110通過對(duì)遍及觸摸傳感器的電荷變化進(jìn)行分析來檢測觸摸輸入，并且計(jì)算觸摸輸入位置的坐標(biāo)，電荷變化取決于觸摸輸入存在還是不存在。觸摸輸入位置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)被傳送至主系統(tǒng)。
[0060]如圖5所示，在1個(gè)幀周期中的像素驅(qū)動(dòng)周期Tdl和Td2以及觸摸感測周期Ttl和Tt2被劃分成兩個(gè)部分的情況下，觸摸感測電路110每觸摸感測周期Ttl和Tt2將觸摸輸入坐標(biāo)數(shù)據(jù)傳送至主系統(tǒng)。因此，觸摸報(bào)告速率高于幀速率。幀速率是將1個(gè)幀圖像寫入像素陣列的頻率。觸摸報(bào)告速率是生成觸摸輸入坐標(biāo)數(shù)據(jù)的速率。觸摸報(bào)告速率越大，觸摸輸入坐標(biāo)檢測的速率就越大，這允許更好的觸摸靈敏度。
[0061]圖6是示出了放置在顯示面板的任一側(cè)上的GIP電路的示例的視圖。圖7是示出了圖6的GIP電路中的一個(gè)GIP電路的示例的框圖。
[0062]參考圖6和圖7，GIP電路GIP_I^P GIP_R中的每一個(gè)包括移位寄存器，該移位寄存器接收啟動(dòng)信號(hào)VST以及柵極移位時(shí)鐘GCLK1_L至GCLK4_L和GCLK1_R至GCLK4_R，并且依次輸出柵極脈沖。雖然示出的柵極移位時(shí)鐘GCLK1_L至GCLK4_L和GCLK1_R至GCLK4_R是4相時(shí)鐘，但是也可以使用2相或6相時(shí)鐘。如圖8所示，柵極移位時(shí)鐘GCLK1_L至GCLK4_L和GCLK1_R至GCLK4_R可以相互交疊以增加像素101中的數(shù)據(jù)電壓充電量。
[0063]第一 GIP電路GIP_L被放置在像素陣列的左側(cè)外部。第一 GIP電路GIP_L的移位寄存器連接至像素陣列的奇數(shù)柵極線G1、G3、…、Gn-1，并且將柵極脈沖依次輸出至這些柵極線G1、G3、…、Gn-1。第二 GIP電路GIP_R被放置在像素陣列的右側(cè)外部。第二 GIP電路GIP_R的移位寄存器連接至像素陣列的偶數(shù)柵極線G2、G4、…、Gn，并且將柵極脈沖依次輸出至這些柵極線G2、G4、…、Gn。
[0064]GIP電路GIP_L和GIP_R產(chǎn)生關(guān)于每個(gè)柵極移位時(shí)鐘GCLK1_L至GCLK4_L和GCLK1_R至GCLK4_R的輸出。因此，從GIP電路GIP_L和GIP_R輸出的第N(N是等于或大于2的正整數(shù))個(gè)柵極脈沖與第N-1個(gè)柵極脈沖的端部交疊如柵極移位時(shí)鐘GCLK1_L至GCLK4_L 和 GCLK1_R 至 GCLK4_R 交疊一般多。
[0065]GIP電路61?_1^和61?_1?中的每一個(gè)包括以級(jí)聯(lián)方式連接的多個(gè)級(jí)S(N_1)至S (N+1)，柵極移位時(shí)鐘GCLK1_L至GCLK4_L和GCLK1_R至GCLK4_R被輸入至多個(gè)級(jí)S (N-1)至 S(N+1)。
[0066]級(jí)S (N-1)至S (N+1)中的每一個(gè)包括:上拉晶體管；下拉晶體管；用于控制上拉晶體管的Q節(jié)點(diǎn)；以及多個(gè)晶體管。級(jí)S(N-l)至S(N+1)中的每一個(gè)可以包括用于控制下拉晶體管的QB節(jié)點(diǎn)。晶體管可以被實(shí)現(xiàn)為但不限于η型M0SFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。
[0067]級(jí)S(N-l)至S(N+1)可以具有但不限于諸如圖12或圖14所示的電路配置。如果級(jí)S(N-l)至S(N+1)具有如圖12所示的電路配置，則第N級(jí)S(N)從第(N-2)級(jí)接收輸出Vout(N-2)作為啟動(dòng)信號(hào)以對(duì)Q節(jié)點(diǎn)進(jìn)行充電，并且當(dāng)輸入第N個(gè)時(shí)鐘CLK(N)時(shí)產(chǎn)生第N個(gè)輸出Vout (N)。第N個(gè)時(shí)鐘被施加于第N個(gè)柵極線和第(N+2)級(jí)的啟動(dòng)信號(hào)輸入端子。由于第一級(jí)不能從前一級(jí)接收輸出，所以第一級(jí)接收單獨(dú)的啟動(dòng)信號(hào)VST。級(jí)S(N-l)至S(N+1)的連接結(jié)構(gòu)不限于任何具體類型的結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠淇梢愿鶕?jù)柵極移位時(shí)鐘GCLK1_L至GCLK4_L和GCLK1_R至GCLK4_R的相位和脈沖寬度并且根據(jù)級(jí)電路如何操作來改變級(jí)S(N-l)至S(N+1)的連接結(jié)構(gòu)。
[0068]級(jí)S(N-l)至S(N+1)的Q節(jié)點(diǎn)在觸摸感測周期Ttl和Tt2期間被放電，并且它們的電壓衰減。觸摸感測周期Ttl和Tt2中的每一個(gè)長于1個(gè)水平周期，并且這增加了上述級(jí)處的Q節(jié)點(diǎn)電壓的衰減量。由于這一點(diǎn)，用于在觸摸感測周期Ttl和Tt2之后緊接著的下一個(gè)數(shù)據(jù)寫塊的輸出第一柵極脈沖的級(jí)生成比其它級(jí)低的電壓，因?yàn)榈谝粬艠O脈沖在觸摸感測周期Ttl和Tt2期間Q節(jié)點(diǎn)電壓衰減之后生成，如圖8所示。
[0069]為了防止該問題，如圖9所示，用于防止Q節(jié)點(diǎn)電壓的衰減的LH補(bǔ)償TFT連接至該級(jí)的Q節(jié)點(diǎn)。LH補(bǔ)償TFT T10響應(yīng)于在觸摸感測周期Ttl和Tt2期間生成的LH補(bǔ)償脈沖VLH、通過將柵極高電壓VGH即高電勢(shì)電壓提供給Q節(jié)點(diǎn)來防止Q節(jié)點(diǎn)的電壓的衰減。在連接至除了第一塊B1以外的塊B2的GIP電路中，LH補(bǔ)償TFT T10可以連接至產(chǎn)生第一輸出的用于每個(gè)塊的第一級(jí)?？商孢x地，在連接至除了第一塊B1以外的塊B2的GIP電路中，LH補(bǔ)償TFT T10可以連接至每個(gè)級(jí)。
[0070]Q節(jié)點(diǎn)電壓的衰減量僅在與在觸摸感測周期之后被寫入數(shù)據(jù)的塊的第一柵極線連接的級(jí)處是大的。與除了在觸摸感測周期之后立即被寫入數(shù)據(jù)的塊以外的塊連接的GIP電路不輸出柵極高電壓VGH，而是將輸出電壓維持在柵極低電壓VGL。如果LH補(bǔ)償脈沖VLH被施加至與除了在觸摸感測周期之后立即被寫入數(shù)據(jù)的塊以外的塊連接的GIP電路中的Q節(jié)點(diǎn)，則可能產(chǎn)生不必要的泄漏電流。與第一塊B1連接的GIP電路在觸摸感測周期Ttl和Tt2未造成Q節(jié)點(diǎn)電壓衰減的情況下產(chǎn)生輸出，因?yàn)樵撦敵鲈诿總€(gè)幀周期的初始階段產(chǎn)生。因此，可以沿掃描方向逐塊依次輸出LH補(bǔ)償脈沖VLH，使得LH補(bǔ)償脈沖VLH僅被施加至與在觸摸感測周期之后立即被寫入數(shù)據(jù)的當(dāng)前塊連接的GIP電路中的Q節(jié)點(diǎn)。如果顯示面板100的像素陣列被劃分成N個(gè)塊，則每觸摸感測周期可以生成LH補(bǔ)償脈沖VLH，S卩，可以在1個(gè)幀周期期間依次生成(N-1)個(gè)LH補(bǔ)償脈沖VLH(l)至VLH(N-l)。
[0071]在圖11中，參考標(biāo)號(hào)“32”代表示出了在觸摸感測周期Ttl和Tt2期間衰減的Q節(jié)點(diǎn)電壓的測試結(jié)果。參考標(biāo)號(hào)“31”代表示出了當(dāng)通過LH補(bǔ)償TFT T10將高電勢(shì)電壓施加至Q節(jié)點(diǎn)時(shí)在觸摸感測周期Ttl和Tt2期間的Q節(jié)點(diǎn)電壓的測試結(jié)果。在本發(fā)明中，Q節(jié)點(diǎn)電壓的衰減通過針對(duì)在觸摸感測周期之后緊接著的下一個(gè)數(shù)據(jù)寫塊升高產(chǎn)生第一輸出的級(jí)的Q節(jié)點(diǎn)電壓來補(bǔ)償。
[0072]圖12是示出了 GIP電路的電路圖，圖13是示出了圖12的GIP電路的操作的波形圖。
[0073]參考圖12和圖13，GIP電路的第N級(jí)包括Q節(jié)點(diǎn)和多個(gè)TFT。
[0074]TFT T1響應(yīng)于來自第(Ν-2)級(jí)的輸出V0UT(N_2)而用柵極高電壓VGH對(duì)Q節(jié)點(diǎn)進(jìn)行充電。TFT 3N T3N響應(yīng)于來自第(N+2)級(jí)的輸出VOUT(N+2)而使Q節(jié)點(diǎn)放電低至柵極低電壓VGL。TFT 3R T3R響應(yīng)于啟動(dòng)信號(hào)VST而使Q節(jié)點(diǎn)放電低至柵極低電壓VGL以在1個(gè)幀周期的初始階段對(duì)每個(gè)級(jí)的Q節(jié)點(diǎn)進(jìn)行初始化。TFT 3C T3C響應(yīng)于第(N-1)個(gè)時(shí)鐘CLK(N-l)而將來自第(N-1)級(jí)的輸出電壓提供給Q節(jié)點(diǎn)。
[0075]在第N個(gè)時(shí)鐘CLK(N)的柵極高電壓VGH被輸入至TFT 6 T6的漏極同時(shí)Q節(jié)點(diǎn)已預(yù)充電至柵極高電壓VGH的情況下，由于TFT 6 T6的柵極與漏極之間的寄生電容，Q節(jié)點(diǎn)被升高至較高電壓。在輸入第N個(gè)時(shí)鐘CLK(N)的情況下，TFT 6 T6將輸出端子的電壓升高至柵極高電壓VGH并且輸出第N個(gè)柵極脈沖Vout (N)。TFT 6 T6操作為上拉晶體管。
[0076]TFT 7C T7C響應(yīng)于第(N+2)個(gè)時(shí)鐘CLK(N+2)而將輸出端子放電至柵極低電壓VGLo TFT 7D T7D操作為二極管，其中，其柵極和漏極連接至輸出端子。當(dāng)輸出端子處于柵極高電壓VGH并且第N個(gè)時(shí)鐘CLK (N)的電壓降低至柵極低電壓VGL時(shí)，TFT 7D T7D接通以降低輸出端子的電壓，由此減輕了 TFT 7C T7C的退化。
[0077]圖14是示出了 GIP電路的另一示例的電路圖，圖15是示出了圖14的GIP電路的QB節(jié)點(diǎn)電壓的波形圖。
[0078]參考圖14和圖15，該GIP電路可以選擇性地改變輸出的移位方向。另外，該GIP電路可以通過將QB節(jié)點(diǎn)電壓轉(zhuǎn)換成AC電壓來補(bǔ)償與QB節(jié)點(diǎn)連接的下拉晶體管上的柵極偏置應(yīng)力。
[0079]在正向掃描中，TFT 1 T1響應(yīng)于啟動(dòng)信號(hào)VST或來自前一級(jí)的輸出而用柵極高電壓VGH對(duì)Q節(jié)點(diǎn)進(jìn)行充電。TFT 41 T41是將第一柵極高電壓VGH1提供給第一 QB節(jié)點(diǎn)QB1的二極管。TFT 51 T51響應(yīng)于用柵極高電壓VGH充電的Q節(jié)點(diǎn)的電壓而使第一 QB節(jié)點(diǎn)QB1放電。TFT 71 T71響應(yīng)于第二柵極高電壓VGH2而使第一 QB節(jié)點(diǎn)QB1放電。TFT 81 T81響應(yīng)于用第一柵極高電壓VGH1充電的第一 QB節(jié)點(diǎn)QB1的電壓而使Q節(jié)點(diǎn)放電。在正向掃描中，TFT 91 T91響應(yīng)于下一級(jí)的電壓VEND而使Q節(jié)點(diǎn)放電。
[0080]TFT 42 T42是將第二柵極高