專利名稱：用于制造薄膜磁頭的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造薄膜磁頭的方法。
背景技術(shù)：
在薄膜磁頭的制造中，一般在第一磁性薄膜(底層磁性薄膜)、間隔薄膜、支撐線圈薄膜的絕緣薄膜形成在晶片上之后形成作為頂部磁性薄膜的第二磁性薄膜。此外，在第二磁性薄膜的形成中，通過濺射等方法，在包括絕緣薄膜的晶片的表面上形成平板底基薄膜。然后，把光刻膠涂覆在平板底基薄膜的表面上，并且通過光刻方法進(jìn)行處理，以便形成用于形成第二磁性薄膜的抗蝕性組織。然后，通過電鍍等在由抗蝕性組織(resistframe)包圍的區(qū)域中形成第二磁性薄膜。在利用電鍍形成第二磁性薄膜同時(shí)，另一薄膜被沉積在抗蝕性組織之上，但是它被移除。
然而在第二磁性薄膜形成過程中，由于抗蝕性組織存在一個(gè)問題，因?yàn)樵谟糜谛纬煽刮g性組織的光刻工藝中的曝光光線在平板底基薄膜的表面上被反射，并且被引入到光刻掩模限定區(qū)域之外，以便曝光環(huán)繞光刻掩模限定區(qū)域的光刻膠，結(jié)果導(dǎo)致抗蝕性組織圖案精確度的變差，因此第二磁性薄膜也變差。
抗蝕性組織圖案精確度的變差在磁極部分變得明顯，在此磁極部分中，第二磁性薄膜經(jīng)過間隔薄膜與第一磁性薄膜相對(duì)。在磁極部分的向后區(qū)域上放置絕緣薄膜，此絕緣薄膜以一個(gè)給定傾斜角從間隔薄膜的表面上升。上升的出發(fā)點(diǎn)相當(dāng)于入口高度零點(diǎn)(Throat Height zero point)，并且上升角相當(dāng)于頂角。
第二磁性薄膜構(gòu)成平行于間隔薄膜和第一磁性薄膜的磁極部分，直到入口高度零點(diǎn)，然后以一頂角傾斜從入口高度零點(diǎn)朝向絕緣薄膜的頂面上升。
因此，在用于通過光刻工藝制造用于形成第二磁性薄膜的抗蝕性組織中，朝向絕緣薄膜頂面具有頂角的保持在傾斜部分上面的光刻膠必須被曝光。
在該情況下，曝光光線在保持在傾斜部分上面的平板底基薄膜處被反射，并且部分地被引入到磁極部分，這導(dǎo)致磁極部分的曝光圖案不同于光刻掩模的圖案，因此在相當(dāng)于磁極部分的抗蝕性組織部分中的圖案破壞。
抗蝕性組織的圖案破壞在通過縮小記錄軌道寬度直到不超過1.0μm的記錄密度發(fā)展中具有很大的困難。
為了解決以上問題，在專利出版物1中提出，在形成作為頂部磁性薄膜的抗蝕劑組織之前，形成抗反射膜，并且在抗反射膜上形成光刻膠，抗蝕性組織由經(jīng)過曝光和顯影的光刻膠組成。
然而抗反射膜不能溶于堿性顯影劑來移除抗蝕性組織，所以要求在使用堿性顯影劑形成抗蝕性組織之后依靠拋光等來移除。然后，在移除抗反射膜之后，依靠電鍍等來形成第二磁性薄膜。所以，在依靠光刻膠技術(shù)使用抗反射膜形成第二磁性薄膜中，需要大量的處理。
同時(shí)，在由抗蝕性組織包圍的內(nèi)部圖案上面形成抗反射膜。內(nèi)部圖案包括相當(dāng)于頂部磁性薄膜的磁極部分的磁極部分區(qū)域，和相當(dāng)于軛部分的第二軛區(qū)域。所以，在磁極部分區(qū)域和第二軛區(qū)域中必須移除抗反射膜。
然而在抗蝕性組織中，在開口面積方面，磁極部分區(qū)域與第二軛部分完全不同。此外，對(duì)于高密度記錄，磁極部分區(qū)域的開口面積趨向于縮小到1μm或更低。所以，在保持在由抗蝕性組織包圍的內(nèi)部圖案上面的抗反射膜的移除中，在刻蝕速度方面，第二軛區(qū)域與磁極部分區(qū)域完全不同。具體地，蝕刻磁極部分區(qū)域比第二軛部分要花費(fèi)更長的時(shí)間。結(jié)果，在抗反射膜的移除中，在磁極部分區(qū)域中，抗蝕性組織被大量的蝕刻，以便增大抗蝕性組織的間距。換句話說，通過移除抗反射膜來增大抗蝕性組織的間距。結(jié)果，固有地形成用于縮小磁極部分寬度的抗反射膜增大了抗蝕性組織間距，其中此間距在縮小磁極部分寬度中成為阻礙。
在專利出版物2中提出可溶于光刻膠顯影劑的抗反射膜，它適合于解決專利出版物1的技術(shù)問題。由于抗反射膜的顯影程度依靠對(duì)于磁極部分開口的組織寬度，其中此磁極部分由形成在抗反射膜上面的光組織構(gòu)成，所以如果每一組織寬度在相同的晶片上波動(dòng)，那么它也波動(dòng)。例如，在一個(gè)開口處，抗反射膜可以被過度的顯影，以致在光刻膠的作用下可以被滲透，并且在另一個(gè)開口處，抗反射膜可能沒有被充分的顯影，以致部分地保留在在開口的內(nèi)底部表面上。
專利出版物1為日本專利申請(qǐng)公開號(hào)No.9-180127專利出版物2為日本專利申請(qǐng)公開號(hào)No.2000-314963

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種方法，用于制造具有精確變窄的磁極部分的薄膜磁頭。
為了解決上述問題，本發(fā)明涉及一種方法，用于制造具有記錄元件的薄膜磁頭，其中此記錄元件具有第一磁性層、絕緣薄膜、線圈薄膜和第二磁性層。第一磁性層和第二磁性層組成薄膜磁路，并且絕緣薄膜被放置在第一磁性層和第二磁性層之間，并且支撐著線圈薄膜。第二磁性層被放置在絕緣薄膜上。
在本發(fā)明的制造方法中，首先，在第一磁性層、線圈薄膜和第二磁性層形成之后并且在第二磁性層形成之前，形成電鍍底基層。然后，在電鍍底基層上形成抗反射膜，并且在抗反射膜之上涂覆光刻膠。
然后，曝光和顯影光刻膠和抗反射膜，以便形成由其制造的抗蝕性組織。然后，在由抗蝕性組織包圍的內(nèi)部圖案中形成第二磁性層。
抗反射膜由經(jīng)過曝光對(duì)于顯影劑可溶解的物質(zhì)組成。
如上所述，在本發(fā)明中，連續(xù)地形成絕緣薄膜、電鍍底基薄膜和抗反射膜，然后在抗反射膜上涂覆光刻膠。然后，曝光和顯影光刻膠和抗反射膜，以便形成由其制造的抗蝕性組織。所以，在通過光刻法制造用于于第二磁性薄膜的抗蝕性組織中，在絕緣薄膜的凸凹部分和傾斜部分處，曝光光線不能夠被大量地反射。所以，光刻膠的曝光圖案可以幾平由光刻掩模的曝光圖案來限定，從而能夠精確地形成抗蝕性組織的圖案。結(jié)果，第二磁性薄膜，特別是其中的磁極部分能夠精確地形成圖案。由于甚至在相當(dāng)于磁極部分的區(qū)域中可以形成抗蝕性組織的圖案，所以可以變窄預(yù)定薄薄膜磁鐵的磁跡寬度。特別地，當(dāng)絕緣薄膜包括位于氣承表面一側(cè)的上升傾斜部分，并且第二磁性薄膜的磁極部分形成在絕緣薄膜的傾斜部分上的時(shí)候，本發(fā)明極其適合作為磁極部分精確圖案化技術(shù)。
本發(fā)明的特征在于抗反射膜由經(jīng)過曝光對(duì)于顯影劑可溶解的感光性物質(zhì)組成。同時(shí)，以由Clariant Corp制造的″D-BARC″作為感光性物質(zhì)的實(shí)例。所以，在對(duì)于光刻膠和抗反射膜的曝光中，抗反射膜可溶于相當(dāng)于光刻膠的顯影劑中。結(jié)果，通過曝光和顯影，可以幾乎垂直地形成抗蝕性組織的內(nèi)壁。例如，即使抗蝕性組織的內(nèi)部組織寬度變窄到300nm或更小，也可以幾乎垂直地形成抗蝕性組織的內(nèi)壁。
在本發(fā)明中，在如上所述所形成的抗蝕性組織內(nèi)部形成第二磁性薄膜，產(chǎn)生的磁極部分可以被精確的變窄。
在形成第二磁性薄膜之后，抗反射膜和光刻膠可以被移除。依靠顯影、拋光或RF拋光，可以移除抗反射膜。
在抗反射膜形成之后并且在光刻膠的涂覆之前，抗反射膜可以被曝光。在該情況下，抗反射膜對(duì)于顯影劑的可溶性可以被增強(qiáng)。
在本發(fā)明的最佳實(shí)施方式中，在光刻膠的涂覆之前，抗反射膜可以被加熱到80-150℃以內(nèi)。此外，在曝光之后并且在顯影之前，抗反射膜可以被加熱到80-150℃以內(nèi)。
在曝光中，可以采用具有波長為160-400nm的激光光束。光刻膠可以由化學(xué)敏感光刻膠組成。本發(fā)明的制造方法可以包括形式磁阻有效元件的步驟。
參考在
具體實(shí)施例方式
的附圖，將詳細(xì)地描述其它的目的、結(jié)果和優(yōu)點(diǎn)。


為了更透徹地理解本發(fā)明，引用了以下附圖，其中圖1是表示根據(jù)本發(fā)明所制造的薄膜磁頭的平面圖；圖2是在圖1中所述薄膜磁頭的橫剖面視圖；圖3是表示包括在圖1和2中所示薄膜磁頭的磁性轉(zhuǎn)換元件的部分放大橫剖面視圖；圖4是表示包含于本發(fā)明制造方法中的一個(gè)步驟的橫剖面視圖；圖5是表示在圖4中步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖6是表示在圖5中步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖7是表示在圖6中步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖8是表示在圖7中步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖9是表示在圖8中步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖10是表示在圖9中步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖11是表示在圖10中步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖12是表示在圖11中步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖13是從其左手側(cè)觀看，表示與圖12相同步驟的橫剖面視圖；圖14是表示在圖12和13的步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖15是從其左手側(cè)觀看，表示與圖14相同步驟的橫剖面視圖；
圖16是表示在圖14和15的步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖17是從其左手側(cè)觀看，表示與圖16相同步驟的橫剖面視圖；圖18是表示在圖16和17的步驟之后的步驟的橫剖面視圖；圖19是從其左手側(cè)觀看，表示與圖18相同步驟的橫剖面視圖；圖20是表示關(guān)于在晶片上被測量的頂部磁極寬度P2W的測量數(shù)據(jù)的圖形；和圖21是表示根據(jù)本發(fā)明所制造的另一薄膜磁頭的橫剖面視圖。
具體實(shí)施方式
參考附圖，將在以下詳細(xì)描述本發(fā)明。
圖1是從其介質(zhì)相對(duì)表面觀看，表示根據(jù)本發(fā)明所制造的薄膜磁頭的平面圖，以及圖2是在圖1中所示的薄膜磁頭的橫剖面視圖，并且圖3是表示包括在圖1和2中所示薄膜磁頭的磁性轉(zhuǎn)換元件的部分的放大橫剖面視圖。所表示的薄膜磁頭包括滑動(dòng)件基底5和電磁轉(zhuǎn)換元件3、4。
滑動(dòng)件基底5由陶瓷材料例如AlTiC(Al2O3-TiC)制成，并且具有用于改善在介質(zhì)相對(duì)表面上移動(dòng)性能的各種幾何形狀。在此具體實(shí)施方式
中，作為典型的幾何形狀，滑動(dòng)件基底5具有在基底表面50上的第一階梯51、第二階梯52、第三階梯53、第四階梯54和第五階梯55?；妆砻?0用作由箭頭″X″表示的氣流的負(fù)壓產(chǎn)生區(qū)域。第二階梯52和第三階梯53用作從第一階梯51上升的多級(jí)空氣軸承。第二階梯52和第三階梯53組成空氣軸承表面(以下被稱作″ABS″)100。
第四階梯54從基底表面50階梯式地上升，并且第五階梯55從第四階梯54階梯式地上升。電磁轉(zhuǎn)換元件3和4被放置在第五階梯55之上。
參考圖3，在滑動(dòng)件基底5的邊緣上形成絕緣材料例如氧化鋁(Al2O3)或SiO2的絕緣薄膜501。
電磁轉(zhuǎn)換元件3和4分別包括作為再現(xiàn)元件的MR元件3和記錄元件4。MR元件3包括SV薄膜或TMR薄膜。用SV薄膜，MR元件3被構(gòu)建為CIP類型MR元件或CPP類型MR元件。用TMR薄膜，MR元件3被構(gòu)造成使得檢測電流固有地垂直地流過MR元件。
記錄元件4可以由感應(yīng)式磁性轉(zhuǎn)換元件構(gòu)成，其中第一書寫磁極部分暴露于ABS 100中。在MR元件3附近設(shè)置記錄元件4來作為再現(xiàn)元件，并且用保護(hù)膜49覆蓋。MR元件3包括MR薄膜30、第一屏蔽層28、間隔層46和用作第一磁性層的第二屏蔽層41。
記錄元件4包括用作第二屏蔽層41的第一磁性層41、第二磁性層45、記錄間隔層42和薄膜線圈43。第一磁性層41磁性地連接剖第二磁性層45。記錄間隔層42被設(shè)置在底部磁性層41的磁極部分和第二磁性層45的第二磁極部分451之間。薄膜線圈43被嵌入絕緣薄膜44中，其中此絕緣薄膜形成于第一磁性層41和第二磁性層45的第二軛部分452之間的內(nèi)部間隙中。絕緣薄膜44形成弧形形狀，以致絕緣薄膜44的周邊部分地傾斜。
對(duì)于第二磁性層45，頂部磁極部分451經(jīng)過記錄間隔層42與第一磁性層41的第一磁極部分相對(duì)。從頂部磁極部分451觀察，上軛部分452與頂部磁極部分451的頂面相連，直接地形成在絕緣薄膜44的上面，并且與第一磁性層41相連，從而完成薄膜磁路。
第二磁極部分451沿著在內(nèi)部間隙中的傾斜部分440上升，其中此傾斜部分構(gòu)成絕緣薄膜44的周邊，并且入口高度(Throat Height)由在記錄間隔層42上的絕緣薄膜44的上升出發(fā)點(diǎn)限定，并且頂角由絕緣薄膜44的上升角限定。本發(fā)明是針對(duì)精確地縮窄第二磁極部分451。
然后，參考圖4-19，將描述在圖1-3中所示的薄膜磁頭的制造方法。在晶片上進(jìn)行該制造方法。同時(shí)，假定已經(jīng)執(zhí)行了對(duì)于MR元件的制造過程。
首先，如圖4中所示，第一磁性層41通過濺射、光刻法和電鍍被形成在間隔層46上面。以正常的技術(shù)可以確定第一磁性層41的材料、厚度和制造過程。
然后，如圖5中所示，在第一磁性層41上面形成由非磁性材料例如Al2O3或SiO2構(gòu)成的記錄間隔層42。以正常的技術(shù)可以確定記錄間隔層42的材料、厚度和制造過程。
然后，如圖6中所示，線圈薄膜43通過濺射、光刻法和電鍍被形成在記錄間隔層42上，并且絕緣薄膜44通過旋涂和光刻法以弧形形狀形成在記錄間隔層42上，使得部分地上升絕緣薄膜44的周邊而形成傾斜部分440。
然后，如圖8中所示，通過濺射在記錄間隔層42和絕緣薄膜44的上面形成電鍍底基層61，以致其沉積在絕緣薄膜44的傾斜部分440的上面。
然后，如圖9中所示，抗反射膜62通過旋涂被形成在電鍍底基層61上，以覆蓋電鍍底基薄膜61的至少一部分，其中此電鍍底基薄膜61形成在絕緣薄膜44的傾斜部分440上面。要求抗反射膜62由經(jīng)過曝光對(duì)于顯影劑可溶解的感光性物質(zhì)組成。所以，感光性物質(zhì)的種類依賴于顯影劑的種類。
作為顯影劑，比如TMAH(四甲銨氫氧化物)為基礎(chǔ)的堿性顯影劑特別地是2.38％TMAH堿性顯影劑。在該情況下，作為對(duì)于抗反射膜62的感光性物質(zhì)，以由Clarian Corp制造的″D-BARC″作為例子。在使用D-BARC作為感光性物質(zhì)時(shí)，由于除了TMAH堿性顯影劑之外，作為顯影劑還可以用磷酸(NanH3-nPO4)、氫氧化鈉(NaOH)和有機(jī)胺作為例子。
在涂覆光刻膠之前，抗反射膜62被加熱到80-150℃以內(nèi)。在該情況下，可以使抗反射膜62可充分溶于堿性顯影劑，而沒有在抗反射膜62和光刻膠之間混合。
然后，如圖10中所示，光刻膠63通過旋涂被涂覆在抗反射膜62上面。光刻膠63最好是由化學(xué)敏感光刻膠制成。
對(duì)光刻膠63和抗反射膜62執(zhí)行光刻法技術(shù)。在光刻法技術(shù)中，如圖11中所示，首先進(jìn)行曝光。在該情況下，光刻膠63和抗反射膜62經(jīng)過光掩模7被曝光并且形成圖案。如圖12和13中所示，由于抗反射膜62由感光性物質(zhì)組成，所以抗反射膜62被曝光并形成圖案，光刻膠63與光刻掩膜7的掩模圖案相對(duì)應(yīng)。
在該情況下，由于抗反射膜62形成在絕緣薄膜44的傾斜部分440上面，所以在曝光中，在電鍍底基層61處不可能大量反射曝光光線。所以，產(chǎn)生的曝光圖案64與光刻掩模7的圖案精確度一樣被精確的形成。
鑒于瞬間曝光圖案的形成，在曝光中，優(yōu)選采用具有波長為160-400nm的激光光束。在曝光之后并且在顯影之前，抗反射膜63被加熱到80-150℃之內(nèi)。
如圖14和15中所示，具有預(yù)定內(nèi)部圖案65的抗蝕性組織FR由剩余光刻膠63和通過顯影沒有被曝光的抗反射膜62組成。由于抗反射膜62可溶解于顯影劑，所以在顯影中，抗反射膜62的曝光區(qū)域64從光刻膠63的曝光區(qū)域64中移除。
由于抗反射膜62由經(jīng)過曝光對(duì)于顯影可溶解的感光性物質(zhì)組成，所以在曝光中，抗反射膜62對(duì)于光刻膠63的顯影劑是可溶解的。所以，通過曝光和顯影，可以幾乎垂直地形成抗蝕性組織FR的內(nèi)壁651。例如，即使由抗蝕性組織FR包圍的內(nèi)部圖案65的內(nèi)部組織寬度P2W(參考圖5)被縮窄為300nm或更小，也可以幾乎垂直地形成內(nèi)壁651。
如前面所述，在使用由Clariant Corp制造的D-BARC作為增透膜62的感光性材料時(shí)，作為顯影劑可以采用TMAH堿性顯影劑、磷酸(NanH3-nPO4)、氫氧化鈉(NaOH)和有機(jī)胺。
然后，如圖16和17中所示，通過圖案電鍍形成第二磁極部分451。在本發(fā)明中，如同在此具體實(shí)施方式
中所描述的，在由抗蝕性組織FR包圍的圖案65內(nèi)部，第二磁極部分451可以被精確的縮窄。
在圖案電鍍之后，如圖18和19中所示，光刻膠63和抗反射膜62被移除。通過顯影、拋光或RF拋光，可以移除抗反射膜62。
然后，依靠干法刻蝕，移除源自電鍍底基層61的第二磁極部分451周圍的電鍍碎片。所以，可以精確的形成第二磁極部分451的圖案。
圖20是表示關(guān)于在晶片上被測量的頂部磁極寬度P2W的測量數(shù)據(jù)的曲線。曲線L1涉及根據(jù)傳統(tǒng)制造方法的薄膜磁頭，并且圖表L2涉及根據(jù)本發(fā)明制造方法的薄膜磁頭。在傳統(tǒng)的制造方法中，抗反射膜由可溶解于顯影劑而沒有感光性的物質(zhì)組成。橫坐標(biāo)軸標(biāo)示41個(gè)測量點(diǎn)，并且縱坐標(biāo)軸標(biāo)示頂部磁極部分寬度P2W(nm)。依靠SEM測量頂部磁極部分寬度P2W。41個(gè)測量點(diǎn)分散在晶片上，以檢測在頂部磁極部分寬度P2W的晶片中的波動(dòng)。
從圖20中可以知道，對(duì)圖L1和L2進(jìn)行比較，關(guān)于根據(jù)本發(fā)明制造方法的薄膜磁頭的頂部磁極部分寬度P2W小于關(guān)于根據(jù)傳統(tǒng)制造方法的薄膜磁頭的頂部磁極部分寬度。如果在晶片中的頂部磁極部分寬度P2W的分布被定義為(3σ/平均)，那么關(guān)于傳統(tǒng)制造方法的分布(3σ/平均)是19.7％，關(guān)于本發(fā)明制造方法的分布(3σ/平均)是12.2％。所以，與關(guān)于傳統(tǒng)制造方法的分布(3σ/平均)進(jìn)行比較，關(guān)于本發(fā)明制造方法的分布(3σ/平均)提高7.5％。
圖21是表示根據(jù)本發(fā)明所制造的另一薄膜磁頭的橫剖面視圖。所示薄膜磁頭被稱作平面薄膜磁頭。記錄元件4包括第一磁性層41、薄膜線圈43、絕緣薄膜44、記錄間隔薄膜42和第二磁性層45。第二磁性層45以平面方式形成在絕緣薄膜44和記錄間隔層42上面，其中此記錄間隔層形成在絕緣薄膜44。對(duì)于第一磁性層41，在ABS 100中的磁極部分411經(jīng)過記錄間隔層42與第二磁性層45相對(duì)。在遠(yuǎn)離ABS 100的后部連接部分412處，第一磁性層41還與第二磁性層45連接。作為再現(xiàn)元件的MR元件3被設(shè)置在記錄元件4的下面，并且MR薄膜30被設(shè)置在絕緣薄膜46中，以隔開第一屏蔽層281和第二屏蔽層282。
對(duì)于本發(fā)明制造方法應(yīng)用到圖21中所述的薄膜磁頭，在絕緣薄膜44和記錄間隔層42上面形成電鍍底基層，并且在電鍍底基層上面形成抗反射膜。然后，在抗反射膜上面涂光刻膠。然后，曝光和顯影光刻膠和抗反射膜，以便形成由其制造的抗蝕性組織。然后，在由抗蝕性組織包圍的內(nèi)部圖案中形成第二磁性層45。在此具體實(shí)施方式
中，雖然絕緣薄膜44不傾斜，但是在絕緣薄膜44和記錄間隔層42上形成一些凸凹部分。所以，在此具體實(shí)施方式
中，第二磁性層45可以被精確地縮窄，而不會(huì)出現(xiàn)由于凸凹部分而引起的圖案形成波動(dòng)。
雖然參考上述實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的描寫，但是本發(fā)明并不局限于上述所公開的內(nèi)容，在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，可以進(jìn)行各種變化和修改。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明可以提供一種方法，用于制造具有被精確縮窄的磁極部分的薄膜磁頭。
權(quán)利要求
1.一種制造方法，用于制造具有記錄元件的薄膜磁頭，此記錄元件具有第一磁性層、絕緣薄膜、線圈薄膜和第二磁性層，其中所述第一磁性層和所述第二磁性層構(gòu)成薄膜磁路，并且所述絕緣薄膜被設(shè)置在所述第一磁性層和所述第二磁性層之間并且支撐所述線圈薄膜，所述第二磁性層被設(shè)置在所述絕緣薄膜上，包括步驟在所述第一磁性層、所述線圈薄膜和所述第二磁性層形成之后并且在所述第二磁性層形成之前，形成電鍍底基層，在所述電鍍底基層上形成抗反射膜，在所述抗反射膜之上涂覆光刻膠，曝光和顯影所述光刻膠和所述抗反射膜，以形成由其制造的抗蝕性組織，并且在由所述抗蝕性組織包圍的內(nèi)部圖案中形成所述第二磁性層，其中所述抗反射膜由經(jīng)過曝光對(duì)于顯影劑可溶解的物質(zhì)組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述絕緣薄膜包括在所述薄膜磁頭的氣承表面中的傾斜部分，并且所述第二磁性層形成在所述絕緣薄膜的所述傾斜部分上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，進(jìn)一步包括在形成所述第二磁性層之后移除所述抗反射膜和所述光刻膠的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其中所述抗反射膜通過顯影被移除。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其中所述抗反射膜通過拋光被移除。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其中所述抗反射膜依靠RF拋光被移除。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，進(jìn)一步包括在所述抗反射膜形成之后并且在涂覆所述光刻膠之前曝光所述抗反射膜的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，進(jìn)一步包括在所述抗反射膜形成之后并且在涂覆所述光刻膠之前，加熱所述抗反射膜到80-150℃之內(nèi)的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，進(jìn)一步包括在曝光所述抗反射膜之后并且在顯影所述抗反射膜之前，加熱所述抗反射膜到80-150℃之內(nèi)的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述光刻膠和所述抗反射膜通過具有波長為160-400nm的激光光束被曝光。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述光刻膠由化學(xué)敏感光刻膠制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中沿著軌道寬度方向的所述內(nèi)部圖案的最前部寬度被縮窄為300nm或更低。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，進(jìn)一步包括形成磁阻有效元件的步驟。
全文摘要
在絕緣薄膜上形成一電鍍底基層。在電鍍底基層上形成抗反射膜。在抗反射膜62上形成光刻膠光刻膠。曝光和顯影光刻膠和抗反射膜，以便形成由其制造的抗蝕性阻織。在由抗蝕性組織包圍的內(nèi)部圖案中形成第二磁性層?？狗瓷淠び山?jīng)過曝光對(duì)于顯影劑可溶解的物質(zhì)組成。
文檔編號(hào)G11B5/31GK1573938SQ200410064089
公開日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月21日
發(fā)明者竹尾建治, 宮本宏之 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社