專利名稱：磁記錄介質(zhì)和磁存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的來說涉及磁記錄介質(zhì)和磁存儲(chǔ)裝置，并尤其涉及適用于高密度記錄的磁記錄介質(zhì)和磁存儲(chǔ)裝置。
背景技術(shù)：
由于介質(zhì)噪聲的降低和磁阻磁頭和自旋閥磁頭(spin-valve head)的發(fā)展，用在諸如磁盤部件的磁存儲(chǔ)裝置中的縱向磁記錄介質(zhì)的記錄密度已經(jīng)大大增加。為了降低磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)噪聲，進(jìn)一步降低由細(xì)微磁性顆粒的集合體形成的磁性層的顆粒尺寸，并降低在磁性層的顆粒之間的磁耦合力是重要的。
因?yàn)榇判詫拥念w粒變得磁性隔離，記錄狀態(tài)隨著時(shí)間的推移被擾亂，從而引起熱不穩(wěn)定性。當(dāng)最初應(yīng)當(dāng)取向在容易磁化的軸方向上的一些顆粒的磁性方向被熱擾亂并且從容易磁化的軸方向偏離時(shí)，發(fā)生熱不穩(wěn)定性。
為了降低熱不穩(wěn)定性，必須增加沿容易磁化的軸方向的磁化能量(各向異性能量)，或增加顆粒尺寸從而增加體積能量。但是，當(dāng)各向異性能量增加時(shí)，磁性反轉(zhuǎn)變得困難，并且各向異性能量的上限主要受磁頭產(chǎn)生的場限制。另一方面，增加顆粒的體積是不希望的，因?yàn)檫@將增加介質(zhì)噪聲。
近來，一種技術(shù)已經(jīng)在日本公開專利申請No.2001-56924中被提出，從而避免了熱不穩(wěn)定性的問題。根據(jù)這項(xiàng)提供的技術(shù)，磁記錄介質(zhì)具有由釕或類似物質(zhì)制成的非磁性層分離的兩個(gè)磁性層，并且分離的磁性層被交換耦合力反鐵磁性地耦合，使得磁性層具有反平行磁化。
圖1是表示使用該提出的技術(shù)的磁記錄介質(zhì)的橫截面圖。在圖1中，磁性層11和13由釕或類似物質(zhì)制成的交換耦合層12分離，并且由于交換耦合力，磁性層11和13的磁化方向是反平行的。通過使磁化層11和13的磁化量(即飽和磁化和厚度的乘積)不平衡，一個(gè)讀出磁頭能夠檢測磁性層13和11的磁化量之間的差作為記錄的磁化。因?yàn)閷?shí)際上磁化量之間的這一差的使用降低了與記錄層功能相同的磁化層13的視厚度，有可能增加磁記錄介質(zhì)的線性記錄密度。在圖1中，迭層結(jié)構(gòu)10由襯底組成，在襯底上設(shè)置有一個(gè)底層。
圖1也概念性地示出磁性顆粒15。如圖1所示，交換耦合層12上、下的磁化通過交換耦合層12反鐵磁性地耦合并在一個(gè)磁性顆粒15內(nèi)反平行。如上所述，當(dāng)從讀出頭觀察時(shí)，由于磁化層11和13之間的互相抵消效應(yīng)，從磁記錄介質(zhì)檢測到的泄漏磁場量只等于對應(yīng)于有效厚度te的磁場量。但是，因?yàn)榇判灶w粒15的體積由V1確定，它對應(yīng)于實(shí)際厚度ta，有可能增加記錄層的視體積，即使磁記錄介質(zhì)實(shí)際上具有薄記錄層。為此，有可能獲得熱穩(wěn)定的磁記錄介質(zhì)。
通過使用上述的交換耦合，有可能獲得熱穩(wěn)定的磁記錄介質(zhì)。即使由于降低的超順磁性，記錄密度的傳統(tǒng)限制被認(rèn)為約40Gb/in2，但是已經(jīng)確認(rèn)使用交換耦合可以把縱向磁記錄的記錄密度增加到約100Gb/in2。
但是在使用交換耦合的磁記錄介質(zhì)的情況下，本發(fā)明人已經(jīng)確認(rèn)分辨率(resolution)可能變差并且非線性比特移位可能從由有效厚度te預(yù)測的值增加。現(xiàn)在將通過參照圖2、3A、3B、4A和4B給出在使用交換耦合的磁記錄介質(zhì)中產(chǎn)生的問題的說明。
圖2是表示圖1示出的磁記錄介質(zhì)的磁滯回線的圖。在圖2中，縱坐標(biāo)表示任意單位的磁化，而橫坐標(biāo)表示任意單位的矯磁力。另外，磁性層11和13的磁化方向在圖2中的回線旁邊示出。該回線是使用測量裝置獲得的，該測量裝置需要幾十分鐘來改變磁場，比如一個(gè)振動(dòng)樣品型磁力計(jì)。如從圖2可以看到的，反鐵磁性耦合的磁性層11和13的磁化方向在狀態(tài)ST1或狀態(tài)ST2中反平行，其中這些狀態(tài)ST1和ST2是殘余磁化狀態(tài)。
圖3A和3B和圖4A和4B是用于總的解釋比特在圖1所示的磁記錄介質(zhì)上被記錄的情況的圖。在磁記錄介質(zhì)具有圖2所示的磁滯回線的情況下，磁性層11使用具有磁各向異性的材料可以增加KuV/kT值，它是作為整體的磁記錄介質(zhì)的熱穩(wěn)定性的參數(shù)，并且有可能獲得高的熱穩(wěn)定性，其中Ku表示磁各向異性常數(shù)，V表示平均磁性顆粒體積，k表示玻爾茲曼常數(shù)，而T表示溫度。KuV/kT值有時(shí)也稱為熱穩(wěn)定性因數(shù)。
通常，已知磁記錄介質(zhì)的矯磁力Hc由高速A.C.磁場而增加。這樣的增加的矯磁力Hc被稱作動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′，或者簡單地稱為動(dòng)態(tài)Hc。動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′確定磁記錄介質(zhì)的面內(nèi)重寫特性?？梢院唵蔚赝茢噙@樣的現(xiàn)象也物理地發(fā)生在磁性層11中。
圖3A和3B和圖4A和4B示出了由寫入頭的寫入產(chǎn)生的磁化狀態(tài)。圖3A示出了磁性層11的動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′不在寫入頭的寫處理的時(shí)間區(qū)域中變大的情況，其中磁性層11的磁反轉(zhuǎn)過程α位于負(fù)磁場區(qū)域。另一方面，圖4A表示磁性層11的動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′在寫入頭的寫處理的時(shí)間區(qū)域中變大的情況。換句話說，在圖4A的情況下，即使當(dāng)通過用足夠長的時(shí)間改變磁場來獲得圖2所示的磁滯回線時(shí)，如果磁性層11的動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′在寫入頭的寫處理的時(shí)間區(qū)域內(nèi)增加，磁性層11的磁化反轉(zhuǎn)過程可能進(jìn)入用β表示的正磁場區(qū)域。在圖3A和4A中，縱坐標(biāo)表示任意單位的磁化，而橫坐標(biāo)表示任意單位的磁場。
圖3B示出了圖3A所示的情況下，即磁化層11的動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′的時(shí)間依存性不大并且即使在磁場的高速改變時(shí)磁化反轉(zhuǎn)過程L1也保持在負(fù)磁場區(qū)域的情況下，磁化遷移區(qū)域的形成。在圖3B中，假定寫入頭的后沿19從左移動(dòng)到右。在圖3B所示的狀態(tài)中，寫入頭的后沿19的右側(cè)上的區(qū)域?qū)?yīng)于寫間隙下面的位置。在圖3B所示的狀態(tài)，當(dāng)磁頭的磁場瞬時(shí)反轉(zhuǎn)時(shí)，遷移區(qū)域被寫入到磁性層13。在圖3B中，虛線概念性地示出來自磁頭的磁場，箭頭表示磁頭的磁場被反轉(zhuǎn)后的磁場方向。在磁性層13中，遷移區(qū)域的右側(cè)上的區(qū)域?qū)?yīng)于圖3A示出的回線的磁場區(qū)域B，并且記錄的磁化方向是向右的。另一方面，在磁性層11中，在間隙的左側(cè)上的區(qū)域中由磁頭產(chǎn)生的磁場對應(yīng)于圖3A所示的回線的磁場區(qū)域A，并且在該間隙的右側(cè)上的區(qū)域中磁性層11的記錄的磁化方向如圖3B所示是向右的。因此，從圖3B可以看出，在該磁記錄介質(zhì)的情況下，遷移區(qū)域只形成在后沿19附近的磁性層13中。
另一方面，當(dāng)磁性層11的動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′的時(shí)間依存性大時(shí)，用于磁場的高速變化的磁記錄介質(zhì)的磁滯回線變成由圖4A中的實(shí)線所示。圖4B示出了這樣的磁記錄介質(zhì)的磁化遷移區(qū)域的形成。為了方便的目的，假定所使用的寫入頭與圖3B中使用的相同。在圖4B中，假定寫入頭的后沿19從左向右移動(dòng)。在圖4B所示的情況下，寫入頭的后沿19的右側(cè)上的區(qū)域?qū)?yīng)于寫間隙下面的位置。圖4B所示的狀態(tài)，當(dāng)磁頭的磁場被瞬時(shí)反轉(zhuǎn)時(shí)，遷移區(qū)域①被寫入磁性層13。在圖4B中，虛線概念性地示出了來自磁頭的磁場，而箭頭表示磁頭的磁場被轉(zhuǎn)換后的磁場方向。在磁性層13中，遷移區(qū)域①的右側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)于圖4A所示的回線的磁場區(qū)域C，而記錄的磁化方向是向右的。另一方面，在磁性層11中，遷移區(qū)域①的左側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)于從區(qū)域B到區(qū)域A的磁頭的磁場范圍，而磁性層11的記錄的磁化方向保持向左。在具有圖4A所示的磁滯回線的磁記錄介質(zhì)中，磁性層11的動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′是依賴于時(shí)間的，并且磁性層11的動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′在磁存儲(chǔ)裝置的高速寫入?yún)^(qū)域中增長。因此，當(dāng)振動(dòng)樣品型磁力計(jì)等被用于花長時(shí)間做測量時(shí)，被觀察到的磁性層11的磁化反轉(zhuǎn)在圖4A中的高速寫入期間從位置α′轉(zhuǎn)換到位置β。為此，磁性層11的磁化與具有圖3A所示的磁滯回線的磁記錄介質(zhì)相比變得復(fù)雜。
換句話說，在圖4B中用虛線表示的磁頭的磁場向后沿19的左側(cè)并進(jìn)一步離開后沿19的位置減小。當(dāng)磁場取在圖4A中用β表示的位置的一個(gè)值時(shí)，磁化遷移區(qū)域②形成在磁性層11中。由于后沿19的左側(cè)的位置進(jìn)一步向離開后沿19的方向移動(dòng)，磁頭的磁場降低。另外，因?yàn)楹笱?9的左側(cè)的區(qū)域經(jīng)受到與用虛線表示的磁場方向相反方向的磁場，具有一定程度擴(kuò)展的磁化遷移區(qū)域③由圖4A中用α″表示的磁性層11的反轉(zhuǎn)形成。
在從剛剛低于磁化遷移區(qū)域①到磁化遷移區(qū)域②的范圍內(nèi)，在磁性層11中，磁頭的磁場在圖4A所示的區(qū)域B中起作用。另外，在從磁化遷移區(qū)域②到磁化遷移區(qū)域③的范圍內(nèi)，在磁性層11中，磁頭的磁場在圖4A所示的區(qū)域A中起作用。磁化遷移區(qū)域①、②和③的位置關(guān)系根據(jù)磁記錄介質(zhì)的磁性特性、諸如磁盤驅(qū)動(dòng)器的磁存儲(chǔ)裝置的數(shù)據(jù)傳送速率和由磁頭產(chǎn)生的磁場密度而變化。但是當(dāng)記錄在約40Gb/in2執(zhí)行時(shí)，磁化遷移區(qū)域①和②之間的間隔約20nm，這與用于40Gb/in2記錄的約40nm的最小比特間隔相比較窄。另一方面，磁化遷移區(qū)域①和③之間的間隔約300nm，而磁化遷移區(qū)域②和③之間的間隔與用于40Gb/in2記錄的最小比特間隔40nm相比相當(dāng)大。
從上述論述看來很顯然，在具有圖3A所示的磁滯回線的磁記錄介質(zhì)的情況下，沒有磁化遷移區(qū)域在如圖3B所示的后沿19附近在磁性層11中形成。但在具有圖4A所示的磁滯回線的磁記錄介質(zhì)的情況下，磁化遷移區(qū)域在圖4B所示的后沿19附近在磁性層11中形成。
當(dāng)在磁記錄介質(zhì)上記錄第二比特時(shí)，由于由前面記錄的第一比特產(chǎn)生的磁場，磁頭的寫磁場增加。結(jié)果，一種現(xiàn)象發(fā)生，其中第二比特被記錄在比第二比特實(shí)際應(yīng)當(dāng)被記錄的原始位置更接近前面記錄的第一比特的位置。該現(xiàn)象被稱作非線性遷移移位(NLTS)(non-linear transition shift)。當(dāng)NLTS大時(shí)，分辨率變差并且高密度記錄性能變差。與圖3A和3B中示出的磁記錄介質(zhì)相比，在圖4A和4B所示的磁記錄介質(zhì)的情況下，磁化遷移區(qū)域附加地形成，從而使圖4A和4B所示的磁記錄介質(zhì)的NLTS變差。因?yàn)榇呕w移區(qū)域③離磁化遷移區(qū)域②很遠(yuǎn)，NLTS實(shí)際上不受磁化遷移區(qū)域③的影響。
本發(fā)明人比較了圖3A所示類型的磁記錄介質(zhì)和圖4A所示類型的磁記錄介質(zhì)，并確認(rèn)對于圖4A所示類型的磁記錄介質(zhì)，分辨率變差約3％到5％，并且NLTS變差30％。但是，本發(fā)明人也確定當(dāng)具有大的磁各向異性的材料被用于圖4A所示類型的磁記錄介質(zhì)中的磁性層11時(shí)，熱穩(wěn)定性與圖3A所示類型的磁記錄介質(zhì)的熱穩(wěn)定性相比更好。
因此，在上述與圖1結(jié)合在一起描述的使用交換耦合的磁記錄介質(zhì)中，存在一個(gè)問題，即熱穩(wěn)定性可以根據(jù)磁性層11的動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′的狀態(tài)而改善，但是分辨率和NLTS也可能變差。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)總的目的是提供一種新穎的并有用的磁記錄介質(zhì)和磁存儲(chǔ)裝置，其中上述問題被消除。
本發(fā)明的另一個(gè)和更具體的目的是提供一種使用交換耦合但能夠在不使分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性的磁記錄介質(zhì)，和使用這樣的磁記錄介質(zhì)的磁存儲(chǔ)裝置。
與本發(fā)明的一個(gè)方面一致，磁記錄介質(zhì)包括具有飽和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性層；提供在第一磁性層上的第一非磁性層；提供在第一非磁性層上的第二磁性層，具有飽和磁化Ms2和厚度t2；提供在第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在第二非磁性層上的第三磁性層，具有飽和磁化Ms3和厚度t3，其中第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，并且其中關(guān)系Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)成立。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，有可能在不使分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性。另外，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)相比，介質(zhì)噪聲被有效地降低，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)適于使用在超過100Gb/in2的高密度磁記錄中。
本發(fā)明的另一方面是提供一種磁記錄介質(zhì)，它包括具有飽和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性層；提供在第一磁性層上的第一非磁性層；提供在第一非磁性層上的第二磁性層，具有飽和磁化Ms2和厚度t2；提供在第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在第二非磁性層上的第三磁性層，具有飽和磁化Ms3和厚度t3，其中第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，并且其中關(guān)系|Ms1×t1-Ms3×t3|/(Ms1×t1+Ms3×t3)/2＜0.3成立。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，有可能在不使變差分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性。另外，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)相比，介質(zhì)噪聲被有效地降低，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)適于使用在超過100Gb/in2的高密度磁記錄中。
本發(fā)明的另一方面是提供一種磁記錄介質(zhì)，它包括具有矯磁力Hc1的第一磁性層；提供在第一磁性層上的第一非磁性層；提供在第一非磁性層上、具有矯磁力Hc2的第二磁性層；提供在第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在第二非磁性層上、具有矯磁力Hc3的第三磁性層，其中第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，并且其中關(guān)系Hc2＜Hc1和Hc2＜Hc3成立。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，有可能在不使分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性。另外，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)相比，介質(zhì)噪聲被有效地降低，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)適于使用在超過100Gb/in2的高密度磁記錄中。
本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供一種磁記錄介質(zhì)，它包括具有矯磁力Hc1的第一磁性層；提供在第一磁性層上的第一非磁性層；提供在第一非磁性層上、具有矯磁力Hc2的第二磁性層；提供在第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在第二非磁性層上、具有矯磁力Hc3的第三磁性層，其中第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，并且其中關(guān)系|Hc1-Hc3|/(Hc1+Hc3)/2＜0.3成立。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，有可能在不使分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性。另外，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)相比，介質(zhì)噪聲被有效地降低，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)適于使用在超過100Gb/in2的高密度磁記錄中。
本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供一種磁存儲(chǔ)裝置，包括一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)；和用于把信息記錄到一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)和/或從一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的記錄和/或再現(xiàn)裝置，其中每個(gè)磁記錄介質(zhì)包括具有飽和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性層；提供在第一磁性層上的第一非磁性層；提供在第一非磁性層上的第二磁性層，具有飽和磁化Ms2和厚度t2；提供在第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在第二非磁性層上的第三磁性層，具有飽和磁化Ms3和厚度t3，第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，并且其中關(guān)系Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)成立。根據(jù)本發(fā)明的該方面，有可能在不使分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性。另外，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)相比，介質(zhì)噪聲被有效地降低，本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置適于執(zhí)行超過100Gb/in2的高密度磁記錄。
本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供一種磁存儲(chǔ)裝置，包括一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)；和用于把信息記錄到一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)和/或從一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的記錄和/或再現(xiàn)裝置，其中每個(gè)磁記錄介質(zhì)包括具有飽和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性層；提供在第一磁性層上的第一非磁性層；提供在第一非磁性層上的第二磁性層，具有飽和磁化Ms2和厚度t2；提供在第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在第二非磁性層上的第三磁性層，具有飽和磁化Ms3和厚度t3，其中第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，并且其中關(guān)系|Ms1×t1-Ms3×t3|/(Ms1×t1+Ms3×t3)/2＜0.3成立。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，有可能在不使分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性。另外，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)相比，介質(zhì)噪聲被有效地降低，本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置適于執(zhí)行超過100Gb/in2的高密度磁記錄。
本發(fā)明的另一個(gè)方面是提供一種磁存儲(chǔ)裝置，具有一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)；和用于把信息記錄到一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)和/或從一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的記錄和/或再現(xiàn)裝置，其中每個(gè)磁記錄介質(zhì)包括具有矯磁力Hc1的第一磁性層；提供在第一磁性層上的第一非磁性層；提供在第一非磁性層上、具有矯磁力Hc2的第二磁性層；提供在第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在第二非磁性層上、具有矯磁力Hc3的第三磁性層，其中第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，并且其中關(guān)系Hc2＜Hc1和Hc2＜Hc3成立。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，有可能在不使分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性。另外，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)相比，介質(zhì)噪聲被有效地降低，本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置適于執(zhí)行超過100Gb/in2的高密度磁記錄。
本發(fā)明的再一個(gè)方面是提供一種磁存儲(chǔ)裝置，包括一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)；和用于把信息記錄到一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)和/或從一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的記錄和/或再現(xiàn)裝置，其中每個(gè)磁記錄介質(zhì)包括具有矯磁力Hc1的第一磁性層；提供在第一磁性層上的第一非磁性層；提供在第一非磁性層上、具有矯磁力Hc2的第二磁性層；提供在第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在第二非磁性層上、具有矯磁力Hc3的第三磁性層，其中第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，并且其中關(guān)系|Hc1-Hc3|/(Hc1+Hc3)/2＜0.3成立。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，有可能在不使分辨率和NLTS變差的情況下改善熱穩(wěn)定性。另外，因?yàn)榕c傳統(tǒng)的磁記錄介質(zhì)相比，介質(zhì)噪聲被有效地降低，本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置適于執(zhí)行超過100Gb/in2的高密度磁記錄。
當(dāng)與附圖結(jié)合在一起讀時(shí)，從隨后的詳細(xì)描述中本發(fā)明的其他目的和進(jìn)一步的特征將很明顯。


圖1是表示使用提出的技術(shù)的磁記錄介質(zhì)的橫截面圖；圖2是表示用于圖1所示的磁記錄介質(zhì)的磁滯回線的圖；圖3A和3B是用于總的說明比特被記錄在圖1所示的磁記錄介質(zhì)上的情況的圖；圖4A和4B是用于總的說明比特被記錄在圖1所示的磁記錄介質(zhì)上的情況的圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例的一部分的橫截面圖；圖6是表示磁記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例的磁滯回線的圖；圖7是表示在具有足夠大的矯磁力的材料被用于第二磁性層的情況下的磁滯回線的圖；圖8是表示根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第二實(shí)施例的一部分的橫截面圖；圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置的實(shí)施例的一部分的橫截面圖；圖10是表示圖9的磁存儲(chǔ)裝置的一部分的平面圖。
具體實(shí)施例方式
通過參照圖5和隨后的圖，根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)和根據(jù)本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置的實(shí)施例的說明將被給出。
如圖5所示，磁記錄介質(zhì)具有襯底21，襯底由典型用于硬盤介質(zhì)的材料制成，比如玻璃和鋁。一個(gè)由諸如Cr的具有hcp結(jié)構(gòu)的材料制成的底層22形成在襯底21上，從而促進(jìn)磁性層的c軸的面內(nèi)取向，這將在下面說明。第一磁性層23、第二磁性層25和第三磁性層27提供在底層22上。例如，底層22可以由一個(gè)無定形籽晶層和一個(gè)在籽晶層上形成的底層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)形成，該底層由具有BCC結(jié)構(gòu)和平行于襯底21表面(下文稱為襯底表面)取向的(002)晶面的CrMo合金等形成。第一、第二和第三磁性層23、25和27由從包括Co、Ni、Fe、Ni合金、Fe合金和Co合金的一個(gè)組中選擇的材料制成，并且Co合金可以包括CoCrTa、CoCrPt和CoCrPt-M，其中M＝B、Mo、Nb、Ta、W、Cu、C或其合金。第一和第三磁性層23和27的容易磁化的軸在面內(nèi)(in-plane)，它平行于襯底表面。
第一非磁性層24夾在第一和第二磁性層23和25之間以反鐵磁性地耦合第一和第二磁性層23和25，使得第一和第二磁性層23和25的磁化方向變得反平行。另外，第二非磁性層26夾在第二和第三磁性層25和27之間以反鐵磁性地耦合第二和第三磁性層25和27，使得第二和第三磁性層25和27的磁化方向變得反平行。第一和第二非磁性層24和26由從包括Ru、Rh、Ir、Ru合金、Rh合金和Ir合金的一組中選擇的材料制成。第一和第二非磁性層24和26的每一個(gè)具有約0.4nm到2.0nm的厚度。通常，第一和第二非磁性層24和26由Ru制成是理想的。當(dāng)由Ru制成的第一和第二非磁性層24和26的每一個(gè)的厚度被設(shè)為約0.8nm時(shí)，有可能獲得圖6所示的磁滯回線。
保護(hù)層28形成在第三磁性層27上。例如，保護(hù)層28可以具有多層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)由一個(gè)C層和一個(gè)形成在C層上的潤滑材料層構(gòu)成。
在隨后的說明中，第一、第二和第三磁性層23、25和27的厚度分別用t1、t2和t3表示。另外，第一、第二和第三磁性層23、25和27的飽和磁化分別用Ms1、Ms2和Ms3表示，并且第一、第二和第三磁性層23、25和27的矯磁力分別用Hc1、Hc2和Hc3表示。為了使磁記錄介質(zhì)的該實(shí)施例有效工作，最好在第一、第二和第三磁性層23、25和27中滿足如下條件Ms1×t1+Ms3×t3＞Ms2×t2對值Ms1×t1和Ms3×t3來說不必要相同。但是，如果值Ms1×t1和Ms3×t3被設(shè)為接近的值，矯磁力Hc1和Hc3也變?yōu)榻咏闹?，并且在圖6所示的磁滯回線中的Hc附近斜坡變得較陡，從而使得磁記錄介質(zhì)適于高密度記錄。圖6是表示磁記錄介質(zhì)的該實(shí)施例的磁滯回線的圖，在圖6中，縱坐標(biāo)表示任意單位的磁化，而橫坐標(biāo)表示任意單位的矯磁力。
盡管在圖6中看不到，但是當(dāng)具有足夠大矯磁力Hc2的材料用于第二磁性層25時(shí)，可能在A和B附近的回線中產(chǎn)生一個(gè)開度(eye)。圖7是概念性地表示小孔產(chǎn)生的狀態(tài)的圖。如果磁記錄在下文描述的前提下使用磁記錄介質(zhì)執(zhí)行的，則圖7中示出的回線中的開度不顯著改變磁記錄介質(zhì)的該實(shí)施例中的諸如信噪比(SNR)和NLTS的各種磁記錄特性。圖7中，縱坐標(biāo)表示任意單位的磁化，而橫坐標(biāo)表示任意單位的矯磁力。
接著，參照圖7將給出使用該磁記錄介質(zhì)的實(shí)施例的基礎(chǔ)方法的說明。當(dāng)磁場在長時(shí)間中被改變時(shí)，用振動(dòng)樣品型磁力計(jì)或類似裝置獲得在圖7中用實(shí)線表示的磁滯回線。另一方面，當(dāng)由寫入頭執(zhí)行高速寫入時(shí)，觀察到在圖7中用虛線表示的磁滯回線。磁記錄介質(zhì)以寫入頭的磁場的最大值落入圖7中的Hα和Hβ之間的方式被使用。在這種狀態(tài)下，磁化從第一磁性層23到第三磁性層27的反轉(zhuǎn)發(fā)生，同時(shí)總是保持相鄰磁性層23和25的反平行磁化和相鄰磁性層25和27的反平行磁化。
此外，第一和第三磁性層23和27的矯磁力Hc1和Hc3被設(shè)在滿足以下關(guān)系的范圍內(nèi)是理想的|Hc1-Hc3|/(Hc1+Hc3)/2＜0.3當(dāng)矯磁力Hc1和Hc3超出上述范圍時(shí)，由圖7所示的磁滯回線的中間部分定義的矯磁力矩形比變得小于0.65，并且不能獲得足夠大的記錄分辨率。
而且，第一磁性層23的飽和磁化和厚度的乘積Ms1×t1和第三磁性層27的飽和磁化和厚度的乘積Ms3×t3被設(shè)在滿足以下關(guān)系的范圍內(nèi)是理想的|Ms1×t1-Ms3×t3|/(Ms1×t1+Ms3×t3)/2＜0.3當(dāng)飽和磁化Ms1和Ms3滿足上述范圍時(shí)，由圖7的磁滯回線的中間部分定義的矯磁力矩形比能夠被保持在大于或等于0.60。因?yàn)榈谝缓偷谌判詫?3和27對磁頭輸出有近似相同程度的貢獻(xiàn)，從改善記錄分辨率的觀點(diǎn)來看滿足該關(guān)系是重要的。
另外，最好關(guān)系t2＜t1和t2＜t3成立。如果第二磁性層25接收的交換磁場強(qiáng)度用Hex2表示，最好關(guān)系|Hex2|＞Hc1和|Hex2|＞Hc3成立并且/或者關(guān)系|Hex2-Hc2|＞Hc1和|Hex2-Hc2|＞Hc3成立。
如果假定動(dòng)態(tài)矯磁力表示當(dāng)以磁頭在磁記錄介質(zhì)上寫入信息的寫頻率把A.C.磁場施加到磁記錄介質(zhì)上時(shí)觀察到的矯磁力，最好滿足如下關(guān)系，其中Hc1′表示第一磁性層23的動(dòng)態(tài)矯磁力，Hc3′表示第三磁性層27的動(dòng)態(tài)矯磁力，而Hex2表示由第二磁性層25接收的交換磁場強(qiáng)度|Hex2|＞Hc1′和|Hex2|＞Hc3′和/或|Hex2-Hc2′|＞Hc1′和|Hex2-Hc2′|＞Hc3′因此，根據(jù)該磁記錄介質(zhì)的實(shí)施例，當(dāng)從讀出頭觀看時(shí)，磁記錄介質(zhì)的記錄層的有效厚度是由第二磁性層25的磁化方向引起的相互抵消的結(jié)果，第二磁性層25的磁化方向反平行于第一和第三磁性層23和27的磁化方向。因此，有可能防止磁記錄介質(zhì)的記錄狀態(tài)瞬時(shí)呈現(xiàn)平行耦合狀態(tài)，并且能夠改善NLTS和分辨率。
此外，因?yàn)榈谝缓偷谌判詫?3和27在垂直于襯底表面的垂直方向上被分離，每單位面積的磁性顆粒變成雙倍，并且原則上，有可能把介質(zhì)噪聲降低到 。對于SNR，該介質(zhì)噪聲降低對應(yīng)于約3dB的改善。
在具有圖2所示的磁滯回線的磁記錄介質(zhì)的情況下，有可能為圖1所示的磁性層11使用具有足夠大各向異性的材料，以便避免以上與圖4A和4B結(jié)合來說明的狀態(tài)。在圖1所示的磁記錄介質(zhì)中，磁性層11薄，并且由它自己估計(jì)磁性層11的磁各向異性是困難的。但是，可以推斷出約5nm的磁性層11的各向異性能量被減小到由相同材料制成并約10nm的磁性層11的一半。
另一方面，在具有圖7所示的磁滯回線的磁記錄介質(zhì)的該實(shí)施例中，第一和第三磁性層23和27都可能具有例如約10nm的相當(dāng)大的厚度。因此，第一磁性層23能夠產(chǎn)生足夠大的磁各向異性能量，從而有效地改善熱穩(wěn)定性。
另外，來自第一和第三磁性層23和27的交換耦合磁場的和作用在第二磁性層25上，并且產(chǎn)生圖7所示的交換耦合磁場Hex。因?yàn)榈诙判詫?5形成反鐵磁性耦合層，所以第二磁性層25與第一和第三磁性層23和27相比要薄，并且具有高Co含量的合金被用于第二磁性層25，以便增加交換耦合磁場。該交換耦合磁場能夠容易地被制成大于或等于5000 Oe。當(dāng)?shù)诙判詫?5的Co含量增加時(shí)，第二磁性層25的飽和磁化Ms2增加，并且因此第二磁性層25需要薄到某一程度，使得第一和第三磁性層23和27的磁化不被大大抵消。最好設(shè)置第二磁性層25的厚度在約1nm到3nm的范圍內(nèi)。因?yàn)榈诙判詫?5足夠薄并且交換耦合磁場Hex主要確定穿過第二磁性層25的遷移寬度(transitionwidth)，該遷移寬度將不增加，并且即使諸如純Co的材料被用于第二磁性層25，高密度記錄也能夠?qū)崿F(xiàn)。
接著，將給出磁記錄介質(zhì)的該實(shí)施例的性能的說明。假定襯底21由玻璃制成，并且底層22具有一個(gè)由無定形籽晶層和一個(gè)形成在籽晶層上的底層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)，該底層由具有BCC結(jié)構(gòu)和平行于襯底表面取向的(002)晶面的CrMo合金等形成。另外，假定第一和第三磁性層23和27由具有相同成分的CoCrPtB制成，第二磁性層25由CoCr制成，并且第一和第二非磁性層24和26由Ru制成。還假定形成底層22的多層結(jié)構(gòu)的無定形籽晶層的厚度是25nm，底層22的多層結(jié)構(gòu)的CrMo合金底層的厚度是10nm，并且第一和第二非磁性層24和26的厚度分別是0.8nm。而且，假定第一、第二和第三磁性層23、25和27的厚度分別是12nm、2nm和12nm，并且保護(hù)層28的厚度是5nm。已經(jīng)確認(rèn)該磁記錄介質(zhì)具有好的面內(nèi)磁性取向。
為該磁記錄介質(zhì)觀察的磁滯回線與圖6所示的磁滯回線類似，并且矯磁力Hc約3900 Oe并且交換耦合磁場Hsw約8000 Oe。另外，該磁記錄介質(zhì)的殘余區(qū)域磁化約為0.32Memu/cm2。該磁記錄介質(zhì)將被稱為磁記錄介質(zhì)MED1。
為了比較的目的，通過省略第一和第二非磁性層24和26和第二磁性層25，準(zhǔn)備具有與磁記錄介質(zhì)MED1相同的殘余區(qū)域磁化和矯磁力Hc的磁記錄介質(zhì)MED2。殘余矯磁力由CoCrPtB第一和第三磁性層23和27的厚度來調(diào)整。矯磁力Hc由形成底層22的多層結(jié)構(gòu)的CoCrMo底層的厚度和在形成底層22的多層結(jié)構(gòu)的無定形籽晶層被形成后的加熱條件來調(diào)整。
下面的表示出了磁記錄介質(zhì)MED1和MED2的特性。在表中，SNR表示介質(zhì)SNR，而分辨率表示在320 KFCI的隔離波比率(isolated wave ratio)。
表介質(zhì) SNR NLTS 分辨率 KuV/kTMED1 23dB 12％ 52％70MED2 21dB 11％ 49％50從該表中可以看出，可以確認(rèn)對于磁記錄介質(zhì)MED1來說NLTS沒有變差。另外，也確認(rèn)對磁記錄介質(zhì)MED1來說分辨率被改善。可以認(rèn)為，磁記錄介質(zhì)MED1的分辨率被改善，因?yàn)橛捎诖庞涗浗橘|(zhì)MED2在高記錄密度區(qū)域中的熱不穩(wěn)定性使得信號(hào)衰減更容易發(fā)生。對于磁記錄介質(zhì)MED1，通過測量動(dòng)態(tài)矯磁力Hc′獲得的熱穩(wěn)定性因數(shù)KuV/kT是70，這是實(shí)現(xiàn)熱穩(wěn)定性的足夠高值，其中Ku表示磁各向異性常數(shù)，V表示平均磁顆粒體積，k表示玻爾茲曼常數(shù)，而T表示溫度。另一方面，對于磁記錄介質(zhì)MED2的熱穩(wěn)定性因數(shù)KuV/kT是50，這對于實(shí)際使用是低的。也能確認(rèn)用于磁記錄介質(zhì)MED1的介質(zhì)噪聲與磁記錄介質(zhì)MED2的介質(zhì)噪聲相比較降低約20％，并且從而對于磁記錄介質(zhì)MED1的介質(zhì)SNR與磁記錄介質(zhì)MED2相比改善約2dB。
接著，將參照圖8，給出根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第二實(shí)施例的說明。圖8是表示磁記錄介質(zhì)的該第二實(shí)施例的一部分的橫截面圖。在圖8中，與圖5中的那些對應(yīng)部分相同的那些部分用相同的參考標(biāo)記表示，并且它們的說明將被省略。
如圖8所示，該實(shí)施例的第二磁性層25由多個(gè)磁性層25-1到25-N組成，其中N是大于或等于3的奇數(shù)，第二磁性層25的每兩個(gè)相鄰磁性層由非磁性層31分開。形成第二磁性層25的磁性層25-1到25-N反鐵磁性地耦合，并且磁性層25-1到25-N的磁化方向在相反方向交替，使得第二磁性層25的兩個(gè)相鄰磁性層具有反平行的磁化。根據(jù)本發(fā)明，有可能獲得與上述第一實(shí)施例獲得的類似的效果。
接著，參照圖9和10將給出根據(jù)本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置的實(shí)施例的說明。圖9是表示磁存儲(chǔ)裝置的該實(shí)施例的一個(gè)重要部分的橫截面圖，而圖10是表示磁存儲(chǔ)裝置的該實(shí)施例的部分的平面圖。
如圖9和10所示，磁存儲(chǔ)裝置通常包括機(jī)殼113。一電機(jī)114，一軸115，多個(gè)磁記錄介質(zhì)116，多個(gè)寫/讀磁頭117，多個(gè)懸架118，多個(gè)臂119和一致動(dòng)器單元120被提供在機(jī)殼113內(nèi)。磁記錄介質(zhì)116安裝在由電機(jī)114旋轉(zhuǎn)的軸115上。每個(gè)寫/讀磁頭117由一個(gè)諸如感應(yīng)磁頭的寫磁頭和一個(gè)諸如MR或GMR磁頭的讀磁頭構(gòu)成。每個(gè)寫/讀磁頭117經(jīng)對應(yīng)懸架118安裝在相應(yīng)臂119的頂端上。每個(gè)臂119由致動(dòng)器單元120驅(qū)動(dòng)。該磁存儲(chǔ)裝置的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)已知，并且它的詳細(xì)說明將在該說明書被省略。
磁存儲(chǔ)裝置的該實(shí)施例的特征在于磁記錄介質(zhì)116。每個(gè)磁記錄介質(zhì)116具有圖5所示的磁記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)或圖8所示的磁記錄介質(zhì)的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，磁記錄介質(zhì)116的數(shù)量不限于三個(gè)，并且有可能提供一個(gè)、兩個(gè)或多于三個(gè)磁記錄介質(zhì)116。
磁存儲(chǔ)裝置的基本結(jié)構(gòu)不限于圖9和10所示。另外，由根據(jù)本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置使用的磁記錄介質(zhì)不限于磁盤，多種磁記錄介質(zhì)可以被使用，包括磁帶和磁卡。
而且，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以做出多種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，包括具有飽和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性層；提供在所述第一磁性層上的第一非磁性層；提供在所述第一非磁性層上的第二磁性層，它具有飽和磁化Ms2和厚度t2；提供在所述第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在所述第二非磁性層上的第三磁性層，它具有飽和磁化Ms3和厚度t3，所述第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，其中Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)。
2.一種磁記錄介質(zhì)，包括具有飽和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性層；提供在所述第一磁性層上的第一非磁性層；提供在所述第一非磁性層上的第二磁性層，它具有飽和磁化Ms2和厚度t2；提供在所述第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在所述第二非磁性層上的第三磁性層，它具有飽和磁化Ms3和厚度t3，所述第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，其中|Ms1×t1-Ms3×t3|/(Ms1×t1+Ms3×t3)/2＜0.3。
3.一種磁記錄介質(zhì)，包括具有矯磁力Hc1的第一磁性層；提供在所述第一磁性層上的第一非磁性層；提供在所述第一非磁性層上、具有矯磁力Hc2的第二磁性層；提供在所述第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在所述第二非磁性層上、具有矯磁力Hc3的第三磁性層，所述第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，其中Hc2＜Hc1并且Hc2＜Hc3。
4.一種磁記錄介質(zhì)，包括具有矯磁力Hc1的第一磁性層；提供在所述第一磁性層上的第一非磁性層；提供在所述第一非磁性層上、具有矯磁力Hc2的第二磁性層；提供在所述第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在所述第二非磁性層上、具有矯磁力Hc3的第三磁性層，所述第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，其中|Hc1-Hc3|/(Hc1+Hc3)/2＜0.3。
5.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述第一、第二和第三磁性層分別由從包括Co、Ni、Fe、Ni合金、Fe合金和Co合金的組中選擇的材料制成，和所述Co合金包括CoCrTa、CoCrPt和CoCrPt-M，其中M＝B、Mo、Nb、Ta、W、Cu、C或它們的合金。
6.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述第一和第二非磁性層分別由從包括Ru、Rh、Ir、Ru合金、Rh合金和Ir合金的一組中選擇的材料制成。
7.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述第一和第二非磁性分別具有0.4nm到2.0nm的厚度。
8.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中關(guān)系t2＜t1和t2＜t3成立，其中t1、t2和t3分別表示所述第一、第二和第三磁性層的厚度。
9.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述第二磁性層由N個(gè)磁性層組成，其中N是大于或等于三的奇數(shù)，所述第二磁性層的每兩個(gè)相鄰磁性層由一非磁性層分開，并且形成所述第二磁性層的磁性層反鐵磁性地耦合，使得它們的磁化方向交替在相反方向上，從而所述第二磁性層的兩個(gè)相鄰磁性層具有反平行磁化。
10.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中|Hex2|＞Hc1并且|Hex2|＞Hc3，其中Hc1表示所述第一磁性層的矯磁力，Hc3表示所述第三磁性層的矯磁力，而Hex2表示由所述第二磁性層接收的交換磁場強(qiáng)度。
11.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中|Hex2-Hc2|＞Hc1并且|Hex2-Hc2|＞Hc3，其中Hc1表示所述第一磁性層的矯磁力，Hc2表示所述第二磁性層的矯磁力，Hc3表示所述第三磁性層的矯磁力，而Hex2表示由所述第二磁性層接收的交換磁場強(qiáng)度。
12.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中|Hex2|＞Hc1′并且|Hex2|＞Hc3′，其中Hc1′表示所述第一磁性層的動(dòng)態(tài)矯磁力，Hc3′表示所述第三磁性層的動(dòng)態(tài)矯磁力，而Hex2表示由所述第二磁性層接收的交換磁場強(qiáng)度。
13.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，其中|Hex2-Hc2′|＞Hc1′并且|Hex2-Hc2′|＞Hc3′，其中Hc1′表示所述第一磁性層的動(dòng)態(tài)矯磁力，Hc2′表示所述第二磁性層的動(dòng)態(tài)矯磁力，Hc3′表示所述第三磁性層的動(dòng)態(tài)矯磁力，而Hex2表示由所述第二磁性層接收的交換磁場強(qiáng)度。
14.如權(quán)利要求1到4中任一個(gè)所述的磁記錄介質(zhì)，還包括提供在所述第一磁性層下面的襯底，所述第一和第三磁性層具有平行于所述襯底的面內(nèi)取向的容易磁化的軸。
15.如權(quán)利要求4中所述的磁記錄介質(zhì)，還包括一個(gè)或多個(gè)設(shè)置在所述襯底和所述第一磁性層之間的底層。
16.一種磁存儲(chǔ)裝置，包括一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)；和用于把信息記錄到所述一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)和/或從所述一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的記錄和/或再現(xiàn)裝置，每個(gè)磁記錄介質(zhì)包括具有飽和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性層；提供在所述第一磁性層上的第一非磁性層；提供在所述第一非磁性層上的第二磁性層，它具有飽和磁化Ms2和厚度t2；提供在所述第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在所述第二非磁性層上的第三磁性層，它具有飽和磁化Ms3和厚度t3，所述第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，其中Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)。
17.一種磁存儲(chǔ)裝置，包括一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)；和用于把信息記錄到所述一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)和/或從所述一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的記錄和/或再現(xiàn)裝置，每個(gè)磁記錄介質(zhì)包括具有飽和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性層；提供在所述第一磁性層上的第一非磁性層；提供在所述第一非磁性層上的第二磁性層，它具有飽和磁化Ms2和厚度t2；提供在所述第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在所述第二非磁性層上的第三磁性層，它具有飽和磁化Ms3和厚度t3，所述第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，其中|Ms1×t1-Ms3×t3|/(Ms1×t1+Ms3×t3)/2＜0.3。
18.一種磁存儲(chǔ)裝置，包括一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)；和用于把信息記錄到所述一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)和/或從所述一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的記錄和/或再現(xiàn)裝置，每個(gè)磁記錄介質(zhì)包括具有矯磁力Hc1的第一磁性層；提供在所述第一磁性層上的第一非磁性層；提供在所述第一非磁性層上、具有矯磁力Hc2的第二磁性層；提供在所述第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在所述第二非磁性層上、具有矯磁力Hc3的第三磁性層，所述第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，其中Hc2＜Hc1并且Hc2＜Hc3。
19.一種磁存儲(chǔ)裝置，包括一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)；和用于把信息記錄到所述一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)和/或從所述一個(gè)或多個(gè)磁記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的記錄和/或再現(xiàn)裝置，每個(gè)磁記錄介質(zhì)包括具有矯磁力Hc1的第一磁性層；提供在所述第一磁性層上的第一非磁性層；提供在所述第一非磁性層上、具有矯磁力Hc2的第二磁性層；提供在所述第二磁性層上的第二非磁性層；和提供在所述第二非磁性層上、具有矯磁力Hc3的第三磁性層，所述第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，其中|Hc1-Hc3|/(Hc1+Hc3)/2＜0.3。
全文摘要
一種磁記錄介質(zhì)具有第一、第二和第三磁性層，第一、第二和第三磁性層在沒有外部磁場施加到磁記錄介質(zhì)上的狀態(tài)具有交替反平行的磁化方向，第一非磁性層夾在第一和第二磁性層之間，并且第二非磁性層夾在第二和第三磁性層之間。關(guān)系Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)成立，其中Ms1、Ms2和Ms3，以及t1、t2和t3分別表示第一、第二和第三磁性層的飽和磁化和厚度。
文檔編號(hào)G11B5/738GK1442847SQ02146828
公開日2003年9月17日 申請日期2002年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月6日
發(fā)明者岡本巌 申請人:富士通株式會(huì)社