導電結構體前體、導電結構體及其制造方法
【技術領域】
[0001] 本申請要求享有2013年11月27日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請第 10-2013-0145567號的優(yōu)先權和權益，所述韓國專利申請的全部內容以引用的方式并入本 文中。
[0002] 本公開涉及一種導電結構體前體、一種導電結構體以及其制造方法。
【背景技術】
[0003] 觸屏面板通常根據信號的檢測方法而劃分如下。換言之，所述類型包括在施加直 流電壓時經由電流或電壓值的變化來感測由壓力按壓位置的電阻型、在施加交流電壓時使 用電容耦合的電容型以及在施加磁場時隨著電壓的變化感測選定位置的電磁型。
[0004] 目前，透明ITO電極通常用于制造接觸式傳感器。透明ITO電極通常用于接觸式 傳感器的屏幕單元，并且在配線單元中使用具有相對小的電阻的金屬。隨著最近對窄邊框 (narrow bezel)的需求增加，對將金屬沉積于ITO上的膜的需求也增加了。
[0005] 窄邊框涉及以下一種趨勢：在有限的便攜裝置尺寸中隨著觸屏增大，金屬線寬度 逐漸減小，并且隨著高分辨率屏幕變得更普遍，通道數目增加。
[0006] 當制造包括ITO層和金屬層的層壓體時，如圖1中所示，通常使用以下方法：使 ITO層結晶，其中所述ITO層被層壓在基板（PET)上，在所述結晶的ITO層上形成金屬層，而 后使所述金屬層圖案化。
[0007] 現有技術文件
[0008] 韓國專利申請公開第10-2010-0007605號。

【發(fā)明內容】

[0009] 技術問題
[0010] 本申請的一個目的是提供一種導電結構體前體、一種導電結構體以及其制造方 法。具體而言，在制造包括透明導電層和金屬層的導電結構體方面，本申請的發(fā)明人提供一 種能夠通過在非晶形透明導電層上形成金屬層而后使所述透明導電層結晶來進行連續(xù)加 工的導電結構體。
[0011] 技術方案
[0012] 本申請的一個實施方式提供一種導電結構體前體，其包括：基板；設置在所述基 板上的非晶形透明導電層；和設置在所述非晶形透明導電層上的金屬層。
[0013] 另外，本申請的一個實施方式提供一種制造導電結構體的方法，其包括：制備導電 結構體前體，所述導電結構體前體包括基板、設置在所述基板上的非晶形透明導電層和設 置在所述非晶形透明導電層上的金屬層；以及熱處理所述導電結構體前體以使所述非晶形 透明導電層結晶。
[0014] 此外，本申請的一個實施方式提供一種使用上述制造方法制造的導電結構體，所 述導電結構體包括：基板；設置在所述基板上的結晶透明導電層；和設置在所述結晶透明 導電層上的金屬層。
[0015] 另外，本申請的一個實施方式提供一種包括所述導電結構體的觸屏面板。
[0016] 有益效果
[0017] 根據本申請的一個實施方式的導電結構體可有效地使諸如ITO層的透明導電層 結晶，即使在諸如ITO層的透明導電層上形成金屬層之后。另外，可在使諸如ITO層的透明 導電層結晶之前在非晶形層上形成金屬層，因此，非晶形透明導電層和金屬層可經由輥對 車昆工藝（roll to roll process)層壓，且因此，可簡化所述工藝。此外，通過在導電結構體 的最外層上形成金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氧氮化物，可更容易地使設置在金屬層底 部的非晶形透明導電層結晶。
【附圖說明】
[0018] 圖1為顯示根據現有技術的ITO結晶工藝的模擬圖。
[0019] 圖2為顯示根據本公開的一個實施方式的ITO結晶工藝的模擬圖。
[0020] 圖3為顯示根據本公開的一個實施方式的導電結構體前體的結構的圖。
[0021] 圖4為顯示根據本公開的一個實施方式的導電結構體的結構的圖。
[0022] 圖5示意性地顯示如本申請的一個實施方式，在制造導電結構體的方法中的熱處 理工藝期間的熱傳導流動。
[0023] 圖6為測量表1的非晶形ITO的殘余壓應力的曲線圖。
[0024] 圖7為測量表1的前結晶的ITO的殘余壓應力的曲線圖。
[0025] 圖8為測量表1的后結晶的ITO的殘余壓應力的曲線圖。
[0026] 圖9顯示根據本申請的一個實施方式的導電結構體的表面電阻值。
【具體實施方式】
[0027] 在本說明書中，一個構件被放置在另一構件"上"的描述不僅包括所述一個構件鄰 接所述另一構件的情況，而且亦包括又一構件存在于這兩個構件之間的情況。
[0028] 在本說明書中，某一部分"包括"某些組分的描述意味著能夠進一步包括其他組 分，且除非相反地特別陳述，否則不排除其他組分。
[0029] 在下文中，將更詳細地描述本申請。
[0030] 在本說明書中，顯示器件是統(tǒng)指電視、計算機顯示屏等的術語，并且包括形成影像 的顯示元件及支撐所述顯示元件的外殼。
[0031] 所述顯示元件的例子包括等離子體顯示面板（PDP)、液晶顯示器（IXD)、電泳顯示 器、陰極射線管（CRT)、OLED顯示器等。在顯示元件中，可設置用于獲得影像的RGB像素圖 案以及額外的光學濾光片。
[0032] 同時，關于顯示器件，隨著智能型手機、平板PC、IPTV等的加速普及，對于人的雙 手直接變?yōu)檩斎朐O備而無需諸如鍵盤或遙控器的單獨輸入設備的觸控功能的需求已逐漸 增加。另外，還需要能夠寫入的多點觸控功能以及特定點識別。
[0033] 目前商品化的大多數觸屏面板（TSP)都基于透明導電ITO薄膜，但其問題在 于，當在大面積的觸屏面板中使用時，由透明ITO電極自身的相對高的表面電阻（最小 150 Ω/□，由日東電工株式會社（Nitto Denko Corporation)制造的ELECRYSTA產品）引 起的RC延遲，導致觸摸識別速度變得較低，且需要引入額外的補償芯片以便克服此問題。
[0034] 在觸屏面板的屏幕單元的情況下，通常使用透明ITO電極，并且在配線單元中使 用具有相對小的電阻的金屬（Ag、Cu等），且由于最近對窄邊框的需求有所增加，對將金屬 沉積在ITO上的膜的需求也增加了。
[0035] 窄邊框涉及以下一種趨勢：在有限的便攜裝置尺寸中隨著觸屏增大，金屬線寬度 逐漸減小，并且隨著高分辨率屏幕變得更普遍，通道數目增加。
[0036] 現有方法通過絲網印刷Ag糊膏使用100μπι/100μπι(線寬/線間距）配線，然而， 在對窄邊框的需求上，需要使用曝光蝕刻方法以便獲得30 μ m/30 μ m，且通過將配線金屬沉 積在ITO膜上、接著干膜抗蝕劑（DFR)層壓所得物且接著曝光及蝕刻圖案來獲得微小線寬。
[0037] 作為用于沉積的金屬，通常使用具有優(yōu)異導電性的Ag、Cu、Al等，然而，特別是對 于Cu(其對抗氧化和腐蝕的能力較弱）通過層壓起到氧化和腐蝕防止層作用的Ni合金 (Cu-Ni、Ni-Cr等）來使用兩個或更多個層的結構。
[0038] 在圖1中示意性地顯示制造導電結構體的現有方法。
[0039] 如圖1中所示，在現有技術中，將非晶形ITO形成于基板上，然后經由熱處理工藝 等使非晶形ITO結晶。在此之后，將金屬層形成于結晶ITO上，且使用光刻法等使金屬層圖 案化。此類方法的優(yōu)點在于穩(wěn)定地確保ITO的特性，然而，所述方法的問題在于，歸因于非 晶形ITO的熱處理工藝的設施是復雜的，且工藝變得復雜。
[0040] 鑒于上述情況，根據本申請的一個實施方式的制造導電結構體的方法包括在非晶 形透明導電層上形成金屬層，然后熱處理所得物以使透明導電氧化物層結晶。
[0041 ] 根據本申請的一個實施方式的制造導電結構體的方法能夠在使透明導電層結晶 之前在非晶形層上形成金屬層，因此，非晶形透明導電層和金屬層可經由輥對輥工藝層壓， 因此，可簡化工藝。
[0042] 本申請