專(zhuān)利名稱(chēng)：磁頭定位裝置以及使用它的磁盤(pán)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有二級(jí)構(gòu)造的作動(dòng)器的磁頭定位裝置以及使用它的磁盤(pán)裝置。
主作動(dòng)器主要用于搜索動(dòng)作或多個(gè)磁道跳躍等的大移動(dòng)，通過(guò)音圈馬達(dá)等以安裝在金屬架上的軸為中心使磁頭支持機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)，使磁頭支持機(jī)構(gòu)，磁頭以及磁頭滑動(dòng)架等移動(dòng)。輔助作動(dòng)器主要用于進(jìn)行磁道跟蹤或1磁道跳躍等的高速微小的定位，通過(guò)作為壓電元件的壓電(piezo)元件等，在磁頭支持機(jī)構(gòu)前端部可動(dòng)范圍窄而被寬帶域控制，對(duì)磁頭以及磁頭滑動(dòng)架進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
具有主作動(dòng)器和輔助作動(dòng)器的作動(dòng)器部一般稱(chēng)為二級(jí)作動(dòng)器或稱(chēng)為級(jí)聯(lián)控制作動(dòng)器，主作動(dòng)器稱(chēng)為粗動(dòng)作動(dòng)器，輔助作動(dòng)器稱(chēng)為微動(dòng)作動(dòng)器。
在現(xiàn)有的磁盤(pán)裝置中，以磁頭作為移動(dòng)部件，通常使用只利用音圈馬達(dá)(以下稱(chēng)為VCM)的作動(dòng)器?？墒?，在用于橫切數(shù)千、數(shù)萬(wàn)道磁道，使磁頭高速移動(dòng)的作動(dòng)器中，以1磁道的幾十分之一精度進(jìn)行磁頭定位是有限度的。因此，提出了依靠二級(jí)作動(dòng)器的磁頭定位機(jī)構(gòu)(例如，特開(kāi)平10-255418號(hào)公報(bào))，即，如前所示，作為磁頭定位部件，在以VCM作為驅(qū)動(dòng)部件的粗動(dòng)作動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的磁頭支持機(jī)構(gòu)上，作為微動(dòng)作動(dòng)器，還裝載由控制電壓微動(dòng)驅(qū)動(dòng)壓電元件的壓電作動(dòng)器或裝載與VCM類(lèi)似構(gòu)造的電磁型微動(dòng)作動(dòng)器的二級(jí)作動(dòng)器。此外，也提出了在用粗動(dòng)作動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的磁頭支持機(jī)構(gòu)上，作為微動(dòng)作動(dòng)器，裝載作為壓電元件的壓電(piezo)元件，利用壓電元件的壓電效果和反壓電效果兩功能，可高速高精度定位控制的二級(jí)驅(qū)動(dòng)控制方法(例如，特開(kāi)昭60-35383號(hào)公報(bào))。
可是，近年來(lái)伴隨電子設(shè)備小型化，便攜化，小型磁盤(pán)的利用急速發(fā)展。因此，在磁盤(pán)裝置用的驅(qū)動(dòng)機(jī)的小型化也在發(fā)展，例如，也提出了利用使用壓電薄膜的壓電元件，實(shí)現(xiàn)小型微動(dòng)作動(dòng)器的方法。
圖4是示出依靠用壓電薄膜的壓電元件的微動(dòng)作動(dòng)器一例的圖。如圖4所示，微動(dòng)作動(dòng)器90的一端固定在磁頭支持機(jī)構(gòu)99的前端部分上。壓電元件借助中心材料91具有2片壓電薄膜92、93。這些壓電薄膜92、93的外側(cè)上，分別通過(guò)電鍍等形成電極92a，93a，分別向任意方向施以極化處理。壓電元件如以上所示地構(gòu)成，作為微動(dòng)作動(dòng)器90動(dòng)作。一旦在壓電元件的電極92a，93a上施加電壓，則壓電薄膜93伸張，而壓電薄膜92則縮小。這樣，通過(guò)壓電薄膜92，93的縮小、伸張作用產(chǎn)生的變位，壓電元件如圖4所示地彎曲。即，例如在壓電元件的前端部上設(shè)置磁頭，通過(guò)由施加電壓產(chǎn)生的變位，使壓電元件的前端部的磁道移動(dòng)等的動(dòng)作成為可能。換言之，使微動(dòng)作動(dòng)器90通過(guò)這樣的動(dòng)作進(jìn)行定位成為可能。
這樣的壓電元件相對(duì)施加相同電壓，壓電薄膜厚度越薄，則得到越高的電場(chǎng)。因此，希望壓電薄膜92，93盡可能薄。一方面，厚度越薄，則其壓電薄膜92，93的機(jī)械強(qiáng)度或電氣絕緣性越低。因此，壓電薄膜92，93的厚度通過(guò)綜合地評(píng)估畸變特性和機(jī)械強(qiáng)度、絕緣特性等決定。即，形成薄膜狀的壓電薄膜92，93在另一方面非常脆，也具有所謂通過(guò)對(duì)其處理容易產(chǎn)生裂痕等缺陷。因此，檢測(cè)在壓電薄膜92，93上產(chǎn)生裂痕等極其重要。由于檢測(cè)這樣的壓電薄膜92，93產(chǎn)生的裂痕等缺陷，通過(guò)金屬顯微鏡等的表面觀測(cè)非常困難，所以使用超聲波探傷計(jì)。此外，提出檢測(cè)由壓電元件變位產(chǎn)生的電流，通過(guò)顯示其檢測(cè)結(jié)果，發(fā)現(xiàn)其異常的方法(例如，特開(kāi)平11-354852號(hào)公報(bào))。
此外，在壓電元件制造工序中，如在壓電薄膜內(nèi)混入雜質(zhì)，在混入該雜質(zhì)的部分變得容易產(chǎn)生這樣的缺陷。由雜質(zhì)混入產(chǎn)生的缺陷部分除了引起上述的裂痕之外，也有所謂引起絕緣破壞特性的劣化的問(wèn)題。即，一旦絕緣破壞特性劣化，壓電元件不能充分地進(jìn)行伸縮動(dòng)作，作為微動(dòng)作動(dòng)器的定位精度下降，使定位動(dòng)作變得不可能。因此，也提出了一種方法，即，對(duì)于因混入雜質(zhì)等使絕緣破壞特性劣化，在檢查階段通過(guò)絕緣破壞除去與壓電薄膜缺陷部對(duì)應(yīng)部分，在壓電薄膜的缺陷部上局部地不施加電壓(例如，特開(kāi)平2001-88310號(hào)公報(bào))。
然而，在現(xiàn)有例中說(shuō)明的檢測(cè)微動(dòng)作動(dòng)器缺陷的方法或通過(guò)絕緣破壞除去缺陷部分的方法在壓電元件的檢查階段進(jìn)行。因此，對(duì)于在壓電薄膜內(nèi)部潛在地存在，而在檢查階段不顯現(xiàn)的潛在缺陷，不能在檢查階段防止于未然。此外，一旦有潛在缺陷的壓電元件用于微動(dòng)作動(dòng)器，則微動(dòng)驅(qū)機(jī)構(gòu)自身的定位動(dòng)作因該缺陷部分而加速劣化，存在所謂短時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生變位特性劣化的問(wèn)題。
即，在壓電薄膜內(nèi)部初期不顯現(xiàn)的缺陷在檢查階段不能被察覺(jué)。一方面由于在微動(dòng)作動(dòng)器那樣的定位動(dòng)作中利用壓電元件的方法是利用機(jī)械畸變，所以壓電元件自身處于由該動(dòng)作頻繁地受到機(jī)械應(yīng)力的狀態(tài)。一旦壓電元件自身受這樣的機(jī)械應(yīng)力，則進(jìn)行由雜質(zhì)等引起缺陷部分放大等的缺陷部分變形。通過(guò)重復(fù)該過(guò)程，初期不顯現(xiàn)的缺陷作為變位特性的劣化有可能顯現(xiàn)。換言之，即使在檢查階段是正常的，壓電元件自身變位的重復(fù)，加速了雜質(zhì)等缺陷部分引起的特性劣化，與正常情況下的壽命相比，成為短壽命。
這樣，利用壓電元件的微動(dòng)作動(dòng)器與電容器等電子部件比較，利用了機(jī)械的畸變。因此，壓電元件自身變位的重復(fù)加速了在初期階段不能發(fā)現(xiàn)的缺陷產(chǎn)生的特性劣化。其結(jié)果，例如有可能產(chǎn)生薄膜內(nèi)的缺陷部分引起的靜電容量或電阻降低等變位特性劣化或進(jìn)一步產(chǎn)生壓電元件的破壞。因此，一旦在構(gòu)成磁頭定位裝置的微動(dòng)作動(dòng)器中使用具有潛在缺陷的壓電元件，則在短時(shí)間內(nèi)定位精度劣化，接著存在不能進(jìn)行定位動(dòng)作那樣的問(wèn)題。
為了解決上述任務(wù)，本發(fā)明的磁頭定位裝置作為磁頭定位部件，具有由壓電元件進(jìn)行微定位的微動(dòng)作動(dòng)器部和進(jìn)行粗定位的粗動(dòng)作動(dòng)器部構(gòu)成的作動(dòng)器。此外，還具有通過(guò)測(cè)定壓電元件的電特性，檢測(cè)電特性有無(wú)劣化，檢出由壓電元件缺陷部分產(chǎn)生的微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化的劣化檢測(cè)部件，和在檢測(cè)壓電元件電特性劣化時(shí)，通過(guò)在壓電元件上施加高電壓、恢復(fù)由壓電元件缺陷部分產(chǎn)生的微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化的性能恢復(fù)部件。
通過(guò)該構(gòu)成，即使構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器部的壓電元件在裝入本磁頭定位裝置內(nèi)的狀態(tài)下引起變位特性劣化，劣化檢測(cè)部件也以該變位特性劣化作為電特性劣化檢測(cè)出。此外，在產(chǎn)生這樣的電特性劣化的情況下，性能恢復(fù)部件把高電壓施加在壓電元件上。由此，可恢復(fù)微動(dòng)作動(dòng)器部性能的劣化。即，劣化檢測(cè)部件在預(yù)先設(shè)定磁頭定位裝置的啟動(dòng)時(shí)間等時(shí)，測(cè)定微動(dòng)作動(dòng)器部的電特性。此外，根據(jù)該測(cè)定結(jié)果，檢出構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器部的壓電元件有無(wú)劣化。在檢出劣化的情況下，在預(yù)定的期間在壓電元件上施加由性能恢復(fù)部件生成的高電壓。其結(jié)果，在劣化因素是由于壓電元件內(nèi)的電短路或絕緣破壞特性劣化引起時(shí)，通過(guò)加的高電壓能夠除去其因素。因此，根據(jù)本發(fā)明，檢出由壓電元件潛在的缺陷引起的微動(dòng)作動(dòng)器部的性能劣化，此外，因?yàn)樵跈z出劣化的情況下，可使劣化的性能恢復(fù)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)壽命穩(wěn)定的定位控制。
本發(fā)明的磁頭定位裝置的構(gòu)成是這樣的，上述劣化檢測(cè)部件將在壓電元件內(nèi)流過(guò)的電流作為電特性來(lái)測(cè)定，在測(cè)定的前述電流值超過(guò)正常電流值范圍時(shí)，檢出由壓電元件缺陷部分引起微動(dòng)作動(dòng)器部性能的劣化。
通過(guò)該構(gòu)成，劣化檢測(cè)部件在預(yù)先設(shè)定磁頭定位裝置的啟動(dòng)時(shí)間等時(shí)，檢出在微動(dòng)作動(dòng)器部?jī)?nèi)流過(guò)的電流值。此外，根據(jù)該電流值，檢測(cè)出構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器部的壓電元件有無(wú)劣化。在檢測(cè)出劣化的情況下，在預(yù)定時(shí)間內(nèi)向在壓電元件上施加由性能恢復(fù)部件生成的高電壓。其結(jié)果，在劣化原因是由于壓電元件內(nèi)的電短路或絕緣破壞特性劣化引起時(shí)，通過(guò)所加的高電壓能夠除去該原因。因此，根據(jù)本發(fā)明，檢測(cè)由壓電元件潛在的缺陷引起的微動(dòng)作動(dòng)器部的性能劣化，此外，因?yàn)樵跈z測(cè)出劣化時(shí)，可使劣化的性能恢復(fù)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)壽命穩(wěn)定的定位控制。
本發(fā)明的磁頭定位裝置的構(gòu)成是這樣的，上述劣化檢測(cè)部件將在壓電元件的靜電容量作為電特性來(lái)測(cè)定，測(cè)定的靜電容量超過(guò)正常靜電容量范圍時(shí)，認(rèn)為檢測(cè)出由壓電元件缺陷部分引起微動(dòng)作動(dòng)器部的性能劣化。
根據(jù)該構(gòu)成，劣化檢測(cè)部件在預(yù)先設(shè)定磁頭定位裝置啟動(dòng)時(shí)間等時(shí)，檢測(cè)構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器部的壓電元件的靜電容量。此外，根據(jù)該靜電容量，檢測(cè)構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器部的壓電元件有無(wú)劣化。在檢測(cè)出劣化的情況下，在預(yù)定期間，向壓電元件上施加由性能恢復(fù)部件生成的高電壓，其結(jié)果，在劣化原因是由于壓電元件內(nèi)的絕緣破壞特性等劣化引起時(shí)，則通過(guò)施加高電壓可以除去其原因。因此，根據(jù)本發(fā)明，可檢測(cè)由于壓電元件潛在缺陷引起的微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部性能劣化，此外，因?yàn)樵跈z測(cè)出劣化時(shí)，能使劣化的性能恢復(fù)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)壽命的穩(wěn)定的定位控制。
本發(fā)明的磁頭定位裝置的構(gòu)成是這樣的，在檢測(cè)出由壓電元件的缺陷部分引起的微動(dòng)作動(dòng)器部的性能劣化時(shí)，上述性能恢復(fù)部件在壓電元件上施加交流高電壓。
通過(guò)該構(gòu)成，與向壓電元件上施加直流高壓的情況相比，通過(guò)加交流高壓、減輕了由高電壓給予壓電元件的應(yīng)力，能夠防止由于施加高電壓引起的微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部性能劣化。
本發(fā)明的磁頭定位裝置的構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器部的壓電元件由壓電薄膜構(gòu)成。
通過(guò)該構(gòu)成，在能夠?qū)崿F(xiàn)小型微動(dòng)作動(dòng)器部的同時(shí)，通過(guò)劣化檢測(cè)部件以及性能恢復(fù)部件檢測(cè)由壓電元件潛在的缺陷引起的微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化，此外，能夠?qū)崿F(xiàn)在檢測(cè)出劣化時(shí)，能使劣化的性能恢復(fù)的、長(zhǎng)壽命穩(wěn)定的定位控制的磁頭定位裝置。
本發(fā)明的磁盤(pán)裝置具有上述磁頭定位裝置。
通過(guò)該構(gòu)成，檢測(cè)由壓電潛在缺陷引起的微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化，此外，能夠?qū)崿F(xiàn)在檢測(cè)出劣化時(shí)，能使劣化的性能恢復(fù)的、長(zhǎng)壽命穩(wěn)定的磁盤(pán)裝置。
圖2是本發(fā)明磁頭定位裝置的控制部的具體方框圖。
圖3是本發(fā)明磁頭定位裝置的控制部另外的具體方框圖。
圖4是示出由現(xiàn)有的壓電薄膜構(gòu)成的壓電元件構(gòu)成的微動(dòng)作動(dòng)器的圖。
(第1實(shí)施方式)

圖1是本發(fā)明第1實(shí)施方式的磁頭定位裝置的構(gòu)成圖。
在圖1中，作為磁盤(pán)狀的記錄媒體之一的磁盤(pán)11(以下稱(chēng)為磁盤(pán))上進(jìn)行信息記錄再生的磁頭(以下稱(chēng)為磁頭)12一體安裝在磁頭滑動(dòng)架13的前端部上。磁頭滑動(dòng)架13裝載在作為微動(dòng)作動(dòng)器部的微動(dòng)作動(dòng)器52的前端部分上，此外，微動(dòng)作動(dòng)器52連接在磁頭支持機(jī)構(gòu)14的前端部上。磁頭支持機(jī)構(gòu)14以設(shè)置在磁盤(pán)裝置主體上的旋轉(zhuǎn)軸作為中心，通過(guò)作為粗動(dòng)作動(dòng)器部的粗動(dòng)作動(dòng)器51驅(qū)動(dòng)，與微動(dòng)作動(dòng)器52協(xié)動(dòng)，進(jìn)行磁頭12的定位。這樣，本磁頭定位裝置上的定位機(jī)構(gòu)的構(gòu)成是這樣的，作為磁頭定位部件配備粗動(dòng)作動(dòng)器51和微動(dòng)作動(dòng)器52的二級(jí)作動(dòng)器。粗動(dòng)作動(dòng)器51通過(guò)音圈馬達(dá)等使磁頭支持機(jī)構(gòu)14旋轉(zhuǎn)，使前端部分的磁頭12運(yùn)動(dòng)，主要用于搜索動(dòng)作或多道磁道跳躍等大的移動(dòng)。一方面，微動(dòng)作動(dòng)器52由piezo壓電元件等壓電元件或電畸變?cè)?以下稱(chēng)為壓電元件)構(gòu)成。由此，微動(dòng)作動(dòng)器52通過(guò)進(jìn)行可動(dòng)范圍窄而進(jìn)行寬帶的位置控制，在高速響應(yīng)性下使前端的磁頭12移動(dòng)，主要用于磁道追隨或1磁道跳躍等的高速下微小定位。這樣定位的磁頭12對(duì)通過(guò)旋轉(zhuǎn)操作機(jī)構(gòu)17旋轉(zhuǎn)的磁盤(pán)11進(jìn)行信息的記錄再生。
用本磁頭定位裝置的定位機(jī)構(gòu)根據(jù)從控制部16來(lái)的控制信號(hào)作驅(qū)動(dòng)定位?？刂撇?6根據(jù)微動(dòng)作動(dòng)器52的變位量的相對(duì)變位信號(hào)y2，和用位置檢測(cè)部60生成的現(xiàn)在位置信號(hào)y以及用于作所要求的定位動(dòng)作的指示的目標(biāo)位置信號(hào)r等，生成控制信號(hào)。位置檢測(cè)部60從磁頭12讀出在磁盤(pán)11上記錄的伺服信號(hào)，根據(jù)該伺服信息生成表示磁頭12現(xiàn)在位置的現(xiàn)在位置信號(hào)y。相對(duì)位置檢測(cè)部61以與微動(dòng)作動(dòng)器52變位量對(duì)應(yīng)的變位檢測(cè)信號(hào)X作為輸入信號(hào)，生成根據(jù)上述變位量的相對(duì)變位信號(hào)y2。
定位控制部62通過(guò)現(xiàn)在位置信號(hào)y，和從控制磁盤(pán)裝置全體的控制器10指示的目標(biāo)位置信號(hào)r，生成表示到達(dá)目標(biāo)位置的位置誤差的位置誤差信號(hào)。此外，定位控制部62對(duì)位置誤差信號(hào)以及相對(duì)變位信號(hào)y2進(jìn)行預(yù)定傳輸特性的濾波處理以及放大處理等，生成控制粗動(dòng)作動(dòng)器5 1的粗動(dòng)控制信號(hào)u1以及控制微動(dòng)作動(dòng)器52的微動(dòng)控制信號(hào)u2。粗動(dòng)驅(qū)動(dòng)部68輸入粗動(dòng)控制信號(hào)u1，相應(yīng)粗動(dòng)控制信號(hào)u1可以變換成能驅(qū)動(dòng)粗動(dòng)作動(dòng)器51的粗動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d1，通過(guò)粗動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d1驅(qū)動(dòng)粗動(dòng)作動(dòng)器51。微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69輸入微動(dòng)控制信號(hào)u2，相應(yīng)微動(dòng)控制信號(hào)u2，變換成能驅(qū)動(dòng)微動(dòng)作動(dòng)器52的微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2，通過(guò)微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2驅(qū)動(dòng)微動(dòng)作動(dòng)器52。這樣，控制部16通過(guò)由粗動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d1驅(qū)動(dòng)粗動(dòng)作動(dòng)器51，進(jìn)行磁頭12粗定位，通過(guò)由微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2驅(qū)動(dòng)微動(dòng)作動(dòng)器52，進(jìn)行磁頭12微定位。
此外，本磁頭定位裝置具有作為檢測(cè)微動(dòng)作動(dòng)器52定位性能劣化，即壓電元件的變位特性劣化的劣化檢測(cè)部件的劣化檢測(cè)部63，用于在檢測(cè)該劣化時(shí)使該劣化恢復(fù)的性能恢復(fù)部件的性能恢復(fù)部64。劣化檢測(cè)部63輸入與構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件內(nèi)流過(guò)的電流量對(duì)應(yīng)的特性探測(cè)信號(hào)V。即本磁頭定位裝置為了檢測(cè)壓電元件的電特性變化，尤其是探測(cè)其劣化的狀態(tài)，把壓電元件內(nèi)流過(guò)的電流作為變換為電壓的特性探測(cè)信號(hào)V測(cè)定。劣化檢測(cè)部63把該特性探測(cè)信號(hào)V和表示預(yù)定基準(zhǔn)值的基準(zhǔn)電壓信號(hào)作比較，在該特性探測(cè)信號(hào)V超越由基準(zhǔn)電壓信號(hào)產(chǎn)生的基準(zhǔn)值時(shí)，判斷為檢測(cè)出發(fā)生劣化。這樣，劣化檢測(cè)部63通過(guò)特性探測(cè)信號(hào)V檢查壓電元件的變位特性的劣化狀態(tài)，根據(jù)其檢查結(jié)果，輸出劣化檢測(cè)信號(hào)det。性能恢復(fù)部64輸入劣化檢測(cè)信號(hào)det，在劣化檢測(cè)信號(hào)det表示檢出劣化時(shí)，輸出用于恢復(fù)壓電元件劣化的特性的高電壓信號(hào)hv。反之，性能恢復(fù)部64在劣化檢測(cè)部未表示檢出劣化時(shí)，不輸出該高電壓信號(hào)hv。微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69在輸出微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2之外，具有為了通過(guò)特性探測(cè)信號(hào)v進(jìn)行特性檢查而產(chǎn)生預(yù)定電壓的功能，或?yàn)榱耸固匦粤踊謴?fù)而輸出上述高電壓信號(hào)hv的功能。這些微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69的各功能通過(guò)從控制磁盤(pán)裝置全體的控制器10來(lái)的轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt進(jìn)行控制。即，微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69相應(yīng)從控制部10來(lái)的轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt，輸出驅(qū)動(dòng)微動(dòng)作動(dòng)器52的微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2或高電壓信號(hào)hv等。
以上，本磁頭定位裝置通過(guò)具有這樣的劣化檢測(cè)部63，性能恢復(fù)部64以及微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69，檢出構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電變位特性劣化，在產(chǎn)生這樣的特性劣化時(shí)，使壓電元件的劣化特性恢復(fù)，即微動(dòng)作動(dòng)器52的劣化性能的恢復(fù)是可能的。
以下，如果采用本實(shí)施方式的磁頭定位裝置，檢出構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件的劣化，在檢測(cè)出劣化時(shí)，使壓電元件劣化的特性恢復(fù)成為可能的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
劣化檢測(cè)部63為了檢查壓電元件的劣化，把壓電元件內(nèi)流過(guò)的電流作為變換為電壓的特性探測(cè)信號(hào)V檢出。即，在這里，測(cè)定作為壓電元件電特性的壓電元件內(nèi)流過(guò)的電流量。為了檢出該電流量，控制器10通過(guò)轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt把由微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69預(yù)定的一定電壓值的信號(hào)輸出到微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69那樣指示。進(jìn)行這樣的劣化檢測(cè)以及性能恢復(fù)的定時(shí)，例如在每次磁盤(pán)裝置啟動(dòng)時(shí)進(jìn)行等，預(yù)定的定時(shí)由控制器10設(shè)定。與該定時(shí)配合，控制器10指示劣化檢出以及性能恢復(fù)的動(dòng)作。劣化檢測(cè)部63在壓電元件上施加該一定電壓值的信號(hào)時(shí)，檢測(cè)流過(guò)的電流。劣化檢測(cè)部63檢查由特性探測(cè)信號(hào)V表示的電流值是否落在預(yù)定的范圍。劣化檢測(cè)部63在根據(jù)該檢查結(jié)果，電流值在預(yù)定范圍外時(shí)，判定壓電元件劣化，通過(guò)劣化檢測(cè)信號(hào)det，把作為其判定結(jié)果的劣化檢測(cè)通知性能恢復(fù)部64以及控制器10。即，在壓電元件是正常時(shí)，用特性探測(cè)信號(hào)V表示的電流值作為正常值處于預(yù)先確定的預(yù)定范圍內(nèi)?？墒?，一旦產(chǎn)生壓電元件的電特性劣化，則通過(guò)該劣化，電流量也變化，電流值處于預(yù)定范圍外。劣化檢測(cè)部63這樣檢測(cè)壓電元件的劣化，通過(guò)通知檢出的結(jié)果，進(jìn)行作為劣化檢測(cè)部件的動(dòng)作。
性能恢復(fù)部64生成具有預(yù)定高電壓值的高電壓信號(hào)hv，在通過(guò)劣化檢測(cè)部63進(jìn)行劣化檢出的通知時(shí)，把高電壓信號(hào)hv輸出到微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69。接著，控制器10通過(guò)劣化檢測(cè)部63進(jìn)行劣化檢測(cè)通知時(shí)，如通過(guò)微動(dòng)作動(dòng)器69輸出上述高電壓信號(hào)hv那樣、通過(guò)轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt給微動(dòng)驅(qū)動(dòng)器69指示。這樣，檢出劣化時(shí)，壓電元件通過(guò)經(jīng)由微動(dòng)作動(dòng)器69施加由性能恢復(fù)部69生成的高電壓信號(hào)hv，進(jìn)行作為性能恢復(fù)部件的動(dòng)作。
一方面，劣化檢測(cè)部63，通過(guò)檢查結(jié)果，由特性探測(cè)信號(hào)V表示的電流值處于預(yù)定范圍內(nèi)時(shí)，判定為未劣化，通過(guò)劣化檢測(cè)信號(hào)det，把作為其判定結(jié)果的未劣化通知性能恢復(fù)部64以及控制器10。在未劣化的情況下，控制器10如通過(guò)微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69輸出微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2，則通過(guò)轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt給微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69指示。由此，本磁頭定位裝置開(kāi)始磁頭12的定位動(dòng)作。
通過(guò)進(jìn)行如上所示的動(dòng)作，即使本磁頭定位裝置處于構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件裝入本磁頭定位裝置內(nèi)被使用的狀態(tài)下，也檢測(cè)壓電元件的劣化，如果檢測(cè)出其劣化，則使其劣化性能恢復(fù)正常成為可能。這樣，本磁頭定位裝置即使在壓電元件裝入磁頭定位裝置內(nèi)之后，也能定期地檢查構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件的狀態(tài)。此外，如果根據(jù)檢查結(jié)果確認(rèn)發(fā)生劣化，則能使其劣化性能恢復(fù)正常。不過(guò)，因?yàn)橛糜诨謴?fù)劣化性能的高電壓信號(hào)hv只在確認(rèn)其劣化時(shí)施加，所以也不會(huì)因高電壓信號(hào)hv產(chǎn)生的應(yīng)力引起劣化加速。
如上述所示，作為壓電元件的壓電元件有時(shí)具有在檢查階段不顯現(xiàn)的潛在缺陷。一旦把具有這樣潛在缺陷的壓電元件用于微動(dòng)作動(dòng)器時(shí)，微動(dòng)作動(dòng)器本身的定位動(dòng)作形成朝向其缺陷部分的應(yīng)力，產(chǎn)生使其缺陷部分增大等的變形。作為這樣的缺陷部分，有在構(gòu)成壓電元件的壓電薄膜內(nèi)的針眼或在壓電薄膜形成時(shí)混入的雜質(zhì)等。由這類(lèi)原因產(chǎn)生的缺陷，在增大其缺陷部分等變形過(guò)程中，形成裂痕或電短路而顯現(xiàn)化。此外，一旦具有這類(lèi)缺陷的壓電元件暴露在高濕度環(huán)境內(nèi)，則產(chǎn)生結(jié)霜，水分侵入針眼或裂痕內(nèi)，也會(huì)引起變位特性劣化。
本磁頭定位裝置內(nèi)的劣化檢測(cè)部63，為了檢測(cè)出以上所述的過(guò)程中顯現(xiàn)化的裂痕或電短路等產(chǎn)生的劣化，利用流過(guò)壓電元件的微小電流。此外，本磁頭定位裝置在作為電短路，劣化顯現(xiàn)時(shí)，通過(guò)把性能恢復(fù)部64生成的高電壓信號(hào)hv從微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69施加到微動(dòng)作動(dòng)器52上，進(jìn)行燒斷壓電元件內(nèi)的電短路部分的動(dòng)作。本磁頭定位裝置，即使對(duì)由于缺陷部分引起的絕緣破壞特性的劣化也可以通過(guò)高電壓信號(hào)hv施加在微動(dòng)作動(dòng)器52上，局部除去缺陷附近的電極，防止由于絕緣破壞特性劣化產(chǎn)生的影響。在因結(jié)霜引起變位特性劣化那樣的情況下，通過(guò)施加高電壓信號(hào)hv，使壓電元件自身發(fā)熱，除去水分的影響也是可能的。因?yàn)楸景l(fā)明只在檢測(cè)變位特性劣化時(shí)施加高電壓信號(hào)hv，所以可以把施加高電壓信號(hào)hv的頻度抑制得很低，不會(huì)因高電壓信號(hào)hv引起的應(yīng)力所產(chǎn)生的劣化加速。
以上，本磁頭定位裝置具有容易實(shí)現(xiàn)的劣化檢測(cè)部63，性能恢復(fù)部64以及微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69。由此，本磁頭定位裝置檢出由壓電元件的缺陷部分引起的微動(dòng)作動(dòng)器性能的劣化，此外因?yàn)樵跈z測(cè)出劣化的時(shí)，劣化的性能的恢復(fù)是可能的，所以能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)壽命的穩(wěn)定的定位控制。
圖2是示出本磁頭定位裝置的控制部16更具體結(jié)構(gòu)的方框圖。關(guān)于與圖1構(gòu)成元件對(duì)應(yīng)的構(gòu)成元件附加同一符號(hào)，為了更容易了解要點(diǎn)，作成由控制部16驅(qū)動(dòng)微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件520的構(gòu)成例。
在圖2中，劣化檢測(cè)部63由輸出表示預(yù)定基準(zhǔn)值的基準(zhǔn)電壓信號(hào)的基準(zhǔn)值電路631，電阻器632，以及對(duì)從基準(zhǔn)值電路631來(lái)的基準(zhǔn)電壓信號(hào)和電阻器632的一端特性探測(cè)信號(hào)V進(jìn)行比較的比較器633構(gòu)成。在檢測(cè)出壓電元件520劣化時(shí)，微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69通過(guò)從控制器10來(lái)的轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt的指示對(duì)壓電元件520施加預(yù)定信號(hào)電平的檢查信號(hào)t。這時(shí)，劣化檢測(cè)部63輸入與流入壓電元件的電流量對(duì)應(yīng)的特性探測(cè)信號(hào)V。即，電阻器632的一端與壓電520一端連接，電阻器632的另一端接地，壓電元件520和電阻器632之間串連。由此，劣化檢測(cè)部63通過(guò)加檢查信號(hào)t在電阻器532內(nèi)流過(guò)電流產(chǎn)生的電阻器632兩端間的電壓作為特性探測(cè)信號(hào)V輸入。
例如，在磁盤(pán)裝置啟動(dòng)時(shí)等預(yù)先設(shè)定時(shí)，通過(guò)微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69作為預(yù)定的一定信號(hào)電平的檢查信號(hào)t，把1伏的一定電壓施加在串聯(lián)的壓電元件520和電阻器632上。通常，在用壓電薄膜構(gòu)成的壓電元件中，其正常時(shí)的電阻值大約為10兆歐。一旦把電阻器632的電阻值作成10千歐，則電阻器632兩端電壓約為1毫伏。可是，在壓電元件520上發(fā)生微小的電短路時(shí)，壓電元件520的電阻值降低到1兆歐以下，例如10千歐左右。這時(shí)的電阻器632兩端間的電壓約為0.5伏左右。劣化檢測(cè)部63利用這樣的原理檢測(cè)電短路等的劣化。
比較器633對(duì)電阻器632兩端的特性探測(cè)信號(hào)V和從基準(zhǔn)值電路631來(lái)的輸出信號(hào)進(jìn)行比較，在特性探測(cè)信號(hào)V超過(guò)從基準(zhǔn)值電路631來(lái)的輸出信號(hào)電平時(shí)，判定檢測(cè)出劣化。即，在本具體例中，作為特性探測(cè)信號(hào)V的正常范圍為大于零電平且小于來(lái)自基準(zhǔn)值電路631的基準(zhǔn)電壓信號(hào)電平。比較器633把該判定結(jié)果作為劣化檢測(cè)信號(hào)det，把有無(wú)劣化通知性能恢復(fù)部64以及控制器10。
性能恢復(fù)部64由發(fā)生高電壓的高電壓發(fā)生器641以及開(kāi)關(guān)642構(gòu)成。高電壓發(fā)生器641生成作為燒斷壓電元件520產(chǎn)生的電短路原因的元件那樣的高電壓信號(hào)hv。為了防止壓電元件520自身的破壞，高電壓信號(hào)hv的電壓值處于壓電元件520的分解電壓以下，此外，從1千赫到10千赫的交流信號(hào)較好。開(kāi)關(guān)642在由劣化檢測(cè)部63通知劣化檢出時(shí)，進(jìn)行由性能恢復(fù)部64輸出高電壓信號(hào)hv的動(dòng)作。
微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69由以下部件構(gòu)成，即，把微動(dòng)控制信號(hào)u2變換為微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2的驅(qū)動(dòng)電路691，輸出用于檢出在壓電元件520內(nèi)流過(guò)電流的、預(yù)定的一定信號(hào)電平的檢查信號(hào)t的定電壓發(fā)生器692，以及通過(guò)從控制器10來(lái)的轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt的指示，選擇輸出信號(hào)的選擇器693。選擇器693在進(jìn)行通常的定位動(dòng)作時(shí)，通過(guò)從控制器10來(lái)的指示選擇驅(qū)動(dòng)電路691的輸出，把用于定位的微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2輸出到壓電元件520，即，微動(dòng)作動(dòng)器52，執(zhí)行定位控制。不過(guò)，在例如磁盤(pán)裝置啟動(dòng)時(shí)等預(yù)先設(shè)定時(shí)，選擇器693選擇定電平發(fā)生器692的輸出。由此，為了檢測(cè)流過(guò)壓電元件520的電流，微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69輸出預(yù)定的一定電壓值的檢查信號(hào)t。利用該一定的電壓，劣化檢測(cè)部63進(jìn)行壓電元件520發(fā)生劣化的檢出。在檢測(cè)發(fā)生劣化時(shí)，從控制器10來(lái)的轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt對(duì)預(yù)定期間選擇器693作選擇高電壓信號(hào)hv那樣的指示。由此微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部69把高電壓信號(hào)施加在壓電元件520上，進(jìn)行燒掉電短路部分那樣的動(dòng)作等。
以上，通過(guò)圖2所示那樣的控制部16的構(gòu)成，即使構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件520具存潛在的缺陷，也可以檢測(cè)由該缺陷引起的微動(dòng)作動(dòng)器52性能的劣化，在檢測(cè)出劣化時(shí)，可使劣化的性能恢復(fù)，由此，可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命穩(wěn)定的定位控制。
圖3是示出本磁頭定位裝置中的控制部16另外的具體構(gòu)成一例的方框圖。對(duì)于與圖2構(gòu)成元件對(duì)應(yīng)的構(gòu)成元件，附加同一符號(hào)，此外，控制部用控制部26表示。為了容易理解要點(diǎn)，作成由控制部26驅(qū)動(dòng)微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件520的構(gòu)成例。本控制部26利用使用微處理器的數(shù)據(jù)處理進(jìn)行定位控制以及檢出壓電元件520的劣化和劣化的恢復(fù)，可是，與圖2說(shuō)明的控制部16不同。即控制部26，與圖2說(shuō)明的控制部16構(gòu)成不同，然而作為磁頭定位裝置進(jìn)行同一動(dòng)作，可以得到相同效果。
在圖3，控制部26具有微處理器260，存儲(chǔ)器261，AD變換器263，AD變換器264，DA變換器265，DA變換器266，驅(qū)動(dòng)電路681，驅(qū)動(dòng)電路691以及進(jìn)行這些數(shù)據(jù)通信的公共總線269。在存儲(chǔ)器261內(nèi)儲(chǔ)存進(jìn)行磁頭12的定位控制、接著進(jìn)行壓電元件520的劣化或恢復(fù)的控制程序262。微處理器260通過(guò)讀取執(zhí)行該控制程序262，進(jìn)行定位控制或壓電元件520劣化的檢出或恢復(fù)那樣發(fā)揮功能。
通過(guò)這樣的構(gòu)成，微處理器260順序讀取控制程序262，根據(jù)讀取的內(nèi)容執(zhí)行。尤其是用于進(jìn)行壓電元件520劣化的檢出或恢復(fù)那樣發(fā)揮功能的順序通過(guò)下述各步驟實(shí)現(xiàn)。
作為步驟1，通過(guò)轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt把從定電壓發(fā)生器692來(lái)的檢查信號(hào)輸出到壓電元件520那樣地指示。
作為步驟2，把特性探測(cè)信號(hào)V作為變換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的特性探測(cè)數(shù)據(jù)取出。與控制部16同樣，特性探測(cè)信號(hào)V與電阻器632一端以及壓電元件520一端連接，電阻器632另一端接地。由此，在電阻器632的兩端間，流過(guò)微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件520的電流作為電壓出現(xiàn)。該電壓作為特性探測(cè)信號(hào)V輸入到把模擬信號(hào)變換成數(shù)字信號(hào)的AD變換器264，微處理器260經(jīng)公共總線269作為特性探測(cè)數(shù)據(jù)取出。
作為步驟3，判定特性探測(cè)數(shù)據(jù)的值是否進(jìn)入預(yù)定值的范圍，在未進(jìn)入預(yù)定值的范圍時(shí)，儲(chǔ)存為發(fā)生劣化。
作為步驟4，根據(jù)步驟3的判定結(jié)果，在發(fā)生劣化時(shí)，進(jìn)入步驟5，在未發(fā)生劣化時(shí)，進(jìn)入步驟8。
作為步驟5，通過(guò)轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt，把從高電壓發(fā)生器641來(lái)的高電壓信號(hào)hv輸出到壓電元件520那樣地指示。對(duì)該動(dòng)作持續(xù)預(yù)定時(shí)間或預(yù)定次數(shù)。
作為步驟6，判定特性探測(cè)數(shù)值是否進(jìn)入預(yù)定值范圍，在未進(jìn)入預(yù)定范圍時(shí)，儲(chǔ)存為劣化不能修復(fù)。
作為步驟7，根據(jù)步驟6的判定結(jié)果，在不能修復(fù)劣化時(shí)，返回管理磁盤(pán)裝置全體的主程序。在劣化修復(fù)過(guò)的情況下，進(jìn)入步驟8。
作為步驟8，通過(guò)轉(zhuǎn)換指示信號(hào)cnt，把從驅(qū)動(dòng)電路691來(lái)的微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2輸出到壓電元件520那樣地指示。用于生成微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2的微動(dòng)控制數(shù)據(jù)，通過(guò)微處理器260執(zhí)行進(jìn)行定位控制的程序而生成。生成的微動(dòng)控制數(shù)據(jù)通過(guò)把數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)變換為模擬信號(hào)的DA變換器266而變換為微動(dòng)控制信號(hào)u2。這樣，輸出微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)d2。
在步驟9，返回主程序。
主程序在劣化不能修復(fù)時(shí)，調(diào)用進(jìn)行定位控制的程序，通過(guò)微處理器260進(jìn)行定位控制處理。
以上，通過(guò)圖3所示的控制部26的構(gòu)成，即使構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件520具有潛在缺陷，也能檢測(cè)由該缺陷引起的微動(dòng)作動(dòng)器52的性能劣化，在檢測(cè)出劣化時(shí)，可能使劣化的性能恢復(fù)，由此可以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命穩(wěn)定的定位控制。
在本發(fā)明中，檢出微動(dòng)作動(dòng)器52的定位性能劣化的劣化檢測(cè)部63，利用在構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件520內(nèi)流過(guò)的電流，檢測(cè)劣化，然而作為例如其它的電特性，利用由劣化引起靜電容量變化的方法也可以。即由于壓電元件是一種電容器，所以在例如檢測(cè)出劣化時(shí)，用壓電元件構(gòu)成諧振電路，通過(guò)測(cè)定該諧振電路的頻率，間接地測(cè)定由劣化引起電容量變化，這樣，檢測(cè)壓電元件劣化的構(gòu)成等也是可能的。
通過(guò)將本磁頭定位裝置與記錄再生信息的磁盤(pán)11、使磁盤(pán)旋轉(zhuǎn)操作的旋轉(zhuǎn)操作機(jī)構(gòu)17、控制磁盤(pán)裝置全體的控制器10以及裝入這些的主體一體化組合，即使在構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器52的壓電元件具有潛在的缺陷，也可以檢出由該缺陷引起的微動(dòng)作動(dòng)器52性能劣化，此外，能夠在檢測(cè)出劣化時(shí)，實(shí)現(xiàn)能使劣化性能恢復(fù)、進(jìn)行長(zhǎng)壽命穩(wěn)定的定位控制的磁盤(pán)裝置。
在本發(fā)明中，磁頭12作為進(jìn)行信息記錄再生的磁頭12進(jìn)行說(shuō)明，然而，即使是在一只磁頭上進(jìn)行信息記錄和再生的結(jié)構(gòu)，或在磁頭滑動(dòng)架13上有2只磁頭，一只進(jìn)行記錄，另一只進(jìn)行再生的結(jié)構(gòu)也行。
在本發(fā)明中，例舉在磁盤(pán)11的一面上進(jìn)行記錄或再生的例子進(jìn)行說(shuō)明，然而，即使是用于磁盤(pán)11的兩面上進(jìn)行記錄或再生的磁頭定位裝置以及磁盤(pán)裝置，或用于具有多只磁盤(pán)一起旋轉(zhuǎn)進(jìn)行記錄或再生的磁頭定位裝置以及磁盤(pán)裝置也行。
在本發(fā)明中，以磁盤(pán)裝置為例進(jìn)行說(shuō)明，然而，本發(fā)明并不限于此，例如也能適用于例如利用光頭形態(tài)的光盤(pán)裝置等。
如以上說(shuō)明所示，本發(fā)明的磁頭定位裝置具有作為檢測(cè)微動(dòng)作動(dòng)器的定位裝置性能劣化的劣化檢出部件的劣化檢測(cè)部，在檢測(cè)出該劣化時(shí)，作為用于恢復(fù)其劣化性能的恢復(fù)部件的性能恢復(fù)部。微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部除了輸出微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的功能外，也有產(chǎn)生用于檢測(cè)劣化的預(yù)定電壓的功能，或輸出用于使其劣化恢復(fù)的功能。由此，即使構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器的壓電元件在裝入本定位裝置內(nèi)的狀態(tài)下引起變位特性劣化，以壓電元件劣化作為電特性劣化，也由劣化檢出部檢出，此外，在產(chǎn)生這樣的特性劣化時(shí)，通過(guò)把從性能恢復(fù)部來(lái)的高電壓的信號(hào)加在壓電元件上使其劣化恢復(fù)也是可能的。
即，劣化檢出部預(yù)先設(shè)定磁盤(pán)裝置啟動(dòng)等時(shí)，檢測(cè)在構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器的壓電內(nèi)流過(guò)的電流值或壓電元件的靜電容量。根據(jù)該電流值或靜電容量，檢查構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器的壓電元件有無(wú)劣化。在判定有劣化時(shí)，把由性能恢復(fù)部生成的高電壓信號(hào)經(jīng)微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部，在預(yù)定期間加在壓電元件上。其結(jié)果，劣化原因是由于壓電元件內(nèi)電短路或絕緣破壞特性劣化引起時(shí)，則可以通過(guò)高電壓信號(hào)除去該原因。即，對(duì)于顯現(xiàn)化的定位性能劣化，可以除去其劣化原因，使恢復(fù)已劣化的定位性能成為可能。因此根據(jù)本發(fā)明，檢測(cè)由壓電元件潛在缺陷引起的微動(dòng)作動(dòng)器性能劣化，在檢測(cè)出劣化時(shí)，使劣化性能恢復(fù)成為可能，由此，提供能實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命穩(wěn)定的定位控制的磁頭定位裝置及使用它的磁盤(pán)裝置。
權(quán)利要求
1.一種磁頭定位裝置，其包括作為磁頭定位部件的、由通過(guò)壓電元件進(jìn)行微定位的微動(dòng)作動(dòng)器部和進(jìn)行粗定位的粗動(dòng)作動(dòng)器部構(gòu)成的作動(dòng)器，其特征為，具有通過(guò)測(cè)定所述壓電元件的電特性、檢測(cè)所述電特性有無(wú)劣化，來(lái)檢測(cè)由所述壓電元件的缺陷部分引起的所述微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化的劣化檢測(cè)部件，以及在檢測(cè)出所述壓電元件的所述電特性劣化時(shí)，通過(guò)在所述壓電元件上施加高電壓，使由所述壓電元件的所述缺陷部分引起的所述微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化恢復(fù)的性能恢復(fù)部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭定位裝置，其特征為，構(gòu)成所述微動(dòng)作動(dòng)器的所述壓電元件由壓電薄膜構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁頭定位裝置，其特征為，在所述性能恢復(fù)部件檢測(cè)出由所述壓電元件的缺陷部分引起的所述微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化時(shí)，在所述壓電元件上施加所述交流高電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭定位裝置，其特征為，所述劣化檢測(cè)部件以所述壓電元件內(nèi)流過(guò)的電流作為所述電特性進(jìn)行測(cè)定，在測(cè)定的所述電流的電流值超過(guò)正常電流值范圍時(shí)，檢測(cè)出由所述壓電元件的缺陷部分引起的所述微動(dòng)作動(dòng)器部的性能劣化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭定位裝置，其特征為，構(gòu)成所述微動(dòng)作動(dòng)器的所述壓電元件由壓電薄膜構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁頭定位裝置，其特征為，所述性能恢復(fù)部件在檢測(cè)出由所述壓電元件的缺陷部分引起的所述微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化時(shí)，在所述壓電元件上施加所述交流高電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭定位裝置，其特征為，所述劣化檢測(cè)部件以所述壓電元件的靜電容量作為所述電特性進(jìn)行測(cè)定，在測(cè)定的靜電容量超過(guò)正常靜電容量范圍時(shí)，檢測(cè)出由所述壓電元件的缺陷部分引起的所述微動(dòng)作動(dòng)器部的性能劣化。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭定位裝置，其特征為，構(gòu)成所述微動(dòng)作動(dòng)器的所述壓電元件由壓電薄膜構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭定位裝置，其特征為，所述性能恢復(fù)部件在檢測(cè)出由所述壓電元件的缺陷部分引起的所述微動(dòng)作動(dòng)器部性能劣化時(shí)，在所述壓電元件上施加所述交流高電壓。
10.一種具有權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的磁頭定位裝置的磁盤(pán)裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁頭定位裝置以及使用它的磁盤(pán)裝置，其中磁頭定位裝置具有通過(guò)在構(gòu)成微動(dòng)作動(dòng)器(52)的壓電元件內(nèi)流過(guò)的電流，檢出微動(dòng)作動(dòng)器(52)劣化的劣化檢出部(63)，在檢測(cè)出劣化時(shí)用于恢復(fù)其劣化的性能恢復(fù)部(64)。微動(dòng)驅(qū)動(dòng)部(69)除了生成微動(dòng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)功能之外，也有產(chǎn)生用于檢出劣化的預(yù)定電壓的功能或輸出用于恢復(fù)劣化的高電壓的功能。由此，即使發(fā)生由電短路產(chǎn)生的定位性能劣化，也能提供實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)壽命、穩(wěn)定的定位控制。
文檔編號(hào)G11B5/55GK1417796SQ0214642
公開(kāi)日2003年5月14日 申請(qǐng)日期2002年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月5日
發(fā)明者高祖洋, 桑島秀樹(shù) 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社