專利名稱：在記錄介質(zhì)中的信號記錄的方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及在光驅(qū)中記錄數(shù)據(jù)的方法，該方法使用了與光盤記錄特性一致的光驅(qū)寫入策略。
相關(guān)技術(shù)的描述通常，可寫入光盤的特性是不同的，特性的不同歸因于他們不同的制造公司。
因此，一個磁盤設(shè)備，如一個CD寫入器，引導(dǎo)一個優(yōu)化功率校正器(OPC)，使用磁盤制造商給定的標(biāo)準(zhǔn)寫入功率，以便于在記錄數(shù)據(jù)寫入磁盤之前就能獲得最優(yōu)的寫入功率。
此外，可寫入每個磁盤制造公司不同，對于可寫入磁盤的寫入策略也不同。因此，一個磁盤設(shè)備的微處理器存儲與每一個公司的磁盤標(biāo)準(zhǔn)存儲量(如，74秒鐘)相關(guān)的特殊寫入策略的信息，并且檢測哪一個公司是該插入磁盤的制造公司。而后，它讀出適合該公司-的寫作策略并將數(shù)據(jù)寫入已插入的磁盤中，同寸根據(jù)讀出/寫入策略將脈沖水平和/或?qū)懭朊}沖帶寬調(diào)整到最優(yōu)功率。
另一方面，可寫入磁盤的磁道間距可根據(jù)磁盤存儲量變化。如，一個標(biāo)準(zhǔn)存儲量(74分鐘)的磁盤，它的磁道間距是大約1.6μm，然而，如果一個80分鐘存儲量的磁盤，它的磁道間距將小于1.6μm。
然而，盡管有這些不同，一個傳統(tǒng)的磁盤設(shè)備，可把標(biāo)準(zhǔn)存儲量的寫入策略使用到插入的80分鐘或是有更長存儲量的磁盤上。在這種情況下，就不能保證數(shù)據(jù)最優(yōu)的寫入到插入磁盤上了。
此外，一個磁盤制造處理時將采用噴涂材料的處理，這將使磁盤的外部厚于磁盤內(nèi)部。因為厚度的差別，記錄點向外移動到磁盤的外圍區(qū)域，記錄特性將變差。
為了防止其性能變差，寫入功率將被逐漸提高。然而，寫入功率越大臨道間的干擾也就越大。因為一個比標(biāo)準(zhǔn)74分鐘的存儲量越大的磁盤的磁道間距就越窄，當(dāng)外區(qū)域的寫入功率增加時，在磁道間的干擾也就比標(biāo)準(zhǔn)量的磁盤嚴(yán)重的多。
發(fā)明的概述本發(fā)明的目的提供了一個數(shù)據(jù)記錄的方法，可設(shè)置一個與磁盤的磁道間距或是存儲能力相一致的寫入策略，并根據(jù)確定了的寫入策略把信息記錄到可寫入磁盤中去。
根據(jù)本發(fā)明，把數(shù)據(jù)記錄到記錄介質(zhì)中的方法有以下的特點，它包括以下的步驟檢查記錄介質(zhì)的磁道間距或是存儲量；根據(jù)檢測出的磁道間距或是存儲量來調(diào)整寫入策略，該寫入策略是與記錄媒介制造商相一致的；使用調(diào)整好的寫入策略把輸入數(shù)據(jù)記錄到記錄介質(zhì)中。
本發(fā)明另一個把數(shù)據(jù)記錄到記錄介質(zhì)中的方法包括以下幾個步驟檢測記錄介質(zhì)的存儲量；當(dāng)檢測出的存儲量大于當(dāng)前值時，檢測記錄介質(zhì)當(dāng)前的記錄位置；如果檢測出的當(dāng)前位置超過了預(yù)置的位置時，把寫入策略調(diào)整到與記錄介質(zhì)制造商一致的位置。
圖例的簡要描述附圖的目的是為了更好的表述本發(fā)明，展現(xiàn)關(guān)于發(fā)明的實施例，并且與描述一起解釋本發(fā)明的原理。其中包含

圖1是一個磁盤驅(qū)動器的簡化框圖，其中包含本發(fā)明采用的數(shù)據(jù)記錄方法。
圖2是本發(fā)明數(shù)據(jù)記錄方法第一實施例的流程圖。
圖3是一個根據(jù)上述情況進(jìn)行脈沖展寬的例子。
圖4是本發(fā)明第二實施例中的數(shù)據(jù)記錄方法的流程圖。
圖5是對不同存儲量的介質(zhì)寫入策略的說明信息。
與本實施例相關(guān)的圖例說明為了全面了解本發(fā)明，將具體描述與本實施例相關(guān)的圖例。
圖1是一個磁盤驅(qū)動器的簡化框圖，其中包含本發(fā)明采用的數(shù)據(jù)記錄方法。
圖1的磁盤驅(qū)動器包括一個數(shù)字記錄信號處理單元30a，用于把輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成記錄形式的EFM(八到十五的調(diào)制)數(shù)據(jù)，并同時加入附加的糾錯碼(ECC)；一個信道比特編碼器40，用于把記錄形式的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成寫入信號；一個光驅(qū)41用于產(chǎn)生一個驅(qū)動LD(激光二極管)的信號；一個光傳感器20，用于在可寫入磁盤10表面寫入信號，或從可寫入磁盤10表面讀出已寫入的信號；一個R/F機構(gòu)，它通過從傳感器20檢測出信號的濾除和組合，可產(chǎn)生二進(jìn)制信號和TE(路徑錯誤)FE(聚焦錯誤)信號；一個ATIP譯碼器51，用于形成ATIP(PREGROOVE的絕對時間)幀，它通過對可寫入磁盤10檢測出的擺動信號進(jìn)行譯碼；一個驅(qū)動機構(gòu)70，可驅(qū)動滑動電機11b，移動光傳感器20和軸電機以旋轉(zhuǎn)磁盤10；一個伺服機構(gòu)60，可引導(dǎo)傳感器20上物鏡的跟蹤/聚焦操作，并可控制驅(qū)動機構(gòu)70以一個恒定的速度去旋轉(zhuǎn)磁盤10；一個數(shù)字再生信號處理機構(gòu)30b，可使用與二進(jìn)制信號脈沖同步的自動時鐘存儲來自二進(jìn)制信號的原始數(shù)據(jù)；還有一個微處理器80，用于控制整體的記錄/再生操作，特別是調(diào)整光驅(qū)41的寫入特性，該特性與寫入策略有關(guān)，該策略是通過存儲在內(nèi)ROM81中的磁盤情況制定的。
圖2是本發(fā)明數(shù)據(jù)記錄方法第一實施例的流程圖。圖2所示流程圖由圖1所示的磁盤驅(qū)動結(jié)構(gòu)執(zhí)行，這將在以后的內(nèi)容中詳細(xì)說明。
假設(shè)，微處理器80的內(nèi)ROM81存儲了關(guān)于每一個磁盤制造公司關(guān)于寫入策略的信息。
如果一個像CD-R樣的一次寫入磁盤被正確的安裝在磁盤驅(qū)動器(S10)中，它將在微處理器80的控制下以恒定的速度旋轉(zhuǎn)。然后，微處理器80分析從ATIP譯碼器51輸出的ATIP幀，以搜索從引入?yún)^(qū)譯碼的幀，該幀是第11(幀NO.N+10)幀和第21(幀NO.N+20)幀，也就是第二和第三特殊信息。每一個ATIP幀分別由三個被稱為“分”、“秒”和“幀”的字節(jié)組成。此兩幀對應(yīng)的三字節(jié)MSB碼分別為‘110’和‘111’。第11幀包括引入?yún)^(qū)啟動時間的信息，第21幀包括引出區(qū)啟動時間的信息。
當(dāng)兩幀找到后，微處理器80分別讀出其中的信息(S11)。同時，微處理器80分別設(shè)置第11幀的字節(jié)位M1∶S1∶F1為“100”，設(shè)置第21幀的字節(jié)為“000”。
不同的制造公司寫入第11幀的啟動時間也不同。因此，微處理器80可根據(jù)讀出的啟動時間來識別制造插入磁盤10的公司。從第三特殊信息，微處理器80可已知曉磁盤10的存儲量。舉個例子，如果第三特殊信息的三個字節(jié)是“01110000，0100 0101，0001 0101”，也就是說，啟動時間(位置)是70分鐘，45秒鐘和15幀，因為每一個字節(jié)都是BCD碼(十進(jìn)制數(shù)的二進(jìn)制編碼)。
一個微處理器80通過寫入第21幀引出區(qū)的啟動時間知曉了其存儲能力，并可使用一個被廣泛使用的等式和已知的存儲能力來計算磁道間距(S12)。如果已知存儲能力是74分鐘，磁道間距計算結(jié)果的標(biāo)準(zhǔn)值是1.6μm，然而，如果長于74分鐘，計算結(jié)果將是一個比標(biāo)準(zhǔn)的間距窄。微處理器80根據(jù)識別出的磁盤10的公司來選擇存儲在內(nèi)ROM81中的寫入策略(S13)。
然后，如果請求記錄數(shù)據(jù)(S20)，微處理器80檢驗計算出的磁道間距，如果該間距是標(biāo)準(zhǔn)的(大約1.6μm)，當(dāng)在磁盤10上記錄輸入數(shù)據(jù)時，它根據(jù)所選寫入策略來調(diào)整寫入脈沖的水平和/或帶寬(S22)。所述寫入脈沖通過執(zhí)行OPC確保它具有最優(yōu)的寫入功率。
當(dāng)數(shù)據(jù)被記錄后，數(shù)字記錄信號處理機構(gòu)30a將對輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼，并夾帶上校驗碼，以形成ECC組來提高數(shù)據(jù)記錄/再生的可靠性。每-個ECC組將以EFM形式的串行比特輸出，該輸出是從數(shù)字記錄信號處理機構(gòu)30a到信道比特編碼器40以把串行比特調(diào)制成NRZ信號。光驅(qū)41根據(jù)已調(diào)制NRZ信號輸出PWM(脈寬調(diào)制)寫入信號，同時根據(jù)所選寫入策略來調(diào)整PWM信號的水平和帶寬。光傳感器20把光驅(qū)41的輸出轉(zhuǎn)換成光束，以分別在可寫入磁盤10的軌道上形成掩碼和空碼。
然而，如果計算出的軌道間距窄于標(biāo)準(zhǔn)(S21)，微處理器80會指示光驅(qū)41反向展寬每個寫入脈沖使其與磁道間距成比例，同時按照定義的所選寫入策略保留每個脈沖的水平。可通過計算間距與標(biāo)準(zhǔn)的差別把所述每一個脈沖的水平降低。
調(diào)整率(Δ)可通過公式Δ＝k*1.6μm/“計算出的間距”給出，該公式中k是恒定的。為了替代計算磁道間距，調(diào)整率(Δ)可直接通過公式Δ＝k’*‘檢測出的磁盤量’/74分鐘得出，其中如果存儲容量已知，k’是一個恒定值。
圖3是一個根據(jù)上述情況進(jìn)行脈沖展寬的例子。調(diào)整率(Δ)可被所有相等或不等的寫入脈沖nT采用。當(dāng)不同的調(diào)整率被采用時，Δ用于3T，αΔ用于4T，2αΔ用于5T，等等。恒值α是通過多次試驗得出的。
光驅(qū)41的輸出PWM信號是通過調(diào)整輸入信號的脈寬得到的，例如，如圖3所示，輸出信號PWM通過光傳感器20寫入到可寫入磁盤10上(S23)。
這個寫入處理將被繼續(xù)直到完成數(shù)據(jù)記錄(S24)。
圖4是本發(fā)明第二實施例中的數(shù)據(jù)記錄方法的流程圖。
作為第二實施例，微處理器80的內(nèi)ROM81存儲了非標(biāo)準(zhǔn)量磁盤的調(diào)整系數(shù)(αk)和每個磁盤制造公司的標(biāo)準(zhǔn)量磁盤的每個脈沖kT的寬度Ti的信息。調(diào)整系數(shù)(αk)也是通過很多實驗獲得的。一個用作長脈沖的調(diào)整系數(shù)大于用于短脈沖的調(diào)整系數(shù)，也就是，αk＜αk+1。圖5表示的是存儲在微處理器80中的信息。
如圖1所示當(dāng)磁盤10被正確的放置到圖1的磁盤驅(qū)動器中時(S30)，微處理器80在分析從ATIP譯碼器51處輸出的ATIP幀時會旋轉(zhuǎn)磁盤10，微處理器80將識別磁盤制造商和磁盤量，如第一實施例所述(S31)。完成識別后，微機80將選擇一個適合于從內(nèi)ROM81處識別的制造商寫入策略(S32)。
然后，如果請求記錄數(shù)據(jù)(S40)，微處理器80將檢查所識別磁盤量，當(dāng)此時磁盤量大約是80分鐘(S41)長于標(biāo)準(zhǔn)值時，它將繼續(xù)檢查當(dāng)前記錄位置是否已經(jīng)覆蓋了特定的限制點，如磁盤10的2/3半徑處。可通過插入一個絕對時間來獲知當(dāng)前記錄位置的徑向位置，在每一個被分析得ATIP幀都以一個被廣泛承認(rèn)的公式形式MIN∶SEC∶FRAME寫入。
如果當(dāng)前位置還沒有到達(dá)限制點，微處理器80引導(dǎo)記錄數(shù)據(jù)，并根據(jù)已選擇的寫作策略調(diào)整寫入脈沖到一個最優(yōu)寫入功率的位置上(S44)。如果當(dāng)前位置已經(jīng)超過的限制點，微處理器80從ROM81上讀取每一個脈沖寬度(Tk)和每一個調(diào)整系數(shù)(αk)，并通過Tk乘以αk計算每個脈寬nT，通過微處理器80把它放置到光驅(qū)41中。
光驅(qū)41的PWM信號通過設(shè)置被調(diào)整到他們的寬度，并通過光傳感器20寫入到可寫入磁盤10中(S43)。這個寫入過程將繼續(xù)直到數(shù)據(jù)記錄完成(S50)。
如果被識別的存儲量是標(biāo)準(zhǔn)的，也就是74分鐘，微處理器80將執(zhí)行數(shù)據(jù)記錄，并根據(jù)以前所述的選擇的寫入策略來調(diào)整寫入脈沖(S44)。
上述數(shù)據(jù)記錄方法可提高以后再生數(shù)據(jù)的質(zhì)量，即使是被記錄到大于標(biāo)準(zhǔn)容量的非標(biāo)準(zhǔn)磁盤上。
與該領(lǐng)域的那些技術(shù)相比，多種修改和變更可使用到本發(fā)明中，且不改變本發(fā)明的宗旨和范圍。因此，本發(fā)明覆蓋了其附屬權(quán)利要求相應(yīng)范圍內(nèi)的修改和變更。
權(quán)利要求
1.在記錄介質(zhì)中的記錄數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，包括以下幾個步驟(a)檢查記錄媒介的磁道間距；(b)根據(jù)檢查出的磁道間距調(diào)整寫入策略，該寫入策略將是與記錄介質(zhì)的制造商相一致的；(c)使用已調(diào)整的寫入策略在記錄介質(zhì)中記錄輸入數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(a)根據(jù)編碼在ATIP信息中的引出區(qū)啟動時間檢查磁道間距，ATIP信息是從記錄介質(zhì)的引入?yún)^(qū)中檢查出的。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(C)記錄輸入數(shù)據(jù)，并根據(jù)所選的寫入策略調(diào)整最優(yōu)功率，該最優(yōu)功率是通過一個最優(yōu)功率校正確定的。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，如果所檢驗的磁道間距小于預(yù)置值，所述步驟(b)根據(jù)被檢測磁道間距和預(yù)置值之差按比例增加所選寫入策略的脈沖寬度。
5.一種在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，它包括以下步驟(a)檢查記錄媒介的存儲容量；(b)根據(jù)檢查出的存儲容量調(diào)整寫入策略，該寫入策略將與記錄介質(zhì)的制造商相對應(yīng)；(c)使用已調(diào)整的寫入策略在記錄介質(zhì)中記錄輸入數(shù)據(jù)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟(a)根據(jù)編碼在ATIP信息中的引出區(qū)啟動時間檢查存儲容量，ATIP信息是從記錄介質(zhì)的引入?yún)^(qū)中檢查出的。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟(C)記錄輸入數(shù)據(jù)，并根據(jù)所選的寫入策略調(diào)整最優(yōu)功率，該最優(yōu)功率是通過一個最優(yōu)功率校正確定的。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，如果所檢驗的存儲容量大于預(yù)置值，所述步驟(b)根據(jù)被檢測的存儲容量和預(yù)置值之差按比例增加所選寫入策略的脈沖寬度。
9.一種在記錄介質(zhì)中記錄數(shù)據(jù)的方法，其特征在于，包括以下步驟(a)檢查記錄媒介的存儲容量；(b)當(dāng)檢查出的存儲容量大于預(yù)置值時，檢查在記錄介質(zhì)上的當(dāng)前記錄位置；(c)如果檢查出當(dāng)前位置超過了預(yù)定位置時，調(diào)整寫入策略，該寫入策略與記錄介質(zhì)的制造商相對應(yīng)；
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述步驟(a)根據(jù)編碼在ATIP信息中的引出區(qū)啟動時間檢查存儲容量，ATIP信息是從記錄介質(zhì)的引入?yún)^(qū)中檢查出的。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，調(diào)整寫入策略以增加寫入脈沖的帶寬。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，對每個寫入脈沖以不同的速率增長其帶寬，寫入脈沖的范圍從3T到11T。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，預(yù)置位置大約在記錄媒介的2/3半徑處。
全文摘要
本發(fā)明涉及了使用一個寫入策略把記錄數(shù)據(jù)記錄到光驅(qū)中去的方法，該寫入策略是與光盤的記錄特性有關(guān)的。本發(fā)明的方法是檢測記錄介質(zhì)的磁道間距或存儲量，根據(jù)檢測出的磁道間距或存儲量調(diào)整寫入策略，此時寫入策略將與媒介制造商相一致，使用調(diào)節(jié)后的寫入策略把輸入數(shù)據(jù)記錄到記錄媒介中去。因此，以后再生數(shù)據(jù)的質(zhì)量將會提高，甚至是到非標(biāo)準(zhǔn)磁盤上的記錄能力也比標(biāo)準(zhǔn)的有所提高。
文檔編號G11B7/00GK1409301SQ0214589
公開日2003年4月9日 申請日期2002年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月25日
發(fā)明者韓龍熙, 樸成祐 申請人:Lg電子株式會社