專利名稱：磁頭污點(diǎn)檢測(cè)方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢測(cè)由于在制造磁頭(例如HDD薄膜磁頭)的過(guò)程中滑塊的錯(cuò)誤而引起的污點(diǎn)。具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種用于檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法和裝置，該方法和裝置能夠在具有集成磁頭主體部分的滑塊在被切割為單獨(dú)的片之前為條形的狀態(tài)下檢測(cè)污點(diǎn)的存在。
背景技術(shù)：
配置這種類型的HDD薄膜磁頭的滑塊的一個(gè)實(shí)例(五個(gè)墊片的滑塊的實(shí)例)如圖9A和9B所示，另一個(gè)實(shí)例(四個(gè)墊片的滑塊的實(shí)例)如圖10A和10B所示。圖9A和10A說(shuō)明了具有集成磁頭主體部分10的滑塊SL在被分為單獨(dú)的片之前具有條形的階段。為方便起見(jiàn)該形狀也稱為滑塊條1。
圖9A上具有五個(gè)墊片(導(dǎo)體表面)的五個(gè)墊片滑塊的示意圖，以及圖9B是說(shuō)明該磁頭主體部分10的放大圖的模型圖。每個(gè)滑塊SL都有與導(dǎo)體部分21(例如，AlTiCAl2O3-TiC)連結(jié)(集成)的絕緣體部分22，以及滑塊的底面形成ABS表面(磁頭表面)。圖9B中的磁頭主體部分10是在絕緣體部分22中被提供的以便暴露在ABS表面上。也就是說(shuō)，感應(yīng)部件(寫(xiě)磁頭部分)11和用作磁傳感元件的MR元件(讀磁頭部分)嵌入在磁頭主體部分10中以便暴露在ABS表面上。MR元件12，和被提供到MR元件12的兩端的電極13a和13b的外圍部分由絕緣體部分22所環(huán)繞，并且被防護(hù)裝置14a和14b夾在中間。
五個(gè)墊片，即，R+墊片，R-墊片，S墊片，W+墊片，和W-墊片，被提供給垂直于圖9A的五個(gè)墊片的滑塊的ABS表面的滑塊SL的后表面。該MR元件12的一個(gè)電極，即電極13a，與和ABS表面垂直的滑塊的后表面的R+墊片相連，另一電極，即電極13b，與滑塊的后表面的R-墊片相連。而且，該防護(hù)裝置14a和防護(hù)裝置14b與S墊片相連。該感應(yīng)部件11與W+墊片和W-墊片相連。
另外，四個(gè)墊片，即，R+墊片，R-墊片，W+墊片，和W-墊片，提供到與圖10A的四個(gè)墊片的滑塊的ABS表面垂直的滑塊SL的后表面。不提供S墊片。因此防護(hù)裝置14a和防護(hù)裝置14b與導(dǎo)體部分21相連，該導(dǎo)體部分21是由AlTiC等制成的。其他結(jié)構(gòu)與圖9A中的結(jié)構(gòu)類似。相同的標(biāo)號(hào)被加到相同或相應(yīng)的部分，并且這些部分的解釋被省略。
當(dāng)在用于制造HDD薄膜磁頭的過(guò)程中拋光滑塊條1狀態(tài)下的ABS表面(磁頭表面)時(shí)，在防護(hù)裝置部分可能產(chǎn)生磨損(污點(diǎn))，在防護(hù)裝置14a和14b以及電極13a和13b之間可能產(chǎn)生短路或絕緣失敗(圖9B示意性示出了污點(diǎn))。由于污點(diǎn)而產(chǎn)生諸如磁頭中噪聲量的增加這樣的特性失敗，并且產(chǎn)生污點(diǎn)的滑塊不被使用。也就是說(shuō)，滑塊成為有缺陷的部件。
對(duì)于五個(gè)墊片的滑塊和四個(gè)墊片的滑塊，標(biāo)準(zhǔn)電阻值和產(chǎn)生污點(diǎn)后的電阻值在下表1中示出。在R+墊片，R-墊片，和S墊片之間的電阻值，或者在R+墊片，R-墊片，和導(dǎo)體部分21之間的電阻值被示出。
表1標(biāo)準(zhǔn)電阻值五個(gè)墊片的滑塊

四個(gè)墊片的滑塊

在已知的關(guān)于傳統(tǒng)HDD薄膜磁頭的技術(shù)中，在JP 2000-182219 A和JP3272329 B中公開(kāi)的技術(shù)中也引述了污點(diǎn)。然而，這兩種技術(shù)都涉及幾乎不產(chǎn)生污點(diǎn)的磁頭結(jié)構(gòu)，兩種技術(shù)都不涉及污點(diǎn)檢測(cè)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述，污點(diǎn)檢測(cè)在制造過(guò)程中傳統(tǒng)上都沒(méi)有進(jìn)行。因此，由于污點(diǎn)引起的失敗是未知的，直到制造的產(chǎn)品被完成并檢測(cè)特性。因此，不能在處理時(shí)排除缺陷部件，并且由于有缺陷的裝配部件等的清除而導(dǎo)致成本過(guò)大。
從上面描述的觀點(diǎn)看來(lái)，本發(fā)明的第一目的是提供這樣一種檢測(cè)磁頭的污點(diǎn)的方法和裝置，其中通過(guò)測(cè)量在集成有磁頭主體部分的滑塊的墊片和防護(hù)裝置之間的電阻值使得在磁頭裝配前檢測(cè)污點(diǎn)的產(chǎn)生是可能的，并且另外，吞吐量也會(huì)增加。
本發(fā)明的第二目的是提供一種檢測(cè)磁頭的污點(diǎn)的方法和裝置，其中有可能通過(guò)在滑塊以條形延伸的滑塊條狀態(tài)下測(cè)量電阻值來(lái)有效地檢測(cè)污點(diǎn)的產(chǎn)生。
本發(fā)明的其他目的和新穎性特征在后面描述的實(shí)施例中將變得清楚。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)發(fā)明的一方面，一種檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法包括測(cè)量在具有集成的磁頭主體部分的滑塊的墊片之間的電阻值，或者在墊片和連接到磁頭主體部分的防護(hù)裝置的導(dǎo)體部分之間的電阻值以便由此檢測(cè)污點(diǎn)產(chǎn)生。
在本方法的另一方面，電阻值的測(cè)量是在多個(gè)滑塊被連接的滑塊條狀態(tài)下進(jìn)行的。
在本方法的另一方面，電阻值的測(cè)量是通過(guò)使用具有一組或多組接觸墊片的探頭的探測(cè)卡一次在滑塊條中的一個(gè)滑塊或多個(gè)滑塊上完成的。
在本方法的另一方面，電阻值的測(cè)量是通過(guò)使用三個(gè)接觸墊片的探頭作為一組來(lái)進(jìn)行的，其中設(shè)定三個(gè)探頭的排列以使對(duì)于具有五個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，三個(gè)探頭接觸五個(gè)墊片中的三個(gè)墊片，而對(duì)于具有四個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，三個(gè)探頭中的兩個(gè)接觸四個(gè)墊片中的兩個(gè)墊片，并且其中探頭的排列通用于具有五個(gè)墊片的滑塊和對(duì)于具有四個(gè)墊片的滑塊。
在本方法的另一方面，在滑塊條中的每個(gè)滑塊墊片的位置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)是相對(duì)于參考點(diǎn)來(lái)存儲(chǔ)，并且使探頭基于坐標(biāo)數(shù)據(jù)接觸墊片。
在本方法的另一方面，控制探頭當(dāng)探頭接觸墊片時(shí)和當(dāng)探頭從墊片去除時(shí)具有零電位和零電流。
在本方法的另一方面，對(duì)于電阻值的測(cè)量是在連接到磁頭主體部分中的磁傳感元件的兩端的電極的墊片以及連接到防護(hù)裝置的墊片之間，或者是在連接到電極和導(dǎo)體部分的墊片之間的三點(diǎn)上進(jìn)行的，預(yù)定的直流電壓由電壓源加到測(cè)量對(duì)象電阻(R1)，在測(cè)量對(duì)象電阻(R1)的一端和第一非測(cè)量電阻(R2)與一第二非測(cè)量電阻(R3)的連接點(diǎn)之間的電位差被維持在很低的值，并且電壓源的直流電壓的極性轉(zhuǎn)換從而在該測(cè)量對(duì)象電阻(R1)外部流的電流(IERR)變得很小。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，用于檢測(cè)磁頭的污點(diǎn)的裝置包括架，在其上安置有包含具有集成磁頭主體部分的多個(gè)滑塊的滑塊條；用于確定滑塊條位置的定位裝置；和電阻測(cè)量電路，用于測(cè)量在滑塊的墊片之間的，或者在墊片和與磁頭主體部分的防護(hù)裝置相連的導(dǎo)體部分之間的電阻值。
在本裝置的另一方面，本裝置進(jìn)一步包括具有多個(gè)接觸墊片的探頭組的探測(cè)卡，其中電阻值的測(cè)量是一次在該滑塊條的多個(gè)滑塊上進(jìn)行的。
在本裝置的另一方面，該探頭組被配置為每個(gè)具有三個(gè)探頭，并且該三個(gè)探頭已被排列以使對(duì)于一具有五個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，三個(gè)探頭接觸五個(gè)墊片中的三個(gè)墊片，以及對(duì)于具有四個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，三個(gè)探頭中的兩個(gè)接觸四個(gè)墊片中的兩個(gè)。
在本裝置的另一方面，該架具有接觸導(dǎo)體部分的導(dǎo)電組件，該導(dǎo)體部分與該滑塊條的防護(hù)裝置相連。


圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法和裝置的實(shí)施例中的裝置配置的平面示意圖；圖2是說(shuō)明在一個(gè)實(shí)施例中的測(cè)量流程的一個(gè)實(shí)例的流程圖；圖3是說(shuō)明在一個(gè)實(shí)施例中滑塊條相對(duì)于托架的排列以及滑塊條的方向的平面圖；
圖4A的立體圖用于解釋在一個(gè)實(shí)施例中通過(guò)使用探測(cè)卡對(duì)五個(gè)墊片的滑塊的測(cè)量操作；圖4B的立體圖用于解釋在一個(gè)實(shí)施例中通過(guò)使用探測(cè)卡對(duì)四個(gè)墊片的滑塊的測(cè)量操作；圖5A說(shuō)明了一個(gè)實(shí)施例中的30％滑塊的A-通道類型探頭的排列。
圖5B說(shuō)明了一個(gè)實(shí)施例中的30％滑塊的B-通道類型探頭的排列。
圖5C說(shuō)明了一個(gè)實(shí)施例中的20％滑塊的A-通道類型探頭的排列。
圖5D說(shuō)明了一個(gè)實(shí)施例中的20％滑塊的B-通道類型探頭的排列。
圖6是解釋在一個(gè)實(shí)施例中在S墊片、R+墊片、和R-墊片之間的電阻測(cè)量原理的電路圖；圖7A是以高精度測(cè)量如圖6所示電阻網(wǎng)絡(luò)的電阻值的六端子測(cè)量電路的電路圖；圖7B是以高精度測(cè)量如圖6所示電阻網(wǎng)絡(luò)的電阻值的六端子測(cè)量電路的電路圖；圖8A是說(shuō)明在一個(gè)實(shí)施例中用于四端子測(cè)量的四個(gè)墊片錯(cuò)誤測(cè)量的表；圖8B是說(shuō)明在一個(gè)實(shí)施例中用于四端子測(cè)量的五個(gè)墊片錯(cuò)誤測(cè)量的表；圖8C是說(shuō)明在一個(gè)實(shí)施例中用于六端子測(cè)量的四個(gè)墊片錯(cuò)誤測(cè)量的表；圖8D是說(shuō)明在一個(gè)實(shí)施例中用于六端子測(cè)量的五個(gè)墊片錯(cuò)誤測(cè)量的表；圖8E是說(shuō)明在一個(gè)實(shí)施例中用于六端子測(cè)量的四個(gè)墊片錯(cuò)誤測(cè)量的表；圖8F是說(shuō)明在一個(gè)實(shí)施例中用于六端子測(cè)量的五個(gè)墊片錯(cuò)誤測(cè)量的表；圖9A是傳統(tǒng)五個(gè)墊片的滑塊的示意圖；圖9B是傳統(tǒng)五個(gè)墊片的滑塊的示意圖；圖10A是傳統(tǒng)四個(gè)墊片的滑塊的示意圖；以及圖10B是傳統(tǒng)四個(gè)墊片的滑塊的示意圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法及裝置的實(shí)施例在下面結(jié)合附圖進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的檢測(cè)裝置配置的平面示意圖，以及圖2是測(cè)量流程圖。圖3的平面圖說(shuō)明滑塊條相對(duì)于托架的排列。在此使用的術(shù)語(yǔ)“滑塊條”意思是在滑塊被切割成單獨(dú)的片之前處于條狀態(tài)的滑塊。圖4A和圖4B的立體圖每個(gè)都說(shuō)明了探頭相對(duì)于滑塊墊片的排列，而圖5A至5D的平面圖每個(gè)都說(shuō)明了探頭相對(duì)于滑塊墊片的排列。圖6是解釋對(duì)于五個(gè)墊片的滑塊的電阻測(cè)量原理的電路圖，而圖7A和7B是電阻測(cè)量電路的電路圖。
在圖1中，其上平行安置了多個(gè)滑塊條1的托架40位于一基底30上。而且，將滑塊條1中的一個(gè)作為測(cè)量對(duì)象傳送的傳送架50也在基底30上被提供，該傳送架50能夠進(jìn)行直線往復(fù)運(yùn)動(dòng)。沿傳送架50提供一定位臺(tái)ST1和一測(cè)量臺(tái)ST2。該定位臺(tái)ST1還提供有調(diào)節(jié)滑塊條1相對(duì)于傳送架50的位置的定位棘爪51。另外，具有四個(gè)探頭組的探測(cè)卡60被提供給測(cè)量臺(tái)ST2，該探測(cè)卡60能夠接觸滑塊墊片。雖然圖中已經(jīng)省略，但提供有用于在托架40和傳送架50之間傳送滑塊條1的取放機(jī)制。每一個(gè)探頭都與將在后面參照?qǐng)D7A和7B討論的電阻測(cè)量電路相連。
如下表2中所示，在此被作為測(cè)量對(duì)象的滑塊有兩種形狀，是30％滑塊形狀和20％滑塊形狀。
圖2

如圖3所示，雖然托架40能存儲(chǔ)30個(gè)滑塊條1，當(dāng)使用托架時(shí)由于該裝置的取放機(jī)制的存在只存儲(chǔ)29個(gè)滑塊條。托架40的外部形狀通用于在此描述的所有類型的滑塊條。而且，滑塊條1被存儲(chǔ)以使各個(gè)滑塊SL的墊片面對(duì)上方。
兩種類型的墊片模式，五個(gè)墊片模式和四個(gè)墊片模式，是與30％的滑塊一起使用的。只有五個(gè)墊片模式是與20％的滑塊一起使用的，而且它的配置也是基于30％的滑塊的。
如參照?qǐng)D9A和9B解釋的，有五種類型的墊片，W+墊片，W-墊片，R+墊片，R-墊片，和S墊片，提供給如圖4A所示的五個(gè)墊片滑塊SL。其中只有三種類型，R+墊片，R-墊片，和S墊片，在污點(diǎn)檢測(cè)中被使用。作為磁傳感元件的MR元件12的其中一個(gè)電極，電極13a，與R+墊片導(dǎo)通，而MR元件12的另一電極，電極13b，與R-墊片導(dǎo)通。防護(hù)裝置14a和14b與S墊片導(dǎo)通。如表1中所示，污點(diǎn)(防護(hù)裝置部分磨損)的產(chǎn)生將S墊片和R+墊片或R-墊片之間的電阻值降低到等于或小于1kΩ的值。因此電阻值的降低可以被測(cè)量和檢測(cè)到。
在探測(cè)卡60上的四個(gè)探頭組連結(jié)在基板62上，基板62安置在滑塊所安置的節(jié)距上，從而能夠立即(同時(shí))測(cè)量四個(gè)滑塊SL。每個(gè)探頭組的三個(gè)探頭61每個(gè)都被設(shè)定為與R+墊片，R-墊片，和S墊片中的一個(gè)墊片自由接觸。應(yīng)該注意，原則上，至少一個(gè)探頭組應(yīng)提供給探測(cè)卡以使至少一個(gè)滑塊SL可被測(cè)量。
參照附圖10A和10B所解釋的，有四種類型的墊片，W+墊片，W-墊片，R+墊片，R-墊片，提供給如圖4B所示的四個(gè)墊片的滑塊SL。兩種類型的墊片，R+墊片和R-墊片，和由AlTiC等制成的并與防護(hù)裝置相連的導(dǎo)體部分21在此用于污點(diǎn)檢測(cè)。如表1中所示，污點(diǎn)的產(chǎn)生將在導(dǎo)體部分21和R+墊片或R-墊片之間的電阻值降低到等于或小于1kΩ的值。因此電阻值的降低可以被測(cè)量和檢測(cè)到。在這種情況下，在圖4A中使用的探測(cè)卡60在此也被使用。也就是，在每個(gè)探頭組的三個(gè)探頭61中，有兩個(gè)與R+墊片和R-墊片接觸而另一個(gè)與沒(méi)有墊片的部分接觸。沒(méi)有墊片的部分是電絕緣的，然而，這樣的話問(wèn)題不會(huì)產(chǎn)生。當(dāng)使用四個(gè)墊片滑塊SL時(shí)S墊片是不存在的。作為替代，滑塊條1被安置在與導(dǎo)體部分21電接觸的條安置臺(tái)65上，并且對(duì)于每個(gè)滑塊從條形安置臺(tái)65到導(dǎo)體部分21都立即有連接。應(yīng)該注意的是，條安置臺(tái)65在圖1中的傳送架50上固定，并且與導(dǎo)體部分21接觸，作為電導(dǎo)體組件工作。圖9A和9B以及圖10A和10B中的相同部分加有相同標(biāo)號(hào)，這些結(jié)構(gòu)的解釋被省略了。
應(yīng)該注意的是，用于30％滑塊的探頭的配置與用于20％滑塊的探頭配置是不同的，因?yàn)榛瑝K在大小上有差異。探測(cè)卡不能被用于兩種滑塊類型。
如圖5A至5D所示，是彼此不同的A通道類型和B通道類型滑塊SL。圖5A說(shuō)明了用于30％滑塊的A通道類型，圖5B說(shuō)明了用于30％滑塊的B通道類型，圖5C說(shuō)明了用于20％滑塊的A通道類型，而圖5D說(shuō)明了用于20％滑塊的B通道類型。
對(duì)于30％的滑塊，R+墊片，R-墊片，和S墊片之間的位置關(guān)系對(duì)于A通道類型和B通道類型來(lái)說(shuō)是相同的。因此，假如探頭和S墊片對(duì)準(zhǔn)，探頭對(duì)于兩種類型來(lái)說(shuō)可通用。另外，對(duì)于20％的滑塊，R+墊片，R-墊片，和S墊片之間的位置關(guān)系在A通道類型和B通道類型之間是不同的。為了使探頭對(duì)于A通道類型和B通道類型都可用，探頭被給定了一種能接觸兩種類型的20％滑塊的R+墊片，R-墊片，和S墊片的形狀，并且墊片的位置對(duì)準(zhǔn)。
滑塊條1的測(cè)量操作參照?qǐng)D1說(shuō)明。
作為測(cè)量對(duì)象的滑塊條1在托架40中提前人工設(shè)置?；瑝K條1中的一個(gè)通過(guò)取放機(jī)制被從托架40傳差到傳送架50。傳送架50首先移動(dòng)到定位臺(tái)ST1，并且滑塊條1由定位棘爪51定位。傳送架50然后移動(dòng)到測(cè)量臺(tái)ST2。
在測(cè)量臺(tái)ST2，提供給探測(cè)卡60的四個(gè)探頭組(每個(gè)組由三個(gè)探頭61組成)被向上和向下操縱，并且四個(gè)滑塊SL的電阻測(cè)量是在一個(gè)操作(全部一次)中進(jìn)行的。然后傳送架50行進(jìn)等于四個(gè)滑塊部分的節(jié)距，并且對(duì)于所述一個(gè)滑塊條1的所有的滑塊進(jìn)行電阻測(cè)量。
在電阻測(cè)量完成后，滑塊條1通過(guò)取放機(jī)制從傳送架50返回到托架40。
在五個(gè)墊片滑塊和四個(gè)墊片滑塊的各測(cè)量點(diǎn)之間電阻測(cè)量的電阻值的標(biāo)準(zhǔn)化值在表1中列出。
在R+墊片和S墊片之間的，以及在R-墊片和S墊片之間的電阻值被用于五個(gè)墊片滑塊的污點(diǎn)檢測(cè)，而在R+墊片和導(dǎo)體部分21之間的，和在R-墊片和導(dǎo)體部分21之間的電阻值被用于四個(gè)墊片滑塊的污點(diǎn)檢測(cè)。當(dāng)產(chǎn)生污點(diǎn)時(shí)，根據(jù)污點(diǎn)的程度電阻值將顯示從幾歐姆到大約1kΩ的值。因此，當(dāng)那些電阻值中的任何一個(gè)小于1kΩ的閾值(或者小于低于1kΩ的閾值)判斷污點(diǎn)產(chǎn)生。另外，在R+墊片和R-墊片之間的電阻值顯示一固定值。當(dāng)R+墊片和R-墊片之間的電阻顯示為一不規(guī)則值時(shí)可以認(rèn)為滑塊失敗或者探頭接觸失敗。如果不規(guī)則繼續(xù)產(chǎn)生，有可能與探頭的接觸不良，并且這些不規(guī)則可以作為用于檢查該檢測(cè)裝置的氣壓計(jì)。
如能從表1中所看出的，在五個(gè)墊片滑塊中污點(diǎn)存在和不存在之間電阻值的差異很大。然而，在四個(gè)墊片滑塊情況下，污點(diǎn)存在和不存在之間電阻值的差異很小(如表1中所示，當(dāng)污點(diǎn)不存在是1.25kΩ，當(dāng)污點(diǎn)存在是1kΩ)。因此有必要高精度地測(cè)量墊片之間的電阻值。因此，對(duì)于類似圖6的其中對(duì)于一個(gè)滑塊測(cè)量在R+墊片，R-墊片，和S墊片之間的電阻的情況，例如當(dāng)測(cè)量在S墊片和R+墊片之間的電阻r1時(shí)，電阻r1的值通過(guò)在S墊片和R+墊片之間加電壓和測(cè)量流經(jīng)電阻r1的電流量而被發(fā)現(xiàn)。如果此時(shí)電流也流經(jīng)電阻r2和r3，則正確電阻值不能被發(fā)現(xiàn)。在S墊片和R-墊片之間的電位差，和在R-墊片和R+墊片之間的電位差都被控制至零。
如可以從圖6中理解的，為測(cè)量對(duì)象進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)電阻測(cè)量。在r1的四點(diǎn)測(cè)量的情況下，r1的測(cè)量值為r2和r3的合并電阻，并且得不到校正值。在此使用的術(shù)語(yǔ)“四點(diǎn)測(cè)量”意思是一種測(cè)量方法，其中探頭在兩點(diǎn)接觸，S墊片和R+墊片，并且每個(gè)探頭連接至源和電壓計(jì)的兩個(gè)導(dǎo)線。還通過(guò)將探頭與圖6的R-墊片接觸，也就是，通過(guò)使用其中源和兩個(gè)電壓計(jì)導(dǎo)線與每個(gè)探頭相連的六點(diǎn)測(cè)量，沒(méi)有電流流經(jīng)電阻r2和r3并且在那里電位差可以變得近似為零。因此電阻r1的值可以被準(zhǔn)確地被發(fā)現(xiàn)。在六點(diǎn)測(cè)量的情況下，通過(guò)將源和電壓計(jì)的兩個(gè)導(dǎo)線連接到每個(gè)探頭，電位差可以變得近似于零。
圖7A和7B每個(gè)顯示了用于六點(diǎn)測(cè)量(源和電壓計(jì)的兩個(gè)導(dǎo)線在三個(gè)位置與探頭相連，因此這稱作六點(diǎn)測(cè)量)的專用電阻測(cè)量電路的配置。預(yù)定的10mV的直流電壓由電壓源加到測(cè)量對(duì)象電阻R1，并通過(guò)使用高幅op-ampOP1將在第一非測(cè)量電阻R2和第二非測(cè)量電阻R3的接觸點(diǎn)，以及測(cè)量對(duì)象電阻R1的一端之間的電位差維持在很小的值(150μV)。
把電源電壓記為VS，電源電流記為IM，流經(jīng)電阻R1的電流記為I1，以及流經(jīng)電阻R2的電流記為IERRIM＝I1+IERR，IERR＝150μV/R2，和I1＝VS/R1，且通過(guò)下列公式發(fā)現(xiàn)測(cè)量值RM＝VS/IM＝R1/[{1+(150μV/VS)×(R1/R2)}](公式1)這里，項(xiàng)(150μV/VS)×(R1/R2)說(shuō)明了誤差。在公式1中如果R1＞＞R2則誤差會(huì)變得更大。如果R2被取作MR元件(50Ω)，就可以理解R1的測(cè)量誤差變大了。
如上所述，當(dāng)MR元件(在R+墊片和R個(gè)墊片之間)的電阻大約是50Ω，用于污點(diǎn)檢測(cè)的要被測(cè)量的電阻值的量級(jí)從101到103到無(wú)窮大改變，如表1中所示。在這種情況下，在圖7A的六點(diǎn)測(cè)量中也出現(xiàn)了測(cè)量值的大范圍的誤差，并且根據(jù)情況，有可能不能建立閾值(在表1的情況下等于或小于1kΩ)。
通過(guò)將電源電壓VS相對(duì)于電阻R1的極性反相，對(duì)于這種類型的情況可以減小測(cè)量誤差。也就是IM＝I1+IERR，IERR＝150μV/R3，和I1＝VS/R1并且測(cè)量值通過(guò)下述公式發(fā)現(xiàn)RM＝VS/IM＝R1/[{1+(150μV/VS)×(R1/R3)}](公式2)150μV/VS＝(0.15/10)10-3＝1.5×10-5此時(shí)R1≈R3，并且誤差變小。通過(guò)轉(zhuǎn)換電壓源的直流電壓值的極生以使流在測(cè)量對(duì)象電阻外面的電流IERR變小，圖7A和7B中的電路測(cè)量精度會(huì)因此增加。
應(yīng)該注意的是，雖然在圖7A和7B所示的狀態(tài)中測(cè)量對(duì)象電阻是R1，通過(guò)掃描R2和R3也可以依次成為測(cè)量對(duì)象電阻。
對(duì)于四端子測(cè)量和六端子測(cè)量的情形的誤差計(jì)算結(jié)果在圖8A到8F中示出。在圖8A和8B中的四端子測(cè)量的實(shí)例情況下，測(cè)量誤差大約為50％。而且，在圖8C和8D中的六端子測(cè)量的實(shí)例情況(僅使用圖7A中的電路)下，當(dāng)R2等于50Ω時(shí)誤差會(huì)增加。電源電壓(高/低)的施加方向然后如圖7B所示被轉(zhuǎn)換。也就是，當(dāng)圖8A至8F中的R2在測(cè)量掃描過(guò)程中成為MR元件的電阻(大約50Ω)(掃描2)時(shí)，要被測(cè)量的電阻R1的探頭極性輸入Hi和輸入Lo被轉(zhuǎn)換，并且IERR(在Hi和Guard之間流的電流)被阻止變大。因此如圖8E至8F所示減少測(cè)量誤差到1％水平是可能的。
應(yīng)該注意的是，滑塊在電氣上很脆弱，并且因此在測(cè)量中使用的電壓和電流保持在低水平。優(yōu)選測(cè)量以大約1至10mV的電壓和大約1至10μA的電流進(jìn)行。
在圖7A和7B中的六端子測(cè)量中，在探頭接觸后使電流流入，并且為了阻止在探頭接觸和釋放過(guò)程中的過(guò)大電流，在電流被切斷之后探頭被釋放(從墊片分離)。如果探頭在除了測(cè)量的時(shí)間里，例如在接觸和釋放測(cè)量探頭的過(guò)程中有電位差，該差可能會(huì)導(dǎo)致ESD損害(靜電，剩余電荷等引起的損害)。因此測(cè)量操作通過(guò)這樣來(lái)進(jìn)行在正常測(cè)量后設(shè)定零伏特和零安培；設(shè)定測(cè)量探頭的電位為零；并且然后進(jìn)到下一個(gè)測(cè)量操作?？紤]到這一點(diǎn)的測(cè)量流程在圖2中示出。
對(duì)于每個(gè)托架有相同的外部形狀的滑塊(30％滑塊或20％滑塊)來(lái)說(shuō)，即使滑塊條的尺寸(L，M，S)和方向(A通道，B通道)不同，通過(guò)為滑塊條的每一滑塊相對(duì)于參考點(diǎn)的墊片位置事先設(shè)定(存儲(chǔ))坐標(biāo)數(shù)據(jù)，并且通過(guò)在測(cè)量過(guò)程中選擇相應(yīng)于滑塊條的該尺寸和方向的坐標(biāo)數(shù)據(jù)，轉(zhuǎn)換是可能的，該參考點(diǎn)例如圖1的檢測(cè)裝置的傳送架50或者條安置臺(tái)65。
測(cè)量電阻值被顯示在顯示器上，并且為每個(gè)托架創(chuàng)建具有CSV或其他格式的數(shù)據(jù)文件，并且存儲(chǔ)。該文件記錄了托架的標(biāo)識(shí)符號(hào)，滑塊條數(shù)，為每個(gè)托架測(cè)量的電阻值和結(jié)果(污點(diǎn)存在或不存在，磁頭主體部分是好還是壞)等等。
滑塊選擇是由其他過(guò)程步驟基于文件數(shù)據(jù)進(jìn)行的，已經(jīng)被判斷有污點(diǎn)的滑塊，以及已經(jīng)被判斷有磁頭主體失敗的滑塊，被作為有缺陷的部件去除。
應(yīng)該注意的是，如圖4A和4B所示，在探測(cè)卡中有四個(gè)探頭組，并且通常四個(gè)滑塊被同時(shí)測(cè)量。即使探頭的部分由于某些原因或另外的原因變得不可用，通過(guò)使用剩下的探頭細(xì)來(lái)測(cè)量仍然是可能的。
下面說(shuō)明的效果可以根據(jù)該實(shí)施例得到。
(1)污點(diǎn)的產(chǎn)生可以通過(guò)測(cè)量墊片(或?qū)w部分)之間的電阻值來(lái)檢測(cè)，該墊片與在滑塊SL中的防護(hù)裝置或作為磁傳感元件的MR元件相連，該滑塊SL具有集成磁頭主體部分10，并處于條狀態(tài)(滑塊條狀態(tài))。因此，在后面的過(guò)程中沒(méi)有必要使用具有污點(diǎn)失敗的滑塊。因此，在用于制造HDD薄膜磁頭的過(guò)程中提高制造生產(chǎn)率是可能的。
(2)污點(diǎn)的程度可以通過(guò)電阻值確定，并且因此先前的摩擦過(guò)程(用于拋光滑塊條的ABS表面的過(guò)程)可以被監(jiān)視。
(3)污點(diǎn)檢測(cè)在滑塊被切割成單獨(dú)的片之前在滑塊條架被進(jìn)行。因此處理比滑塊已經(jīng)被切割成單獨(dú)的片的狀態(tài)更為容易，并且進(jìn)行測(cè)量的工作也可有效進(jìn)行。
(4)通過(guò)對(duì)連結(jié)在探測(cè)卡60上的探頭61的合適的排列進(jìn)行設(shè)計(jì)，對(duì)于滑塊有相同的收縮率(20％或30％)的情形，不管是四個(gè)電極墊片還是五個(gè)電極墊片，通過(guò)使用相同的探測(cè)卡來(lái)測(cè)量是可能的。特別地，當(dāng)進(jìn)行電阻值測(cè)量時(shí)與滑塊SL的墊片接觸的三個(gè)探頭被用作一組。另外，該三個(gè)探頭的排列如下述設(shè)置。也就是說(shuō)，對(duì)于有五個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，探頭中的三個(gè)與五個(gè)墊片中的三個(gè)(那些與MR元件電極和防護(hù)裝置相連的墊片)相接觸。對(duì)于有四個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，探頭中的二個(gè)與四個(gè)墊片中的二個(gè)(那些與MR元件電極相連的墊片)相接觸。
(5)通過(guò)使用具有可以與滑塊SL上的墊片自由接觸的多個(gè)探頭組的探測(cè)卡，接觸時(shí)間可以被縮短。
(6)為滑塊條1中的每個(gè)滑塊SL上的墊片相對(duì)于參考點(diǎn)(例如，在圖1中的檢測(cè)裝置的傳送架上的參考點(diǎn)，或者圖4A和4B中的固定在傳送架上的條安置臺(tái)65的參考點(diǎn))存儲(chǔ)坐標(biāo)數(shù)據(jù)。對(duì)于具有相同收縮率(20％或30％)的滑塊來(lái)說(shuō)，通過(guò)讀取預(yù)先設(shè)定的坐標(biāo)數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行測(cè)量可以由測(cè)量操作進(jìn)行，在該測(cè)量操作中，通過(guò)使用參考點(diǎn)，探頭與墊片基于坐標(biāo)數(shù)據(jù)接觸，即使條的尺寸(S，M，L)或者通道的方向不同。
(7)誤差的產(chǎn)生可以通過(guò)在檢測(cè)污點(diǎn)的圖7A和7B的測(cè)量電路中將用于測(cè)量對(duì)象電阻的測(cè)量探頭中的電位差方向反相(使所加電壓的極性反相以使流經(jīng)未被測(cè)量的電阻的電流IERR變小)而被抑制。誤差是由于網(wǎng)絡(luò)電阻值中的差異所導(dǎo)致的，并且相應(yīng)于將測(cè)量對(duì)象電阻與在掃描過(guò)程中不將被測(cè)量的電阻合并。
(8)在完成在滑塊SL上的電阻測(cè)量之后，在被從墊片去除之前每個(gè)探頭被給定零電位和零電流。在被安置在與墊片相接觸之前每個(gè)探頭61也被安置為處于零電位、零電流狀態(tài)。ESD損害(靜電，剩余電荷等引起的損害)因此可以被阻止。
應(yīng)該注意的是，雖然在上述實(shí)施例中給探測(cè)卡提供了四個(gè)探頭組，其他數(shù)量的探頭組也可以被使用。隨著探頭組的數(shù)目越來(lái)越多，一次可以被測(cè)量的滑塊數(shù)也增加，并且裝置接觸時(shí)間也更短。然而，探測(cè)卡和測(cè)量裝置的成本也更高，另外，維護(hù)也會(huì)更為困難。
而且，探頭的配置優(yōu)選地可通用于盡可能多的滑塊類型。然而，如果探頭的通用不被考慮，探頭的配置也可以相應(yīng)于所有類型的墊片模式。
本發(fā)明的實(shí)施例在上面說(shuō)明，但是本發(fā)明并不僅限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員自然會(huì)明白在權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)各種改變和變形都是可能的。
下面描述的效果可以根據(jù)如上所述按照本發(fā)明檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法和裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。
通過(guò)測(cè)量具有集成磁頭主體部分的滑塊上的墊片之間的電阻值，或者墊片和與磁頭主體部分的防護(hù)裝置相連的導(dǎo)體部分之間的電阻值，污點(diǎn)的產(chǎn)生可以被檢測(cè)到，并且在磁頭裝配之前檢測(cè)是否產(chǎn)生污點(diǎn)是可能的。而且，沒(méi)有必要使用由于污點(diǎn)而失敗的滑塊來(lái)用于后續(xù)過(guò)程，并且這樣可能引起在磁頭制造過(guò)程中生產(chǎn)率的提高。
而且，對(duì)于測(cè)量在其中滑塊連接成條形的滑塊條架上執(zhí)行的情況，與各個(gè)滑塊從滑塊條切割下來(lái)的狀態(tài)相比，處理也更為容易，并且測(cè)量和檢查也可以更為有效地進(jìn)行。
另外，污點(diǎn)的程度可以通過(guò)電阻值來(lái)確定，并且因此先前的摩擦過(guò)程。也可以被監(jiān)視。
本發(fā)明的實(shí)施例已經(jīng)在上面加以描述。但是本發(fā)明并不僅限于這些。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)自然明白在權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)各種改變和變形都是可能的。
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法，包括測(cè)量在具有集成磁頭主體部分的滑塊的墊片之間的電阻值，或者在墊片和與磁頭主體部分的防護(hù)裝置相連的導(dǎo)體部分之間的電阻值，以由此檢測(cè)污點(diǎn)產(chǎn)生。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法，其中電阻值的測(cè)量是在多個(gè)滑塊相連的滑塊條狀態(tài)下進(jìn)行的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法，其中電阻值的測(cè)量是通過(guò)使用具有接觸墊片的一組或多組探頭的探測(cè)卡一次在滑塊條的一個(gè)滑塊上或者多個(gè)滑塊上進(jìn)行的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法，其中電阻值的測(cè)量是通過(guò)使用與墊片相接觸的探頭中的三個(gè)作為一組來(lái)進(jìn)行的，其中該三個(gè)探頭的排列被設(shè)置，以使對(duì)于具有五個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，三個(gè)探頭與五個(gè)墊片中的三個(gè)墊片相接觸。而對(duì)于具有四個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，三個(gè)探頭中的二個(gè)與四個(gè)墊片中的二個(gè)墊片相接觸，并且其中探頭的排列通用于具有五個(gè)墊片的滑塊和具有四個(gè)墊片的滑塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法，其中存儲(chǔ)滑塊條中每個(gè)滑塊墊片相對(duì)于參考點(diǎn)的位置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)；以及基于坐標(biāo)數(shù)據(jù)使探頭接觸墊片。
6.根據(jù)權(quán)利要求3的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法，其中當(dāng)探頭與墊片接觸時(shí)，以及當(dāng)探頭被從墊片去除時(shí)，探頭被控制以具有零電位和零電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法，其中對(duì)于電阻值的測(cè)量在連接到磁頭主體部分中的磁傳感元件的兩端的電極的墊片與連接到防護(hù)裝置的墊片之間，或者在連接到電極和導(dǎo)體部分的墊片之間的三個(gè)點(diǎn)進(jìn)行的情形，預(yù)定直流電壓由電壓源加到測(cè)量對(duì)象電阻(R1)，在測(cè)量對(duì)象電阻(R1)的一端以及第一非測(cè)量電阻(R2)和第二非測(cè)量電阻(R3)的連接點(diǎn)之間的電位差被維持在很低的值，并且電壓源的直流電壓的極性被轉(zhuǎn)換，以使流在測(cè)量對(duì)象電阻(R1)外面的電流(IERR)變小。
8.一種用于檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的裝置，包括架，在架上安置有包含具有集成磁頭主體部分的多個(gè)滑塊的滑塊條；定位裝置，用于確定滑塊條位置；和電阻測(cè)量電路，用于測(cè)量滑塊的墊片之間，或者墊片和與磁頭主體部分的防護(hù)裝置相連的導(dǎo)體部分之間的電阻值。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的裝置，進(jìn)一步包括具有與墊片接觸的多個(gè)探頭組的探測(cè)卡，其中電阻值的測(cè)量是一次在滑塊條的多個(gè)滑塊上進(jìn)行的。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的裝置，其中探頭組被配置成每個(gè)具有三個(gè)探頭，并且這三個(gè)探頭被排列，以使對(duì)于具有五個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，三個(gè)探頭與五個(gè)墊片中的三個(gè)墊片接觸。而對(duì)于具有四個(gè)墊片的滑塊來(lái)說(shuō)，三個(gè)探頭中的二個(gè)與四個(gè)墊片中的二個(gè)墊片接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的裝置，其中該架具有接觸連接到滑塊條的防護(hù)裝置的導(dǎo)體部分的電導(dǎo)體組件。
全文摘要
提供一種檢測(cè)磁頭的污點(diǎn)的方法和裝置，其中通過(guò)測(cè)量在集成有磁頭主體部分的滑塊的墊片和防護(hù)裝置之間的電阻值，使得有可能在磁頭裝配之前檢測(cè)污點(diǎn)產(chǎn)生，并且另外，吞吐量也會(huì)增加。檢測(cè)磁頭污點(diǎn)的方法包括測(cè)量在具有集成磁頭主體部分的滑塊的墊片之間的，或者在墊片和與磁頭主體部分的防護(hù)裝置相連的導(dǎo)體部分之間的電阻值，以由此檢測(cè)污點(diǎn)產(chǎn)生。
文檔編號(hào)G11B5/39GK1573940SQ20041006394
公開(kāi)日2005年2月2日 申請(qǐng)日期2004年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月29日
發(fā)明者高貫一明, 金子正明, 原川修 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社