專(zhuān)利名稱(chēng)：有測(cè)試模式判斷電路的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，更詳細(xì)地說(shuō)，涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中的測(cè)試模式判斷電路的改進(jìn)。
一般說(shuō)來(lái)，DRAM有多種測(cè)試模式。如果設(shè)置在DRAM內(nèi)的測(cè)試模式判斷電路檢測(cè)出測(cè)試模式，則DRAM便進(jìn)入測(cè)試模式狀態(tài)。使用者在一般情況下使用DRAM時(shí)，測(cè)試模式判斷電路在WCBR(WE(寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào))、CAS(列地址選通信號(hào))BEFORE RAS(行地址選通信號(hào)))循環(huán)中，檢測(cè)是否有比H(邏輯高)電平還高的超VIH電平施加在地址引腳上，以便DRAM不致錯(cuò)誤地進(jìn)入測(cè)試模式。
可是，現(xiàn)有的DRAM不能同時(shí)進(jìn)入多種測(cè)試模式。與此不同，特開(kāi)平5-242698號(hào)公報(bào)公開(kāi)了一種能同時(shí)進(jìn)入多種測(cè)試模式的DRAM?？墒?，該DRAM在已經(jīng)進(jìn)入某種測(cè)試模式時(shí)，卻不能一邊保持該測(cè)試模式，一邊進(jìn)入另一測(cè)試模式。因此，該DRAM必須從測(cè)試模式暫時(shí)退出后再同時(shí)進(jìn)入兩種測(cè)試模式。
另外，現(xiàn)有的DRAM在進(jìn)入了測(cè)試模式時(shí)，必然要進(jìn)行刷新工作。因此，在DRAM進(jìn)入了某種測(cè)試模式的情況下，再進(jìn)入另一測(cè)試模式時(shí)，還要進(jìn)行刷新工作，存在不能準(zhǔn)確地執(zhí)行最初的測(cè)試的問(wèn)題。
另外，在WCBR循環(huán)中，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)、列地址選通信號(hào)及行地址選通信號(hào)被錯(cuò)誤地輸入時(shí)，如果高電壓噪聲進(jìn)入地址引腳，則DRAM有可能錯(cuò)誤地進(jìn)入測(cè)試模式。
特開(kāi)平10-247399號(hào)公報(bào)公開(kāi)了這樣一種DRAM在三次WCBR循環(huán)中輸入三種密碼信號(hào)，并存入寄存器中，在第四次WCBR循環(huán)中隨著地址輸入而進(jìn)入規(guī)定的測(cè)試模式?？墒?，該DRAM不能同時(shí)輸入多種測(cè)試模式。
本發(fā)明的目的在于提供一種不會(huì)錯(cuò)誤地進(jìn)入測(cè)試模式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
按照本發(fā)明，有存儲(chǔ)單元陣列的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器備有測(cè)試模式判斷電路；以及多個(gè)測(cè)試控制電路。測(cè)試模式判斷電路在行地址選通信號(hào)被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)及列地址選通信號(hào)被激活時(shí)，根據(jù)地址關(guān)鍵字激活測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)，在該測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)被激活期間內(nèi)，在行地址選通信號(hào)被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)及列地址選通信號(hào)被激活時(shí)，根據(jù)地址關(guān)鍵字有選擇地將多個(gè)測(cè)試模式信號(hào)激活。對(duì)應(yīng)于多個(gè)測(cè)試模式信號(hào)，設(shè)置多個(gè)測(cè)試控制電路。各測(cè)試控制電路響應(yīng)對(duì)應(yīng)的測(cè)試模式信號(hào)，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行預(yù)定的測(cè)試。
上述測(cè)試模式判斷電路最好激活測(cè)試模式信號(hào)中的一個(gè)信號(hào)，并連續(xù)激活該測(cè)試模式信號(hào)，再激活另一個(gè)測(cè)試模式信號(hào)。
上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器最好還備有刷新裝置。刷新裝置在測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)未被激活期間內(nèi)，在行地址選通信號(hào)被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)及列地址選通信號(hào)被激活時(shí)，刷新存儲(chǔ)單元陣列。
如上所述，如果采用本發(fā)明，則由于測(cè)試模式判斷電路在第二次WCBR循環(huán)中，開(kāi)始根據(jù)地址關(guān)鍵字激活測(cè)試模式信號(hào)，所以該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器錯(cuò)誤地進(jìn)入測(cè)試模式的可能性小。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例的DRAM總體結(jié)構(gòu)框圖。
圖2是表示圖1中的控制電路的局部結(jié)構(gòu)框圖。
圖3是表示圖1中的控制電路中包括的圖2中的測(cè)試模式進(jìn)入電路、行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路及行相關(guān)控制電路的結(jié)構(gòu)框圖。
圖4是表示圖3中的SVIH檢測(cè)器控制電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖5是表示圖3中的測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖6是表示圖3中的測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖7是表示圖3中的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖8是表示行相關(guān)控制電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖9是表示圖2中的測(cè)試模式設(shè)定電路的結(jié)構(gòu)框圖。
圖10是表示圖9中的測(cè)試模式設(shè)定脈沖發(fā)生電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖11是表示圖9中的各測(cè)試模式地址譯碼電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖12是表示圖9中的測(cè)試模式譯碼電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖13是表示圖1至圖12所示的DRAM的測(cè)試模式進(jìn)入工作的時(shí)序圖。
圖14是表示圖13中的測(cè)試模式進(jìn)入工作后設(shè)定一種測(cè)試模式的工作時(shí)序圖。
圖15是表示圖14所示的測(cè)試模式設(shè)定工作后附加設(shè)定另一測(cè)試模式的工作時(shí)序圖。
圖16是表示圖15所示的測(cè)試模式設(shè)定工作后打算設(shè)定與它們不相容的測(cè)試模式時(shí)的工作時(shí)序圖。
圖17是表示圖15所示的測(cè)試模式設(shè)定工作后使一組復(fù)位而保持另一組的工作時(shí)序圖。
圖18是表示圖15所示的測(cè)試模式設(shè)定工作后附加設(shè)定另一測(cè)試模式的工作時(shí)序圖。
圖19是表示在測(cè)試模式中進(jìn)行的CBR刷新工作的時(shí)序圖。
圖20是表示圖1至圖12所示的DRAM在CBR循環(huán)中從測(cè)試模式退出的工作時(shí)序圖。
以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施倒。另外，圖中相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)以相同的符號(hào)，不重復(fù)說(shuō)明。
參照?qǐng)D1，本發(fā)明實(shí)施例的DRAM備有64兆位的存儲(chǔ)單元陣列10；響應(yīng)通過(guò)13條地址引腳12供給的外部地址信號(hào)EXTA0～EXTA12，生成內(nèi)部地址信號(hào)INTA0～I(xiàn)NTA12的地址輸入緩沖器14；響應(yīng)通過(guò)控制引腳18供給的外部行地址選通信號(hào)/RAS、外部列地址選通信號(hào)/CAS、外部寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)/WE、外部輸出啟動(dòng)信號(hào)/OE，生成內(nèi)部行地址選通信號(hào)RASF、內(nèi)部列地址選通信號(hào)CASOR、內(nèi)部寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)WEF等的控制信號(hào)緩沖器16；通過(guò)響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)INTA0～I(xiàn)NTA12及內(nèi)部控制信號(hào)RASF、CASOR、WEF，控制存儲(chǔ)單元陣列10，從存儲(chǔ)單元陣列10讀出數(shù)據(jù)，而且將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元陣列10的控制電路20；以及通過(guò)數(shù)據(jù)引腳24輸出從存儲(chǔ)單元陣列10讀出的8位數(shù)據(jù)DQ0～DQ7，而且通過(guò)數(shù)據(jù)引腳24輸入應(yīng)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元陣列10的數(shù)據(jù)DQ0～DQ7的數(shù)據(jù)輸入輸出緩沖器22。
該DRAM有「×8」結(jié)構(gòu)，能同時(shí)輸入輸出8個(gè)數(shù)據(jù)DQ0～DQ7。另外，該DRAM是8K產(chǎn)品，通常工作時(shí)的行地址使用內(nèi)部地址信號(hào)INTA0～I(xiàn)NTA12，是8千位的。但CBR(CAS before RAS)刷新工作時(shí)的行地址是其一半、即4千位。
控制電路20包括檢測(cè)控制信號(hào)RASF、CASOR、WEF及地址關(guān)鍵字，判斷測(cè)試模式的測(cè)試模式判斷電路26；以及響應(yīng)來(lái)自測(cè)試模式判斷電路26的測(cè)試模式信號(hào)TM1～TM4，對(duì)該DRAM分別進(jìn)行預(yù)定的測(cè)試的測(cè)試控制電路281～284。測(cè)試模式判斷電路26包括根據(jù)在第一次的WCBR(WE,CAS before RAS)循環(huán)中輸入的地址關(guān)鍵字，能進(jìn)入測(cè)試模式的測(cè)試模式進(jìn)入電路30；以及根據(jù)在第二次循環(huán)中輸入的地址關(guān)鍵字，設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM1～TM4的測(cè)試模式設(shè)定電路32。
如圖3所示，圖1所示的控制電路20除了測(cè)試模式進(jìn)入電路30以外，還包括如果行地址選通信號(hào)RASF變成高電平，便將行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE激活為L(zhǎng)(邏輯低)電平的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34；以及響應(yīng)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE，生成將讀出放大器激活用的讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD的行相關(guān)控制電路36。
測(cè)試模式進(jìn)入電路30包括檢測(cè)超VIH電平的SVIH檢測(cè)器控制電路38；在測(cè)試模式進(jìn)入期間內(nèi)，對(duì)內(nèi)部地址信號(hào)INTA0～I(xiàn)NTA5進(jìn)行譯碼的測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40；以及檢測(cè)WCBR循環(huán)的測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路43。
參照?qǐng)D4,SVIH檢測(cè)器控制電路38包括響應(yīng)來(lái)自測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路43的WCBR檢測(cè)信號(hào)WCBR，生成檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD的單穩(wěn)多諧振蕩電路380；檢測(cè)作為外部地址信號(hào)EXTA0施加的超VIH電平，生成超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH0的SVIH檢測(cè)器381；以及檢測(cè)作為外部地址信號(hào)EXTA1施加的超VIH電平，生成超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH1的SVIH檢測(cè)器382。SVIH檢測(cè)器381包括電平變換器386；差動(dòng)放大器387；N溝道MOS晶體管388；NAND電路389～391；以及倒相電路392。晶體管388響應(yīng)高電平的檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD而導(dǎo)通，從而向差動(dòng)放大器387供電。因此，SVIH檢測(cè)器381響應(yīng)檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD而被激活。NAND電路390及391構(gòu)成RS雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩電路。因此，如果施加超VIH電平，超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH0便被設(shè)定成高電平。該超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH0響應(yīng)WCBR檢測(cè)信號(hào)WCBR而被復(fù)位。SVIH檢測(cè)器382與SVIH檢測(cè)器381的結(jié)構(gòu)相同。
參照?qǐng)D5，測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40包括倒相電路401～403、405、407、408、410、411、413、414、417、419、420、422；以及NAND電路404、406、409、412、415、416、418、421。倒相電路401響應(yīng)來(lái)自SVIH檢測(cè)器控制電路38的檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD，生成與其互補(bǔ)的檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)/TMSETD。當(dāng)檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD為高電平、而且檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)/TMSETD為低電平時(shí)，倒相電路405、411、417被激活。
在來(lái)自檢測(cè)器控制電路38的超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH0為低電平、超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH1為高電平、而且內(nèi)部地址信號(hào)INTA0為高電平的情況下，當(dāng)檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)/TMSETD變成高電平時(shí)，測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TMEENTRY變成高電平。
另外，在內(nèi)部地址信號(hào)INTA0為高電平的情況下，當(dāng)檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)/TMSETD變成高電平時(shí)，刷新接通信號(hào)/REFON變成低電平。
另外，在來(lái)自測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路43的測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME為高電平、內(nèi)部地址信號(hào)INTA0為低電平、而且超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH1為高電平的情況下，當(dāng)檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)/TMSETD變成高電平時(shí)，測(cè)試模式設(shè)定信號(hào)TMSET變成高電平。
參照?qǐng)D6，測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路43包括NAND電路431、433～436、439、440、442、443、445～447、450、451、453、454；倒相電路432、437、438、441、444、448、455、457～459、461；以及NOR電路449、456。
參照?qǐng)D7，行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34包括NAND電路341～346、348、349；以及NOR電路347。在行地址選通信號(hào)RASF被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)WEF被激活的WBR(WE before RAS)循環(huán)中WBR檢測(cè)信號(hào)/WBR變成低電平。另外，在行地址選通信號(hào)RASF被激活之前，在列地址選通信號(hào)CASOR被激活的CBR循環(huán)中CBR檢測(cè)信號(hào)/CASBR變成低電平。如果WBR檢測(cè)信號(hào)/WBR及CBR檢測(cè)信號(hào)/CASBR都變成低電平、來(lái)自測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路43的測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME變成高電平、而且來(lái)自測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40的刷新接通信號(hào)/REFON變成高電平，則行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE變成高電平，行相關(guān)控制電路36停止工作。另外，如果刷新接通信號(hào)/REFON變成低電平，則行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE變成低電平，行相關(guān)控制電路36開(kāi)始工作。
參照?qǐng)D8，行相關(guān)控制電路36包括倒相電路361～365、367～371、373～375；OR電路366；以及AND電路372。來(lái)自行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34的行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE被供給倒相電路361及369。倒相電路362生成鎖存內(nèi)部行地址信號(hào)的行地址鎖存信號(hào)/RAL。OR電路366生成行地址譯碼啟動(dòng)信號(hào)RADE，用來(lái)將對(duì)外部地址信號(hào)EXTA0～12進(jìn)行譯碼的行地址譯碼器激活。AND電路372生成將字線(xiàn)激活的字線(xiàn)驅(qū)動(dòng)信號(hào)RXT。倒相電路374生成將讀出放大器激活的讀出信號(hào)SON。倒相電路375生成激活讀出放大器用的讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD。
參照?qǐng)D9，圖2所示的測(cè)試模式設(shè)定電路32包括測(cè)試模式設(shè)定脈沖發(fā)生電路48；4個(gè)測(cè)試模式地址譯碼電路50；以及測(cè)試模式譯碼電路52。
參照?qǐng)D10，測(cè)試模式設(shè)定脈沖發(fā)生電路48是包括延遲電路481、倒相電路482、484、以及NAND電路483的單穩(wěn)多諧振蕩電路。該測(cè)試模式設(shè)定脈沖發(fā)生電路48響應(yīng)來(lái)自測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40的測(cè)試模式設(shè)定信號(hào)TMSET，生成規(guī)定期間測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP。
參照?qǐng)D11，各個(gè)測(cè)試模式地址譯碼電路50包括NAND電路501；以及倒相電路502、503。各測(cè)試模式地址譯碼電路50在來(lái)自測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路43的測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME為高電平時(shí)響應(yīng)內(nèi)部地址信號(hào)INTAn(n2～5)，生成互補(bǔ)的測(cè)試模式地址譯碼信號(hào)TADD及/TADD。
參照?qǐng)D12，測(cè)試模式譯碼電路52包括AND電路521、526、536、541、546；倒相電路522、523、525、527～529、532、537、538、540、542、543、545；NOR電路524、531、539、544；以及NAND電路530、534、535、547、548。由NOR電路524及倒相電路525構(gòu)成的鎖存電路響應(yīng)測(cè)試模式地址譯碼信號(hào)TADD2、/TADD3及測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP，鎖存測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME，而且供給測(cè)試模式信號(hào)TM1。
另外，由NOR電路531及倒相電路532構(gòu)成的鎖存電路響應(yīng)測(cè)試模式地址譯碼信號(hào)/TADD2、TADD3及測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP，鎖存測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME，而且供給測(cè)試模式信號(hào)TM2。
響應(yīng)測(cè)試模式地址譯碼信號(hào)/TADD2、/TADD3、測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP及測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME，生成復(fù)位信號(hào)RESETA。由NOR電路524及倒相電路525構(gòu)成的鎖存電路響應(yīng)復(fù)位信號(hào)RESETA而被復(fù)位。由NOR電路531及倒相電路532構(gòu)成的鎖存電路在WCBR檢測(cè)信號(hào)WCBR為低電平或復(fù)位信號(hào)RESETA為高電平時(shí)被復(fù)位。
另外，由NOR電路539及倒相電路540構(gòu)成的鎖存電路響應(yīng)測(cè)試模式地址譯碼信號(hào)TADD4、/TADD5及測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP，鎖存測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME，而且供給測(cè)試模式信號(hào)TM3。
另外，由NOR電路544及倒相電路545構(gòu)成的鎖存電路響應(yīng)測(cè)試模式地址譯碼信號(hào)/TADD4、TADD5、測(cè)試模式信號(hào)TM3及測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP，鎖存測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME，而且供給測(cè)試模式信號(hào)TM4。
響應(yīng)測(cè)試模式地址譯碼信號(hào)/TADD4、/TADD5、測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP及測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME，生成復(fù)位信號(hào)RESETB。由NOR電路539及倒相電路540構(gòu)成的鎖存電路響應(yīng)復(fù)位信號(hào)RESETB而被復(fù)位。由NOR電路544及倒相電路545構(gòu)成的鎖存電路響應(yīng)復(fù)位信號(hào)RESETB而被復(fù)位。
其次，說(shuō)明上述DRAM中的測(cè)試模式判斷電路26的工作。
下表1表示為了設(shè)定各種工作模式而在WCBR循環(huán)中輸入的地址關(guān)鍵字。
*)自由選取在WCBR循環(huán)中，如果作為外部地址信號(hào)EXTA0供給高電平，而且作為外部地址信號(hào)EXTA1供給超VIH電平，則測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME變成高電平，該DRAM雖然變成能進(jìn)入測(cè)試模式的狀態(tài)，但還未進(jìn)入任何測(cè)試模式。
再在WCBR循環(huán)中，如果作為外部地址信號(hào)EXTA0供給低電平，而且作為外部地址信號(hào)EXTA1供給超VIH電平，則測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TMSET變成高電平，該DRAM根據(jù)外部地址信號(hào)EXTA2～EXTA5的地址關(guān)鍵字，進(jìn)入所希望的測(cè)試模式。具體地說(shuō)，如果作為外部地址信號(hào)EXTA2供給高電平，而且作為外部地址信號(hào)EXTA3供給低電平，則測(cè)試模式信號(hào)TM1變成高電平，測(cè)試控制電路281進(jìn)行預(yù)定的測(cè)試。另外，如果作為外部地址信號(hào)EXTA2供給低電平，而且作為外部地址信號(hào)EXTA3供給高電平，則測(cè)試模式信號(hào)TM2變成高電平，測(cè)試控制電路282進(jìn)行預(yù)定的測(cè)試。另外，如果作為外部地址信號(hào)EXTA4供給高電平，而且作為外部地址信號(hào)EXTA5供給低電平，則測(cè)試模式信號(hào)TM3變成高電平，測(cè)試控制電路283進(jìn)行預(yù)定的測(cè)試。另外，如果作為外部地址信號(hào)EXTA4供給低電平，而且作為外部地址信號(hào)EXTA5供給高電平，則測(cè)試模式信號(hào)TM4變成高電平，測(cè)試控制電路284進(jìn)行預(yù)定的測(cè)試。
另外，在WCBR循環(huán)中，如果作為外部地址信號(hào)EXTA0供給高電平，則行相關(guān)控制電路36將存儲(chǔ)單元陣列10刷新。
首先，參照?qǐng)D13，說(shuō)明測(cè)試模式進(jìn)入工作。在此情況下，設(shè)定外部地址信號(hào)EXTA0為高電平，外部地址信號(hào)EXTA1為超VIH電平，進(jìn)行WCBR循環(huán)。
在WCBR循環(huán)中，如果行地址選通信號(hào)RASF被激活為高電平，則CBR檢測(cè)信號(hào)/CBR由行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34激活為低電平，而且WCBR檢測(cè)信號(hào)由測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路43激活為高電平。
如果WCBR檢測(cè)信號(hào)WCBR變成高電平，則在預(yù)定的期間內(nèi)檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD由單穩(wěn)多諧振蕩電路380變成高電平。如果檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD變成高電平，則SVIH檢測(cè)器381及382兩者開(kāi)始工作。這時(shí)由于只有外部地址信號(hào)EXTA1變成超VIH電平，所以只有超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH1變成高電平，超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH0保持低電平。
在檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD呈高電平的期間，由定時(shí)倒相器405構(gòu)成的門(mén)導(dǎo)通，將NAND電路404的輸出信號(hào)傳輸給由NAND電路406及倒相電路407構(gòu)成的鎖存電路。這時(shí)，由于超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH0呈低電平，超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH1呈高電平，內(nèi)部地址信號(hào)/INTA0呈低電平，所以NAND電路404的輸出信號(hào)變成低電平。
如果檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD變成低電平，則由定時(shí)倒相器405構(gòu)成的門(mén)關(guān)閉，反之由NAND電路409構(gòu)成的門(mén)導(dǎo)通。因此，通過(guò)NAND電路409傳輸被鎖存的信號(hào)，因此測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TMEENTRY變成高電平。
這里，不僅能檢測(cè)超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH1，而且也能檢測(cè)超VIH檢測(cè)信號(hào)SVIH0。這是因?yàn)楦唠妷旱脑肼晭缀醪患釉诘刂沸盘?hào)EXTA1上，不會(huì)將這樣的高電壓噪聲錯(cuò)誤地識(shí)別為超VIH。
因此，在測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME呈低電平的情況下，如果行地址選通信號(hào)RASF變成高電平，則行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE由行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34激活為低電平。如果行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE變成低電平，則行相關(guān)控制電路36開(kāi)始工作，經(jīng)過(guò)規(guī)定的期間后，將讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD激活為低電平。讀出放大器響應(yīng)該低電平的讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD而工作，將在位線(xiàn)對(duì)上產(chǎn)生的微小的電位差放大。
接著，如果行地址選通信號(hào)RASF變成低電平，則行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE不被激活，為高電平，接著讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD也不被激活，為高電平。伴隨行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE不被激活，如果圖8中的字線(xiàn)驅(qū)動(dòng)信號(hào)RXT不被激活，則字線(xiàn)電位下降，接著讀出放大器響應(yīng)高電平的讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD而不被激活。
如果讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD不被激活，為高電平，則圖6所示的測(cè)試模式進(jìn)入WCBR檢測(cè)電路43中的由同步脈沖倒相電路458構(gòu)成的門(mén)導(dǎo)通。由NAND電路453及454構(gòu)成的雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩電路響應(yīng)高電平的測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TMEENTRY，使輸出節(jié)點(diǎn)NA保持高電平。其結(jié)果，節(jié)點(diǎn)NA的高電平信號(hào)通過(guò)同步脈沖倒相電路458傳輸，因此測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME變成高電平。這樣在行地址選通信號(hào)RASF不被激活，為低電平、進(jìn)而讀出放大器不被激活后，測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME變成高電平。其工作在上述的測(cè)試模式進(jìn)入時(shí)雖然沒(méi)有問(wèn)題，但這是為了在CBR或ROR(RAS Only Refresh)循環(huán)中，在行相關(guān)電路在工作時(shí)DRAM急速地從測(cè)試模式退出的情況下不致產(chǎn)生影響。
如上所述，在WCBR循環(huán)中，當(dāng)外部地址信號(hào)EXTA0為高電平、而且外部地址信號(hào)EXTA1為超VIH電平時(shí)，測(cè)試模式進(jìn)入電路30將測(cè)試模式啟動(dòng)信號(hào)TME激活為高電平。因此測(cè)試模式設(shè)定電路32雖然變成能設(shè)定測(cè)試模式的狀態(tài)，但任何一種測(cè)試模式信號(hào)TM1～TM4都未被激活為高電平。
其次，參照?qǐng)D14說(shuō)明測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME變成高電平之后，在第二次WCBR循環(huán)中將測(cè)試模式信號(hào)TM1設(shè)定為高電平的工作。
如上述表1所示，為了設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM1，必須將外部地址信號(hào)EXTA2設(shè)定為高電平，將外部地址信號(hào)EXTA3設(shè)定為低電平。
在檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD為高電平期間內(nèi)，低電平的信號(hào)被鎖存在鎖存電路中，該鎖存電路由圖5所示的測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40中的NAND電路418及倒相電路419構(gòu)成。接著如果檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD變成低電平，則由NAND電路421構(gòu)成的門(mén)導(dǎo)通，測(cè)試模式設(shè)定信號(hào)TMSET變成高電平。
在圖7所示的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34中，由于是WCBR循環(huán)，所以WBR檢測(cè)信號(hào)/WBR及CBR檢測(cè)信號(hào)/CASBR都呈低電平。因此，NOR電路347的輸出信號(hào)為高電平。另外測(cè)試模式啟動(dòng)信號(hào)TME為高電平。另外，圖5所示的測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40中的倒相器414的輸出節(jié)點(diǎn)NB為低電平，所以刷新接通信號(hào)/REFON為高電平。因此，圖7所示的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34中的3輸入端NAND電路348的輸出節(jié)點(diǎn)NC變成低電平。因此，行地址選通信號(hào)RASF即使被激活為高電平，行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE也不被激活為低電平。
另外，在圖5所示的測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40中，由于外部地址信號(hào)EXTA0為低電平，所以?xún)?nèi)部地址信號(hào)/INTA0為高電平。因此，檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD即使變成低電平，刷新接通信號(hào)/REFON仍然為高電平，不被激活。因此，在圖7所示的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34中，NAND電路348的輸出節(jié)點(diǎn)NC仍為低電平，行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE也仍然為高電平，不被激活。由于這樣設(shè)定測(cè)試模式，所以即使再輸入WCBR，行相關(guān)工作開(kāi)始信號(hào)/RASE也不被激活，行相關(guān)控制電路36不工作，其結(jié)果，也不能進(jìn)行刷新工作。
接著如果測(cè)試模式設(shè)定信號(hào)TMSET變成高電平，則圖9所示的測(cè)試模式設(shè)定電路32開(kāi)始工作，圖10所示的測(cè)試模式設(shè)定脈沖發(fā)生電路48在由延遲電路481預(yù)先確定的期間發(fā)生高電平的測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)。另外，在圖11所示的測(cè)試模式地址譯碼電路50中，由于測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME為高電平，所以?xún)?nèi)部地址信號(hào)INTAn被譯碼為測(cè)試地址譯碼信號(hào)TADD、/TADD。然后，在圖12所示的測(cè)試模式譯碼電路52中，測(cè)試地址譯碼信號(hào)TADD2、/TADD2～TADD5、/TADD5被譯碼，測(cè)試模式信號(hào)TM1～TM4被置位。這里，由于外部地址信號(hào)A2為高電平，而且外部地址信號(hào)EXTA3為低電平，所以測(cè)試地址譯碼信號(hào)TADD2及/TADD3都為高電平，測(cè)試模式信號(hào)TM1被設(shè)定為高電平。如果測(cè)試模式信號(hào)TM1變成高電平，測(cè)試控制電路281便立刻進(jìn)行測(cè)試，但如上所述，由于測(cè)試模式設(shè)定時(shí)行相關(guān)控制電路36不工作，所以能進(jìn)行穩(wěn)定的測(cè)試。
其次，參照?qǐng)D15說(shuō)明在設(shè)定了測(cè)試模式信號(hào)TM1之后，附加地設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM3的工作。如上表1所示，為了設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM3，必須設(shè)定外部地址信號(hào)EXTA4為低電平、外部地址信號(hào)EXTA5為高電平。
這里，測(cè)試模式信號(hào)TM1～TM4被分為A組及B組。測(cè)試模式信號(hào)TM1及TM2屬于A組，測(cè)試模式信號(hào)TM3及TM4屬于B組。能并列地設(shè)定屬于A組的測(cè)試模式和屬于B組的測(cè)試模式。
其次，表2表示使A、B組保持或復(fù)位用的地址關(guān)鍵字。為了使屬于A組的測(cè)試模式信號(hào)TM1及TM2連續(xù)保持已經(jīng)設(shè)定的狀態(tài)，將外部地址信號(hào)EXTA2及EXTA3都設(shè)定為高電平。為了使屬于A組的測(cè)試模式信號(hào)TM1及TM2都復(fù)位，將外部地址信號(hào)EXTA2及EXTA3都設(shè)定為低電平。為了使屬于B組的測(cè)試模式信號(hào)TM3及TM4連續(xù)保持已經(jīng)設(shè)定的狀態(tài)，將外部地址信號(hào)EXTA4及EXTA5都設(shè)定為高電平。為了使屬于B組的測(cè)試模式信號(hào)TM3及TM4都復(fù)位，將外部地址信號(hào)EXTA4及EXTA5都設(shè)定為低電平。
*)自由選取這里，為了使測(cè)試模式信號(hào)TM1連續(xù)保持高電平，將外部地址信號(hào)EXTA2及EXTA3都設(shè)定為高電平。
在此情況下，由于外部地址信號(hào)EXTA4為高電平，而且外部地址信號(hào)EXTA5為低電平，所以測(cè)試地址譯碼信號(hào)TADD4及/TADD5都變成高電平，測(cè)試模式信號(hào)TM3被設(shè)定為高電平。另外，由于外部地址信號(hào)EXTA2及EXTA3都為高電平，所以不會(huì)由圖12所示的測(cè)試模式譯碼電路52改變測(cè)試模式信號(hào)TM1及TM2，即測(cè)試模式信號(hào)TM1保持高電平，測(cè)試模式信號(hào)TM2保持低電平。
這樣，測(cè)試模式設(shè)定電路32連續(xù)將測(cè)試模式信號(hào)TM1激活，接著再將另一個(gè)測(cè)試模式信號(hào)TM3激活。因此，即使暫時(shí)不使測(cè)試模式復(fù)位，也能同時(shí)設(shè)定兩個(gè)以上的測(cè)試模式。
其次，參照?qǐng)D16說(shuō)明在設(shè)定了測(cè)試模式信號(hào)TM1及TM3之后，在WCBR循環(huán)中再打算附加地設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM4時(shí)的工作。如上表1所示，為了設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM4，必須將外部地址信號(hào)EXTA4設(shè)定為低電平、將外部地址信號(hào)EXTA5設(shè)定為高電平。為了使A組的測(cè)試模式保持原樣，將外部地址信號(hào)EXTA2及EXTA3都設(shè)定為高電平。
由圖5所示的測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40將測(cè)試模式設(shè)定信號(hào)TMSET激活為高電平，如果與其響應(yīng)，由圖10所示的測(cè)試模式設(shè)定脈沖發(fā)生電路48生成高電平的測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP，則在圖12所示的測(cè)試模式譯碼電路52中的4輸入端的AND541中，測(cè)試地址譯碼信號(hào)/TADD4、TADD5及測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP都變成高電平?？墒?，由于測(cè)試模式信號(hào)TM3被設(shè)定為高電平，所以AND電路541的輸出信號(hào)為低電平。因此，測(cè)試模式信號(hào)TM4仍為低電平，而不被設(shè)定成高電平。
這樣在先設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM3的情況下，此后不設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM4。反之，在先設(shè)定了測(cè)試模式信號(hào)TM4的情況下，此后不設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM3。它們適用于不能同時(shí)執(zhí)行的不相容的測(cè)試模式。例如響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)TM3被激活的測(cè)試控制電路283通過(guò)輸出啟動(dòng)信號(hào)/OE引腳18，進(jìn)行施加襯底電壓VBB的測(cè)試，響應(yīng)于測(cè)試模式信號(hào)TM4被激活的測(cè)試控制電路284通過(guò)輸出啟動(dòng)信號(hào)/OE引腳18，進(jìn)行施加位線(xiàn)電壓VBL(VCC/2)的測(cè)試。這時(shí)，在先設(shè)定了襯底電位施加測(cè)試模式的情況下，此后不設(shè)定位線(xiàn)電位施加測(cè)試模式。
在欲設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM4的情況下，使測(cè)試模式信號(hào)TM4所屬的B組復(fù)位，或者使全部測(cè)試模式復(fù)位，暫時(shí)使測(cè)試模式信號(hào)TM3復(fù)位到低電平后，將測(cè)試模式信號(hào)TM4設(shè)定為高電平即可。
這樣，測(cè)試模式設(shè)定電路32禁止進(jìn)行這樣的測(cè)試模式的設(shè)定，即不能與響應(yīng)于所設(shè)定的測(cè)試模式信號(hào)進(jìn)行的測(cè)試同時(shí)地進(jìn)行的測(cè)試模式的設(shè)定。
其次，參照?qǐng)D17說(shuō)明使屬于A組的測(cè)試模式信號(hào)TM1及TM2復(fù)位的工作。如上表2所示，為了使A組復(fù)位，將外部地址信號(hào)EXTA2及EXTA3都設(shè)定為低電平。這時(shí)，為了使B組保持原狀態(tài)，將外部地址信號(hào)EXTA4及EXTA5都設(shè)定為高電平。在此情況下，在圖12所示的測(cè)試模式譯碼電路52中，當(dāng)測(cè)試地址譯碼信號(hào)/TADD2及/TADD3都變成高電平時(shí)，響應(yīng)于高電平的測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP，生成寬度與其大致相同的高電平的復(fù)位信號(hào)RESETA。因此由NOR電路524及倒相電路525構(gòu)成的鎖存電路被復(fù)位，測(cè)試模式信號(hào)TM1被復(fù)位為低電平。這時(shí)由于測(cè)試模式信號(hào)TM2本來(lái)就是低電平，所以連續(xù)保持低電平。如果測(cè)試模式信號(hào)TM2被設(shè)定為高電平，則與上述一樣，測(cè)試模式信號(hào)TM2也被復(fù)位為低電平。另外，這時(shí)由于外部地址信號(hào)EXTA4及EXTA5都設(shè)定為高電平，所以屬于B組的測(cè)試模式信號(hào)TM3及TM4保持原狀態(tài)。如果將外部地址信號(hào)EXTA4及EXTA5都設(shè)定為低電平，則生成高電平的復(fù)位信號(hào)RESETB，因此B組也被復(fù)位。
其次，參照?qǐng)D18說(shuō)明在設(shè)定了測(cè)試模式信號(hào)TM1之后，在WCBR循環(huán)中再附加地設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM2時(shí)的工作。如上表1所示，為了設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)TM2，有必要將外部地址信號(hào)EXTA2設(shè)定為低電平、將外部地址信號(hào)EXTA3設(shè)定為高電平。這時(shí)將外部地址信號(hào)EXTA4及EXTA5都設(shè)定為高電平，使B組保持原樣。
如果測(cè)試模式設(shè)定信號(hào)TMSET變成高電平，生成高電平的測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP，則在圖12所示的測(cè)試模式譯碼電路52中的3輸入端AND電路526中，測(cè)試地址譯碼信號(hào)/TADD2、TADD3及測(cè)試模式設(shè)定脈沖信號(hào)TMSETP都變成高電平。因此，測(cè)試模式信號(hào)TM2被設(shè)定為高電平，并由NOR電路531及倒相電路532構(gòu)成的鎖存電路將其鎖存?？墒牵摐y(cè)試模式信號(hào)TM2的設(shè)定與其他測(cè)試模式信號(hào)TM1、TM3、TM4的設(shè)定不同。即使行地址選通信號(hào)RASF未被激活，為低電平，不管各組復(fù)位或測(cè)試模式復(fù)位，測(cè)試模式信號(hào)TM1、TM3、TM4也只能被復(fù)位到低電平。與此不同，NAND電路300的輸出信號(hào)被供給鎖存測(cè)試模式信號(hào)TM2的鎖存電路。因此，如果行地址選通信號(hào)RASF變成低電平，則WCBR檢測(cè)信號(hào)WCBR變成低電平。因此NAND電路300的輸出信號(hào)變成高電平，測(cè)試模式信號(hào)TM2被復(fù)位到低電平。
因此，只有在行地址選通信號(hào)RASF呈高電平的期間進(jìn)行測(cè)試時(shí)、或者只從該測(cè)試模式退出而不從其他測(cè)試模式退出時(shí)，才能使用測(cè)試模式信號(hào)TM2。測(cè)試模式信號(hào)TM2在行地址選通信號(hào)RASF變成低電平時(shí)，能夠與組無(wú)關(guān)地被復(fù)位，DRAM能從該測(cè)試模式退出。
在測(cè)試模式中在控制了讀出放大器的激活狀態(tài)的情況下，測(cè)試模式信號(hào)TM2有效。在圖6所示的測(cè)試模式進(jìn)入電路43中，利用2輸入端NAND電路431的輸出信號(hào)，判斷了WCBR循環(huán)，但在讀出放大器呈激活狀態(tài)的測(cè)試模式的情況下，在DRAM從測(cè)試模式退出之前，讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD呈低電平。由于如果讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD不呈高電平，則NAND電路431的輸出信號(hào)就不會(huì)呈低電平，所以在進(jìn)入該測(cè)試模式期間不生成WCBR檢測(cè)信號(hào)WCBR。之所以在NAND電路431的輸入端使用讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD，是因?yàn)檫@樣能防止在基本的寫(xiě)入工作時(shí)在行地址選通信號(hào)RASF中產(chǎn)生低電平的脈沖而變成WCBR狀態(tài)。這是因?yàn)橐坏┻M(jìn)入該讀出放大器激活測(cè)試模式，不會(huì)生成WCBR檢測(cè)信號(hào)WCBR，所以不能新設(shè)定測(cè)試模式，另外，還意味著不能使每個(gè)組的測(cè)試模式都復(fù)位。
除此之外，為了使測(cè)試模式復(fù)位，即使進(jìn)行了CBR或ROR循環(huán)，在圖6所示的測(cè)試模式進(jìn)入電路43中，雖然節(jié)點(diǎn)NA被設(shè)定為低電平，但如果行地址選通信號(hào)RASF變成低電平、而且讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD不變成高電平，則定時(shí)倒相電路458不工作。這時(shí)，由于根據(jù)測(cè)試模式，讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD被固定在低電平，所以測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME不能從高電平變成低電平。即，在設(shè)定了讀出放大器激活測(cè)試模式的情況下，在該電路中一旦進(jìn)入該測(cè)試模式，與該測(cè)試模式無(wú)關(guān)的工作便被鎖定。因此，通過(guò)將圖12所示的測(cè)試模式信號(hào)TM2的設(shè)定電路用于這樣的測(cè)試模式，如果行地址選通信號(hào)RASF不是低電平，則測(cè)試模式信號(hào)TM2被復(fù)位到低電平，讀出放大器激活信號(hào)/RXD不被固定在低電平，不會(huì)發(fā)生如上所述的問(wèn)題。
其次，參照?qǐng)D19說(shuō)明在測(cè)試模式中、即在測(cè)試模式啟動(dòng)信號(hào)TME為高電平期間進(jìn)行CBR刷新工作的方法。在測(cè)試模式中進(jìn)行CBR刷新工作時(shí)，使用WCBR刷新工作。如上述表1所示，為了進(jìn)行WCBR刷新工作，需要將外部地址信號(hào)EXTA0設(shè)定為高電平。其他外部地址信號(hào)EXTA1～EXTA5可以設(shè)定為任意的電平。
在此情況下，在圖7所示的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34中，在檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD為高電平期間內(nèi)，節(jié)點(diǎn)NC保持低電平，行相關(guān)工作開(kāi)始控制信號(hào)/RASE為高電平，所以行相關(guān)控制電路36不工作。可是，SVIH檢測(cè)器381、382的工作結(jié)束時(shí)，如果檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD變成低電平，則在圖5所示的測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40中，由于內(nèi)部地址信號(hào)/INTA0為低電平，故在節(jié)點(diǎn)NB變成高電平，檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD變成高電平之后，刷新接通信號(hào)/REFON變成低電平。因此，在圖7所示的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34中，節(jié)點(diǎn)NC變成高電平，因?yàn)樾械刂愤x通信號(hào)RASF為高電平，所以行相關(guān)工作開(kāi)始控制信號(hào)/RASE變成低電平，行相關(guān)控制電路36開(kāi)始工作。另外，這時(shí)在CBR循環(huán)中生成的CBR檢測(cè)信號(hào)/CBR為低電平，所以進(jìn)行CBR刷新工作。另外，這時(shí)內(nèi)部地址信號(hào)/INTA0為低電平，所以測(cè)試模式設(shè)定信號(hào)TMSET為低電平，不能設(shè)定測(cè)試模式。另外，在外部地址信號(hào)EXTA1為超VIH電平的情況下，雖然測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TMEENTRY變成高電平，但由于測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME本來(lái)就是高電平，所以連續(xù)保持原有狀態(tài)，不會(huì)引起工作混亂，上述的CBR工作能正常進(jìn)行。
其次，參照?qǐng)D20說(shuō)明在CBR循環(huán)中使測(cè)試模式復(fù)位的工作。在圖6所示的測(cè)試模式進(jìn)入電路43中，由于寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)WEF為低電平，所以WBR檢測(cè)信號(hào)/WBR變成高電平，WCBR檢測(cè)信號(hào)WCBR變成低電平。另外，在圖7所示的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電路34中，在列地址選通信號(hào)CASOR為高電平期間內(nèi)，行地址選通信號(hào)RASF從低電平變成高電平，所以CBR檢測(cè)信號(hào)/CASBR變成低電平，CBR檢測(cè)信號(hào)/CBR變成低電平。因此，在圖6所示的測(cè)試模式進(jìn)入電路43中，NAND電路440的輸出信號(hào)變成低電平，CBR檢測(cè)信號(hào)/CBROR變成低電平。因此，節(jié)點(diǎn)NA變成低電平，并由NAND電路453及454構(gòu)成的鎖存電路將其鎖存。在圖7所示的行相關(guān)工作開(kāi)始控制電34中，由于WBR檢測(cè)信號(hào)/WBR為高電平，所以節(jié)點(diǎn)NC變成高電平，行相關(guān)工作開(kāi)始控制信號(hào)/RASF與行地址選通信號(hào)RASF同步，變成低電平。因此，行相關(guān)控制電路36進(jìn)行CBR刷新工作。此后，在行地址選通信號(hào)RASF變成低電平、行相關(guān)工作開(kāi)始控制信號(hào)/RASF變成高電平后，讀出放大器驅(qū)動(dòng)信號(hào)/RXD變成高電平時(shí)，圖6所示的節(jié)點(diǎn)NA的低電平通過(guò)定時(shí)倒相電路458傳輸，因此測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME變成低電平。因此，在圖12所示的測(cè)試模式譯碼電路52中，復(fù)位信號(hào)RESETA及RESETB都變成高電平，結(jié)果，所有的測(cè)試模式信號(hào)TM1～TM4都變成低電平。這樣DRAM能從按照CBR循環(huán)已經(jīng)進(jìn)入的所有的測(cè)試模式退出。
如上所述，如果采用本發(fā)明的實(shí)施例，則由于測(cè)試模式判斷電路26在第一次WCBR循環(huán)中，根據(jù)地址關(guān)鍵字將測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME激活，在測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME被激活期間內(nèi)，在第二次WCBR循環(huán)中，根據(jù)地址關(guān)鍵字將有選擇地激活測(cè)試模式信號(hào)TM1～TM4，所以為了進(jìn)入測(cè)試模式，需要至少兩次輸入WCBR，所以該DRAM錯(cuò)誤地進(jìn)入測(cè)試模式的可能性小。
另外，在測(cè)試模式判斷電路26將測(cè)試模式信號(hào)激活后，由于繼激活該測(cè)試模式信號(hào)之后，還能附加激活另一測(cè)試模式信號(hào)，所以該DRAM能同時(shí)進(jìn)入多種測(cè)試模式，提高了測(cè)試的自由度。而且，由于測(cè)試模式判斷電路26禁止激活這樣的測(cè)試模式信號(hào)，即該測(cè)試模式信號(hào)用來(lái)進(jìn)行不能與響應(yīng)于接著激活的測(cè)試模式信號(hào)而進(jìn)行的測(cè)試同時(shí)進(jìn)行的測(cè)試，所以該DRAM不會(huì)同時(shí)進(jìn)入不相容的測(cè)試模式。
另外，行相關(guān)控制電路36在測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME未被激活期間內(nèi)，當(dāng)輸入了CBR時(shí)刷新存儲(chǔ)單元陣列10，在測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME被激活期間內(nèi)，輸入WCBR，在測(cè)試模式設(shè)定工作時(shí)不刷新存儲(chǔ)單元陣列10，所以在測(cè)試模式設(shè)定中進(jìn)行刷新工作，不會(huì)發(fā)生破壞數(shù)據(jù)的現(xiàn)象。而且，行相關(guān)控制電路36在測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)TME被激活期間內(nèi)，在WCBR循環(huán)中，根據(jù)地址關(guān)鍵字，使存儲(chǔ)單元陣列10刷新，所以即使在測(cè)試模式進(jìn)入過(guò)程中，根據(jù)需要，也能進(jìn)行刷新工作。
另外，由于測(cè)試模式判斷電路26根據(jù)地址關(guān)鍵字，不激活A(yù)組的測(cè)試模式信號(hào)TM1及TM2，或者不激活B組的測(cè)試模式信號(hào)TM3及TM4，所以能利用簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)使每一組的測(cè)試模式復(fù)位。而且，測(cè)試模式判斷電路26根據(jù)地址關(guān)鍵字，接著將A組的測(cè)試模式信號(hào)TM1及TM2激活，或者接著將B組的測(cè)試模式信號(hào)TM3及TM4激活，所以能利用簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)使每一組保持測(cè)試模式。
另外，由于測(cè)試模式進(jìn)入地址譯碼電路40在檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)TMSETD未被激活時(shí)，對(duì)地址關(guān)鍵字進(jìn)行譯碼，所以能對(duì)穩(wěn)定的地址關(guān)鍵字進(jìn)行譯碼，能準(zhǔn)確地判斷測(cè)試模式。
此次公開(kāi)的實(shí)施例全部都是例示，應(yīng)認(rèn)識(shí)到不受此限。在以上的說(shuō)明中未涉及本發(fā)明的范圍，將在權(quán)利要求中給出，應(yīng)理解為包括與權(quán)利要求相當(dāng)?shù)囊饬x、以及范圍內(nèi)的全部變更。
權(quán)利要求
1．一種有存儲(chǔ)單元陣列(10)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于備有測(cè)試模式判斷電路(26)，該測(cè)試模式判斷電路(26)在行地址選通信號(hào)(/RAS)被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)(/WE)及列地址選通信號(hào)(/CAS)被激活時(shí)，根據(jù)地址關(guān)鍵字激活測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)(TME)，在該測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)(TME)被激活期間內(nèi)，在行地址選通信號(hào)(/CAS)被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)(/WE)及列地址選通信號(hào)(/CAS)被激活時(shí)，根據(jù)地址關(guān)鍵字有選擇地將多個(gè)測(cè)試模式信號(hào)(TM1～TM4)激活；以及對(duì)應(yīng)于多個(gè)測(cè)試模式信號(hào)(TM1～TM4)設(shè)置的多個(gè)測(cè)試控制電路(281～284)，各測(cè)試控制電路響應(yīng)對(duì)應(yīng)的測(cè)試模式信號(hào)，對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器進(jìn)行預(yù)定的測(cè)試。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于上述測(cè)試模式判斷電路(26)激活上述測(cè)試模式信號(hào)(TM1～TM4)中的一個(gè)信號(hào)，并連續(xù)激活該測(cè)試模式信號(hào)，再激活另一個(gè)測(cè)試模式信號(hào)。
3．根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于上述測(cè)試模式判斷電路(26)禁止激活這樣的測(cè)試模式信號(hào)，即該測(cè)試模式信號(hào)用來(lái)進(jìn)行不能與響應(yīng)于上述連續(xù)激活的測(cè)試模式信號(hào)而進(jìn)行的測(cè)試同時(shí)進(jìn)行的測(cè)試。
4．根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于上述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器還備有刷新裝置(36)，該刷新裝置(36)在上述測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)(TME)未被激活期間內(nèi)，在行地址選通信號(hào)(/RAS)被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)(/WE)及列地址選通信號(hào)(/CAS)被激活時(shí)，刷新上述存儲(chǔ)單元陣列(10)。
5．根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于上述刷新裝置(36)在上述測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)(TME)被激活期間內(nèi)，在行地址選通信號(hào)(/RAS)被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)(/WE)及列地址選通信號(hào)(/CAS)被激活時(shí)，根據(jù)地址關(guān)鍵字刷新上述存儲(chǔ)單元陣列(10) 。
6．根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于上述多個(gè)測(cè)試模式信號(hào)(TM1～TM4)被分成多個(gè)組，上述測(cè)試模式判斷電路(26)根據(jù)地址關(guān)鍵字，不激活上述各組的測(cè)試模式信號(hào)。
7．根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于上述測(cè)試模式判斷電路(26)根據(jù)地址關(guān)鍵字，連續(xù)激活上述各組的測(cè)試模式信號(hào)。
8．根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其特征在于上述測(cè)試模式判斷電路(26)包括在行地址選通信號(hào)(/RAS)被激活之前，在寫(xiě)啟動(dòng)信號(hào)(/WE)及列地址選通信號(hào)(/CAS)被激活時(shí)，將檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)(TMSETD)激活的單穩(wěn)多諧振蕩電路(380)；響應(yīng)上述檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)(TMSETD)，檢測(cè)作為地址關(guān)鍵字輸入的高電壓的高電壓檢測(cè)器(381、382)；以及在上述檢測(cè)器啟動(dòng)信號(hào)(TMSETD)未被激活時(shí)，對(duì)地址關(guān)鍵字進(jìn)行譯碼的譯碼電路(40)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,設(shè)有測(cè)試模式判斷電路(26),該電路(26)在第一次WCBR循環(huán)中,根據(jù)地址關(guān)鍵字激活測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)(TME),在測(cè)試模式進(jìn)入信號(hào)(TME)被激活期間內(nèi),在第二次WCBR循環(huán)中,根據(jù)地址關(guān)鍵字有選擇地激活測(cè)試模式信號(hào)(TM1～TM4)。除了已經(jīng)激活的測(cè)試模式信號(hào)外,測(cè)試模式判斷電路(26)還激活另外的測(cè)試模式信號(hào)。因此,該DRAM難以錯(cuò)誤地進(jìn)入測(cè)試模式,而且能同時(shí)進(jìn)入多種測(cè)試模式。
文檔編號(hào)G11C11/401GK1303101SQ0011995
公開(kāi)日2001年7月11日 申請(qǐng)日期2000年6月30日 優(yōu)先權(quán)日1999年10月29日
發(fā)明者伊藤孝, 月川靖彥, 有富謙悟, 朝倉(cāng)干雄 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社