觸控感應單元及觸控裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種觸控感應單元及觸控裝置，特別是一種具有低反光性觸控電極的觸控感應單元及觸控裝置。
【背景技術】
[0002]銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, I TO)是目前常見于制作觸控面板的觸控電極的透明導電材料。然而，由于銦錫氧化物的透光性與導電性表現(xiàn)仍不盡理想，且成本相對昂貴，目前已發(fā)展出通過納米銀等材料制作觸控電極的技術。通過納米銀制作觸控電極具有透光性高與導電性佳的優(yōu)點，但由于納米銀的物理特性，于光線照射后容易產(chǎn)生明顯反光，用戶觀看屏幕時容易察覺如淡牛奶色的霧狀反光現(xiàn)象，而影響觀賞影像的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種能減緩觸控電極的反光問題的觸控感應單元。
[0004]于是，本發(fā)明觸控感應單兀，包含一基材及多個觸控電極。觸控電極設于該基材上，用以產(chǎn)生觸控感應訊號，且各包括一具絕緣性及透光性的絕緣層及多個納米導電結(jié)構(gòu)。納米導電結(jié)構(gòu)設置于該絕緣層中，且各具有一金屬主體，各該金屬主體具有粗糙表面且彼此形成電連接。
[0005]較佳地,各該金屬主體的表面粗糙度介于2納米至20納米之間。
[0006]較佳地，各該納米導電結(jié)構(gòu)的金屬主體為納米銀線或納米銅線。
[0007]較佳地，各該金屬主體的粗糙表面是由電子束蝕刻技術、離子束蝕刻技術或化學蝕刻技術加工而成。
[0008]較佳地,該觸控感應單元還包含一抗反射結(jié)構(gòu),該抗反射結(jié)構(gòu)具有低反光性,并夾設于該基材與所述觸控電極之間。
[0009]更佳地，該抗反射結(jié)構(gòu)包括相互疊置的一第一光學層及一第二光學層，該第一光學層夾設于該基材與該第二光學層之間，且該第一光學層的折射率大于該第二光學層的折射率。
[0010]較佳地，所述納米導電結(jié)構(gòu)還分別包括一吸光構(gòu)造，所述吸光構(gòu)造具低反光性，并分別設置于所述金屬主體的表面。
[0011]較佳地，各該金屬主體為扭曲彎折的線狀構(gòu)造。
[0012]較佳地，所述觸控電極為間隔地設置于該基材上?；蛘呤?，所述觸控電極的絕緣層彼此相連，且所述觸控電極的納米導電結(jié)構(gòu)相互電性絕緣。
[0013]本發(fā)明提出的另一觸控感應單兀，包含一基材及多個觸控電極。觸控電極設于該基材上，用以產(chǎn)生觸控感應訊號，且各包括一具絕緣性及透光性的絕緣層及多個納米導電結(jié)構(gòu)。多個納米導電結(jié)構(gòu)設置于該絕緣層中且彼此形成電連接，并分別各具有一金屬主體及一吸光構(gòu)造。該吸光構(gòu)造具低反光性，并設置于該金屬主體的表面。
[0014]較佳地，各該納米導電結(jié)構(gòu)的金屬主體為納米銀線或納米銅線
[0015]較佳地，該吸光構(gòu)造為包覆該金屬主體表面的抗反射層。
[0016]較佳地，該吸光構(gòu)造的材質(zhì)為色料、硫化銀或氧化銅。
[0017]較佳地，該吸光構(gòu)造是通過色料染色技術或化學合成技術，在該金屬主體的表面制作而成。
[0018]或者是，該吸光構(gòu)造為附著在該金屬主體表面的多個抗反射顆粒。
[0019]較佳地，該吸光構(gòu)造的材質(zhì)為導電碳黑。
[0020]較佳地,該觸控感應單元還包含一抗反射結(jié)構(gòu),該抗反射結(jié)構(gòu)具有低反光性,并夾設于該基材與所述觸控電極之間。
[0021]更佳地，該抗反射結(jié)構(gòu)包括相互疊置的一第一光學層及一第二光學層，該第一光學層夾設于該基材與該第二光學層之間，且該第一光學層的折射率大于該第二光學層的折射率。
[0022]較佳地，各該金屬主體為扭曲彎折的線狀構(gòu)造。
[0023]較佳地，所述觸控電極為間隔地設置于該基材上?；蛘呤牵鲇|控電極的絕緣層彼此相連，且所述觸控電極的納米導電結(jié)構(gòu)相互電性絕緣。
[0024]本發(fā)明提出的再一觸控感應單元，包括一基材及多個觸控電極。觸控電極設于該基材上，用以產(chǎn)生觸控感應訊號，且各包括一具絕緣性及透光性的絕緣層及多個納米導電結(jié)構(gòu)。納米導電結(jié)構(gòu)設置于該絕緣層中，且各具有一金屬主體，各該金屬主體為扭曲彎折的線狀構(gòu)造且彼此形成電連接。
[0025]較佳地，各該納米導電結(jié)構(gòu)的金屬主體為納米銀線或納米銅線。
[0026]較佳地，各該金屬主體的扭曲彎折形狀，是通過對該金屬主體的磁化處理并施以電場作用力或磁場作用力所加工而成。
[0027]較佳地,該觸控感應單元還包含一抗反射結(jié)構(gòu),該抗反射結(jié)構(gòu)具有低反光性,并夾設于該基材與所述觸控電極之間。
[0028]更佳地，該抗反射結(jié)構(gòu)包括相互疊置的一第一光學層及一第二光學層，該第一光學層夾設于該基材與該第二光學層之間，且該第一光學層的折射率大于該第二光學層的折射率。
[0029]較佳地，所述觸控電極為間隔地設置于該基材上?；蛘呤牵鲇|控電極的絕緣層彼此相連，且所述觸控電極的納米導電結(jié)構(gòu)相互電性絕緣。
[0030]本發(fā)明的另一目的，在提出一種使用前述觸控感應單元的觸控裝置。
[0031]于是，本發(fā)明觸控裝置包含一蓋板及兩個如前述的觸控感應單元。所述觸控感應單元疊置于該蓋板的底面，且彼此的觸控電極相互不平行。
[0032]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明通過將納米導電結(jié)構(gòu)的金屬主體配置為具有粗糙表面或/及具有扭曲彎折形狀，或/及在金屬主體的表面設置吸光構(gòu)造，都能減緩金屬主體的反光程度，使得光線照射到觸控電極后不易形成明顯的反光現(xiàn)象，而提升使用者觀看觸控裝置的質(zhì)量。
【附圖說明】
[0033]圖1是一側(cè)視圖，說明本發(fā)明觸控裝置的實施例；
[0034]圖2是圖1的部分分解圖；
[0035]圖3是一正視圖，說明本發(fā)明第一觸控感應單元的實施例；
[0036]圖4是一側(cè)視圖，說明本發(fā)明第一觸控感應單兀的另一實施態(tài)樣；
[0037]圖5是第一觸控感應單元的觸控電極的局部放大圖；
[0038]圖6是觸控電極的納米導電結(jié)構(gòu)的第一實施例；
[0039]圖7是觸控電極的納米導電結(jié)構(gòu)的第二實施例；
[0040]圖8是觸控電極的納米導電結(jié)構(gòu)的第三實施例；及
[0041]圖9是觸控電極的納米導電結(jié)構(gòu)的第四實施例。
【具體實施方式】
[0042]下面結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明。
[0043]第一實施例:
[0044]參閱圖1至圖3，為本發(fā)明觸控裝置1的第一實施例。觸控裝置1能應用于移動電話、平板電腦等各式電子裝置，其包含一蓋板2、多層黏著層3、一第一觸控感應單元4及一第二觸控感應單元4'，并包含未圖示的黑矩陣(black matrix，簡稱為BM)、金屬導線等構(gòu)造。
[0045]蓋板2為觸控裝置1的表層構(gòu)造，其可采用玻璃等透明材質(zhì)制作，但不以為限。
[0046]第一觸控感應單元4與第二觸控感應單元4'分別通過黏著層3而疊置于蓋板2的底面之下。第一觸控感應單元4包括一基材5、一抗反射結(jié)構(gòu)6及多個觸控電極7，第二觸控感應單元4'則包括一基材5'、一抗反射結(jié)構(gòu)6'及多個觸控電極7'。其中，第一觸控感應單元4與第二觸控感應單元4,的大部分結(jié)構(gòu)類似，主要差異僅在于第一觸控感應單元4的觸控電極7與第二觸控感應單元4'的觸控電極7'相互不平行，兩者分別呈現(xiàn)不同軸向的觸控感應訊號。因此，后續(xù)關于第一觸控感應單元4與第二觸控感應單元4'的說明內(nèi)容，僅以第一觸控感應單元4為例進行說明?；?以硬質(zhì)的玻璃或可撓曲的聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate,簡稱PET)等透光材質(zhì)制作，用于承載抗反射結(jié)構(gòu)6與觸控電極7。
[0047]抗反射結(jié)構(gòu)6具有低反光性，其夾設于基材5與所述觸控電極7之間，且其折射率介于基材5的折射率與觸控電極7的折射率之間，能減少光線穿透第一觸控感應單元4時產(chǎn)生的反射。此外，抗反射結(jié)構(gòu)6還可以如圖4般，包括相互疊置的一第一光學層61及一第二光學層62。第一光學層61夾設于基材5與第二光學層62之間，其折射率大于第二光學層62的折射率，可進一步增進第一觸控感應單元4的抗反射效果。例如，本實施例中第一光學層61可采用五氧化二鈮(Nb205)、氮化硅(SiNx)等材質(zhì)制作，其較佳的折射率介于1.70至2.30之間；第二光學層62則能通過二氧化硅等材質(zhì)制作，其較佳的折射率介于1.70至2.30之間。然而，在不同的實施態(tài)樣中，抗反射結(jié)構(gòu)6還能以三層以上的光學層進行實施，或者第一觸控感應單元4也能省略抗反射結(jié)構(gòu)6的設置。在三層以上光學層的實施態(tài)樣中，光學層同樣夾設于基材5與觸控電極7之間，且各光學層的折射率從鄰近觸控電極7的部分至鄰近基材5的部分為依序遞增，如此也能提供抗反射效果。
[0048]參閱圖2、圖3、圖5與圖6,觸控電極7相互間隔地設于基材5與抗反射結(jié)構(gòu)6上，其內(nèi)含納米金屬以作為產(chǎn)生觸控感應訊號的主要結(jié)構(gòu)，并分別包括一絕緣層71及多個設置于絕緣層71中的納米導電結(jié)構(gòu)72。
[0049]絕緣層71具絕緣性及透光性，在觸控電極7制作完成后絕緣層71會將納米導電結(jié)構(gòu)72包覆其中，以提供電性絕緣及保護效果。
[0050]納米導電結(jié)構(gòu)72各具有一金屬主體721，金屬主體721具體來說為納米銀線或納米銅線等納米金屬線結(jié)構(gòu)，其嵌設于絕緣層71中且彼此形成電連接，并通過電子束蝕刻技術、離子束蝕刻技術或化學蝕刻技術等工藝將表面蝕刻出多個凹陷部722，而形成粗糙表面，且較佳的表面粗糙度范圍介于2納米至20納米之間，如此能有效避免金屬主體721的表面過于平滑而容易在同一方向上產(chǎn)生明顯的反光現(xiàn)象。因此，本實施例的觸控電極7是通過將納米導電結(jié)構(gòu)72的金屬主體721加工處理為粗糙表面，如此能避免用戶觀看屏幕時察覺反光，而提升使用觸控裝置1的質(zhì)量。
[0051]要特別說明的是，在上述說明中，觸控電極7雖是以彼此相間隔的態(tài)樣實施，但在不同的實施態(tài)樣中，觸控電極7也可以配置為其絕緣層71相互連接，僅讓各個觸控電極7內(nèi)的納米導電結(jié)構(gòu)72相互電性絕緣，