本實(shí)用新型涉及一種電路,特別是一種與DC馬達(dá)控制器串聯(lián)使用的遙控發(fā)射器電路。
背景技術(shù):
對(duì)于一種遙控發(fā)射器電路,此電路采用火線取電的方式供電,該電路作為一墻控后端負(fù)載的開(kāi)關(guān)電路,遙控發(fā)射器電路與后端負(fù)載串聯(lián),遙控發(fā)射器電路內(nèi)的火線取電模塊連接火線進(jìn)行取電,而利用變壓器T1與MOS管Q1搭配取電的火線取電模塊取出的電流較小,不足以給用于控制后端負(fù)載的MCU模塊以及無(wú)線發(fā)射模塊供電,無(wú)法實(shí)現(xiàn)對(duì)后端負(fù)載控制的目的,基于此取電方式,我們需要對(duì)電路進(jìn)行改進(jìn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型的目的是提供一種與DC馬達(dá)控制器串聯(lián)使用的遙控發(fā)射器電路。
本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
一種與DC馬達(dá)控制器串聯(lián)使用的遙控發(fā)射器電路,包括串聯(lián)火線發(fā)射器;該串聯(lián)火線發(fā)射器包括火線輸入模塊、與火線輸入模塊連接的火線取電模塊,以及對(duì)火線取電模塊輸出電壓進(jìn)行變換的低壓供電模塊,還包括由低壓供電模塊供電的MCU模塊、無(wú)線發(fā)射模塊;該MCU模塊與無(wú)線發(fā)射模塊電性連接,還包括電容C1以及用于接收串聯(lián)火線發(fā)射器的控制信號(hào)且控制DC馬達(dá)的DC馬達(dá)控制器,所述串聯(lián)火線發(fā)射器與DC馬達(dá)控制器串聯(lián),該DC馬達(dá)控制器與電容C1并聯(lián)。
所述火線取電模塊包括變壓器T1、MOS管Q1、整流部分,該變壓器T1用于從火線輸入模塊中取電且進(jìn)行降壓,該整流部分的輸入端連接變壓器T1的輸出端以用于將交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為直流信號(hào),該整流部分的輸出端連接低壓供電模塊,該MOS管Q1的基極連接變壓器T1的輸出端,該MOS管Q1的集電極連接火線輸入模塊,該MOS管Q1的發(fā)射極連接DC馬達(dá)控制器。
所述低壓供電模塊內(nèi)設(shè)置有用于穩(wěn)定低壓供電模塊輸出端電壓的穩(wěn)壓二極管。
本遙控發(fā)射器電路還包括用于泄放火線取電模塊過(guò)壓電流的過(guò)壓保護(hù)電路,該過(guò)壓保護(hù)電路與火線取電模塊電性連接。
本實(shí)用新型的有益效果:
本實(shí)用新型遙控發(fā)射器電路控制的后端負(fù)載DC馬達(dá)控制器與電容C1并聯(lián),串聯(lián)火線發(fā)射器再與并聯(lián)了電容C1的DC馬達(dá)控制器串聯(lián),由于并聯(lián)電容C1形成一旁路回路,流過(guò)串聯(lián)火線發(fā)射器的電流等于并聯(lián)電容C1的回路電流與流過(guò)DC馬達(dá)控制器的電流之和,從而使流過(guò)串聯(lián)火線發(fā)射器的電流增大,進(jìn)而提高了輸入到MCU模塊以及無(wú)線發(fā)射模塊的供電電流。
本設(shè)計(jì)的低壓供電模塊中采用了穩(wěn)壓二極管來(lái)代替常用的三端穩(wěn)壓器件,穩(wěn)壓二極管成本較低,功耗較小,可以有效實(shí)現(xiàn)低壓供電模塊的取電穩(wěn)壓功能。
附圖說(shuō)明
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做進(jìn)一步的說(shuō)明。
圖1是本實(shí)用新型遙控發(fā)射器電路的示意圖。
圖2是本實(shí)用新型遙控發(fā)射器電路串聯(lián)火線發(fā)射器的原理圖。
圖3是本實(shí)用新型遙控發(fā)射器電路火線輸入模塊及火線取電模塊的電路圖。
圖4是本實(shí)用新型遙控發(fā)射器電路低壓供電模塊的電路圖。
圖5是本實(shí)用新型遙控發(fā)射器電路無(wú)線發(fā)射模塊的電路圖。
圖6是本實(shí)用新型遙控發(fā)射器電路過(guò)壓保護(hù)模塊的電路圖。
圖7是本實(shí)用新型遙控發(fā)射器電路DC馬達(dá)控制器的原理圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示,本實(shí)用新型遙控發(fā)射電路包括串聯(lián)火線發(fā)射器1、用于接收串聯(lián)火線發(fā)射器1的控制信號(hào)且控制DC馬達(dá)的DC馬達(dá)控制器7,本設(shè)計(jì)可安裝在墻上,作為一墻控開(kāi)關(guān),串聯(lián)火線發(fā)射器1直接連接火線且從火線中取電,之后與DC馬達(dá)控制器7串聯(lián)進(jìn)而為DC馬達(dá)控制器7供電。
本設(shè)計(jì)中串聯(lián)火線發(fā)射器1為一從火線中直接取電并且無(wú)線控制DC馬達(dá)控制器7的開(kāi)關(guān),如圖2所示,串聯(lián)火線發(fā)射器1包括火線輸入模塊2、與火線輸入模塊2連接的火線取電模塊3,以及對(duì)火線取電模塊3輸出電壓進(jìn)行變換的低壓供電模塊4,還包括由低壓供電模塊4供電的MCU模塊5、無(wú)線發(fā)射模塊6;此處的低壓供電模塊4將火線取電模塊3輸出的電壓進(jìn)行降壓處理以符合MCU模塊5的用電等級(jí),該MCU模塊5與無(wú)線發(fā)射模塊6電性連接。
如圖4所示,其中火線取電模塊3所述火線取電模塊(3)包括變壓器T1、MOS管Q1、整流部分31,該變壓器T1用于從火線輸入模塊2中取電且進(jìn)行降壓,該整流部分31的輸入端連接變壓器T1的輸出端以用于將交流信號(hào)轉(zhuǎn)化為直流信號(hào),該整流部分31的輸出端連接低壓供電模塊4,該MOS管Q1的基極連接變壓器T1的輸出端,該MOS管Q1的集電極連接火線輸入模塊2,該MOS管Q1的發(fā)射極連接DC馬達(dá)控制器7。
然而為了提高火線取電模塊3輸入到低壓供電模塊4的電流,如圖1所示,本設(shè)計(jì)的改進(jìn)點(diǎn)在于本遙控發(fā)射器電路還包括電容C1,該電容C1與DC馬達(dá)控制器7并聯(lián),并聯(lián)了電容C1的DC馬達(dá)控制器7在與串聯(lián)火線發(fā)射器1,由于并聯(lián)電容C1形成一旁路回路,流過(guò)串聯(lián)火線發(fā)射器1的電流等于并聯(lián)電容C1的回路電流與流過(guò)DC馬達(dá)控制器7的電流之和,從而使流過(guò)串聯(lián)火線發(fā)射器1的電流增大,進(jìn)而提高了輸入到MCU模塊5以及無(wú)線發(fā)射模塊6的供電電流。
另外,本設(shè)計(jì)的低壓供電模塊4中采用了穩(wěn)壓二極管來(lái)代替常用的三端穩(wěn)壓器件,如圖4所示,低壓供電模塊4內(nèi)包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容C2、極性電容C3、穩(wěn)壓二極管ZD1、穩(wěn)壓二極管ZD2;該電阻R1的一端分別連接所述火線輸入模塊2的輸出端、電容C2的一端、電阻R2的一端、電阻R3的一端;該電阻R1的另一端接地;該電容C2的另一端接地;該電阻R2連接穩(wěn)壓二極管ZD1的陰極;該穩(wěn)壓二極管ZD1的陽(yáng)極接地;該電阻R3的另一端分別連接穩(wěn)壓二極管ZD2的陰極、極性電容C3的陽(yáng)極、MCU模塊5;該穩(wěn)壓二極管ZD2的陽(yáng)極接地;該極性電容C3的陰極接地。此處的穩(wěn)壓二極管成本較低,功耗較小,可以有效實(shí)現(xiàn)低壓供電模塊4的取電穩(wěn)壓功能。
如圖5所示,無(wú)線發(fā)射模塊6內(nèi)設(shè)置有無(wú)線芯片以及連接無(wú)線芯片的無(wú)線發(fā)射器,該無(wú)線芯片與MCU模塊5電性連接,無(wú)線發(fā)射模塊6將來(lái)自MCU模塊5對(duì)DC馬達(dá)控制器7的控制信號(hào)發(fā)送到DC馬達(dá)控制器7中。
為了防止火線取電模塊3中電壓過(guò)高以致器件損壞,如圖6所示,本設(shè)計(jì)還包括用于泄放火線取電模塊3過(guò)壓電流的過(guò)壓保護(hù)電路8,該過(guò)壓保護(hù)電路8與火線取電模塊3電性連接,當(dāng)過(guò)壓保護(hù)模塊3檢測(cè)到電壓高于12V,過(guò)壓保護(hù)電路內(nèi)的晶閘管導(dǎo)通,泄放過(guò)壓電流。
在DC馬達(dá)控制器7中,如圖7所示,DC馬達(dá)控制器7包括馬達(dá)部分MCU模塊72、分別連接馬達(dá)部分MCU模塊72的無(wú)線接收模塊71和馬達(dá)控制模塊73,無(wú)線接收模塊71接收來(lái)自串聯(lián)火線發(fā)射器1無(wú)線發(fā)射模塊6的信號(hào),并且輸入到馬達(dá)部分MCU模塊72,再由馬達(dá)部分MCU模塊72輸出到馬達(dá)控制模塊73,由馬達(dá)控制模塊73控制馬達(dá)動(dòng)作。
以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)先實(shí)施方式,本實(shí)用新型并不限定于上述實(shí)施方式,只要以基本相同手段實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。