專(zhuān)利名稱(chēng)：動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及一種動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置的方法，尤其涉及一種動(dòng)態(tài)設(shè)定刻錄功率內(nèi)存分配比例，并在決定各種不同可刻錄光盤(pán)片對(duì)應(yīng)的刻錄功率內(nèi)存分配比例后，先由一內(nèi)存低地址開(kāi)始儲(chǔ)存某一種可刻錄光盤(pán)片的最佳刻錄功率數(shù)據(jù)，另外再由一內(nèi)存高地址記錄另一種可刻錄光盤(pán)片的最佳刻錄功率數(shù)據(jù)的方法。
背景技術(shù)：
一般的光盤(pán)刻錄機(jī)，會(huì)依據(jù)同種可刻錄光盤(pán)片的不同廠牌、不同刻錄速度以及不同的盤(pán)片染料層配方，在數(shù)據(jù)刻錄動(dòng)作進(jìn)行之前，就先執(zhí)行對(duì)此可刻錄光盤(pán)片于進(jìn)行數(shù)據(jù)刻錄時(shí)最佳刻錄功率的調(diào)校，并將調(diào)校的結(jié)果記錄在刻錄功率內(nèi)存(如一電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM)中。一般而言，光盤(pán)刻錄機(jī)執(zhí)行刻錄動(dòng)作的對(duì)象可分為CD-R或CD-RW兩種，所以此刻錄功率內(nèi)存的內(nèi)存空間是以一比一方式分配予CD-R與CD-RW使用，且對(duì)CD-R或CD-RW所分配到的內(nèi)存空間而言，每一筆不同的最佳刻錄功率數(shù)據(jù)均由各自的低內(nèi)存地址處記錄至高內(nèi)存地址處。此種內(nèi)存空間配置方式，在使用者僅喜好刻錄某特定種可刻錄光盤(pán)片(如CD-R或CD-RW其中之一)時(shí)，相關(guān)的最佳刻錄功率數(shù)據(jù)是持續(xù)地在所屬的內(nèi)存空間中由低地址開(kāi)始逐筆記錄，當(dāng)對(duì)應(yīng)的內(nèi)存空間記錄的刻錄數(shù)據(jù)筆數(shù)到達(dá)所能記錄的最大筆數(shù)后，整個(gè)內(nèi)存空間內(nèi)的數(shù)據(jù)將由低地址開(kāi)始逐筆被抹除，以利接續(xù)刻錄功率數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存。這種方式不僅將減短具有限定使用壽命的刻錄功率內(nèi)存EEPROM，同時(shí)也等于浪費(fèi)掉其它很少使用甚至不曾使用的內(nèi)存空間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置的方法。利用一軟件界面，使用者將可預(yù)先設(shè)定兩種不同可刻錄光盤(pán)片的刻錄功率內(nèi)存空間比例，此外，使用者亦能選擇由光盤(pán)刻錄機(jī)動(dòng)態(tài)地針對(duì)已記錄至內(nèi)存內(nèi)的不同種可刻錄盤(pán)片的最佳刻錄功率數(shù)據(jù)筆數(shù)的差異以及其總和，來(lái)決定是否激活某特定調(diào)整內(nèi)存配置的方法。因此，將可達(dá)到最佳化內(nèi)存空間配置的結(jié)果，以增加刻錄功率內(nèi)存的使用壽命。
為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明所提供的動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置的方法，光盤(pán)刻錄機(jī)的刻錄功率內(nèi)存是包含有一第一記憶區(qū)塊以及一第二記憶區(qū)塊分別用來(lái)儲(chǔ)存一第一可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第一刻錄功率數(shù)據(jù)，以及一第二可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第二刻錄功率數(shù)據(jù)，此方法包含有下列步驟(a)預(yù)先決定第一記憶區(qū)塊以及第二記憶區(qū)塊的比例大小，或當(dāng)?shù)谝挥洃泤^(qū)塊與第二記憶區(qū)塊的大小未預(yù)先決定時(shí)，以二擇一的方式選擇一第一調(diào)整方法或一第二調(diào)整方法來(lái)調(diào)整此比例的大小。第一刻錄功率數(shù)據(jù)是由第一記憶區(qū)塊的一低記憶地址開(kāi)始逐筆記錄至一高記憶地址，而第二刻錄功率數(shù)據(jù)則由第二記憶區(qū)塊的一高記憶地址逐筆記錄至一低記憶地址。第一調(diào)整方法為已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)相差一第一預(yù)定筆數(shù)后激活，且第一記憶區(qū)塊與第二記憶區(qū)塊的比例大小是依據(jù)此第一預(yù)定筆數(shù)調(diào)整。第二調(diào)整方法是于已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)的總和大于一第二預(yù)定筆數(shù)后激活，且第一記憶區(qū)塊與第二記憶區(qū)塊的比例大小是計(jì)算該已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)相對(duì)于已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)或已記錄的第二刻錄功率數(shù)據(jù)的比例關(guān)系而調(diào)整。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而所附附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。


圖1為采用本發(fā)明動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置方法的刻錄功率內(nèi)存記錄刻錄數(shù)據(jù)的示意圖；圖2A為本發(fā)明的動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置方法的流程圖；圖2B為執(zhí)行圖2A第一調(diào)整方法的流程圖；圖2C為執(zhí)行圖2A第二調(diào)整方法的流程圖。
具體實(shí)施例請(qǐng)參閱圖1，圖1為采用本發(fā)明動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置方法的刻錄功率內(nèi)存50記錄刻錄功率數(shù)據(jù)的示意圖?？啼浌β蕛?nèi)存50包含有一第一記憶區(qū)塊52以及一第二記憶區(qū)塊54分別用來(lái)儲(chǔ)存一第一可刻錄光盤(pán)片(如CD-R)的至少一筆第一刻錄功率數(shù)據(jù)55，以及第二可刻錄光盤(pán)片(如CD-RW)的至少一筆第二刻錄功率數(shù)據(jù)56。第一記憶區(qū)塊52與第二記憶區(qū)塊54的比例大小是由使用者預(yù)先設(shè)定，或是當(dāng)使用者未設(shè)定時(shí)通過(guò)判斷已刻錄至其中的最佳刻錄功率數(shù)據(jù)55與56的筆數(shù)差異或總和，以動(dòng)態(tài)調(diào)整其比例大小。然而，除了比例大小的設(shè)定外，使用者同樣可透過(guò)一軟件界面配合光盤(pán)刻錄機(jī)韌件(Firmware)的運(yùn)用，直接輸入第一記憶區(qū)塊52或是第二記憶區(qū)塊54的大小值，與進(jìn)行硬盤(pán)分割FDISK時(shí)的情況雷同，在此情況下時(shí)，整個(gè)刻錄功率內(nèi)存的容量大小將于軟件界面中被提示給使用者知悉。
不論第一記憶區(qū)塊52或第二記憶區(qū)塊54所儲(chǔ)存的第一刻錄功率數(shù)據(jù)55或第二刻錄功率數(shù)據(jù)56是對(duì)應(yīng)到CD-R盤(pán)片或是CD-RW盤(pán)片，每一筆不同的第一刻錄功率數(shù)據(jù)55(也就是各種不同的最佳刻錄功率)是由第一記憶區(qū)塊52的低記憶地址開(kāi)始逐筆記錄至高內(nèi)存地址，如箭頭方向57所示；而每一筆不同的第二刻錄功率數(shù)據(jù)56則是由第二記憶區(qū)塊54的高內(nèi)存地址開(kāi)始逐筆記錄至低內(nèi)存地址，如箭頭方向58所示。于此實(shí)施例中，第二記憶區(qū)塊的低地址大于第一記憶區(qū)塊的高地址，而在另一可能的實(shí)施例中，第一記憶區(qū)塊的低地址大于第二記憶區(qū)塊的高地址。當(dāng)使用者有偏好使用某種可刻錄光盤(pán)片傾向時(shí)，除了第一記憶區(qū)塊52與第二記憶區(qū)塊54的大小比例會(huì)依使用者偏好動(dòng)態(tài)調(diào)整外，在未完成此動(dòng)態(tài)調(diào)整前，由于對(duì)應(yīng)使用者不?？啼浀目煽啼浌獗P(pán)片記憶區(qū)塊的高記憶地址或低記憶地址，必定是很少甚至未曾儲(chǔ)存任何刻錄功率數(shù)據(jù)，故在完成調(diào)整動(dòng)作后，這些內(nèi)存地址仍然有相當(dāng)長(zhǎng)的壽命可儲(chǔ)存其它不同可刻錄光盤(pán)片的刻錄功率數(shù)據(jù)。
第一記憶區(qū)塊52與第二記憶區(qū)塊54的位置是可替換的(interchangeable)，也就是說(shuō)在另外的實(shí)施例中，第一刻錄功率數(shù)據(jù)55可以由第一記憶區(qū)塊52的高記憶地址開(kāi)始逐筆記錄至其低記憶地址。而第二刻錄功率數(shù)據(jù)56便可由第二記憶區(qū)塊54的低記憶地址逐筆記錄至其高記憶地址。
請(qǐng)參閱圖2A，圖2A為本發(fā)明的動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置方法100的流程圖。本發(fā)明的方法100包含有下列步驟步驟101開(kāi)始；步驟102使用者是否決定調(diào)整內(nèi)存空間配置？若否則往步驟103，若是則往步驟104；步驟103結(jié)束；步驟104使用者是否預(yù)先決定各記憶區(qū)塊的分配比例大??？若是則往步驟105，若否則往步驟106；步驟105輸入兩記憶區(qū)塊的比例大小，或兩記憶區(qū)塊的大小值，或依照光碟刻錄機(jī)韌件的默認(rèn)值設(shè)定，完成后往步驟103；步驟106以二擇一的方式選擇用第一調(diào)整方法或第二調(diào)整方法調(diào)整內(nèi)存的空間配置，若是則往步驟107或步驟108，完成后回到步驟103；若否則往步驟109；步驟107執(zhí)行第一調(diào)整方法；步驟108執(zhí)行第二調(diào)整方法；以及步驟109回傳錯(cuò)誤訊息給使用者。
光盤(pán)刻錄機(jī)包含有一刻錄功率內(nèi)存，刻錄功率內(nèi)存包含有一第一記憶區(qū)塊以及第二記憶區(qū)塊分別用來(lái)儲(chǔ)存第一可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第一刻錄功率數(shù)據(jù)，以及一第二可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第二刻錄功率數(shù)據(jù)。本發(fā)明的動(dòng)態(tài)調(diào)整刻錄內(nèi)存空間配置的方法提供使用者自行輸入此第一以及第二記憶區(qū)塊的比例大小甚至是實(shí)際大小，如步驟105所示；或是讓使用者選擇讓此光盤(pán)刻錄機(jī)在記錄一定筆數(shù)的第一與第二最佳刻錄功率數(shù)據(jù)后，由已記錄的不同種最佳刻錄功率數(shù)據(jù)來(lái)調(diào)整對(duì)應(yīng)記憶區(qū)塊的比例大小，如步驟107與108所示。
在執(zhí)行完圖2A的步驟105、107與108之后，上述的流程均回到步驟103以結(jié)束整個(gè)空間配置的調(diào)整動(dòng)作。然而，使用者仍可繼續(xù)依其所好在稍后的刻錄過(guò)程中激活本發(fā)明的方法100，也就是說(shuō)使用者可隨時(shí)自行設(shè)定或在記錄一些刻錄功率數(shù)據(jù)后依據(jù)第一調(diào)整方法107或第二調(diào)整方法108進(jìn)行記憶區(qū)塊比例大小的調(diào)整。
請(qǐng)參閱圖2B，圖2B為執(zhí)行圖2A的第一調(diào)整方法107的流程圖，包含有下列步驟步驟111當(dāng)已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)筆數(shù)的差值大于一第一預(yù)定筆數(shù)時(shí)，激活此第一調(diào)整方法；步驟112已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)是否大于已記錄的第二刻錄功率數(shù)據(jù)，若否，前往步驟113，若是則往步驟116；步驟113將第二記憶區(qū)塊所能記錄的刻錄功率數(shù)據(jù)總筆數(shù)調(diào)整為整個(gè)刻錄功率內(nèi)存所能儲(chǔ)存的最大可記錄筆數(shù)，若是則往步驟114，若否則往步驟115；步驟114結(jié)束；步驟115依據(jù)第一預(yù)定筆數(shù)調(diào)整第二記憶區(qū)塊所能記錄的總筆數(shù)；步驟116將第一記憶區(qū)塊所能記錄的刻錄功率數(shù)據(jù)總筆數(shù)調(diào)整為整個(gè)刻錄功率內(nèi)存所能儲(chǔ)存的最大可記錄筆數(shù)，若是則往步驟114，若否則往步驟117；以及步驟117依據(jù)第一預(yù)定筆數(shù)調(diào)整第一記憶區(qū)塊所能記錄的總筆數(shù)。
由于光盤(pán)刻錄機(jī)于刻錄第一可刻錄光盤(pán)片之前，即記錄一筆對(duì)應(yīng)的第一刻錄功率數(shù)據(jù)于第一記憶區(qū)塊中，而于刻錄第二可刻錄光盤(pán)片之前，則記錄一筆對(duì)應(yīng)的第二刻錄功率數(shù)據(jù)于第二記憶區(qū)塊中，所以當(dāng)?shù)谝徽{(diào)整方法107在已刻錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)相差第一預(yù)定筆數(shù)后激活時(shí)，可能是第一刻錄功率數(shù)據(jù)筆數(shù)較第二刻錄功率數(shù)據(jù)為多，或是第二刻錄功率數(shù)據(jù)超過(guò)第一刻錄功率數(shù)據(jù)此第一預(yù)定筆數(shù)。因此，步驟112執(zhí)行完畢后將分別前往步驟113或步驟116。步驟113與116所示為一特殊的極端例子，也就是分別將第二記憶區(qū)塊以及第一記憶區(qū)塊所能記錄的刻錄功率數(shù)據(jù)總筆數(shù)調(diào)整為整個(gè)刻錄功率內(nèi)存能儲(chǔ)存的最大可記錄筆數(shù)。第一調(diào)整方法中另一種實(shí)施例是于步驟115與117中顯示，也就是各記憶區(qū)塊依據(jù)此時(shí)已記錄的不同種刻錄功率數(shù)據(jù)的差值來(lái)調(diào)整。當(dāng)?shù)谝豢啼浌β蕯?shù)據(jù)筆數(shù)較第二刻錄功率數(shù)據(jù)為多時(shí)，便調(diào)整第一記憶區(qū)塊使其較第二記憶區(qū)塊有更大的空間；反之，當(dāng)?shù)诙啼浌β蕯?shù)據(jù)超過(guò)第一刻錄功率數(shù)據(jù)此第一預(yù)定筆數(shù)，第二記憶區(qū)塊則依據(jù)這個(gè)第一預(yù)定筆數(shù)來(lái)獲得一較第一記憶區(qū)塊更大的內(nèi)存空間。上述的第一預(yù)定筆數(shù)是小于刻錄功率內(nèi)存的最大可記錄筆數(shù)，此最大可記錄筆數(shù)是為刻錄功率內(nèi)存的所有內(nèi)存空間所能記錄的刻錄功率數(shù)據(jù)總筆數(shù)。第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)均為對(duì)應(yīng)可刻錄光盤(pán)片的最佳刻錄功率數(shù)據(jù)。
請(qǐng)參閱圖2C，圖2C為圖2A的第二調(diào)整方法108的流程圖。第二調(diào)整方法108包含有下列步驟步驟151當(dāng)已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)總和筆數(shù)大于一第二預(yù)定筆數(shù)時(shí)，激活此第二調(diào)整方法；步驟152調(diào)整后的第一記憶區(qū)塊大小等于此時(shí)已記錄的第一功率數(shù)據(jù)筆數(shù)與上述第一第二刻錄功率數(shù)據(jù)的總和的比例，再乘上此功率記憶體的最大可記錄筆數(shù)；而調(diào)整后的第二記憶區(qū)塊大小則等于已記錄的第二功率數(shù)據(jù)筆數(shù)與上述第一第二刻錄功率數(shù)據(jù)的總和的比例，再乘上此功率內(nèi)存的最大可記錄筆數(shù)；以及步驟153結(jié)束。
由于光盤(pán)刻錄機(jī)于刻錄第一可刻錄光盤(pán)片之前，即記錄一筆對(duì)應(yīng)的第一刻錄功率數(shù)據(jù)于第一記憶區(qū)塊中，而于刻錄第二可刻錄光盤(pán)片之前，則記錄一筆對(duì)應(yīng)的第二刻錄功率數(shù)據(jù)于第二記憶區(qū)塊中，所以第二調(diào)整方法108是在已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)的總和大于一第二預(yù)定筆數(shù)時(shí)激活，且第一記憶區(qū)塊與第二記憶區(qū)塊的目標(biāo)調(diào)整值為反應(yīng)此第二調(diào)整方法激活時(shí)，已記錄的第一或第二刻錄功率數(shù)據(jù)相對(duì)于全部已記錄的刻錄功率數(shù)據(jù)的一比例關(guān)系。如果第二調(diào)整方法激活時(shí)，已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)筆數(shù)大于第二刻錄功率數(shù)據(jù)筆數(shù)，則第一記憶區(qū)塊的空間會(huì)被調(diào)整至大于第二記憶區(qū)塊的內(nèi)存空間。同樣的原則可應(yīng)用在當(dāng)?shù)诙啼浌β蕯?shù)據(jù)筆數(shù)大于第一刻錄功率數(shù)據(jù)筆數(shù)的情況。此第二預(yù)定筆數(shù)是小于刻錄功率內(nèi)存的一最大可記錄筆數(shù)，此最大可記錄筆數(shù)是為刻錄功率內(nèi)存的所有內(nèi)存空間所能記錄的刻錄功率數(shù)據(jù)總筆數(shù)。第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)均為對(duì)應(yīng)的可刻錄光盤(pán)片的最佳刻錄功率數(shù)據(jù)。
相較于公知技術(shù)，本發(fā)明的動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置的方法是提供一軟件界面配合韌件的運(yùn)用，讓使用者得以依其喜好于刻錄動(dòng)作開(kāi)始之前與刻錄動(dòng)作進(jìn)行時(shí)，自行設(shè)定或依據(jù)當(dāng)時(shí)已記錄的刻錄功率數(shù)據(jù)來(lái)調(diào)整刻錄功率內(nèi)存相對(duì)于可刻錄光盤(pán)片的記憶區(qū)塊的比例大小。同時(shí)，針對(duì)兩不同可刻錄光盤(pán)片的記憶區(qū)塊而言，先由某一記憶區(qū)塊的低記憶地址開(kāi)始逐筆記錄某種可刻錄光盤(pán)片的刻錄功率數(shù)據(jù)，并再由另一記憶區(qū)塊的高記憶地址開(kāi)始逐筆記錄另一種可刻錄光盤(pán)片的刻錄功率數(shù)據(jù)。因此，除了可依使用者的喜好動(dòng)態(tài)地調(diào)整記憶區(qū)塊的大小外，亦能對(duì)有限空間有限壽命的內(nèi)存進(jìn)行一較佳的利用。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所做的均等修飾與變化，均應(yīng)屬本發(fā)明專(zhuān)利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置的方法，一光盤(pán)刻錄機(jī)包含有一刻錄功率內(nèi)存，該刻錄功率內(nèi)存是包含有一第一記憶區(qū)塊以及一第二記憶區(qū)塊分別用來(lái)儲(chǔ)存一第一可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第一刻錄功率數(shù)據(jù)，以及一第二可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第二刻錄功率數(shù)據(jù)，包含有下列步驟(a)預(yù)先決定該第一記憶區(qū)塊以及該第二記憶區(qū)塊的比例大?。?b)當(dāng)該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的大小未預(yù)先決定時(shí)，以二擇一的方式選擇一第一調(diào)整方法或一第二調(diào)整方法中調(diào)整該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的該比例大?。黄涮卣髟谟谠摰谝豢啼浌β蕯?shù)據(jù)由該第一記憶區(qū)塊的一低記憶地址開(kāi)始逐筆記錄至一高記憶地址，該第二刻錄功率數(shù)據(jù)則由該第二記憶區(qū)塊的一高記憶地址逐筆記錄至一低記憶地址。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一可刻錄光盤(pán)片為一CD-R或一CD-RW光盤(pán)片。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于該第二可刻錄光盤(pán)片為該CD-R或該CD-RW光盤(pán)片。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一調(diào)整方法是于已記錄的該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)相差一第一預(yù)定筆數(shù)后激活，且該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的比例大小是依據(jù)該第一預(yù)定筆數(shù)調(diào)整。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第二調(diào)整方法是于該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)的記錄總和大于一第二預(yù)定筆數(shù)后激活，且該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的比例大小是計(jì)算該已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)相對(duì)于該已記錄第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)的總和的一比例關(guān)系而調(diào)整。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于該第一預(yù)定筆數(shù)與該第二預(yù)定筆數(shù)是小于該刻錄功率內(nèi)存的一最大可記錄筆數(shù)。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于該第一調(diào)整方法另外包含有選擇調(diào)整該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊所能記錄的該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)筆數(shù)至該最大可記錄筆數(shù)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該刻錄功率內(nèi)存為一電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于步驟(a)另外包含有一步驟(c)由一使用者自行輸入該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的比例大小，或是由另外一步驟(d)采用該光盤(pán)刻錄機(jī)內(nèi)之一韌件默認(rèn)值決定該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的比例大小。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于當(dāng)該使用者決定該第一調(diào)整方法或該第二調(diào)整方法后，該光盤(pán)刻錄機(jī)允許跳脫原有的調(diào)整方法以進(jìn)入另一調(diào)整方法下操作。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第二記憶區(qū)塊的低記憶地址是大于該第一記憶區(qū)塊的高記憶地址。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一記憶區(qū)塊的低記憶地址是大于該第二記憶區(qū)塊的高記憶地址。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該光盤(pán)刻錄機(jī)于刻錄該第一可刻錄光盤(pán)片之前，即針對(duì)刻錄該第一可刻錄光盤(pán)片記錄一筆該第一刻錄功率數(shù)據(jù)于該第一記憶區(qū)塊中；而當(dāng)該光盤(pán)刻錄機(jī)于刻錄該第二可刻錄光盤(pán)片之前，則記錄一筆該第二刻錄功率數(shù)據(jù)于該第二記憶區(qū)塊中。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該光盤(pán)刻錄機(jī)是針對(duì)不同種該第一可刻錄光盤(pán)片與該第二可刻錄光盤(pán)片分別由該第一記憶區(qū)塊低記憶地址與該第二記憶區(qū)塊高記憶地址開(kāi)始記錄該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該光盤(pán)刻錄機(jī)是針對(duì)不同種該第一可刻錄光盤(pán)片與該第二可刻錄光盤(pán)片分別由該第一記憶區(qū)塊高記憶地址與該第二記憶區(qū)塊低記憶地址開(kāi)始記錄該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)。
16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)分別為該第一可刻錄光盤(pán)片與該第二可刻錄光盤(pán)片的一最佳刻錄功率。
17.一種動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置的方法，一光盤(pán)刻錄機(jī)包含有一刻錄功率內(nèi)存，該刻錄功率內(nèi)存是包含有一第一記憶區(qū)塊以及一第二記憶區(qū)塊分別用來(lái)儲(chǔ)存一第一可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第一刻錄功率數(shù)據(jù)，以及一第二可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第二刻錄功率數(shù)據(jù)，包含有下列步驟(a)預(yù)先決定該第一記憶區(qū)塊以及該第二記憶區(qū)塊的一比例大??；(b)當(dāng)該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的大小未預(yù)先決定時(shí)，以二擇一的方式選擇一第一調(diào)整方法或一第二調(diào)整方法中調(diào)整該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的該比例大??；其特征在于該第一刻錄功率數(shù)據(jù)是由該第一記憶區(qū)塊的一低記憶地址開(kāi)始逐筆記錄至一高記憶地址，該第二刻錄功率數(shù)據(jù)則由該第二記憶區(qū)塊的一高記憶地址逐筆記錄至一低記憶地址；該第一調(diào)整方法是于已記錄的該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)相差一第一預(yù)定筆數(shù)后激活，且該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的比例大小是依據(jù)該第一預(yù)定筆數(shù)調(diào)整；該第二調(diào)整方法于該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)的總和大于一第二預(yù)定筆數(shù)后激活，且該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的比例大小計(jì)算該已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與第二刻錄功率數(shù)據(jù)相對(duì)于該已記錄的第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)的總和間的一比例關(guān)系而調(diào)整。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該第一可刻錄光盤(pán)片為一CD-R或一CD-RW光盤(pán)片。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于該第二可刻錄光盤(pán)片為該CD-R或該CD-RW光盤(pán)片。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該第二預(yù)定筆數(shù)是小于該刻錄功率內(nèi)存的一最大可記錄筆數(shù)。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該內(nèi)存為一電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于步驟(a)另外包含有一步驟(c)由一使用者自行輸入該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的比例大小，或是由另外一步驟(h)采用該光盤(pán)刻錄機(jī)內(nèi)的一韌件默認(rèn)值決定該第一記憶區(qū)塊與該第二記憶區(qū)塊的比例大小。
23.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于當(dāng)該使用者決定該第一調(diào)整方法或該第二調(diào)整方法后，該光盤(pán)刻錄機(jī)允許跳脫原有的調(diào)整方法以進(jìn)入另一調(diào)整方法下操作。
24.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該第二記憶區(qū)塊的低記憶地址大于該第一記憶區(qū)塊的高記憶地址。
25.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該第一記憶區(qū)塊的低記憶地址是大于該第二記憶區(qū)塊的高記憶地址。
26.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該光盤(pán)刻錄機(jī)于刻錄該第一可刻錄光盤(pán)片之前，即針對(duì)刻錄該第一可刻錄光盤(pán)片記錄一筆該第一刻錄功率數(shù)據(jù)于該第一記憶區(qū)塊中；而當(dāng)該光盤(pán)刻錄機(jī)于刻錄該第二可刻錄光盤(pán)片之前，則記錄一筆該第二刻錄功率數(shù)據(jù)于該第二記憶區(qū)塊中。
27.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該光盤(pán)刻錄機(jī)是針對(duì)不同種該第一可刻錄光盤(pán)片與該第二可刻錄光盤(pán)片分別由該第一記憶區(qū)塊低記憶地址與該第二記憶區(qū)塊高記憶地址開(kāi)始記錄該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)。
28.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該光盤(pán)刻錄機(jī)是針對(duì)不同種該第一可刻錄光盤(pán)片與該第二可刻錄光盤(pán)片分別由該第一記憶區(qū)塊高記憶地址與該第二記憶區(qū)塊低記憶地址開(kāi)始記錄該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)。
29.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于該第一刻錄功率數(shù)據(jù)與該第二刻錄功率數(shù)據(jù)是分別為該第一可刻錄光盤(pán)片與該第二可刻錄光盤(pán)片之一最佳刻錄功率。
全文摘要
一種動(dòng)態(tài)調(diào)整光盤(pán)刻錄機(jī)刻錄功率內(nèi)存配置的方法，一光盤(pán)刻錄機(jī)包含有一刻錄功率內(nèi)存包含有一第一記憶區(qū)塊以及一第二記憶區(qū)塊分別用來(lái)儲(chǔ)存一第一可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第一刻錄功率數(shù)據(jù)，以及一第二可刻錄光盤(pán)片的至少一筆第二刻錄功率數(shù)據(jù)，包含有下列步驟預(yù)先決定第一記憶區(qū)塊以及第二記憶區(qū)塊的比例大小，或是當(dāng)此比例大小未預(yù)先決定時(shí)，以二擇一的方式選擇一第一調(diào)整方法或一第二調(diào)整方法中調(diào)整。第一刻錄功率數(shù)據(jù)是由第一記憶區(qū)塊的低記憶地址開(kāi)始逐筆記錄至高記憶地址，第二刻錄功率數(shù)據(jù)則由第二記憶區(qū)塊的高記憶地址逐筆記錄至低記憶地址。
文檔編號(hào)G11B7/007GK1484230SQ0214279
公開(kāi)日2004年3月24日 申請(qǐng)日期2002年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月18日
發(fā)明者張松山 申請(qǐng)人:建興電子科技股份有限公司