專利名稱：光信息記錄介質(zhì)以及用于制造該介質(zhì)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用諸如激光束的光學(xué)方式，高速和高密度地記錄和再現(xiàn)信息的光信息記錄介質(zhì)，以及一種用于制造該介質(zhì)的方法。
背景技術(shù)：
已知利用激光束再現(xiàn)或記錄高密度信息的技術(shù)，并已經(jīng)主要商品化為光盤。
光盤粗略地分成只讀型、一次寫入型和可重寫型。只讀型已經(jīng)商品化為緊致光盤或激光盤，而一次寫入型和可重寫型商品化為針對文檔文件或數(shù)據(jù)文件的記錄介質(zhì)。可重寫型光盤包括磁光型和相變型。相變光盤利用在施加激光束時，記錄層在非晶相和晶相之間(或一個晶相和另一晶相之間)之間可逆地改變其相位的現(xiàn)象。即，當(dāng)施加激光束時，為了記錄，改變薄膜的折射率和衰減系數(shù)中的至少一個，以及改變透射光或反射光的幅度。結(jié)果，通過檢測到達(dá)檢測系統(tǒng)的透射光或反射光的量的改變來再現(xiàn)信號。
注意，近年來，為了增加光盤的記錄容量，已經(jīng)提出了單面雙層結(jié)構(gòu)(例如，見日本未審專利申請NO.2000-036130)。
另外，已經(jīng)進(jìn)行了針對使利用藍(lán)色激光束來記錄和再現(xiàn)的雙層光信息記錄介質(zhì)商品化的研究與開發(fā)。根據(jù)該技術(shù)，通過使用具有短于傳統(tǒng)情況的波長的激光束和具有大于傳統(tǒng)情況的數(shù)值孔徑的物鏡，可以減小激光束的光斑尺寸，從而可以更高密度地記錄信息。
對于單面多層記錄介質(zhì)的要求之一在于用于記錄和再現(xiàn)信息的、設(shè)置在激光束的入射側(cè)的信息層具有盡可能高的透射率。例如，在單面雙層記錄介質(zhì)的情況下，當(dāng)激光束通過設(shè)置在入射側(cè)的信息層并到達(dá)另外設(shè)置在介質(zhì)內(nèi)側(cè)(例如，更深一側(cè))的信息層時，可以降低激光束的強(qiáng)度。因此，具有較低強(qiáng)度的激光束將用于在更深側(cè)的信息層上進(jìn)行記錄和從該信息層中進(jìn)行再現(xiàn)。因此，為了確保在更深側(cè)的信息層上記錄信息的足夠強(qiáng)度的激光束，在前側(cè)上的信息層等需要具有特別高的透射率。為了實(shí)現(xiàn)針對至少包括按照該順序(當(dāng)從激光束的入射側(cè)觀察時)的記錄層和反射層的信息層的高透射率，已經(jīng)研究了一種技術(shù)，其中，設(shè)置由電介質(zhì)形成的透射率調(diào)節(jié)層，以使其與激光束的入射側(cè)相反的反射層的一層接觸。此外，也已經(jīng)研究了另一技術(shù)，其中，為了實(shí)現(xiàn)高透射率，對透射率調(diào)節(jié)層和反射層的折射率和衰減系數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。
注意，還提出了針對與記錄層接觸的介電層，使用由二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻構(gòu)成的材料。對于需要具有高透射率的盤，必須使用于吸收光和引起透射率降低的激光記錄層盡可能薄。但是，使記錄層變薄會引起降低了記錄層的結(jié)晶能力的另一問題。作為針對這個問題的措施，可以將由二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻制成的材料用于與記錄層接觸的介電層，從而可以抑制記錄層結(jié)晶能力的降低。
此外，通過利用板料送進(jìn)型濺射設(shè)備作為大規(guī)模制造設(shè)備，可以大量地制造許多磁光記錄介質(zhì)和DVD-RAM(數(shù)字化通用光盤-隨機(jī)存取存儲器)。在如圖5所示的該板料送進(jìn)型濺射設(shè)備中，通過裝料閘室11，將盤襯底10裝入真空室(主室19)，并轉(zhuǎn)移到成膜室以形成第一層(在這種情況下的成膜室12)。在成膜室12中對盤襯底10進(jìn)行處理以形成膜，然后，將其轉(zhuǎn)移到用于形成第兩層的另一個成膜室(在這種情況下的成膜室13)。這里，重復(fù)成膜處理，從而通過將盤襯底10轉(zhuǎn)移到每一個成膜室，形成所期望的層。此后，再通過裝料閘室11取出已在其上形成了膜的盤20。通過裝料閘室11，連續(xù)地裝入盤襯底10以進(jìn)行大量生產(chǎn)。
為了研究單面多層記錄介質(zhì)，本發(fā)明的發(fā)明人首先致力于開發(fā)雙層光信息記錄介質(zhì)。作為介電層的材料，使用了上述的二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻，這是由于其加速了結(jié)晶，即使在記錄層由薄膜制成的情況下。
然而，在利用上述具有該結(jié)構(gòu)的板料送進(jìn)型濺射設(shè)備的大規(guī)模制造研究中，發(fā)現(xiàn)了在防潮測試之后會容易出現(xiàn)膜剝離的問題。作為詳細(xì)研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了在記錄層側(cè)的介電層和記錄層之間的接觸面處、在激光束的入射側(cè)的介電層和記錄層之間的接觸面處、以及在反射層側(cè)的介電層和反射層之間的接觸面處可能會容易出現(xiàn)膜剝離。另外，還發(fā)現(xiàn)了在記錄層側(cè)的介電層和記錄層之間的接觸面處可能會最容易出現(xiàn)膜剝離。該膜剝離可以通過增加形成介電層的材料中的三氧化二鉻的量加以抑制。然而，增加三氧化二鉻的量可能會引起透射率的降低，對設(shè)置在更深側(cè)(當(dāng)從激光束的入射側(cè)觀察時)的信息層的記錄和再現(xiàn)特性具有較大的影響。因此，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了不能夠容易地改變介電層的材料成分。
此外，成膜間歇(tact)影響了大規(guī)模制造的成本。因此，當(dāng)利用板料送進(jìn)型濺射設(shè)備大量制造記錄介質(zhì)時，難以在足夠的時間段內(nèi)(例如，真空時間可以為大約2到3秒)，針對從裝料閘室提供的襯底和裝料閘室自身進(jìn)行真空放電。因此，來自該室的外部的濕氣或附著于襯底上的濕氣可以容易地進(jìn)入成膜室。濕氣可能會使要制造的光盤的耐蝕性惡化。同樣，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了按照上述傳統(tǒng)方法制造的光盤具有次于按照批量型大規(guī)模制造設(shè)備制造的光盤的耐蝕性。
如上所述，為了實(shí)現(xiàn)對膜剝離的抑制和對透射率的改進(jìn)，必須對盤的分層結(jié)構(gòu)以及介電層的材料成分進(jìn)行優(yōu)化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種具有單面多層結(jié)構(gòu)的光信息記錄介質(zhì)，能夠抑制膜剝離和改善透射率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)在襯底上至少具有兩個信息層，設(shè)置在激光入射側(cè)的該信息層至少包括反射層、記錄層和介電層。所述記錄層相對于反射層設(shè)置在激光入射側(cè)。所述記錄層用于產(chǎn)生在非晶相和晶相之間的可逆變化，該可逆變化可以通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測。所述介電層至少包括鋯、硅和鉻，所述介電層設(shè)置在反射層和記錄層之間。在反射層側(cè)的介電層中的鋯、硅和鉻的比率可以表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(p+q+r＝100，并且p、q、r按照原子百分?jǐn)?shù))，在記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層的鋯、硅和鉻的比率可以表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100，并且s、t、u是按照原子百分?jǐn)?shù))，并且r小于u。
這里，在介電層中，將記錄層側(cè)的接觸面附近的鉻的比率設(shè)置得高于反射層側(cè)的鉻的比率。這樣可以抑制在介電層和記錄層之間的接觸面處的膜剝離，同時也可以抑制設(shè)置在激光入射處的信息層的透射率的降低。注意，在整個介電層中包含的鉻的量可以大致等于在傳統(tǒng)介電層中包含的量，但是，也可以減少鉻的數(shù)量，以便進(jìn)一步改善透射率。這是由于即使減少了整個介電層中包含的鉻的量，當(dāng)在記錄層側(cè)的介電層的接觸面附近存在足量的鉻時，不存在問題。
此外，可以將在記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層中的硅的比率設(shè)置得低于在反射層側(cè)的介電層中硅的比率。另外，在這種情況下，可以抑制介電層和記錄層之間的接觸面處的膜剝離，同時，也可以抑制設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層的透射率的降低。
此外， 當(dāng)由點(diǎn)A(14∶0∶86)、點(diǎn)B(0∶14∶86)、點(diǎn)C(0∶25∶75)、點(diǎn)D(21∶21∶58)、點(diǎn)E(43∶0∶57)、點(diǎn)F(0∶33∶67)、點(diǎn)G(33∶33∶34)、點(diǎn)H(67∶0∶33)、點(diǎn)I(25∶0∶75)來定義鋯、硅和鉻的比率(p+q+r＝100，并且p、q、r按照原子百分?jǐn)?shù))，(s+t+u＝100，并且s、t、u按照原子百分?jǐn)?shù))時，在記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層的材料中的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)A、點(diǎn)B、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)A按該順序所定義的范圍中，并且在反射層側(cè)的介電層的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)I和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。注意，如果在反射層側(cè)的介電層中的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)E和點(diǎn)D和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中，則將更為優(yōu)選。此外，在這種情況下，可以抑制在介電層和記錄層之間的接觸面處的膜剝離，同時，還可以抑制設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層的透射率的降低。
此外，介電層可以具有至少兩層，所述兩層包括設(shè)置在記錄層附近的記錄層側(cè)介電層；以及，比所述記錄層側(cè)介電層更靠近所述反射層的反射層側(cè)介電層。
同樣，接觸記錄層的介電層可以包含二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻，因而可以抑制記錄層的結(jié)晶能力的降低。
此外，記錄層側(cè)介電層的厚度處于反射層側(cè)介電層的厚度的十五分之一和三分之一之間，更優(yōu)選地，小于或等于四分之一。另外，記錄層側(cè)介電層的厚度可以大于或等于1nm并小于或等于8nm，更優(yōu)選地，大于或等于2nm并小于或等于6nm。
此外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，用于制造在襯底上具有至少兩個信息層的光信息記錄介質(zhì)的方法包括為了形成設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層，至少形成反射層；形成記錄層；以及在反射層和記錄層之間形成介電層。所述記錄層相對于反射層設(shè)置在激光入射側(cè)。該記錄層用于產(chǎn)生在非晶相和晶相之間的可逆變化，該可逆變化可以通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測。形成介電層包括至少形成兩層，所述兩層包括具有與記錄層相接觸的部分的記錄層側(cè)介電層；以及，比記錄層側(cè)介電層更靠近反射層的反射層側(cè)介電層；該反射層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率可以表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))，該記錄層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率可以表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))。使用了滿足r＜u的濺射目標(biāo)。
在制造工藝中，使記錄層側(cè)介電層中的鉻的比率高于反射層側(cè)介電層中的鉻的比率。因而，在制造光信息記錄介質(zhì)時，可以抑制在介電層和記錄層之間的接觸面處的膜剝離，同時，抑制在激光入射側(cè)的信息層的透射率的降低。
此外，在制造工程中，可以使記錄層側(cè)介電層中的硅的比率低于反射層側(cè)介電層中的硅的比率。此外，在這種情況下，在制造光信息記錄介質(zhì)中，也可以抑制在介電層和記錄層間的接觸面處的膜剝離，同時，抑制在激光入射側(cè)的信息層的透射率的降低。
此外，可以產(chǎn)生介電層的材料，以致于當(dāng)通過點(diǎn)A(14∶0∶86)、點(diǎn)B(0∶14∶86)、點(diǎn)C(0∶25∶75)、點(diǎn)D(21∶21∶58)、點(diǎn)E(43∶0∶57)、點(diǎn)F(0∶33∶67)、點(diǎn)G(33∶33∶34)、點(diǎn)H(67∶0∶33)、點(diǎn)I(25∶0∶75)來定義鋯、硅和鉻的比率(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))，(s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))時，記錄層側(cè)介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)A、點(diǎn)B、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)A按該順序所定義的范圍中，并且反射層側(cè)介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)I和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。注意，更優(yōu)選地，在反射層側(cè)的介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)E、點(diǎn)D和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。另外，在這種情況下，可以抑制在介電層和記錄層間的接觸面處的膜剝離，同時，抑制設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層的透射率的降低。
注意，通過濺射作為與記錄層相接觸的材料的、包含二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻的材料，也能夠抑制記錄層的結(jié)晶能力的降低。
如上所述，介電層中的鉻是確保耐蝕性所必需的，但是可能引起透射率的降低。然而，根據(jù)本發(fā)明的光信息記錄介質(zhì)和用于制造該介質(zhì)的方法，相對地增加在與記錄層的接觸面附近的鉻的量，從而可以確保耐蝕性。因此，在抑制確保耐蝕性所需的鉻的絕對量的同時，可以保持較好的透射率。因此，通過確保了較好的耐蝕性(可靠性)和較好的透射率，可以實(shí)現(xiàn)在記錄和再現(xiàn)特性方面非常優(yōu)良的單面雙層信息記錄介質(zhì)。


圖1是示出了在本發(fā)明的實(shí)施例中使用的雙層光盤的結(jié)構(gòu)的圖；圖2是示出了在本發(fā)明的實(shí)施例中使用的雙層光盤的第一信息層的結(jié)構(gòu)的圖；圖3是示出了在本發(fā)明的實(shí)施例中使用的光盤的介電層成分的圖；圖4是示出了在本發(fā)明的實(shí)施例中使用的光盤的介電層成分的圖；圖5是示出了用于制造光盤的板料送進(jìn)型濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，將參考附圖來描述本發(fā)明。
本發(fā)明涉及一種單面雙層磁盤，如圖1所示，所述單面雙層磁盤包括作為第一信息層100和第二信息層200的兩個信息層。第二信息層200在保護(hù)襯底201上形成。第一信息層100在襯底1上形成，并且光分離層150設(shè)置在襯底1和第二信息層200之間。覆蓋層9在激光束的入射側(cè)的第一信息層100上形成。注意，本發(fā)明不僅可以應(yīng)用于具有兩個信息層的記錄介質(zhì)，而且還可以應(yīng)用于具有三個或更多信息層的多層信息記錄介質(zhì)。此外，本發(fā)明不僅可以應(yīng)用于具有設(shè)置在一面上的多個信息層的記錄介質(zhì)，而且還可以應(yīng)用于具有設(shè)置在兩面上的多個信息層的記錄介質(zhì)。
下面，將參考圖2來描述應(yīng)用了本發(fā)明的第一信息層100(在激光入射側(cè)的信息層)。
如上所述，在襯底1上形成第一信息層100。襯底1是由諸如聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲脂等樹脂或玻璃制成的板?？梢圆捎闷渲欣肬V樹脂來轉(zhuǎn)移壓模襯底以在光分離層150上形成信息層100的凹槽的2P方法。
第一信息層100至少包括透射率調(diào)節(jié)層2、反射層3、由反射層側(cè)介電層4和記錄層側(cè)介電層5組成的介電層50、記錄層6、介電層7以及介電層8，以上各層從襯底1側(cè)開始按照該順序設(shè)置。
透射率調(diào)節(jié)層2使用氧化鈦，這是因?yàn)閷τ谟糜谟涗浶畔⒌募す獾牟ㄩL，具有較大折射率的材料將會使透射率更高。
反射層3可以由主要成分是諸如銀、金、鋁等金屬元素的材料制成。此外，作為金屬反射層的替代，可以層壓具有不同折射率的兩個或多個類型的保護(hù)層，從而可以獲得與非透明層相同的光特性。在本實(shí)施例中，使用由主要成分為銀的金屬制成的金屬折射層。
介電層4-5和7-8可以由主要成分是鋁、硅、鉭、鉬、鎢、鋯等的氧化物；鋅等的硫化物；鋁、硼、鍺、硅、鈦、鉻的氮化物；或鉛、鎂、鑭等的氟化物的材料制成。在本實(shí)施例中，介電層8是由硫化鋅-20％摩爾百分?jǐn)?shù)的二氧化硅制成的，而反射層側(cè)介電層4、記錄層側(cè)介電層5和介電層7是由二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻制成。注意，將根據(jù)以下的實(shí)例來描述介電層4和5的成分。
記錄層6的材料可以是其主要成分是碲、銦、硒等的相變材料。已知的相變材料的主要成分包括碲鍺銻、碲鍺錫、碲鍺錫金、銻硒、銻碲、銻硒碲、銦硒、銦硒、銦硒鉈、銦銻銦銻硒、鍺銻碲銀等。存在已經(jīng)商用于相變光盤或已經(jīng)廣泛研究的材料系統(tǒng)，其中包括鍺銻碲系統(tǒng)、銀鍺銻碲系統(tǒng)等。在本實(shí)施例中，將鍺銻碲系統(tǒng)中的一種用作主要成分。
由反射層側(cè)介電層4和記錄層側(cè)介電層5組成的介電層50、介電層7、介電層8、記錄層6、反射層3、透射率調(diào)節(jié)層2等通常由電子束蒸發(fā)法、濺射法、離子電鍍法、CVD(化學(xué)氣相沉積)法、激光濺射法等來形成。在本實(shí)施例中，使用了濺射法。
(實(shí)例1)將描述在上述實(shí)施例中使用的盤結(jié)構(gòu)的實(shí)例。
首先，作為襯底1，使用了由具有直徑120mm、厚度1.1mm的聚碳酸脂制成、并且表面覆蓋有間距0.3μm和深度20nm的引導(dǎo)凹槽的襯底。在襯底1上接著的一層由磁控管濺射法形成，從而形成第一信息層100。該層包括由厚度為20nm的氧化鈦制成的透射率調(diào)節(jié)層2、由厚度為10nm的銀制成的反射層3、由厚度為16nm的二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻制成的反射層側(cè)介電層4和記錄層側(cè)介電層5組成的介電層50、由厚度為7nm的Ge22Sb25Te53(原子百分?jǐn)?shù))制成的記錄層6、由厚度為10nm的二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻制成的介電層7、以及由厚度為40nm的硫化鋅-20％摩爾百分?jǐn)?shù)的二氧化硅制成的介電層8，并按以上順序設(shè)置。之后，通過旋涂法形成厚度為0.1mm的光透明層(覆蓋層9)。
(1)首先，反射層側(cè)介電層4的成分是固定的，從而使二氧化鋯、二氧化硅和三氧化二鉻的成分比為30∶30∶40，并且對記錄層側(cè)介電層5的成分進(jìn)行各種改變，以便研究在405nm的激光波長處的每個成分的耐蝕性和透射率。在耐蝕性測試中，使用光學(xué)顯微鏡來觀察在攝氏90度的溫度和80％的濕度的環(huán)境中經(jīng)過了100小時之后的盤，以便觀察膜剝離的程度。此外，對于透射率，設(shè)置了包括47％或以上、50％或以上、以及52％或以上的三個級別。對于單面雙層光信息記錄介質(zhì)，如果在激光入射側(cè)的第一信息層100的透射率為47％或以上，其可以說獲得了足夠激光強(qiáng)度來在更深側(cè)的第二信息層200上記錄信息。然而，更高的透射率是值得期待的，如果可以保證50％或以上的透射率，這將不存在問題。此外，52％或以上的透射率是更值得期待的，這是因?yàn)榭梢栽龃笤诟顐?cè)的第二信息層200的成分范圍。將參考圖3和4來描述該結(jié)果。
對記錄層側(cè)介電層5的30個各種成分的樣本(對應(yīng)于圖4所示的黑點(diǎn))的耐蝕性和透射率進(jìn)行測量。利用二氧化鋯∶二氧化硅∶三氧化二鉻的比率(摩爾百分?jǐn)?shù))，圖3和4所示的點(diǎn)A-J用二氧化鋯、二氧化硅和三氧化二鉻的成分比表達(dá)為點(diǎn)A(25∶0∶75)、點(diǎn)B(0∶25∶75)、點(diǎn)C(0∶40∶60)、點(diǎn)D(30∶30∶40)、點(diǎn)E(60∶0∶40)、點(diǎn)F(0∶50∶50)、點(diǎn)G(40∶40∶20)、點(diǎn)H(80∶0∶20)、點(diǎn)I(40∶0∶60)、以及點(diǎn)J(0∶0∶100)。利用鋯∶硅∶鉻的比率(原子百分?jǐn)?shù))，這些比率可以轉(zhuǎn)換成鋯、硅和鉻的成分比，表達(dá)為點(diǎn)A(14∶0∶86)、點(diǎn)B(0∶14∶86)、點(diǎn)C(0∶25∶75)、點(diǎn)D(21∶21∶58)、點(diǎn)E(43∶0∶57)、點(diǎn)F(0∶33∶67)、點(diǎn)G(33∶33∶34)、點(diǎn)H(67∶0∶33)、點(diǎn)I(25∶0∶75)、以及點(diǎn)J(0∶0∶100)。
將參考圖3來描述耐蝕性測試的結(jié)果。在記錄層側(cè)介電層5的成分處于由點(diǎn)J、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)J按該順序所定義的范圍內(nèi)的情況下，在防潮測試之后沒有發(fā)生剝離。然而，在其它成分中發(fā)生了剝離?？梢韵氲竭@該剝離主要發(fā)生在記錄層6和記錄層側(cè)介電層5之間的接觸面處。然而，可以想到的是，如果在反射層側(cè)介電層4中，三氧化二鉻的量非常低或二氧化硅的量非常高，剝離還發(fā)生在反射層3和反射層側(cè)介電層4之間的接觸面處。從這些結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)通過增加三氧化二鉻的量或減少二氧化硅的量，可以改善耐蝕性。
接下來，將參考圖3來描述透射率測試的結(jié)果。當(dāng)處于由點(diǎn)A、點(diǎn)B、點(diǎn)J、和點(diǎn)A按該順序所定義的范圍中時，透射率小于47％。在其它所有范圍中，透射率為47％或以上，因此認(rèn)為該透射率較好。此外，當(dāng)處于由點(diǎn)J、點(diǎn)C、點(diǎn)I和點(diǎn)J按該順序所定義的范圍中時，透射率小于50％。在其它所有范圍中，透射率是50％或以上，因此認(rèn)為該透射率是更好的。從這些結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)通過減少三氧化二鉻的量可以改善透射率。
從上述結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)在記錄層側(cè)介電層5的成分處于由點(diǎn)A、點(diǎn)B、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)A按該順序所定義的范圍中的情況下，耐蝕性和透射率都是較好的。此外，在記錄層側(cè)介電層5的成分處于由點(diǎn)I、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)I按該順序所定義的范圍中的情況下，可以進(jìn)一步改善透射率。
(2)記錄層側(cè)介電層5的成分是固定的，為了研究耐蝕性和透射率，改變反射層側(cè)介電層4的成分。
記錄層側(cè)介電層5的成分是固定的，從而使二氧化鋯、二氧化硅和三氧化二鉻的成分比為25∶0∶75，并且對反射層側(cè)介電層4的成分進(jìn)行各種改變。將盤結(jié)構(gòu)的其余部分設(shè)置為與上述實(shí)例相同。對30個樣本的耐蝕性和透射率進(jìn)行測量，其反射層側(cè)介電層4的成分由圖4所示的點(diǎn)來表示。
將參考圖3來描述耐蝕性測試的結(jié)果。在反射層側(cè)介電層4的成分處于由點(diǎn)J、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H和點(diǎn)J按該順序所定義的范圍中的情況下，在防潮測試之后沒有發(fā)生剝離，但是，在其它成分中發(fā)生了剝離。
接下來，將參考圖3來描述透射率的結(jié)果。當(dāng)處于由點(diǎn)J、點(diǎn)B、點(diǎn)A和點(diǎn)J按該順序所定義的范圍中時，透射率小于47％。另外，當(dāng)處于由點(diǎn)J、點(diǎn)C、點(diǎn)I和點(diǎn)J按該順序定義的范圍中時，透射率小于52％。
(3)接下來，記錄層側(cè)介電層5的成分是固定的，從而使二氧化鋯、二氧化硅和三氧化二鉻的成分比為60∶0∶40，并且對反射層側(cè)介電層4的成分進(jìn)行各種改變。
將參考圖3來描述耐蝕性的結(jié)果。在反射層側(cè)介電層4的成分處于由點(diǎn)J、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H和點(diǎn)J按該順序所定義的范圍中的情況下，在防潮測試之后沒有發(fā)生剝離，但是，在其它成分中發(fā)生了剝離。
接下來，將參考圖3來描述透射率的結(jié)果。當(dāng)處于由點(diǎn)J、點(diǎn)B、點(diǎn)A和點(diǎn)J按該順序所定義的范圍中時，透射率小于50％。此外，當(dāng)處于由點(diǎn)J、點(diǎn)C、點(diǎn)I和點(diǎn)J按該順序所定義的范圍中時，透射率小于52％。
從上述結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)在由反射層側(cè)介電層4的成分處于由點(diǎn)I、點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H和點(diǎn)I按該順序所定義的范圍中的情況下，耐蝕性和透射率都是較好的。
不必說，將透射度增加到上述的52％是更好的。考慮到耐蝕性，這是反射層側(cè)介電層4的成分處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)E、點(diǎn)D和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中的情況。
(4)總結(jié)因此，當(dāng)比較反射層側(cè)介電層4和記錄層側(cè)介電層5的每個成分的特性時，這確認(rèn)了與在介電層5中相比，在反射層側(cè)介電層4中存在更高的耐蝕性余量。此外，考慮到三氧化二鉻是確保耐蝕性所必需的，需要將在記錄層側(cè)介電層5中的三氧化二鉻的量設(shè)置得高于在反射層側(cè)介電層4中的三氧化二鉻的量?？蛇x地，需要將在記錄層側(cè)介電層5中的二氧化硅的量設(shè)置得低于反射層側(cè)介電層4中的二氧化硅的量。
對于透射率，需要在反射層側(cè)介電層4和記錄層側(cè)介電層5的任一個或全部中，三氧化二鉻的量較少。
因此，考慮到上述針對耐蝕性和透射率的比較結(jié)果，為了改善耐蝕性和盡可能地抑制透射率的降低，應(yīng)該選擇三氧化二鉻的成分范圍，以使其在反射層側(cè)介電層4中高于在記錄層側(cè)介電層5中。此外，二氧化硅的量與透射度無關(guān)，但是對耐蝕性具有較強(qiáng)的影響。因此，可以想到應(yīng)該對成分范圍進(jìn)行選擇，從而使二氧化硅的量在具有更小成分余量的記錄層側(cè)介電層5中比在反射層側(cè)介電層4中更低。
注意，盡管僅獲得了在本實(shí)例中使用二氧化鋯-二氧化硅-三氧化二鉻濺射目標(biāo)的情況下的結(jié)果，但是，在添加了硫化鋅、硒化鋅、氧化鋅等的情況下，獲得了相同的結(jié)果。
另外，盡管僅按照上述例子描述了介電層50具有包括記錄層側(cè)介電層5和反射層側(cè)介電層4的雙層的情況，介電層50可以具有包括上述兩層加上其它層的三層或更多層。
另外，介電層50可以具有一種難以清楚地區(qū)分其內(nèi)部的層的結(jié)構(gòu)。即，內(nèi)部可以是其成分從記錄層6側(cè)向反射層3側(cè)逐漸改變的單層。例如，作為具有該單層結(jié)構(gòu)的介電層50，能夠使與記錄層6的接觸面附近的三氧化二鉻的成分比高于在反射層3側(cè)的三氧化二鉻的成分比?？蛇x地，能夠使與記錄層6的接觸面附近的二氧化硅的成分比高于在反射層3側(cè)的二氧化硅的成分比。因此，如果介電層50是單層，上述記錄層側(cè)介電層5的最佳條件可以適合于與記錄層6的接觸面附件的單層的成分，上述反射層側(cè)介電層4的最佳條件可以適合于在反射層3側(cè)的單層的成分。注意，如上所述，通過濺射并同時改變?yōu)R射目標(biāo)的成分，可以形成其中成分逐漸改變的層。
(實(shí)例2)(1)反射層側(cè)介電層4的成分是固定的，同時，對記錄層側(cè)介電層5的成分進(jìn)行改變。以下將描述對記錄層側(cè)介電層5的耐蝕性和透射率進(jìn)行檢查的研究結(jié)果。如下表1所示，在該研究中，反射層側(cè)介電層4的成分固定在二氧化鋯∶二氧化硅∶三氧化二鉻＝50∶20∶30，并且僅改變記錄層側(cè)介電層5的成分。盤結(jié)構(gòu)等的其余部分與實(shí)例1中相同。
〔表1〕在記錄層側(cè)介電層中的三氧化二鉻的量、耐蝕性和透射率

從表1中可以理解在記錄層側(cè)介電層5中三氧化二鉻的量越高，耐蝕性得到越大地改善。此外，在三氧化二鉻的成分比是50％的情況下，即使在90攝氏度的溫度和80％的濕度的環(huán)境中100小時之后，也沒有發(fā)現(xiàn)膜的侵蝕。在三氧化二鉻的成分比是70％的情況下，即使在300小時之后，也沒有發(fā)現(xiàn)膜的侵蝕。盡管透射率隨著三氧化二鉻的成分比的增加而減少，但確保了50％或以上的透射率，并因而不存在問題。從該結(jié)果中也可以確認(rèn)如果在記錄層側(cè)介電層5中的三氧化二鉻的量高于在介電層4中的三氧化二鉻的量，可以改善耐蝕性。
(2)將反射層側(cè)介電層4的成分設(shè)置為不同于在上述實(shí)例中的成分的值，同時改變記錄層側(cè)介電層5的成分。下面將描述對記錄層側(cè)介電層5的耐蝕性和透射率進(jìn)行檢查的研究結(jié)果。如下表2所示，在該研究中，反射層側(cè)介電層4的成分固定在二氧化鋯∶二氧化硅∶三氧化二鉻＝30∶20∶50，并且僅改變記錄層側(cè)介電 5的成分。盤結(jié)構(gòu)等的其余部分與實(shí)例1相同。
〔表2〕在記錄層側(cè)介電層中的二氧化鋯的量、耐蝕性和透射率

從表2中可以理解在記錄層側(cè)介電層5中二氧化鋯的量越低，耐蝕性得到了越大的改善。此外，在二氧化硅的成分比是50％或20％的情況下，即使在90攝氏度的溫度和80％的濕度的環(huán)境中100小時之后，也沒有發(fā)現(xiàn)膜的侵蝕。在二氧化硅的成分比是0％的情況下，即使在300小時之后，也沒有發(fā)現(xiàn)膜的侵蝕。在研究的二氧化鋯的成分比的全部范圍中，透射率總是52％或以上，因此是較好的范圍。從該結(jié)果中也可以確認(rèn)如果在記錄層側(cè)介電層5中的二氧化硅的量高于在反射層側(cè)介電層4中的二氧化硅的量，可以改善耐蝕性。
根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)光學(xué)地記錄信息時，可以確保耐蝕性(可靠性)，并且可以確保較好的透射率。因此，在應(yīng)用于具有較好的記錄和再現(xiàn)特性的單面雙層信息記錄介質(zhì)時，本發(fā)明尤為有用。
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄介質(zhì)，包括在襯底上的至少兩個信息層；其中，設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層至少包括反射層；相對于反射層設(shè)置在激光入射側(cè)的記錄層，用于產(chǎn)生通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測的、非晶相和晶相之間的可逆變化；以及設(shè)置在反射層和記錄層之間的介電層；所述介電層至少包括鋯、硅和鉻；在反射層側(cè)的介電層的鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(其中，p+q+r＝100，p、q、r按照原子百分?jǐn)?shù))；在所述記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層的鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100，s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))；并且r小于u。
2.一種光信息記錄介質(zhì)，包括在襯底上的至少兩個信息層；其中，設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層至少包括反射層；相對于反射層設(shè)置在激光入射側(cè)的記錄層，用于產(chǎn)生通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測的、非晶相和晶相之間的可逆變化；以及設(shè)置在反射層和記錄層之間的介電層；在反射層側(cè)的介電層的鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r，其中，p+q+r＝100，并且p、q、r按照原子百分?jǐn)?shù)；在記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層的鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u，其中，s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù)；以及q大于t。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于r小于u。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任一個所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于當(dāng)由點(diǎn)A(14:0:86)、點(diǎn)B(0:14:86)、點(diǎn)C(0:25:75)、點(diǎn)D(21:21:58)、點(diǎn)E(43:0:57)、點(diǎn)F(0:33:67)、點(diǎn)G(33:33:34)、點(diǎn)H(67:0:33)、點(diǎn)I(25:0:75)來定義鋯、硅和鉻的比率(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))，(s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))時，在記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)A、點(diǎn)B、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)A按該順序所定義的范圍中，在反射層側(cè)的介電層的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)I和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于在反射層側(cè)的介電層的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)E、點(diǎn)D和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。
6.一種光信息記錄介質(zhì)，包括在襯底上的至少兩個信息層；其中，設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層至少包括反射層；記錄層，相對于反射層設(shè)置在激光入射側(cè)的記錄層，用于產(chǎn)生通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測的、非晶相和晶相之間的可逆變化；以及設(shè)置在反射層和記錄層之間的介電層；所述介電層至少包括鋯、硅和鉻；在反射層側(cè)的介電層的鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(p+q+r＝100，并且p、q、r按照原子百分?jǐn)?shù))；在記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層的鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100，并且s、t、u按照原子百分?jǐn)?shù))；以及當(dāng)由點(diǎn)A(14:0:86)、點(diǎn)B(0:14:86)、點(diǎn)C(0:25:75)、點(diǎn)D(21:21:58)、點(diǎn)E(43:0:57)、點(diǎn)F(0:33:67)、點(diǎn)G(33:33:34)、點(diǎn)H(67:0:33)、點(diǎn)I(25:0:75)來定義鋯、硅和鉻的比率(p+q+r＝100，并p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))，(s+t+u＝100，并s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))時，在記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)A、點(diǎn)B、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)A按該順序所定義的范圍中，并且在反射層側(cè)的介電層的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)I和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于在反射層側(cè)的介電層的鋯、硅、鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)E、點(diǎn)D和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7的任一個所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于所述介電層具有至少兩層，包括設(shè)置在所述記錄層附近的記錄層側(cè)介電層；以及，比記錄層側(cè)介電層更靠近反射層的反射層側(cè)介電層；反射層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))；以及記錄層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于記錄層側(cè)介電層的厚度處于反射層側(cè)介電層的厚度的十五分之一和三分之一之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于所述記錄層側(cè)介電層的厚度是大于或等于1nm并小于或等于8nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10的任一個所述的光信息記錄介質(zhì)，其特征在于所述介電層至少包括二氧化鋯、二氧化硅和三氧化二鉻。
12.一種制造在襯底上具有至少兩個信息層的光信息記錄介質(zhì)的方法，所述方法形成設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層，所述方法包括以下步驟至少形成反射層；在相對于反射層的激光入射側(cè)形成記錄層，所述記錄層用于產(chǎn)生通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測的、非晶相和晶相之間的可逆變化；以及在反射層和記錄層之間形成介電層；其中，形成介電層的步驟包括至少形成兩層，所述兩層包括具有與記錄層相接觸的部分的記錄層側(cè)介電層；以及，比記錄層側(cè)介電層更靠近反射層的反射層側(cè)介電層；反射層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))；記錄層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100，并s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))，以及使用了滿足r＜u的濺射目標(biāo)。
13.一種制造在襯底上具有至少兩個信息層的光信息記錄介質(zhì)的方法，所述方法形成設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層，所述方法包括至少形成反射層；在相對于反射層的激光入射側(cè)形成記錄層，所述記錄層產(chǎn)生通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測的、非晶相和晶相之間的可逆變化；以及在反射層和記錄層之間形成介電層，其中，形成介電層的步驟包括至少形成兩層，所述兩層包括具有與所述記錄層相接觸的部分的記錄層側(cè)介電層；以及，比記錄層側(cè)介電層更靠近反射層的反射層側(cè)介電層；反射層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))；記錄層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))，以及使用了滿足q＞t的濺射目標(biāo)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造光信息記錄介質(zhì)的方法，其特征在于使用了滿足r＜u的的濺射目標(biāo)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14的任一個所述的制造光信息記錄介質(zhì)的方法，其特征在于使用濺射目標(biāo)材料，以致于當(dāng)由點(diǎn)A(14:0:86)、點(diǎn)B(0:14:86)、點(diǎn)C(0:25:75)、點(diǎn)D(21:21:58)、點(diǎn)E(43:0:57)、點(diǎn)F(0:33:67)、點(diǎn)G(33:33:34)、點(diǎn)H(67:0:33)和點(diǎn)I(25:0:75)來定義鋯、硅和鉻的比率(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))，(s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))時，在形成介電層的步驟中，在記錄層側(cè)介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)A、點(diǎn)B、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)A按該順序所定義的范圍中，并且在反射層側(cè)介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)I和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造光信息記錄介質(zhì)的方法，其特征在于使用濺射目標(biāo)材料，從而使在反射層側(cè)介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)E、點(diǎn)D和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。
17.一種制造在襯底上具有至少兩個信息層的光信息記錄介質(zhì)的方法，所述方法形成設(shè)置在激光入射側(cè)的信息層，所述方法包括至少形成反射層；在相對于反射層的激光入射側(cè)形成記錄層，所述記錄層用于產(chǎn)生通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測的、非晶相和晶相之間的可逆變化；以及在反射層和記錄層之間形成介電層，其中，形成介電層的步驟包括至少形成兩層，所述兩層包括具有與所述記錄層相接觸的部分的記錄層側(cè)介電層；以及，比記錄層側(cè)介電層更靠近反射層的反射層側(cè)介電層；反射層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))；記錄層側(cè)介電層至少包括鋯、硅和鉻，鋯、硅和鉻的比率表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))，以及使用濺射目標(biāo)材料，以致于當(dāng)由點(diǎn)A(14:0:86)、點(diǎn)B(0:14:86)、點(diǎn)C(0:25:75)、點(diǎn)D(21:21:58)、點(diǎn)E(43:0:57)、點(diǎn)F(0:33:67)、點(diǎn)G(33:33:34)、點(diǎn)H(67:0:33)、點(diǎn)I(25:0:75)來定義鋯、硅和鉻的比率(p+q+r＝100，并且p、q和r按照原子百分?jǐn)?shù))，(s+t+u＝100，并且s、t和u按照原子百分?jǐn)?shù))時，在形成介電層的步驟中，在記錄層側(cè)介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)A、點(diǎn)B、點(diǎn)C、點(diǎn)D、點(diǎn)E和點(diǎn)A按該順序所定義的范圍中，并且在反射層側(cè)介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)I和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造光信息記錄介質(zhì)的方法，其特征在于使用濺射目標(biāo)材料，從而使在反射層側(cè)介電層中的鋯、硅和鉻的比率處于由點(diǎn)C、點(diǎn)F、點(diǎn)G、點(diǎn)H、點(diǎn)E、點(diǎn)D和點(diǎn)C按該順序所定義的范圍中。
19.根據(jù)權(quán)利要求12至18的任一個所述的制造光信息記錄介質(zhì)的方法，其特征在于所述濺射目標(biāo)至少包括二氧化鋯、二氧化硅和三氧化二鉻。
全文摘要
一種光信息記錄介質(zhì)，具有至少兩個信息層。設(shè)置在前側(cè)(從激光入射側(cè)觀察)的第一信息層(100)至少包括反射層(3)；相對于反射層(3)設(shè)置在激光入射側(cè)的記錄層(6)，用于產(chǎn)生通過施加激光束光學(xué)地進(jìn)行檢測的、非晶相和晶相之間的可逆變化；以及設(shè)置在反射層(3)和記錄層(6)之間的介電層(50)。所述介電層50至少包括鋯、硅和鉻，在反射層側(cè)的介電層(50)的鋯、硅和鉻的比率可以表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝p∶q∶r(p+q+r＝100)，在記錄層側(cè)的接觸面附近的介電層中的鋯、硅和鉻的比率可以表達(dá)為鋯∶硅∶鉻＝s∶t∶u(s+t+u＝100)，并且r＜u，或t＜q。
文檔編號G11B7/253GK1551165SQ20041004580
公開日2004年12月1日 申請日期2004年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月20日
發(fā)明者坂上嘉孝, 一, 長田憲一, 山田升, 惠, 兒島理惠, 史, 西原孝史 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社