大致一定的數(shù)值。還有，在適應(yīng)系數(shù)α大于2.0的領(lǐng)域中，ID磁道11～OD磁道12的上浮量變動(dòng)量急劇變大的傾向也一致。
因此，通過(guò)使適應(yīng)系數(shù)α為1.5以下、最好為1.0以下地構(gòu)成V、d、y，由于主要可以抑制磁盤(pán)半徑在大于MD磁道13位置上的上浮量的增加，能夠?qū)⒃贗D磁道11～OD磁道12的范圍內(nèi)的上浮量變動(dòng)抑制在所期望的變動(dòng)量以下，所以，使在ID磁道11～OD磁道12的磁盤(pán)介質(zhì)2上的全部位置上確保穩(wěn)定的上浮量成為可能。
另外，在第1實(shí)施例中，由于將層差設(shè)定為100nm，能夠得到本發(fā)明的效果的是空氣潤(rùn)滑面30A和30B。但是，如果在空氣潤(rùn)滑面30C中以50nm構(gòu)成層差d，也能得到本發(fā)明的效果。
還有，在第1實(shí)施例中的空氣潤(rùn)滑面30A、30B，由于將后掠角θ、后掠角η以及適應(yīng)系數(shù)α設(shè)定在本發(fā)明的范圍內(nèi)，在從ID磁道11至OD磁道12的磁盤(pán)上的全領(lǐng)域中，使維持穩(wěn)定的上浮量以及穩(wěn)定的上浮姿勢(shì)成為可能。還有，由于空氣潤(rùn)滑面30C也將后掠角θ、后掠角η設(shè)定在上述的范圍內(nèi)，使維持穩(wěn)定的上浮姿勢(shì)成為可能。因此可知，裝載有本發(fā)明的浮動(dòng)塊的磁盤(pán)裝置，能夠抑制磁頭碰撞，具有更好的電磁交換效率和高可靠性。
如上所述，根據(jù)本第2實(shí)施例的浮動(dòng)塊、及磁盤(pán)裝置，將在MD磁道13上的浮動(dòng)塊3與磁盤(pán)介質(zhì)2的相對(duì)速度設(shè)為V(mm/s)，將空氣流入側(cè)襯墊38與在空氣流入側(cè)襯墊38的空氣流入端側(cè)上形成的大致平面的層差設(shè)為d(mm)，將從空氣流入端41至空氣流入側(cè)襯墊38的距離設(shè)為y(mm)，通過(guò)使適應(yīng)系數(shù)α為1.5以下地構(gòu)成V、d、y，使抑制依存于相對(duì)速度的浮動(dòng)塊3的上浮量變動(dòng)成為可能。即，能夠?qū)⒃贗D磁道11～OD磁道12的范圍內(nèi)的上浮量變動(dòng)抑制在所期望的數(shù)值以下，使在ID磁道11～OD磁道12的磁盤(pán)介質(zhì)2上的全部位置上維持穩(wěn)定的上浮量成為可能。
另外，由于Vx(d/y)具有速度單位(mm/s)，推測(cè)適應(yīng)系數(shù)α是物理學(xué)上的摩擦速度的函數(shù)。因此，在現(xiàn)在幾乎所有的磁盤(pán)裝置中，都是以空氣形成浮動(dòng)塊3與磁盤(pán)介質(zhì)2之間的潤(rùn)滑膜，例如，在封入氮的磁盤(pán)裝置、封入氬的磁盤(pán)裝置中，最適宜的適應(yīng)系數(shù)α不是上述的限制范圍。在這種情況下，可以推測(cè)對(duì)應(yīng)分別的氣體的適應(yīng)系數(shù)通過(guò)將分別的氣體的粘度與空氣的粘度的比率與在此所示的適應(yīng)系數(shù)α相乘求得。
還有，關(guān)于在圖21～圖23中所示的空氣潤(rùn)滑面30D～30F，由于也將后掠角θ、后掠角η以及適應(yīng)系數(shù)α在本發(fā)明的范圍內(nèi)構(gòu)成，能夠抑制從ID磁道11至OD磁道12的領(lǐng)域的傾側(cè)角變動(dòng)以及上浮量變動(dòng)，使確保穩(wěn)定的上浮姿勢(shì)且一定的上浮量成為可能。在此，雖然圖21～圖23中所示的空氣潤(rùn)滑面30D～30F不具有如在圖5中所示的那樣的橫向軌道35，但這種情況下也能起到與上述各實(shí)施例同樣的效果。此時(shí)，如第1實(shí)施例所示的那樣磁氣磁頭99在縱軸上的情況下，由于最好將傾側(cè)角盡量接近0，如圖5、圖7、圖9以及圖21～圖23所示的那樣，相對(duì)于縱軸如果對(duì)稱地形成負(fù)壓發(fā)生凹部48、及空氣潤(rùn)滑面30，能夠使在MD磁道13中的傾側(cè)角成為0，使從ID磁道11至OD磁道12的領(lǐng)域的傾側(cè)角接近0。
還有，在上述各實(shí)施例中所示的空氣潤(rùn)滑面30都是以上層面31、中層面32、下層面33的構(gòu)成進(jìn)行的說(shuō)明，這只不過(guò)是考慮到現(xiàn)狀的加工工藝規(guī)程而設(shè)計(jì)的，空氣潤(rùn)滑面30可以是由2層以上以任意的層差數(shù)來(lái)構(gòu)成。
還有，在上述各實(shí)施例中，說(shuō)明了浮動(dòng)塊3具有磁氣磁頭99的情況，浮動(dòng)塊3可以具有如光磁頭、作為重放側(cè)磁頭的磁氣抵抗型元件那樣的磁頭，同樣能夠?qū)崿F(xiàn)確保穩(wěn)定的上浮姿勢(shì)和一定的上浮量的浮動(dòng)塊及磁盤(pán)裝置。
還有，即使對(duì)于根據(jù)PCMCIA標(biāo)準(zhǔn)或者閃存卡標(biāo)準(zhǔn)構(gòu)成的小型磁盤(pán)裝置，通過(guò)使用本發(fā)明的浮動(dòng)塊，能夠確保穩(wěn)定的上浮姿勢(shì)和一定的上浮量，使高可靠性的數(shù)據(jù)的記錄·重放成為可能。
如上所述，與本發(fā)明相關(guān)的浮動(dòng)塊及磁盤(pán)裝置適用于通過(guò)在空氣潤(rùn)滑面和磁盤(pán)介質(zhì)之間的空氣流浮在磁盤(pán)介質(zhì)之上、與磁盤(pán)介質(zhì)之間進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄及重放的浮動(dòng)塊、及使用該浮動(dòng)塊的磁盤(pán)裝置。
權(quán)利要求
1.一種浮動(dòng)塊，具有磁頭和空氣潤(rùn)滑面，該磁頭在與磁盤(pán)介質(zhì)之間進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或者重放，該空氣潤(rùn)滑面具有產(chǎn)生負(fù)壓的凹部，該浮動(dòng)塊通過(guò)在該空氣潤(rùn)滑面與前述磁盤(pán)介質(zhì)之間的空氣流浮在前述磁盤(pán)介質(zhì)之上，其特征在于，前述空氣潤(rùn)滑面具有位于前述凹部的空氣流入端側(cè)、成為在該空氣潤(rùn)滑面上最高的大致平面的空氣流入側(cè)襯墊，在通過(guò)浮動(dòng)塊中心在浮動(dòng)塊長(zhǎng)度方向假想的縱軸與磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)方向所成的斜交角在0(rad)位置時(shí)，將前述浮動(dòng)塊與前述磁盤(pán)介質(zhì)的相對(duì)速度設(shè)為V(mm/s)，將前述空氣流入側(cè)襯墊與在該空氣流入側(cè)襯墊的空氣流入端側(cè)上形成的大致平面的層差設(shè)為d(mm)，將從前述空氣流入端至空氣流入側(cè)襯墊的距離設(shè)為y(mm)的情況下，V×(d/y)＜1.5。
2.如權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于，V×(d/y)＜1.0。
3.如權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于，在前述空氣流入側(cè)襯墊的空氣流入端側(cè)上形成的大致平面延伸至空氣流入端。
4.如權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于，前述空氣流入側(cè)襯墊包括在前述浮動(dòng)塊的橫軸方向上延伸的橫向軌道。
5.一種磁盤(pán)裝置，其特征在于，具有如權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊。
6.如權(quán)利要求5所述的磁盤(pán)裝置，其特征在于，對(duì)于通過(guò)浮動(dòng)塊中心在浮動(dòng)塊長(zhǎng)度方向上假想的縱軸對(duì)稱地形成前述凹部。
7.如權(quán)利要求5所述的磁盤(pán)裝置，其特征在于，對(duì)于通過(guò)浮動(dòng)塊中心在浮動(dòng)塊長(zhǎng)度方向上假想的縱軸對(duì)稱地形成前述空氣潤(rùn)滑面。
8.如權(quán)利要求5所述的磁盤(pán)裝置，其特征在于，依照PCMCIA標(biāo)準(zhǔn)。
9.如權(quán)利要求5所述的磁盤(pán)裝置，其特征在于，依照閃存卡標(biāo)準(zhǔn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種浮動(dòng)塊，具有磁頭和空氣潤(rùn)滑面，該磁頭在與磁盤(pán)介質(zhì)之間進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄或者重放，該空氣潤(rùn)滑面具有產(chǎn)生負(fù)壓的凹部，該浮動(dòng)塊通過(guò)在該空氣潤(rùn)滑面與前述磁盤(pán)介質(zhì)之間的空氣流浮在前述磁盤(pán)介質(zhì)之上，其特征在于，前述空氣潤(rùn)滑面具有位于前述凹部的空氣流入端側(cè)、成為在該空氣潤(rùn)滑面上最高的大致平面的空氣流入側(cè)襯墊，在通過(guò)浮動(dòng)塊中心在浮動(dòng)塊長(zhǎng)度方向假想的縱軸與磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)方向所成的斜交角在0(rad)位置時(shí)，將前述浮動(dòng)塊與前述磁盤(pán)介質(zhì)的相對(duì)速度設(shè)為V(mm/s)，將前述空氣流入側(cè)襯墊與在該空氣流入側(cè)襯墊的空氣流入端側(cè)上形成的大致平面的層差設(shè)為d(mm)，將從前述空氣流入端至空氣流入側(cè)襯墊的距離設(shè)為y(mm)的情況下，V×(d/y)＜1.5。
文檔編號(hào)G11B21/21GK1560867SQ200410069679
公開(kāi)日2005年1月5日 申請(qǐng)日期2001年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2000年10月31日
發(fā)明者中北勝, 上野善弘, 弘 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社