物燈照射紫外線，形成底涂層。此時，使固化膜厚、 X(Si30)/X(C30)、X(Si40)/X(C40)、相對于底涂層的組合物總量100重量％的氧化鋯含量 的條件如表1的No. 1~16所示，作成樣品。其中，X(Si30)、X(C30)分別是底涂層的距離透 明導(dǎo)電性膜層為厚度方向30nm以內(nèi)范圍的部分的硅原子、碳原子的含有率（％ )，X(Si40)、 X(C40)分別是底涂層的距離透明導(dǎo)電性膜層為厚度方向40nm以上范圍的部分的硅原子、 碳原子的含有率（％)。
[0091] 接著，對于上述的各樣品，在透明基材的底涂層上利用DC磁控濺射法形成透明導(dǎo) 電性膜層，作成透明導(dǎo)電性薄膜。此時，作為透明導(dǎo)電性膜層用的材料，使用含有10重量％ 氧化錫的ΙΤ0。另外，使透明導(dǎo)電性膜層的厚度為20nm。
[0092] 此外，在這里所使用的透明基材以上述條件形成底涂層、透明導(dǎo)電性膜層時，當(dāng)由 各層的光學(xué)特性模擬對于透明導(dǎo)電性薄膜的圖案不可視性為最佳的底涂層膜厚時，可知為 100nm。另外，此時的底涂層的氧化鋯含量率為30重量％。
[0093] 然后，對該透明導(dǎo)電性薄膜實(shí)施以下的評價。
[0094] <評價內(nèi)容>
[0095] 1.圖案不可視性
[0096] 通過刻蝕在透明導(dǎo)電性膜層上實(shí)施布線的布圖，對從透明導(dǎo)電性膜層一側(cè)目視時 的圖案的不可視性進(jìn)行評價。
[0097] 2.密合性
[0098] 根據(jù)JIS K5600,在透明導(dǎo)電性膜層一側(cè)的涂膜上切入Imm間隔的切口，縱橫各11 根，從而作成了 100個棋盤格。在各樣品上粘貼透明膠帶（Cellotape (注冊商標(biāo)）），利用橡 皮擦數(shù)次使其密合后，將膠帶剝離，確認(rèn)涂膜未剝離而殘存的格子的數(shù)量。另外，在發(fā)生了 剝離時，確認(rèn)剝離是在底涂層與透明導(dǎo)電性膜層的界面上發(fā)生、還是在底涂層與透明基材 的界面上發(fā)生。
[0099] 將對上述的圖案不可視性、密合性進(jìn)行評價的結(jié)果示于表1。對于不可視性，圖案 未能識別的情況標(biāo)記為+、被識別到的情況標(biāo)記為_。另外，對于密合性，將剝離的格子完全 沒有的情況標(biāo)記為+，即便只有1個格子被剝離也標(biāo)記為_，并且在-的情況下標(biāo)記出發(fā)生 剝離的界面。
[0100] <評價結(jié)果>
[0101] 表 1
[0102]
[0103] 觀察表1可知，在底涂層中的氧化鋯含量為30重量％、固化膜厚為IOOnm時，如果 X(Si30)/X(C30)為0. 28以上，則底涂層與透明導(dǎo)電性膜層的密合性為合格（沒有剝離了的 格子）。認(rèn)為這是由于底涂層的透明導(dǎo)電性膜層一側(cè)的硅含有率提高，因此界面發(fā)生無機(jī) 化，與透明導(dǎo)電性膜層的密合性變得良好。同樣，在使底涂層中的氧化鋯含量為30%、固化 膜厚為IOOnm時，如果X (Si40)/X (C40)為0. 23以下，則底涂層與透明基材的密合性為合格 (沒有剝離了的格子）。認(rèn)為這是由于在底涂層的透明基材一側(cè)的碳含有率為一定以上而 成為界面的有機(jī)成分高的狀態(tài)，因此與透明基材的密合性變得良好。上述中，在底涂層與透 明導(dǎo)電性膜層、透明基材的密合性良好的X (Si30) /X (C30) = 0. 40、X (Si40) /X (C40) = 0. 02 的條件下，如No. 13~16那樣改變固化膜厚或氧化鋯含量時，圖案不可視性變差。認(rèn)為其 原因在于，折射率、膜厚從作為光學(xué)調(diào)節(jié)層的底涂層相對于透明基材、透明導(dǎo)電性膜層的折 射率和膜厚的適當(dāng)條件發(fā)生了偏離。另外，當(dāng)氧化鋯含有添加量超過40重量％時，在底涂 層與基材的界面處發(fā)生剝離。認(rèn)為這是由于作為無機(jī)化合物的氧化鋯的含有率提高、與透 明基材的界面的無機(jī)化發(fā)生，因而密合性變差，因此可以說高折射材料的含量需要為40重 量％以下。
[0104] 鑒于以上的結(jié)果，使底涂層的膜厚為60nm以上的適當(dāng)膜厚、使高折射材料的含量 為40重量％以下、使X(Si30)/X(C30)為0. 28以上、X(Si40)/X(C40)為0. 25以下，作成透 明導(dǎo)電性薄膜。然后，使用該透明導(dǎo)電性薄膜構(gòu)成觸摸面板，進(jìn)而將其作為構(gòu)成部件制作帶 有觸摸面板的顯示設(shè)備。
[0105] 由此，可以提供將以下述透明導(dǎo)電性薄膜為構(gòu)成要素的觸摸面板作為構(gòu)成部件的 顯示設(shè)備，所述透明導(dǎo)電性薄膜即便是在透明導(dǎo)電性薄膜上通過濕式涂覆設(shè)置有光學(xué)調(diào)節(jié) 層時、在作為高分子膜的基材與光學(xué)調(diào)節(jié)層之間、光學(xué)調(diào)節(jié)層與作為金屬氧化物的透明導(dǎo) 電性膜層之間也具有高的密合性、且充分地具有圖案的不可視性。
[0106] 產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0107] 本發(fā)明可以適用于電子書閱讀器、平板終端、智能手機(jī)、手機(jī)、電子紙、計(jì)算機(jī)等的 顯示器。
[0108] 符號說明
[0109] 1透明導(dǎo)電性薄膜
[0110] 2透明基材
[0111] 3底涂層
[0112] 4、41、42透明導(dǎo)電性膜層
[0113] 5透明薄膜
[0114] 6粘結(jié)層
[0115] 10觸摸面板
[0116] 20屏蔽層
[0117] 21 基材
[0118] 22導(dǎo)電膜層
[0119] 23涂覆層
[0120] 30 LCD顯示面板
[0121] 40前面板層
[0122] 50粘接劑層
[0123] 60帶有觸摸面板的顯示設(shè)備
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種透明導(dǎo)電性薄膜，其為在透明基材的一個面上依次層疊有底涂層和透明導(dǎo)電性 膜層的透明導(dǎo)電性薄膜，其中， 所述底涂層的折射率為1. 5~2. O的范圍內(nèi)，所述底涂層的折射率比所述透明基材 的折射率高且比所述透明導(dǎo)電性膜層的折射率低，在使所述底涂層的組合物總量為100重 量％時，高折射材料的含量為40重量％以下，所述底涂層的距離所述透明導(dǎo)電性膜層為厚 度方向30nm以內(nèi)范圍的碳原子的含有率X(C30)與硅原子的含有率X(Si30)為式（1)的 關(guān)系，所述底涂層的距離所述透明導(dǎo)電性膜層為厚度方向40nm以上范圍的碳原子的含有 率X(C40)與硅原子的含有率X(Si40)為式（2)的關(guān)系，所述X(C30)、X(Si30)、X(C40)、 X (Si40)的單位分別為％， X(Si30)/X(C30) ^ 0. 28 (I) X(Si40)/X(C40)彡 0? 23 (2) 〇2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，所述底涂層的膜厚為60nm以上。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，所述底涂層的距離所述透明導(dǎo)電 性膜層為厚度方向30nm以內(nèi)范圍的氧原子的含有率為45%以上，所述底涂層的距離所述 透明導(dǎo)電性膜層為厚度方向40nm以上范圍的氧原子的含有率為30%以下。4. 根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，所述透明導(dǎo)電性膜層是 金屬氧化物。5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，所述透明基材是折射率 為1. 45~1. 75的范圍內(nèi)的塑料膜。6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，所述透明導(dǎo)電性薄膜的 面內(nèi)延遲Re為30nm以下，深度方向延遲Rth為IOOnm以下。7. 根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，在所述透明導(dǎo)電性薄膜 的與所述透明導(dǎo)電性膜層相反側(cè)的面上具有有機(jī)化合物的層。8. -種觸摸面板，其以權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性薄膜作為構(gòu)成要素。9. 一種顯示設(shè)備，其以權(quán)利要求8所述的觸摸面板作為構(gòu)成部件。
【專利摘要】本發(fā)明提供具有作為高分子膜的基材與光學(xué)調(diào)節(jié)層之間、光學(xué)調(diào)節(jié)層與作為金屬氧化物的透明導(dǎo)電性膜層之間的高密合性、圖案的充分不可視性的透明導(dǎo)電性薄膜以及具備該透明導(dǎo)電性薄膜的觸摸面板和顯示設(shè)備。所述透明導(dǎo)電性薄膜為在透明基材的一個面上依次層疊有底涂層和透明導(dǎo)電性膜層的透明導(dǎo)電性薄膜，其中，底涂層的折射率為1.5～2.0的范圍內(nèi)且折射率比透明基材高、比透明導(dǎo)電性膜層低，在使組合物總量為100重量％時，高折射材料的含量為40重量％以下，距離透明導(dǎo)電性膜層為厚度方向30nm以內(nèi)范圍的碳原子的含有率X(C30)(％)與硅原子的含有率X(Si30)(％)為X(Si30)/X(C30)≥0.28，距離透明導(dǎo)電性膜層為厚度方向40nm以上范圍的碳原子的含有率X(C40)(％)與硅原子的含有率X(Si40)(％)為X(Si40)/X(C40)≤0.23。
【IPC分類】H01B5/14, B32B7/02, G06F3/041, B32B5/14
【公開號】CN105009041
【申請?zhí)枴緾N201480009416
【發(fā)明人】瀧澤誠司, 伊藤大
【申請人】凸版印刷株式會社
【公開日】2015年10月28日
【申請日】2014年2月17日
【公告號】US20150355489, WO2014129171A1