專利名稱：垂直磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及垂直磁記錄介質(zhì)，所述垂直磁記錄介質(zhì)通常應(yīng)用于例如諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器。
背景技術(shù)：
在諸如硬盤的磁記錄介質(zhì)的技術(shù)領(lǐng)域中，垂直磁記錄介質(zhì)被眾所周知。垂直磁記錄介質(zhì)內(nèi)結(jié)合了軟磁底層。底層被設(shè)計(jì)用于在襯底上承受磁記錄層。當(dāng)由所謂的單極磁頭應(yīng)用磁場(chǎng)時(shí)，底層被期望用以實(shí)現(xiàn)對(duì)與襯底表面相垂直的垂直方向上磁記錄層內(nèi)的磁化放大。事實(shí)上，已經(jīng)表明底層對(duì)于增強(qiáng)垂直方向上磁記錄層內(nèi)的磁化并不如所期望的那樣有效。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的就是提供一種垂直磁記錄介質(zhì)，所述介質(zhì)可靠地對(duì)在與襯底表面相垂直的垂直方向上的磁化起到放大的作用。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種垂直磁記錄介質(zhì)，包括襯底、在與襯底表面相垂直的垂直方向上具有易磁化軸的磁記錄層、承受磁記錄層的輔助磁性層，所述磁性層在垂直方向上具有易磁化軸。
垂直磁記錄介質(zhì)能夠可靠地在輔助磁性層中沿垂直方向建立磁化。當(dāng)磁通沿與磁記錄層的表面相垂直的垂直方向流通時(shí)，磁通沿垂直方向流經(jīng)磁記錄層。因此磁記錄層中在垂直方向上可靠地建立磁化。因此強(qiáng)度更大的磁場(chǎng)沿垂直方向泄漏出磁記錄層。特別地，磁記錄層能夠使磁通沿相鄰磁化的邊界得到加強(qiáng)。
輔助磁性層優(yōu)選具有大于磁記錄層矯頑力的矯頑力。特別地，輔助磁記錄層的厚度與剩余磁通密度之積最好被設(shè)定為等于或小于磁記錄層的厚度與剩余磁通密度之積的五分之一。這起到可靠抑制從輔助磁記錄層產(chǎn)生的磁場(chǎng)泄漏。因此當(dāng)將讀出磁信息數(shù)據(jù)時(shí)輔助磁性層的影響得以避免。輔助磁性層可以由包括磁性薄膜和非磁性薄膜的層狀材料制成，所述磁性薄膜包含至少Co，所述非磁性薄膜包含選自由Pt、Pd、Au和Ag構(gòu)成的組中的至少一種元素。
垂直磁記錄介質(zhì)還可以包括承受輔助磁性層的軟磁底層。所述底層在與襯底表面平行的平面方向上具有易磁化軸。例如，如同已知的那樣，當(dāng)單極磁頭對(duì)著磁記錄介質(zhì)時(shí)，磁通流經(jīng)單極磁頭的主磁極、軟磁底層以及單極磁頭的輔助磁極。磁通沿垂直方向從主磁頭的尖端流向底層。之后磁通沿平面方向在底層內(nèi)流通。然后磁通量以垂直方向從底層流向輔助磁頭。以這樣的方式，在磁記錄層中沿垂直方向確實(shí)地建立了磁化。
此外，垂直磁記錄介質(zhì)還可以包括承受輔助磁性層的非磁性層和承受非磁性層的軟磁底層。底層在與襯底表面平行的平面方向上具有易磁化軸。軟磁底層起到以上述同樣的方式設(shè)定垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄層內(nèi)沿垂直方向的磁化的作用。而且，插在輔助磁性層和底層之間的非磁性層起到防止輔助磁性層和底層之間的磁相互作用的作用。采用該方式對(duì)磁相互作用的避免有助于磁信息數(shù)據(jù)的可靠再現(xiàn)。
所述磁記錄介質(zhì)可用于硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)和任何其它類型的磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器。


圖1是示意性說明作為磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器實(shí)例的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的結(jié)構(gòu)的平面視圖。
圖2是詳細(xì)說明磁記錄盤結(jié)構(gòu)的放大的垂直剖面圖。
圖3是示意性說明磁通流經(jīng)單極磁頭和軟磁底層的放大的局部剖面圖。
圖4是襯底的垂直局部剖面圖，該視圖用于示意性說明形成粘合層的方法。
圖5是襯底的垂直局部剖面圖，該視圖用于示意性說明形成軟磁底層的方法。
圖6是襯底的垂直局部剖面圖，該視圖用于示意性說明形成非磁性層的方法。
圖7是襯底的垂直局部剖面圖，該視圖用于示意性說明形成輔助磁性層的方法。
圖8是襯底的垂直局部剖面圖，該視圖用于示意性說明形成磁記錄層的方法。
圖9是表示用于寫入和再現(xiàn)輸出的電流的電流值之間關(guān)系的曲線圖。
圖10是示意性說明記錄磁軌概念的放大的局部平面視圖，所述記錄磁軌被安排用于觀察磁場(chǎng)的分布。
圖11是表示用于示意性說明“側(cè)邊擦除寬度”(″side erasewidth″)概念的磁場(chǎng)分布曲線圖。
圖12是表示電流值與側(cè)邊擦除寬度之間的關(guān)系的曲線圖。
圖13是表示電流值Iw90和軟磁底層的磁導(dǎo)率之間的關(guān)系的曲線圖。
圖14是表示S/N之比和厚度與剩余磁通密度之積的大小之間的關(guān)系的曲線圖。
圖15是表示S/N之比和輔助磁性層的厚度之間的關(guān)系的曲線圖。
圖16是表示S/N之比和非磁性層的厚度之間的關(guān)系的曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性說明作為記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器或存儲(chǔ)裝置實(shí)例的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)11的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。HDD11包括限定如平行六面體的內(nèi)部空間的盒狀的主外殼12。至少一個(gè)磁記錄盤13包含在主外殼12內(nèi)的內(nèi)部空間中。磁記錄盤13被安裝在主軸電機(jī)14的驅(qū)動(dòng)軸上。主軸電機(jī)14能驅(qū)動(dòng)磁記錄盤或多個(gè)磁盤13以例如7,200rpm或者10,000rpm的高轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)。未示出的蓋子與主外殼12相結(jié)合以限定在主外殼12與蓋子本身之間的封閉的內(nèi)部空間。
磁頭致動(dòng)器15也包含在主外殼12的內(nèi)部空間內(nèi)。磁頭致動(dòng)器15包括支撐在用于旋轉(zhuǎn)的垂直支撐軸16上的致動(dòng)器塊(actuator block)17。剛性的致動(dòng)器臂18被限定在致動(dòng)器塊17中。致動(dòng)器臂18被設(shè)計(jì)為沿水平方向從垂直支撐軸16延伸。致動(dòng)器臂18分別與磁記錄盤或多個(gè)磁盤13的前后表面相連。致動(dòng)器塊17可由鋁制成。模制成形方法可用于形成致動(dòng)器塊17。
彈性的磁頭懸架19被固定到致動(dòng)器臂18的尖端。單個(gè)磁頭懸架19被設(shè)計(jì)成從相應(yīng)的致動(dòng)器臂18的尖端向前延伸。與通常已知的一樣，浮動(dòng)磁頭滑塊21被支撐在單個(gè)磁頭懸架19的前面末端上。以這種方式，浮動(dòng)磁頭滑塊21與致動(dòng)器塊17相連。浮動(dòng)磁頭滑塊21與磁記錄盤或多個(gè)磁盤13的表面相對(duì)。
未示出的電磁傳感器被安裝到浮動(dòng)磁頭滑塊21上。電磁傳感器可包括如巨磁電阻(GMR)元件或隧道結(jié)磁電阻(TMR)的讀元件，和如薄膜磁頭的寫元件。GMR或TMR元件被設(shè)計(jì)成通過利用區(qū)分自旋閥膜或隧道結(jié)膜的電阻變化來辨別磁記錄盤13上的磁位數(shù)據(jù)。薄膜磁頭被設(shè)計(jì)成通過利用薄膜線圈圖案上感應(yīng)的磁場(chǎng)將磁位數(shù)據(jù)寫入到磁記錄盤13上。
磁頭懸架19起到促使浮動(dòng)磁頭滑塊21接近磁記錄盤13的表面的作用。當(dāng)磁記錄盤13旋轉(zhuǎn)時(shí)，浮動(dòng)磁頭滑塊21可以接收到隨旋轉(zhuǎn)磁記錄盤13產(chǎn)生的氣流。氣流起到在磁頭滑塊21上產(chǎn)生提升力的作用。因此在磁記錄盤13旋轉(zhuǎn)過程中可以通過平衡提升力和磁頭懸架19的負(fù)載力(urging force)而建立較高的穩(wěn)定性，使浮動(dòng)磁頭滑塊21保持在磁記錄盤13的表面上方飛行。
如音圈電動(dòng)機(jī)(VCM)的動(dòng)力源22被連接到致動(dòng)器塊17上。動(dòng)力源22驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器塊17繞支撐軸16旋轉(zhuǎn)。致動(dòng)器塊17的旋轉(zhuǎn)致使致動(dòng)器臂18和磁頭懸架19進(jìn)行擺動(dòng)式移動(dòng)。在浮動(dòng)磁頭滑塊21飛行過程中，當(dāng)致動(dòng)器臂18被驅(qū)動(dòng)而繞支撐軸16擺動(dòng)時(shí)，浮動(dòng)磁頭滑塊21可以跨過磁記錄盤13上沿磁記錄盤13的徑向確定的磁軌。這種徑向移動(dòng)起到將浮動(dòng)磁頭滑塊21正好定位于磁記錄盤13上的目標(biāo)記錄磁軌的上方的作用。與通常已知的一樣，在兩個(gè)或更多的磁記錄盤13被包含在主外殼12的內(nèi)部空間內(nèi)的情況下，一對(duì)彈性磁頭懸架19和一對(duì)驅(qū)動(dòng)器臂18被設(shè)置在相鄰磁記錄盤13之間。
圖2說明沿與磁記錄盤13的旋轉(zhuǎn)軸相平行的平面所取的截面視圖。磁記錄盤13包括作為支撐部件的襯底31，和分別延伸到襯底31的前后表面之上的層狀結(jié)構(gòu)薄膜32。襯底31可以是諸如盤狀玻璃的襯底。另外，襯底31可以包括盤狀的鋁(Al)基體和覆蓋在Al基體前后表面上的NiP疊層。磁信息數(shù)據(jù)被記錄在層狀結(jié)構(gòu)薄膜32中。層狀結(jié)構(gòu)薄膜32由如類金剛石碳薄膜的碳保護(hù)層33和如全氟聚醚(perfluoropolyether)薄膜的潤(rùn)滑劑薄膜34覆蓋。
層狀結(jié)構(gòu)薄膜32包括磁記錄層36。磁記錄層36的易磁化軸被設(shè)定到與襯底31表面相垂直的垂直方向。例如，層狀的超薄薄膜可以被用作用于建立上述易磁化軸的磁記錄層36。在層狀超薄薄膜中，磁性薄膜和非磁性薄膜交替地一層一層地相互覆蓋。磁性薄膜可以是具有例如大約0.3nm厚度的CoBO薄膜。非磁性薄膜可以是具有例如大約1.0nm厚度的PdO薄膜。這里，磁記錄層36包括交替地一層一層地相互覆蓋的20層CoBO薄膜和20層Pd薄膜。磁信息數(shù)據(jù)被記錄在磁記錄層36中。
磁記錄層36被承受在輔助磁性層37的表面上。輔助磁性層37中的易磁化軸被設(shè)定在與襯底31的表面相垂直的垂直方向上。例如，層狀的超薄薄膜可以被用作用于建立上述易磁化軸的輔助磁性層37。在層狀超薄薄膜中，磁性薄膜和非磁性薄膜交替地一層一層地相互覆蓋。磁性薄膜可以是，例如，Co薄膜、含Co的合金薄膜或類似薄膜。單個(gè)磁性薄膜的厚度可以被設(shè)定為例如大約0.5nm。非磁性薄膜可以是，例如，具有大約0.7nm厚度的Au薄膜。這里，輔助磁性層37包括交替地一層一層地相互覆蓋的4層Co薄膜和4層Au薄膜。
輔助磁性層37的矯頑力被設(shè)定為小于磁記錄層36的矯頑力。此外，最好輔助磁性層37在垂直方向上具有比磁記錄層36更容易磁化的趨勢(shì)。因此，輔助磁性層37的矯頑力可被設(shè)定為等于或小于40[kA/m]。在輔助磁性層37中，矯頑力矩形比(coercive squarenessratio)可被設(shè)定為等于或大于0.9。而且，輔助磁性層37的厚度t與剩余磁通密度Br之積tBr最好被設(shè)定為等于或小于磁記錄層36的厚度t與剩余磁通密度Br之積tBr的五分之一。
輔助磁性層37被承受在軟磁底層38的表面上。底層38可以由例如，如FeTaC的軟磁材料制成。底層38中的易磁化軸被設(shè)定在與襯底31的表面相平行的平面方向上。底層38最好具有等于或大于100的磁導(dǎo)率。從圖2中可以明顯看到，非磁性層39可以插入到輔助磁性層37和底層38之間。非磁性層39可以由例如，如Pd的非磁性金屬材料制成。
底層38被承受在襯底31的表面上?？梢栽诘讓?8和襯底31之間插入粘合層41。粘合層41可以由，例如，如Ta的金屬材料制成。粘合層41起到改善底層38和襯底31之間的粘合的作用。
現(xiàn)在，假設(shè)磁信息數(shù)據(jù)要被寫入磁記錄盤13。如圖3所示，單極磁頭42被用于寫磁信息數(shù)據(jù)。單極磁頭42包括全都與磁記錄盤13的表面相對(duì)的主磁極42a和輔助磁極42b。磁通流經(jīng)主磁極42a、底層38和輔助磁極42b。
例如，從主磁極42a尖端泄漏出來的磁通43沿與襯底31的表面垂直的垂直方向被導(dǎo)入底層38。磁通43在底層38內(nèi)以與襯底31的表面相平行的平面方向流動(dòng)。然后磁通43沿垂直方向從底層38流到輔助磁極42b。采用這樣的方式，在磁記錄層36中沿垂直方向建立了磁化。
因?yàn)樵谳o助磁性層37中以垂直方向建立了磁化，所以磁通量可以在磁記錄層36中沿垂直方向可靠地流動(dòng)?？邕^磁記錄層36沿垂直方向的磁化得到建立。因此高強(qiáng)度的磁通沿垂直方向泄漏出磁記錄層36。特別地，磁記錄層36允許磁通沿相鄰磁化之間的邊界得到增強(qiáng)。另一方面，如果磁記錄層36以傳統(tǒng)的方式被承受到軟磁底層38上，則磁化傾向于在靠近底層38的地方偏離垂直方向。從磁記錄層36泄漏出的磁通量減少。
而且，輔助磁性層37的厚度t與剩余磁通密度Br之積tBr最好被設(shè)定為等于或小于磁記錄層36的厚度t與剩余磁通密度Br之積tBr的五分之一。從輔助磁性層37向外的磁通泄漏得到抑制。因此當(dāng)讀磁信息數(shù)據(jù)時(shí)，輔助磁性層37的影響得以避免。如果高強(qiáng)度的磁通量泄漏出輔助磁性層37，那么來自于輔助磁性層37的磁通量將超過來自于磁記錄層36的磁通量。磁信息數(shù)據(jù)的再現(xiàn)可能被阻礙。
而且，插入到輔助磁性層37和底層38之間的非磁性層39起到防止輔助磁性層37和底層38之間的磁相互作用的作用。這有助于磁信息數(shù)據(jù)的可靠再現(xiàn)。如果強(qiáng)的磁相互作用作用在輔助磁性層37和底層38之間，那么來自于磁記錄層36的磁通將受到來自于輔助磁性層38的磁影響。磁信息數(shù)據(jù)的再現(xiàn)可能被阻礙。
接下來，將對(duì)制作磁記錄盤13的方法進(jìn)行簡(jiǎn)要說明。首先制備盤裝襯底31。將襯底31設(shè)置到例如濺射裝置中。然后在濺射裝置中在襯底31的表面上形成層狀結(jié)構(gòu)薄膜32。詳細(xì)的方法將在后面進(jìn)行說明。在層狀結(jié)構(gòu)薄膜32的表面上形成具有大約4.0nm厚度的碳保護(hù)層33?；瘜W(xué)氣相沉積CVD可用于形成碳保護(hù)層33。然后將具有1.0nm厚度的潤(rùn)滑劑薄膜34應(yīng)用到碳保護(hù)層33的表面。襯底31可被浸入到含有例如全氟聚醚的溶液中。
直流磁控濺射被用于在濺射裝置中形成層狀結(jié)構(gòu)薄膜32。如圖4所示，首先在襯底31的表面上形成粘合層41，也就是Ta層45。將Ta靶設(shè)置到濺射裝置中。Ta原子可以沉積在襯底的表面上。Ta層45的厚度被設(shè)定為例如大約1.0nm。
如圖5所示，在Ta層45的表面上形成底層38，也就是FeTaC層46。將FeTaC靶設(shè)置到濺射裝置中。Fe原子、Ta原子和C原子被允許在Ta層45的表面上進(jìn)行沉積。FeTaC層46的厚度被設(shè)定為例如大約300nm。
如圖6所示，在FeTaC層46的表面上形成非磁性層39，也就是Pd層47。將Pd靶設(shè)置到濺射裝置中。Pd原子可以沉積在FeTaC層46的表面上。Pd層47的厚度被設(shè)定為例如大約5.0nm。
如圖7所示，在Pd層47的表面上形成輔助磁性層37，也就是包括超薄薄膜的層狀結(jié)構(gòu)48。各自具有大約0.5nm厚度的Co層48a和各自具有大約0.7nm厚度的Au層48b被交替地形成。Co層38a和Au層38b的形成被重復(fù)4次。采用這樣的方式，形成的層狀結(jié)構(gòu)48包含8層。
如圖8所示，隨后在層狀結(jié)構(gòu)48的表面上形成磁記錄層36，也就是包括超薄薄膜的層狀結(jié)構(gòu)49。各自具有大約0.3nm厚度的CoBO層49a和各自具有大約1.0nm厚度的PdO層49b被交替地形成。這里，CoBO層49a和PdO層49b的形成被重復(fù)20次。采用這樣的方式，形成的層狀結(jié)構(gòu)49包含40層。
本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)觀察到如上所述制備的磁記錄盤13的特征。在觀察中將磁信息數(shù)據(jù)寫入磁記錄盤13。單極磁頭被用于寫入磁信息數(shù)據(jù)。然后從磁記錄盤13讀出寫入的磁信息數(shù)據(jù)。自旋閥磁電阻磁頭被用于讀磁信息數(shù)據(jù)。單極磁頭和自旋閥磁電阻磁頭被安裝在上述的浮動(dòng)磁頭滑塊21上。浮動(dòng)磁頭滑塊21的飛行高度被設(shè)定為15.0nm。浮動(dòng)磁頭滑塊21和磁記錄盤13之間的相對(duì)速率被設(shè)定為10.0m/sec。
本發(fā)明的發(fā)明人也準(zhǔn)備了對(duì)比實(shí)例。從對(duì)比實(shí)例中省略了上述的輔助磁性層37。具體地，按傳統(tǒng)的方法在底層38的表面上覆蓋磁記錄層36。其它的結(jié)構(gòu)被設(shè)定為與根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
的磁記錄盤13的結(jié)構(gòu)相同。
本發(fā)明的發(fā)明人改變了供給到單極磁頭線圈圖案的電流的電流值。以440[kFCI]的線性記錄密度寫入磁信息數(shù)據(jù)。在再現(xiàn)輸出中設(shè)定參考水平[1.0]。具有50[mA]電流值的電流被供給到單極磁頭用以建立再現(xiàn)輸出的參考水平[1.0]。對(duì)不同的電流值測(cè)量再現(xiàn)輸出。如圖9所示，即使采用與對(duì)比實(shí)例的磁記錄盤相比更小的電流值，根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施方式
的磁記錄盤13也能夠建立用于再現(xiàn)輸出的參考水平[1.0]。
接下來，本發(fā)明的發(fā)明人觀察了基于寫入的磁信息數(shù)據(jù)的磁場(chǎng)分布。在觀察中在磁記錄盤上建立了一對(duì)記錄磁軌51、52，如圖10所示。以110[kFCI]的線性記錄密度在記錄磁軌51上寫入磁信息數(shù)據(jù)。電流值被設(shè)定為30[mA]。同樣地，以440[kFCI]的線性記錄密度在記錄磁軌52上寫入磁信息數(shù)據(jù)。對(duì)于供給到單極磁頭的電流設(shè)定不同的電流值。單極磁頭的芯部寬度被設(shè)定為0.6μm。相鄰記錄磁軌51、52之間的距離設(shè)定為0.3μm。
沿記錄磁軌51、52讀出磁信息數(shù)據(jù)。應(yīng)用譜分析器測(cè)量再現(xiàn)輸出。如圖11所示，參考水平[1.0]設(shè)定在最大的再現(xiàn)輸出。對(duì)于記錄磁軌51、52的再現(xiàn)輸出，還確定半?yún)⒖妓絒1.0]，也就是水平
。相鄰記錄磁軌51、52的再現(xiàn)輸出曲線之間在水平
處的間距被定義為“側(cè)邊擦除寬度”。
如圖12所示，本具體實(shí)施方式
的磁記錄盤13被證實(shí)，與對(duì)比實(shí)例的磁記錄盤相比，具有更小的側(cè)邊擦除寬度，與電流大小無關(guān)。具體地，本具體實(shí)施方式
的磁記錄盤13確實(shí)容許沿相鄰記錄磁軌之間的邊界存在高強(qiáng)度的磁場(chǎng)。
接下來，本發(fā)明的發(fā)明人觀察了再現(xiàn)輸出和底層38的磁導(dǎo)率之間的關(guān)系。本發(fā)明的發(fā)明人制備了不同的磁記錄盤13。對(duì)單個(gè)磁記錄盤13中的底層設(shè)定了不同的磁導(dǎo)率。對(duì)應(yīng)用到單極磁頭用于將磁信息數(shù)據(jù)寫入磁記錄盤13的電流設(shè)定了不同的電流值。這里，對(duì)于再現(xiàn)輸出測(cè)量了飽和值。在飽和值的90％處對(duì)再現(xiàn)輸出確定了電流值(Iw90)。從圖13可以明顯看出，底層38中的磁導(dǎo)率等于或大于100，即使使用更小的電流值也能夠在磁記錄層36中建立磁化。
接下來，本發(fā)明的發(fā)明人測(cè)量了根據(jù)本具體實(shí)施方式
的磁記錄盤13的S/N比。本發(fā)明的發(fā)明人制備了不同的磁記錄盤13。對(duì)于單獨(dú)的磁記錄盤13中的磁記錄層36設(shè)定了不同的厚度與剩余磁通密度之積。以300[kFCI]的線性記錄密度寫入磁記錄數(shù)據(jù)。從圖14中可以明顯看出，當(dāng)輔助磁性層37的厚度與剩余磁通密度之積被設(shè)定為等于或者小于磁記錄層36的厚度與剩余磁通密度之積的五分之一時(shí)，可以獲得較高的S/N比。這里，在單獨(dú)的磁記錄盤13中，輔助磁性層37的厚度被設(shè)定為4.8nm。在單獨(dú)的磁記錄盤13中，輔助磁性層37的矯頑力保持在14.3[kA/m]與19.1[kA/m]之間。在單獨(dú)的磁記錄盤13中，輔助磁性層37的矯頑力矩形比保持在0.92與0.96之間。
而且，本發(fā)明的發(fā)明人測(cè)量了根據(jù)本具體實(shí)施方式
的磁記錄盤13的S/N比。本發(fā)明的發(fā)明人制備了不同的磁記錄盤13。對(duì)于單獨(dú)的磁記錄盤13中的輔助磁性層37設(shè)定了不同的厚度。其它條件設(shè)定為與上述的測(cè)量條件相同。如圖15所示，當(dāng)輔助磁性層37的厚度設(shè)定為等于或者小于5.0nm時(shí)，可以獲得較高的S/N比。
另外，本發(fā)明的發(fā)明人測(cè)量了根據(jù)本具體實(shí)施方式
的磁記錄盤13的S/N比。本發(fā)明的發(fā)明人制備了不同的磁記錄盤13。對(duì)于單獨(dú)的磁記錄盤13中的非磁性層39設(shè)定了不同的厚度。其它條件設(shè)定為與上述的測(cè)量條件相同。如圖16所示，當(dāng)非磁性層39的厚度設(shè)定為大約5.0nm時(shí)，可以獲得較高的S/N比。
權(quán)利要求
1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，包括襯底；在垂直于襯底表面的垂直方向上具有易磁化軸的磁記錄層；承受磁記錄層的輔助磁性層，所述輔助磁性層在垂直方向上具有易磁化軸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層具有大于磁記錄層的矯頑力的矯頑力。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層的厚度與剩余磁通密度之積被設(shè)定成等于或小于磁記錄層的厚度與剩余磁通密度之積的五分之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層由包括磁性膜和非磁性膜的層狀材料制成，所述磁性膜至少含有Co，所述非磁性膜含有選自由Pt、Pd、Au和Ag構(gòu)成的組中的至少一種元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的垂直磁記錄介質(zhì)，還包括承受輔助磁性層的軟磁底層，所述底層在平行于襯底表面的平面方向上具有易磁化軸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層具有大于磁記錄層的矯頑力的矯頑力。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層的厚度與剩余磁通密度之積被設(shè)定成等于或小于磁記錄層的厚度與剩余磁通密度之積的五分之一。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層由包括磁性膜和非磁性膜的層狀材料制成，所述磁性膜至少含有Co，所述非磁性膜含有選自由Pt、Pd、Au和Ag構(gòu)成的組中的至少一種元素。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的垂直磁記錄介質(zhì)，還包括承受輔助磁性層的非磁性層；以及承受非磁性層的軟磁底層，所述底層在平行于襯底表面的平面方向上具有易磁化軸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層具有大于磁記錄層的矯頑力的矯頑力。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層的厚度與剩余磁通密度之積被設(shè)定成等于或小于磁記錄層的厚度與剩余磁通密度之積的五分之一。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的垂直磁記錄介質(zhì)，其中所述輔助磁性層由包括磁性膜和非磁性膜的層狀材料制成，所述磁性膜至少含有Co，所述非磁性膜含有選自由Pt、Pd、Au和Ag構(gòu)成的組中的至少一種元素。
全文摘要
在襯底(31)的表面上方延伸的軟磁底層(38)上形成輔助磁性層(37)。在輔助磁性層(37)上形成磁記錄層(36)。輔助磁性層(37)在與襯底(31)表面垂直的垂直方向上具有易磁化軸。在與襯底(31)表面垂直的垂直方向上磁記錄層(36)中的磁化得到加強(qiáng)。輔助磁性層(37)起到放大沿垂直方向從磁記錄層泄漏出的磁場(chǎng)的作用。
文檔編號(hào)G11B5/66GK1689079SQ0282976
公開日2005年10月26日 申請(qǐng)日期2002年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月17日
發(fā)明者竹下弘人, 前田麻貴, 渦卷拓也 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社