專利名稱：磁頭及其制造方法,以及磁性記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)的制作方法
本申請(qǐng)要求在2000年3月30日遞交的日本專利申請(qǐng)第2000-95082號(hào)的優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容包含于此以供參考。
本發(fā)明一般涉及一種磁頭及其制造方法，以及磁性記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)。
眾所周知，隨著磁路的磁通路(magnetic path)長(zhǎng)度的減小，磁頭的效率迅速提高。例如，如

圖18A所示，隨著磁通路長(zhǎng)度減小為2μm(=2000nm)或更小，其效率快速提高。如圖18B中所示，磁通路長(zhǎng)度意思是通過一個(gè)磁頭的磁質(zhì)部分52a、磁質(zhì)部分53a、磁阻效應(yīng)元件(例如GMR(巨磁阻效應(yīng)-giant magnetoresistance effect)元件)、磁質(zhì)部分53b以及磁質(zhì)部分52b的磁路(magnetic circuit)的長(zhǎng)度。
常規(guī)磁頭的第一例子的結(jié)構(gòu)在圖19中示出。該常規(guī)磁頭包括形成兩個(gè)不同間隙G1和G2的一對(duì)磁質(zhì)部分51a和51b，以及位于間隙G2中的一個(gè)磁阻效應(yīng)元件56。常規(guī)磁頭的第二例子的結(jié)構(gòu)在圖20中示出。在該第二例子中的磁頭包括設(shè)計(jì)為相互間隔一個(gè)間隙G1的一對(duì)磁質(zhì)部分52a和52b、設(shè)計(jì)為相互間隔一個(gè)大于間隙G1的間隙G2的一對(duì)磁質(zhì)部分53a和53b、以及形成在磁質(zhì)部分53a和53b之間的一個(gè)橋路的磁阻效應(yīng)元件56。在第一和第二例子中，間隙G1比間隙G2更接近于一個(gè)面對(duì)介質(zhì)的表面。
在第一例子中的磁頭的磁質(zhì)部分51a和51b是分別在不同步驟通過光刻形成的，并且在第二例子中的磁頭的該對(duì)磁質(zhì)部分52a和52b以及磁質(zhì)部分53a和53b分別在不同步驟用光刻形成。
因此，由于對(duì)齊誤差和光刻系統(tǒng)的分辨率使得精細(xì)磁路的形成受到限制。例如，即使使用先進(jìn)的分級(jí)器(stepper)，由于分級(jí)器的機(jī)械對(duì)齊精度(50nm)和基底的形變而存在對(duì)齊誤差，從而造成400nm的誤差。為了降低生產(chǎn)成本，通常使用廉價(jià)的受激準(zhǔn)分子激光器來用于光刻。當(dāng)使用受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)，分辨率約為200nm。如圖21中所示，對(duì)齊誤差造成偏離間隙G1的中央的偏移，因此總的對(duì)齊誤差為800nm(=400nm×2)。因此，不可能形成具有等于或小于某一數(shù)值(2000nm)的磁通路長(zhǎng)度的磁頭，該數(shù)值(2000nm)是通過把200nm的分辨率與800nm的誤差相加得到的數(shù)值(1000nm)的兩倍。
如圖21中所示，為了形成具有高效率的小磁通路，需要減小在面對(duì)介質(zhì)表面58的相對(duì)側(cè)上的磁隙的長(zhǎng)度G2以及從面對(duì)介質(zhì)表面58到磁阻效應(yīng)元件56的高度H。為了增加分辨率，還需要減小在面對(duì)介質(zhì)的表面(大于50nm)的側(cè)面上的磁隙的長(zhǎng)度G1。
但是，在常規(guī)的磁頭結(jié)構(gòu)及其制造方法中，不能滿足這些要求。
相反，從圖18A可以看出，當(dāng)磁通路長(zhǎng)度為在現(xiàn)有技術(shù)中不能形成的大約2000nm或更小的長(zhǎng)度時(shí)，磁頭的效率迅速提高。即使通過常規(guī)的磁頭結(jié)構(gòu)形成小的磁通路，在最近幾年所要求的較短波長(zhǎng)信號(hào)(0.1μm或更小)的再現(xiàn)中，由于目前還不清楚的原因使得效率迅速降低，從而它不能夠用作為高密度的記錄頭。不但在再現(xiàn)操作過程中，而且在記錄操作過程中也是一樣。在常規(guī)的記錄頭中，由于目前還不清楚的原因使得該效率在較短波長(zhǎng)的記錄中大大降低，從而它不可能在當(dāng)前所用的超過50Gbpsi(G位每平方英寸)的高密度低噪聲介質(zhì)上記錄，該介質(zhì)可以通過記錄IC(集成電路)提供。
人們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)磁通路的長(zhǎng)度接近于軟磁性材料的磁疇壁的厚度(100nm)的量級(jí)時(shí)，在較短波長(zhǎng)區(qū)域中的記錄/再現(xiàn)效率明顯降低。
如上文所述，在所有常規(guī)磁頭結(jié)構(gòu)中，通過光刻對(duì)薄膜進(jìn)行構(gòu)圖以形成磁路。因此，即使要形成一個(gè)小的磁路，對(duì)于磁頭的效率的提高也有限制。另外，即使以低成品率獲得所需的磁頭，也有一個(gè)問題，即在較短波長(zhǎng)處的記錄再現(xiàn)效率大大降低，使得不可能以高密度進(jìn)行記錄/再現(xiàn)。
因此本發(fā)明的一個(gè)目的是消除上述問題，并提供一種磁頭-它即使在較短磁通路長(zhǎng)度和較短波長(zhǎng)信號(hào)的情況下也能夠以高效率進(jìn)行記錄或再現(xiàn)、一種用于制造該磁頭的方法以及使用該磁頭的磁性記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)。
為了盡可能地減小磁通路長(zhǎng)度，考慮了如圖17中所示的磁頭。也就是說，一對(duì)磁質(zhì)部分54a和54b被設(shè)計(jì)為相互間隔預(yù)定的間隙G，并且提供一個(gè)磁阻效應(yīng)元件56以構(gòu)成磁質(zhì)部分54a和54b之間的橋路。
盡管該磁頭適合于減小磁通路長(zhǎng)度，但是由于它具有低的再現(xiàn)效率，因此該磁頭不能用作為高密度磁頭。也就是說，當(dāng)磁隙長(zhǎng)度G較小時(shí)，來自介質(zhì)的大部分磁通量流入該磁隙，并且僅僅部分磁通量流入磁阻效應(yīng)元件，因此不可能獲得大的輸出。另一方面，當(dāng)磁隙長(zhǎng)度較大時(shí)，線分辨率極差，因此該磁頭不能用作為高密度的尖端磁頭。
因此，為了實(shí)現(xiàn)上述和其它目的，本發(fā)明人發(fā)明出一種具有如下結(jié)構(gòu)的磁頭及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明第一方面，一種磁頭包括一對(duì)磁體，它們包括各自的第一和第二面對(duì)介質(zhì)表面、與面對(duì)介質(zhì)表面相對(duì)的各自的第一和第二后表面、以及各自的內(nèi)側(cè)表面，該內(nèi)側(cè)表面相互面對(duì)；以及一個(gè)磁隙，其位于內(nèi)側(cè)表面之間并且包括與第一和第二介質(zhì)面對(duì)表面共面的第三面對(duì)介質(zhì)表面以及與第一和第二后表面共面的第三后表面；其中一個(gè)內(nèi)側(cè)表面滿足如下關(guān)系x=G1/2對(duì)于0≤y≤TH，以及0.1·tan{2(x-G1/2)}+TH≤y≤5·tan(2(x-G1/2))+TH對(duì)于TH≤y其中x表示這個(gè)內(nèi)側(cè)表面的X座標(biāo)，并且y表示這個(gè)內(nèi)側(cè)表面的Y座標(biāo)，X軸從第三面對(duì)介質(zhì)表面的中心向著第一或第二面對(duì)介質(zhì)表面的中心延伸，Y軸從第三面對(duì)介質(zhì)表面的中心向著第三后表面延伸，Y軸基本上與X軸垂直，并且G1和TH分別表示常數(shù)。
最好，隨著x從一點(diǎn)x=G1/2開始連續(xù)增加，y從一點(diǎn)y=TH到第一或第二后表面連續(xù)變化。
該對(duì)磁體可以包括在磁隙的兩側(cè)上的第一或第二面對(duì)介質(zhì)表面上的軟磁性材料的凸出部分。
該對(duì)磁體是磁軛，并且該磁頭可進(jìn)一步包括位于第一和第二后表面上并置于磁隙上方的磁阻效應(yīng)元件。
該對(duì)磁體是磁芯，并且該磁頭進(jìn)一步包括位于第一和第二后表面上并置于磁隙上方的軟磁性材料的一個(gè)后軛，以及形成在該磁隙中的一個(gè)記錄線圈。
根據(jù)本發(fā)明第二方面，一種磁性記錄頭包括一對(duì)磁體，其間由一個(gè)磁隙分開并且包括各自的面對(duì)介質(zhì)表面和與面對(duì)介質(zhì)表面相對(duì)的各自的后表面，該對(duì)磁體中的一個(gè)包括一個(gè)凸出部分，該凸出部分向著面對(duì)介質(zhì)表面逐漸變細(xì)；位于該磁隙中的一個(gè)記錄線圈；以及，置于后表面上并置于磁隙上方的軟磁性材料的一個(gè)后磁體。
根據(jù)本發(fā)明第三方面，一種磁性再現(xiàn)頭包括一對(duì)磁體，其間由磁隙分開并且包括各自的面對(duì)介質(zhì)表面和與面對(duì)介質(zhì)表面相對(duì)的各自的后表面，該對(duì)磁體中的一個(gè)包括一個(gè)凸出部分，該凸出部分向著面對(duì)介質(zhì)表面逐漸變細(xì)；以及，置于后表面上并置于磁隙上方的一個(gè)磁阻效應(yīng)元件。
根據(jù)本發(fā)明第四方面，提供了一種用于制造磁頭的方法，包括在一個(gè)基底上形成一個(gè)磁體，該磁體包括面向基底的主平面以及與主平面相對(duì)的后平面；把射束施加到該磁體的后平面上，并形成確定從該后平面向主平面延伸的一個(gè)通孔的一個(gè)部分；在該通孔中形成一個(gè)磁隙；以及從該基底上分離出磁體和磁隙，并且形成基本上與主平面共面的面對(duì)介質(zhì)表面。
該射束最好為聚焦的離子束。
根據(jù)本發(fā)明第五方面，在此提供一種用于制造磁頭的方法，其中包括在一個(gè)基底上形成一個(gè)絕緣膜；沿向著該基底的方向把聚焦的離子束施加到該絕緣膜上，并且形成在該絕緣膜中確定第一和第二溝道的一個(gè)部分；在第一和第二溝道中填充磁性材料以形成一對(duì)磁體；在該對(duì)磁體之間的絕緣膜中形成一個(gè)記錄線圈；以及，在該對(duì)磁體和記錄線圈上形成一第二磁體。
根據(jù)具有上述本發(fā)明第一方面中的結(jié)構(gòu)的磁頭，該磁隙被形成為滿足上述關(guān)系表達(dá)式，使得即使在較短磁通路長(zhǎng)度和較短波長(zhǎng)信號(hào)的情況下，也可以增強(qiáng)再現(xiàn)效率。另外，可以降低在記錄介質(zhì)側(cè)面上的磁隙的長(zhǎng)度，使得可以增大分辨率。
根據(jù)具有上述本發(fā)明第二方面中的結(jié)構(gòu)的磁性記錄頭，可以減小具有凸出部分的一個(gè)磁體的高度-即面對(duì)記錄介質(zhì)的凸出部分的表面與后表面之間的距離，使得可以減小磁通路長(zhǎng)度并且大大提高記錄效率。另外，該凸出部分向著面對(duì)介質(zhì)表面逐漸變細(xì)的形狀，當(dāng)記錄較短波長(zhǎng)的信號(hào)時(shí)可以進(jìn)一步提高效率。
根據(jù)具有上述本發(fā)明第三方面中的結(jié)構(gòu)的磁性再現(xiàn)頭，可以減小具有凸出部分的一個(gè)磁體的高度-即面對(duì)記錄介質(zhì)的凸出部分的表面與后表面之間的距離，使得可以減小磁通路長(zhǎng)度并且大大提高記錄效率。另外，該凸出部分向著面對(duì)介質(zhì)表面逐漸變細(xì)的形狀，當(dāng)記錄較短波長(zhǎng)的信號(hào)時(shí)可以進(jìn)一步提高效率。
根據(jù)具有上述本發(fā)明第四方面的結(jié)構(gòu)的磁頭制造方法，該射束被施加到磁體的后平面，并且通孔被形成為從后平面向主平面延伸，并且磁隙形成在該通孔中。因此，可以形成一個(gè)所需的磁隙，其長(zhǎng)度在主平面一側(cè)較小，并且向著后平面連續(xù)變化，并且可以盡可能地減小磁通路長(zhǎng)度，使得即使在較短波長(zhǎng)信號(hào)的情況下也可以獲得能夠有效執(zhí)行再現(xiàn)操作的磁頭。
根據(jù)具有上述本發(fā)明第五方面的結(jié)構(gòu)的磁頭制造方法，該聚焦離子束用于在該絕緣膜中形成第一和第二溝道，并且第一和第二溝道填充有磁性材料以形成該對(duì)磁體。因此，可以獲得具有所需形狀的磁體對(duì)，并且可以減小磁通路長(zhǎng)度，從而當(dāng)記錄較短波長(zhǎng)信號(hào)時(shí)，可以獲得具有大大提高的效率的磁頭。
從下文給出的具體描述以及本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的附圖中，將能夠更充分地理解本發(fā)明。但是該附圖不是用于把本發(fā)明限制于一個(gè)特定實(shí)施例，而是僅僅用于解釋和說明。
在附圖中圖1為示出根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的示意圖2為用于說明在第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的磁隙形狀的示意圖；圖3為示出用于確定在第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的磁隙形狀的一個(gè)參數(shù)與再現(xiàn)/記錄效率之間的關(guān)系的曲線圖；圖4為示出在第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的高頻特性與常規(guī)磁頭之間的關(guān)系的曲線圖；圖5(a)至5(f)為示出制造在第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的步驟的截面視圖；圖6為用于解釋常規(guī)制造方法的示意圖；圖7為示出第一優(yōu)選實(shí)施例的改進(jìn)例子的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖8為示出根據(jù)本發(fā)明的磁頭的第二優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖9(a)至9(f)為示出制造在第二優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的步驟的截面視圖；圖10為示出第二優(yōu)選實(shí)施例的改進(jìn)例子的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖11為示出根據(jù)本發(fā)明的磁頭的第三優(yōu)選實(shí)施例的示意圖；圖12(a)至12(c)為說明第三優(yōu)選實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)的示意圖；圖13(a)至13(f)為示出制造第三優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的步驟的截面示圖；圖14為示出根據(jù)本發(fā)明的記錄/再現(xiàn)磁頭的示意圖；圖15為示出具有根據(jù)本發(fā)明的磁頭的記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)的示意圖；圖16用于說明使用根據(jù)本發(fā)明的磁頭進(jìn)行光輔助磁性記錄操作的示意圖；圖17為示出磁頭的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖18A為示出磁通路長(zhǎng)度與輸出之間的關(guān)系的曲線圖，以及圖18B為用于說明磁通路長(zhǎng)度的示意圖；圖19為示出常規(guī)的磁頭的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖20為示出常規(guī)磁頭的另一個(gè)例子的結(jié)構(gòu)的示意圖21為用于說明在常規(guī)磁頭中的問題的示意圖；圖22為示出根據(jù)本發(fā)明的磁頭的第三優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖23為示出根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)的主要部分的示意結(jié)構(gòu)的透視圖；以及圖24為從磁盤的側(cè)面看去安裝在驅(qū)動(dòng)器支臂前端的磁頭的放大透視圖。
現(xiàn)在參照附圖，描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
(第一優(yōu)選實(shí)施例)在圖1中示出根據(jù)本發(fā)明的磁頭的第一優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。在第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭1包括由具有例如大約200nm的厚度的軟磁性材料制成的一對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b、記錄線圈5、以及例如300平方納米的磁阻效應(yīng)元件6。該對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b的主平面3被設(shè)置成與記錄介質(zhì)10相平行。也就是說，主平面3用作為一個(gè)面對(duì)介質(zhì)表面。另外，記錄介質(zhì)10是一種縱向記錄介質(zhì)，它形成為使得記錄有信號(hào)的介質(zhì)層10b形成在軟磁性材料薄膜10a上。
該對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b被設(shè)計(jì)為相互間隔一個(gè)磁隙4。該磁隙4被構(gòu)成為在面對(duì)介質(zhì)表面3一側(cè)上具有例如大約50nm的相對(duì)較小的長(zhǎng)度G1，并且在與面對(duì)介質(zhì)表面3相對(duì)的一側(cè)上具有例如大約200nm的相對(duì)較大長(zhǎng)度G2，使得該磁隙的長(zhǎng)度從面對(duì)介質(zhì)表面3的一側(cè)到其相對(duì)側(cè)連續(xù)變化。在磁隙4中，嵌入有記錄線圈5。
磁阻效應(yīng)元件6被設(shè)置在一對(duì)磁軛的面對(duì)介質(zhì)表面的相對(duì)表面上，以跨在磁隙G2上。在圖1中，參考標(biāo)號(hào)12表示從記錄介質(zhì)10的磁化中產(chǎn)生的磁通量。另外，電極和偏置磁膜被設(shè)置于磁阻效應(yīng)元件6的右側(cè)和左側(cè)或者上側(cè)和下側(cè)，但是它們沒有在圖1中示出。
在根據(jù)該實(shí)施例的磁頭1中，磁頭1的面對(duì)介質(zhì)表面3和磁阻效應(yīng)元件6之間的距離H是約為200nm的小距離，并且磁頭1的磁通路長(zhǎng)度是大約600nm的小長(zhǎng)度。因此，如果記錄介質(zhì)10與磁頭1的面對(duì)介質(zhì)表面3之間的間隙大約為200nm，則根據(jù)計(jì)算，從在面對(duì)介質(zhì)表面3的一側(cè)上的磁隙G1下方的介質(zhì)10的磁化產(chǎn)生的磁通量12的20％或更多的磁通量進(jìn)入磁阻效應(yīng)元件6。因此，可以獲得非常大的輸出。另外，從實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在高頻信號(hào)的再現(xiàn)的情況下，磁隙的長(zhǎng)度逐步從面對(duì)介質(zhì)表面開始連續(xù)增加時(shí)是很重要的。特別地如圖2中所示，假設(shè)在面對(duì)介質(zhì)表面上的磁隙的中心是原點(diǎn)，介質(zhì)10的記錄道方向是X軸，記錄道寬度方向Z軸，磁頭1的向內(nèi)方向是Y軸，并且一個(gè)預(yù)定數(shù)值是TH，發(fā)現(xiàn)如果磁隙4的形狀滿足如下表達(dá)式，則效率大大提高對(duì)于0≤y≤TH,x=G1/2對(duì)于TH≤y,0.1·tan(2·(x-G1/2))+TH≤y≤5·tan(2·(x-G1/2))+TH參照?qǐng)D3和4，下文將對(duì)此進(jìn)行描述。當(dāng)對(duì)于0≤y≤TH,x=G1/2以及對(duì)于TH≤y,y=k·tan(2·(x-G1/2))時(shí)，并且當(dāng)磁隙的形狀使用k作為一個(gè)參數(shù)而改變時(shí)，計(jì)算效率的結(jié)果如圖3中所示。從圖3可以看出，當(dāng)k數(shù)值在0.1≤k≤5范圍內(nèi)時(shí)，效率基本上為最大值。因此，如果磁隙4的形狀滿足上述表達(dá)式，則可以獲得高效率。
圖4示出圖20中所示的常規(guī)磁頭的效率的所計(jì)算頻率特性的結(jié)果，該磁頭具有基本上與本優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭相同大小的磁隙。從圖4可以看出，盡管在低頻，即在長(zhǎng)波長(zhǎng)，的效率基本上與本優(yōu)選實(shí)施例相同，但是在超過150MHz的高頻區(qū)域，效率下降為本優(yōu)選實(shí)施例的效率的十分之一或更小。其原因估計(jì)如下。由于圖20中所示的常規(guī)磁頭的磁隙形狀是不連續(xù)的，因此磁通路急劇彎曲，使得在磁質(zhì)部分2a和2b中的磁化必須急劇彎曲。結(jié)果高頻響應(yīng)變差，類似于在所謂的“磁疇壁”中的原子磁化的磁化改變狀態(tài)。據(jù)猜想當(dāng)磁通路的長(zhǎng)度接近磁質(zhì)部分的磁疇壁的厚度(大約10至100nm)時(shí)，出現(xiàn)該現(xiàn)象。換句說，當(dāng)磁通路長(zhǎng)度減小到大約幾百納米以增加效率時(shí)，則不能夠獲得磁通路長(zhǎng)度減小的效果，除非該磁隙被設(shè)計(jì)為使得磁通路盡可能緩和地彎曲，即使得磁隙的長(zhǎng)度連續(xù)變化。
在該優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭被構(gòu)成為使得磁隙4的形狀連續(xù)緩和地彎曲，使得它能夠獲得比常規(guī)情況更好的高頻響應(yīng)(參見圖4)。因此，即使在較短波長(zhǎng)信號(hào)的情況下，可以用高分辨率和高效率進(jìn)行再現(xiàn)和記錄。
參照?qǐng)D5，下面將描述一種用于制造該優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的方法。
首先，如圖5(a)中所示，在例如銅的金屬模21被形成在基底20上之后，例如鉆石態(tài)的碳(DLC)的絕緣膜22被形成在金屬膜21上。然后，如圖5(b)中所示，通過光刻技術(shù)，在絕緣膜22上形成與金屬膜21連通的溝道23。
然后，如圖5(c)中所示，使用準(zhǔn)直濺射方法或電鍍方法把例如FeCo或NiFe的軟磁性材料2填充在溝道23中。
然后，如圖5(d)中所示，使用例如聚焦的離子束(在下文中也稱為FIB)，沿與要形成的磁頭的面對(duì)介質(zhì)表面相垂直的方向，從相對(duì)表面到面對(duì)介質(zhì)表面，即從圖5(d)的上方，照射軟磁性材料2，以形成一個(gè)磁隙4和一對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b。盡管在面對(duì)介質(zhì)表面的一側(cè)上的磁隙4的長(zhǎng)度G1(參見圖1)由離子束的掃描精度所確定，但是它能夠以足夠的精度形成。磁隙4在相對(duì)側(cè)到面對(duì)介質(zhì)表面上的擴(kuò)展可以通過控制射束密度的分布而精確形成。也就是說，如果要獲得較快加寬的形狀，只須使用具有較寬分布的射束。
通過如此用FIB沿著與要形成的磁頭的面對(duì)介質(zhì)表面相垂直的方向，從相對(duì)表面到面對(duì)介質(zhì)表面照射，可以獲得具有所需形狀的磁隙4。
如圖6中所示，通常已知的使用FIB的縫隙加工被設(shè)計(jì)為用離子束沿與面對(duì)介質(zhì)表面3相垂直的記錄道寬度方向照射磁質(zhì)部分2a和2b。在這種情況下，由于FIB的射束密度具有高斯分布，因此在面對(duì)介質(zhì)表面3上的被加工縫隙4的長(zhǎng)度在記錄道寬度方向上變化，使得不可能獲得精確的線分辨率。
但是，根據(jù)本發(fā)明，可以獲得具有所需要形狀的磁隙4。另外，作為本發(fā)明，本發(fā)明人首先用FIB，沿著與要形成的磁頭的面對(duì)介質(zhì)表面相垂直的方向，從相對(duì)表面到面對(duì)介質(zhì)表面進(jìn)行照射。
再次參照?qǐng)D5(f)，例如使用電鍍方法，用例如銅、鎢或鉑填充該磁隙，以形成記錄線圈5(參見圖5(e))。
接著，如圖5(f)中所示，在形成絕緣膜25以覆蓋磁質(zhì)部分2a和2b和記錄線圈5之后，磁阻效應(yīng)元件6被形成在絕緣膜25上，以跨在該對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b上方的記錄線圈5上。另外，磁阻效應(yīng)元件可以是巨磁阻效應(yīng)元件或者隧道磁阻效應(yīng)元件。
然后，其上面已經(jīng)形成有磁阻效應(yīng)元件的基底20被浸在弱堿性或弱酸性溶液中，以腐蝕并除去銅層21，以剝離基底20，從而完成一個(gè)磁頭元件。另外，如果在使用劃線機(jī)器進(jìn)行切割從絕緣膜25的上表面切入每個(gè)磁頭元件到達(dá)銅層21之后，把該基底20浸入在弱堿性或弱酸性溶液中，則銅層21可以短時(shí)間內(nèi)被腐蝕并從基底20上除去，并且可以減小對(duì)磁頭元件的損害。
通常在使用FIB時(shí)，由于當(dāng)加工體積(加工面積×加工深度)較大時(shí)產(chǎn)量降低，因此在大規(guī)模生產(chǎn)上具有問題。但是，如本優(yōu)選實(shí)施例中那樣當(dāng)加工體積極小時(shí)，在大規(guī)模生產(chǎn)上沒有問題。
因此，在本優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭是通過挖空整體的軟磁性材料、形成用于形成磁通路的該對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b、以及在該挖空部位埋置記錄線圈而形成的。因此，磁通路可以被形成為平滑的，并且許多介質(zhì)磁通量12可以被導(dǎo)入磁阻效應(yīng)元件6，如圖1中所示。
可以用電子束取代FIB來用于形成磁隙4，或者可以用縫狀光刻膠掩膜以通常的離子束或活性氣體離子來形成磁隙。在這種情況下，磁隙的形狀可以通過改變射束的入射角和/或氣體種類來控制。
在本優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭1的一個(gè)改進(jìn)例子的結(jié)構(gòu)在圖7中示出。在該例子中，磁頭1A具有在圖1中所示的磁頭1中該對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b的面對(duì)介質(zhì)表面上的軟磁性材料凸出部分2a1和2b1。通過這種結(jié)構(gòu)，僅僅在磁隙4附近的磁通量可以被導(dǎo)入磁阻效應(yīng)元件，從而可以減小線方向上的噪聲。
(第二優(yōu)選實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的磁頭的第二優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)在圖8中得到顯示。在該優(yōu)選實(shí)施例中，磁頭30是一個(gè)記錄頭，并且具有直接在一對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b和記錄線圈5上的磁質(zhì)部分7，以跨在記錄線圈5上，取代在圖1中所示的第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭1的磁阻效應(yīng)元件6。
在該優(yōu)選實(shí)施例中，由于磁質(zhì)部分7取代磁阻效應(yīng)元件6，因此可以形成比第一優(yōu)選實(shí)施例更加平滑的磁路徑，并且進(jìn)一步提供在用較短波長(zhǎng)進(jìn)行記錄操作的效率，從而可以執(zhí)行高密度的記錄操作。
參照?qǐng)D9，下面將描述一種用于制造在該優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭30的方法。
直到形成磁隙4以在其中嵌入記錄線圈5，即直到圖5(e)，執(zhí)行與制造第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭1的方法相同的步驟(參見圖9(a)至9(e))。在嵌入記錄線圈5之后，直接在一對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b和記錄線圈5上形成磁質(zhì)部分7，以跨在磁質(zhì)部分2a和2b上。
然后，剝離基底20和銅層21，以完成一個(gè)磁頭元件，這類似于用于第一實(shí)施例中的磁頭制造方法。
在第二優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭30的一個(gè)改進(jìn)例子的結(jié)構(gòu)在圖10中示出。在該改進(jìn)例子中，磁頭30A在第二優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭30中的該對(duì)磁質(zhì)部分2a和2b的面對(duì)介質(zhì)表面3上的磁隙附近設(shè)有磁性材料的凸出部分2a2和2b2。通過這種結(jié)構(gòu)，磁通量被聚集在磁隙附近，使得沿線方向的磁場(chǎng)12能突然傾斜，以減小介質(zhì)的磁化躍變寬度。因此，可以在第二優(yōu)選實(shí)施例中執(zhí)行比磁盤更高密度的記錄操作。
(第三優(yōu)選實(shí)施例)根據(jù)本發(fā)明的磁頭的第三優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)在圖11中示出。在該第三優(yōu)選實(shí)施例中，磁頭32是一個(gè)記錄磁頭，并且包括一對(duì)軟磁性材料的磁質(zhì)部分2c和2d、一個(gè)記錄線圈5和一個(gè)磁質(zhì)部分7。
一個(gè)磁隙位于磁質(zhì)部分2c和2d之間，并且記錄線圈5填充于磁隙內(nèi)。另外，磁隙的長(zhǎng)度可以為常量，這與第一和第二優(yōu)選實(shí)施例不同。磁質(zhì)部分2d是用于在記錄介質(zhì)10上記錄信息的主磁極，并且具有一個(gè)向著面對(duì)介質(zhì)表面變細(xì)的形狀的凸出部分2d1。凸出部分2d1還具有從記錄線圈5一側(cè)向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)的形狀。磁質(zhì)部分7直接形成在磁質(zhì)部分2c和2d的面對(duì)介質(zhì)表面的相對(duì)表面上，以跨在磁質(zhì)部分2c和2d上方。
如上文所述，在該優(yōu)選實(shí)施例的磁頭32中，用作為主磁極的磁質(zhì)部分2d的凸出部分2d1向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)，并且特別地，凸出部分2d1還從記錄線圈5一側(cè)向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)。因此，如圖12(a)中所示，可以在記錄線圈一側(cè)，在用于把信息記錄于記錄介質(zhì)10上的主磁極2d的后沿2de上實(shí)現(xiàn)高的磁通量密度，并且在線方向上的磁場(chǎng)的梯度變大，如圖11中所示，從而可以執(zhí)行高密度的記錄操作。如果從磁質(zhì)部分2d的面對(duì)介質(zhì)表面3到磁質(zhì)部分7與磁質(zhì)部分2d之間的界面的高度H較小(類似于第一或第二優(yōu)選實(shí)施例)，可以提高記錄效率，并且即使在較短波長(zhǎng)信號(hào)的情況下也可以獲得高的記錄效率。
當(dāng)用作為在記錄線圈5的一側(cè)上的主磁極的磁質(zhì)部分2d的僅僅一部分向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)時(shí)(如圖12(b)中所示)，或者當(dāng)磁質(zhì)部分2d不向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)時(shí)(如圖12(c)中所示)，在后沿上的磁通量密度較小，并且在線方向上的磁場(chǎng)13的梯度較緩和。因此，它不能執(zhí)行比本優(yōu)選實(shí)施例更高密度的記錄操作。
如下文中所述，如果主磁極2d的長(zhǎng)度p1(參見圖12(a))也變小，則可以獲得高密度的磁通量，即，可以執(zhí)行高密度的記錄操作。
參照?qǐng)D13，下面將描述一種用于制造在本優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的方法。
首先，如圖13(a)中所示，在例如銅的金屬膜21被形成在基底20上之后，例如DLC的絕緣膜22被形成在金屬膜21上。
然后，如圖13(b)所示，使用例如FIB在絕緣膜22中形成溝道23a，并且形成到達(dá)銅膜21的溝道23b。
然后，如圖13(c)中所示，使用例如準(zhǔn)直濺射方法或電鍍方法，把例如FeCo或NiFe的磁性材料嵌入在溝道23b中，以形成磁質(zhì)部分2d。
接著，類似于磁質(zhì)部分2d的形成，磁性材料被嵌入在溝道23a中，以形成磁質(zhì)部分2c(參見圖13(d))。
然后，如圖13(e)中所示，一個(gè)用于形成記錄線圈的溝道被形成在磁質(zhì)部分2c和2d之間的絕緣膜22上，并且例如使用電鍍方法在該溝道中填充銅，以形成記錄線圈5。
然后，如圖13(f)所示，磁質(zhì)部分7被形成在磁質(zhì)部分2c和2d和記錄線圈5上面，以構(gòu)成磁質(zhì)部分2c和2d之間的一個(gè)橋路。
然后，按照與第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭制造方法相同的方式，剝離基底20和銅層21，以完成一個(gè)磁頭元件。
在該制造方法中，由于磁質(zhì)部分2d是通過在溝道中填充軟磁性材料而形成的，該溝道是從相對(duì)側(cè)到面對(duì)介質(zhì)表面3通過例如FIB這樣的干法蝕刻形成的，在面對(duì)介質(zhì)表面3的一側(cè)上的磁極的長(zhǎng)度p1不但可重復(fù)和精確地得到形成，而且如上文所述磁質(zhì)部分2d還可以理想地向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)。在一個(gè)通常的記錄介質(zhì)系統(tǒng)中，通過一個(gè)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)器移動(dòng)磁頭而存取信息。因此，在記錄介質(zhì)的內(nèi)圓周側(cè)記錄道和外圓周側(cè)記錄道之間的位置關(guān)系中，主磁極向著磁盤的圓周方向傾斜。在主磁極類型的記錄頭的情況下，還從主磁極的一側(cè)執(zhí)行記錄操作，從而發(fā)現(xiàn)存在在介質(zhì)的記錄道邊緣上的噪聲增加的問題。如果來自主磁極一側(cè)的記錄減小，則噪聲減小。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，需要盡可能地減小主磁極的長(zhǎng)度p1。但是，如果主磁極的長(zhǎng)度p1減小，則記錄效率大大降低，從而不可能提供具有實(shí)用效率的磁頭。在該優(yōu)選實(shí)施例中，主磁極的形狀還從記錄線圈5的一側(cè)變細(xì)，使得即使主磁極的長(zhǎng)度p1減小，也可以保證實(shí)用的磁通量密度。這是由于上述制造方法，即由于從相對(duì)側(cè)到面對(duì)介質(zhì)表面的干法蝕刻，而具有的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。特別地，如果使用FIB，可以容易地控制形狀，并且容易形成比光刻的分辨率更小的主磁極。
如果記錄線圈5不形成在圖1中所示的第一優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭1中，或者不形成在圖7中所示的磁頭1A中，則可以獲得僅僅用于再現(xiàn)的有效磁頭1B。
因此，如圖14中所示，如果使用通過把僅僅用于再現(xiàn)的磁頭1B與圖8、10或11中所示的僅僅用于記錄的磁頭(例如磁頭32)相集成而形成一個(gè)記錄/再現(xiàn)磁頭40，則可以獲得例如圖15中所示的高密度記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)。
特別地，根據(jù)本發(fā)明，由于可以在較短波長(zhǎng)執(zhí)行記錄和再現(xiàn)操作，可以實(shí)現(xiàn)到目前為止還不能實(shí)現(xiàn)的傳輸速度，使得可以通過網(wǎng)絡(luò)快速地交換信息。
另外，即使根據(jù)本發(fā)明的磁頭，例如磁頭32，被用于執(zhí)行通過光或熱輔助執(zhí)行的熱輔助磁性記錄或光輔助磁性記錄操作，可以實(shí)現(xiàn)高密度記錄，并且可以實(shí)現(xiàn)高的傳輸速度。另外，圖16示出用于通過激光束35輔助記錄操作的一種光輔助磁性記錄系統(tǒng)。
(第四優(yōu)選實(shí)施例)在圖22中示出根據(jù)本發(fā)明的磁頭的第四優(yōu)選實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。在根據(jù)第四優(yōu)選實(shí)施例中，磁頭70包括一對(duì)軟性材料的磁質(zhì)部分2c和2d，以及磁阻效應(yīng)元件6。磁隙72位于磁質(zhì)部分2c和2d之間。磁阻效應(yīng)元件6位于磁質(zhì)部分2c和2d的面對(duì)介質(zhì)表面3的相對(duì)面上，以跨在磁隙72上。磁隙72的形狀可以與第一或第二優(yōu)選實(shí)施例相同或不同。例如，磁隙72的長(zhǎng)度可以為恒定。磁質(zhì)部分2d是用于從記錄介質(zhì)10讀出信息的主磁極，并且具有向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)形狀的軟磁性材料的凸出部分2d1。該凸出部分2d1也具有從磁隙72向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)的形狀。
如上文所述，在該優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭70中，用作為主磁極的磁質(zhì)部分2d的凸出部分2d1具有向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)的形狀。特別地，凸出部分2d1還具有從磁隙72向著面對(duì)介質(zhì)表面3變細(xì)的形狀。因此，由于用于從記錄介質(zhì)10讀出信息的主磁極12的面積可以在面對(duì)介質(zhì)表面一側(cè)較小，因此提高了再現(xiàn)分辨率。另外，由于凸出部分2d1從面對(duì)介質(zhì)表面向著磁阻效應(yīng)元件6變寬，因此可以有效地把介質(zhì)磁通量導(dǎo)向磁阻效應(yīng)元件6。
另外，如果從面對(duì)介質(zhì)表面3到面對(duì)介質(zhì)表面的相對(duì)面的高度H較小，類似于第一至第三優(yōu)選實(shí)施例，則磁通路的長(zhǎng)度較小，從而即使在較短波長(zhǎng)信號(hào)的情況下，可以提高再現(xiàn)效率，并獲得高的再現(xiàn)效率。
(第五優(yōu)選實(shí)施例)參照?qǐng)D23和24，下面將描述根據(jù)本發(fā)明的磁性再現(xiàn)系統(tǒng)的第五優(yōu)選實(shí)施例。
圖23中示出該磁性再現(xiàn)系統(tǒng)的簡(jiǎn)要結(jié)構(gòu)。也就是說在該優(yōu)選實(shí)施例中，一種磁性再現(xiàn)系統(tǒng)150是一種使用旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)器類型的系統(tǒng)。在圖23中，磁盤200安裝在轉(zhuǎn)軸152上，以響應(yīng)來自驅(qū)動(dòng)單元控制部分(未示出)的控制信號(hào)通過電機(jī)(未示出)沿箭頭A的方向旋轉(zhuǎn)。用于記錄和/或再現(xiàn)存儲(chǔ)于磁盤200上的信息的磁頭滑塊153安裝在薄膜狀懸架154的尖端部分上。在第一或第四優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭安裝在其尖端附近的磁頭滑塊153上。
懸架154連接到具有用于保持驅(qū)動(dòng)線圈(未示出)等等的線軸部分的驅(qū)動(dòng)臂155的一端。驅(qū)動(dòng)臂155的另一端具有作為一種線性電機(jī)的音圈電機(jī)156。該音圈電機(jī)156包括繞在驅(qū)動(dòng)臂155的線軸部分上的一個(gè)驅(qū)動(dòng)線圈(未示出)，以及包括一個(gè)永磁體和設(shè)置為通過線圈相互面對(duì)的相對(duì)磁軛的一個(gè)磁路。
驅(qū)動(dòng)臂155由位于固定軸157的上方和下方兩個(gè)位置處的滾珠軸承(未示出)所支承，并且可通過音圈電機(jī)156旋轉(zhuǎn)和滑動(dòng)。
圖24為從磁盤側(cè)面看去的在驅(qū)動(dòng)臂155前面的磁頭組件的放大透視圖。即，磁頭組件160具有驅(qū)動(dòng)臂155，該驅(qū)動(dòng)臂具有用于保持驅(qū)動(dòng)線圈等等的線軸部分，并且驅(qū)動(dòng)臂155的一端連接到懸架154。
在懸架154的尖端部位，安裝有具有在任何一個(gè)上述優(yōu)選實(shí)施例中的磁頭的磁頭滑塊153。
懸架154具有寫入/讀出引線164。該引線164電連接到設(shè)置在磁頭滑塊153中的磁頭的每個(gè)電極。在圖24中，參考標(biāo)號(hào)165表示磁頭組件160的電極焊盤。
在磁頭滑塊153的面對(duì)介質(zhì)表面(ABS)與磁盤200的表面之間設(shè)置預(yù)定的浮動(dòng)量。
盡管已經(jīng)在優(yōu)選實(shí)施例中描述了磁頭再現(xiàn)系統(tǒng)，但是在第二或第三優(yōu)選實(shí)施例中的記錄頭可以替換為再現(xiàn)頭。在這種情況下，可以獲得一種磁性記錄系統(tǒng)。如果在上述優(yōu)選實(shí)施例中的再現(xiàn)頭和記錄頭相互結(jié)合，則可以獲得一種磁性記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)。
該介質(zhì)不限于硬盤，并且該介質(zhì)可以是任何磁性記錄介質(zhì)，例如軟盤和磁卡。另外，可以使用能夠從系統(tǒng)中拆下的磁性記錄介質(zhì)的所謂“可拆下”型系統(tǒng)。
如上文所述，根據(jù)本發(fā)明，即使在較短磁通路長(zhǎng)度和較短波長(zhǎng)信號(hào)的情況下，也能夠以高分辨率和高效率執(zhí)行記錄或再現(xiàn)操作。
盡管已結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例公開了本發(fā)明，以便于更好地理解本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是本發(fā)明可以用各種方式來實(shí)現(xiàn)，而不脫離本發(fā)明的原理。因此，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明包括了在不脫離所附權(quán)利要求書給出的本發(fā)明原理的前提下的所有可能的實(shí)施例和對(duì)所示實(shí)施例的修正。
權(quán)利要求
1．一種磁頭，包括一對(duì)磁體，它們包括各自的第一和第二面對(duì)介質(zhì)表面、與該面對(duì)介質(zhì)表面相對(duì)的各自的第一和第二后表面、以及各自的內(nèi)側(cè)表面，該內(nèi)側(cè)表面相互面對(duì)；以及一個(gè)磁隙，其位于該內(nèi)側(cè)表面之間，并且包括與第一和第二介質(zhì)面對(duì)表面共面的第三面對(duì)介質(zhì)表面以及與第一和第二后表面共面的第三后表面；其中一個(gè)內(nèi)側(cè)表面滿足如下關(guān)系x=G1/2對(duì)于0≤y≤TH，以及0.1·tan{2(x-G1/2)}+TH≤y≤5·tan(2(x-G1/2))+TH對(duì)于TH≤y其中x表示這個(gè)內(nèi)側(cè)表面的X座標(biāo)，并且y表示這個(gè)內(nèi)側(cè)表面的Y座標(biāo)，X軸從第三面對(duì)介質(zhì)表面的中心向著第一或第二面對(duì)介質(zhì)表面的中心延伸，Y軸從第三面對(duì)介質(zhì)表面的中心向著第三后表面延伸，Y軸基本上與X軸垂直，并且G1和TH分別表示常數(shù)。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中隨著x從一點(diǎn)x=G1/2開始連續(xù)增加，y從一點(diǎn)y=TH到第一或第二后表面連續(xù)變化。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中該對(duì)磁體可以包括在磁隙的兩側(cè)上的第一或第二面對(duì)介質(zhì)表面上的軟磁性材料的凸出部分。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中該對(duì)磁體是磁軛，并且該磁頭包括設(shè)置在第一和第二后表面上并被置于磁隙上方的磁阻效應(yīng)元件。
5．根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中該對(duì)磁體是磁芯，并且該磁頭進(jìn)一步包括位于第一和第二后表面上并置于磁隙上方的軟磁性材料的一個(gè)后軛，以及形成在該磁隙中的一個(gè)記錄線圈。
6．一種磁性記錄頭，其中包括一對(duì)磁體，其間由一個(gè)磁隙分開并且它們包括各自的面對(duì)介質(zhì)表面和與面對(duì)介質(zhì)表面相對(duì)的各自的后表面，該對(duì)磁體中的一個(gè)包括一個(gè)凸出部分，該凸出部分向著面對(duì)介質(zhì)表面逐漸變細(xì)；設(shè)于該磁隙中的一個(gè)記錄線圈；以及被置于該后表面上并被置于該磁隙上方的一個(gè)軟磁性材料后磁體。
7．一種磁性再現(xiàn)頭包括一對(duì)磁體，其間由一個(gè)磁隙分開，并且它們包括各自的面對(duì)介質(zhì)表面和與面對(duì)介質(zhì)表面相對(duì)的各自的后表面，該對(duì)磁體中的一個(gè)包括一個(gè)凸出部分，該凸出部分向著面對(duì)介質(zhì)表面逐漸變細(xì)；以及被設(shè)置于后表面上并被置于磁隙上方的磁阻效應(yīng)元件。
8．一種磁頭制造方法，其中包括在一個(gè)基底上形成一個(gè)磁體，該磁體包括一個(gè)面向基底的主平面以及與主平面相對(duì)的一個(gè)后平面；把射束施加到該磁體的后平面上，并形成確定從該后平面向主平面延伸的一個(gè)通孔的一個(gè)部分；在該通孔中形成一個(gè)磁隙；以及從該基底上分離出磁體和磁隙，并且形成基本上與主平面共面的面對(duì)介質(zhì)表面。
9．根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁頭制造方法，其中該射束為聚焦的離子束。
10．一種用于制造磁頭的方法，其中包括在一個(gè)基底上形成一個(gè)絕緣膜；沿著向著該基底的方向把聚焦的離子束施加到該絕緣膜上并且在該絕緣膜中形成確定第一和第二溝道的一個(gè)部分；在第一和第二溝道中填充磁性材料以形成一對(duì)磁體；在該對(duì)磁體之間的絕緣膜中形成一個(gè)記錄線圈；以及在該對(duì)磁體和記錄線圈上形成一個(gè)第二磁體。
11．一種磁性再現(xiàn)系統(tǒng)，其中包括權(quán)利要求4中所述的磁頭作為再現(xiàn)頭。
12．一種磁性記錄系統(tǒng)，其中包括權(quán)利要求5中所述的磁頭作為再現(xiàn)頭。
13．一種磁性記錄系統(tǒng)，其中包括權(quán)利要求6中所述的磁性記錄頭。
14．一種磁性再現(xiàn)系統(tǒng)，其中包括權(quán)利要求7中所述的磁性再現(xiàn)頭。
全文摘要
在此提供一種即使在較短磁通路長(zhǎng)度和較短波長(zhǎng)信號(hào)的情況下也能夠有效執(zhí)行磁頭的記錄或再現(xiàn)操作的磁頭。該磁頭包括一對(duì)軟磁性材料的磁質(zhì)部分,每個(gè)磁質(zhì)部分的主平面作為一個(gè)與記錄介質(zhì)相對(duì)的表面;以及位于該對(duì)磁質(zhì)部分之間的一個(gè)磁隙,其被形成使得在主平面的相對(duì)側(cè)上的該對(duì)磁質(zhì)部分之間的距離大于在主平面上的該對(duì)磁質(zhì)部分之間的距離,并且該對(duì)磁質(zhì)部分之間的距離從主平面一側(cè)到主平面的相對(duì)側(cè)連續(xù)變化。
文檔編號(hào)G11B5/127GK1315723SQ0111186
公開日2001年10月3日 申請(qǐng)日期2001年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月30日
發(fā)明者與田博明, 大澤裕一, 船山知己 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝