NAME、CUSTOM_Lot_No、CUSTOM_Type_No......等次選項，又如附件一第 7 頁所 不，在 Bin Description Selection Filter 的主選項中進一步包括 Binl、Bin2、Bin3...... 等次選項。因此，可由過濾器路徑（Filter Dir)中進行過濾條件的選擇，達到適合條件的 數(shù)據(jù)產(chǎn)出。
[0051] 承上，由附件一所示的程式所分析而得的數(shù)據(jù)，除了可如附件一第14至18頁由表 單的方式呈現(xiàn)，亦可由圖形化軟體的輔助將數(shù)據(jù)以圖形呈現(xiàn)。
[0052] 如附件二所示，是前述數(shù)據(jù)利用microsoft excel進行列表后，通過其繪圖功能將 數(shù)據(jù)圖形化，此附件二所示的圖形即單一晶圓的數(shù)據(jù)結(jié)果。
[0053] 再如圖4至圖9所示，為三維空間坐標(biāo)的常態(tài)分布圖，可通過繪圖軟體進行計算而 獲得，此述常態(tài)分布圖于三維空間坐標(biāo)中包括代表第一參數(shù)的X坐標(biāo)軸、代表第二參數(shù)的Y 坐標(biāo)軸以及代表第三參數(shù)的Z坐標(biāo)軸，該三維空間坐標(biāo)中多個坐標(biāo)點X、Y、Z形成立體化圖 形的常態(tài)分布圖，由于是三維坐標(biāo)的圖形化數(shù)據(jù)，故可通過旋轉(zhuǎn)其圖形，或?qū)ζ鋱D形剖視， 達到透視分析的效果，而可進一步了解批量的晶圓于數(shù)據(jù)所產(chǎn)生的結(jié)果。
[0054] 如圖4至圖6所示，為晶圓為批量的數(shù)據(jù)時所繪制呈帔峰狀的常態(tài)分布圖，圖中的 數(shù)據(jù)以連續(xù)的線段繪制而成，其中X坐標(biāo)軸所代表的第一參數(shù)為電性測試時產(chǎn)生的頻率， Y坐標(biāo)軸所代表的第二參數(shù)為晶圓片數(shù)，而Z坐標(biāo)軸所代表的第三參數(shù)為被測元件的數(shù)量。 又如圖7所示，亦為晶圓為批量的數(shù)據(jù)時所繪制呈帔峰狀的常態(tài)分布圖，與圖4至圖6所示 的常態(tài)分布圖主要的差異，在于此圖中的數(shù)據(jù)以柱狀圖呈現(xiàn)，可藉此清楚的在X、Y、Z坐標(biāo) 中呈現(xiàn)每一柱狀區(qū)段的數(shù)據(jù)的差異。
[0055] 又如圖8所示，其以單一晶圓1為測試對象，圖中可見晶圓1的各被測元件11皆被 定義一坐標(biāo)點X、Y，且于此常態(tài)分布圖中，該參數(shù)系以各被測元件11于電性測試時產(chǎn)生的 頻率為例，而各該被測元件11于電性測試時產(chǎn)生的頻率的數(shù)據(jù)即為各坐標(biāo)點Z。由圖8所 示的常態(tài)分布圖，可迅速且清楚的得知，測試的晶圓1的各被測元件11于電性測試時產(chǎn)生 的頻率有高低落差，在制程中有校正的必要。又如圖9所示的常態(tài)分布圖，經(jīng)制程校正后， 各該被測元件11于電性測試時產(chǎn)生的頻率的數(shù)據(jù)，亦可迅速且清楚的得知，測試的晶圓1 的各被測元件11于電性測試時產(chǎn)生的頻率已相當(dāng)接近
[0056] 如圖10所示，其同樣以單一晶圓為測試對象，圖中可見晶圓1的各被測元件11同 樣皆被定義一坐標(biāo)點Χ、γ，且于此常態(tài)分布圖中，該參數(shù)以各被測元件于電性測試時產(chǎn)生的 電流為例，而各該被測元件于電性測試時產(chǎn)生的電流的數(shù)據(jù)即為各坐標(biāo)點Ζ。
[0057] 該參數(shù)除上述可為電性測試時產(chǎn)生的頻率或電性測試時產(chǎn)生的電流外，亦可為被 測元件11的分級、通過測試、未通過測試或依不同測試探針分組的組別。
[0058] 前述圖4至圖10的常態(tài)分布圖中，可通過將被測元件11的分級設(shè)為參數(shù)，或依不 同測試探針分組的組別設(shè)為參數(shù)，即可通過常態(tài)分布圖顯示出單片或多批晶圓1上的被測 元件11間的差異，例如同屬某一探針分組的組別的被測元件11間的差異，或分屬不同探針 分組的組別的被測元件11間的差異；亦可通過常態(tài)分布圖顯示單片或多批晶圓1上的被測 元件11在統(tǒng)整分析后顯示的趨勢，例如同一規(guī)格的全部晶圓1的統(tǒng)整分析，或同一機臺制 作的全部晶圓1的統(tǒng)整分析，或一特定期間制作的全部晶圓1的統(tǒng)整分析。
[0059] 以下就統(tǒng)計處理控制（Statistical Process Control, SPC)方面再加以說明如 下：
[0060] 1、數(shù)據(jù)由該測試數(shù)據(jù)分析站分析后，計算出6個標(biāo)準(zhǔn)差（Standard Deviation,簡 寫為0 )，以此6個標(biāo)準(zhǔn)差比較與規(guī)格公差（Specification Tolerance,簡寫為ST))之間相 差的程度，該規(guī)格公差為規(guī)格上限（Upper Spec Limited,簡寫為USL)與規(guī)格下限（Lower Spec Limited,簡寫為LSL)的范圍，并以規(guī)格中心（Specification Center,簡寫為SC)為 目標(biāo)觀察變異寬度以產(chǎn)出一制程精密度（Capability of Precision,簡寫為Cp)，該制程精 密度的計算公式為：Cp = USL-LSIV(6* σ )，依不同的制程精
[0061] 密度可區(qū)分成數(shù)個等級。
【主權(quán)項】
1. 一種利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：晶圓被分為多個被測元件，各所述 被測元件經(jīng)晶圓測試電氣特性及效能時，以一收集單元在所述晶圓進行晶圓測試后收集所 述晶圓的批號、所述晶圓的型號、所述被測元件在晶圓上的坐標(biāo)、所述被測元件號以及所述 被測元件測試的參數(shù)與測試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并送往一測試數(shù)據(jù)分析站進行分析，以所述數(shù)據(jù) 制作各種收集資料的常態(tài)分布圖，計算出差異數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)差，作為品質(zhì)管制監(jiān)控手段或測試 程式穩(wěn)定度分析。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：其中，該數(shù)據(jù)由該 測試數(shù)據(jù)分析站分析后，計算出6個標(biāo)準(zhǔn)差（〇 )，以此6個標(biāo)準(zhǔn)差比較與規(guī)格公差（ST)之 間相差的程度，該規(guī)格公差為規(guī)格上限（USL)與規(guī)格下限（LSL)的范圍，并以規(guī)格中心（SC) 為目標(biāo)觀察變異寬度以產(chǎn)出一制程精密度（Cp)，依不同的制程精密度可區(qū)分成數(shù)個等級， 其中制程精密度的值愈大者等級愈高，代表品質(zhì)愈佳；該制程精密度的計算公式為：Cp= USL-LSL/(6* 〇)〇
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：其中，就該6個標(biāo) 準(zhǔn)差取一平均值又，以該規(guī)格中心與該平均值間的差為A值，而規(guī)格中心與該規(guī)格上限的 差為B值，通過該A值的絕對值與該B值比較相差的程度，以計算出一制程準(zhǔn)確度（Ca)，依 不同的制程準(zhǔn)確度可區(qū)分成數(shù)個等級，其中制程準(zhǔn)確度的值愈小者等級愈高，代表品質(zhì)愈 佳；該制程準(zhǔn)確度的計算公式為Ca= |A|/B= |A|/USL-LSL/2。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：其中，以該制程精 密度與該制程準(zhǔn)確度計算一制程能力系數(shù)（Cpk)，依不同的制程能力系數(shù)可區(qū)分成數(shù)個等 級，其中制程能力系數(shù)的值愈大者等級愈高，代表可接受度愈高；該制程能力系數(shù)的計算公 式為Cpk=Cp*(l_Ca)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：其中，進一步定義 一自然公差（NT)，是指自然變異，即制程處于常態(tài)分配下在平均數(shù)的上、下各三個標(biāo)準(zhǔn)差內(nèi) 的變異范圍，由該自然公差與該規(guī)格公差比較，可得該自然公差大于該規(guī)格公差、該自然公 差等于該規(guī)格公差或該自然公差小于該規(guī)格公差的三種結(jié)果，以該三種結(jié)果可判斷品質(zhì)的 優(yōu)劣與穩(wěn)定度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：其中，在該規(guī)格公 差內(nèi)進一步定義一管制上限（UCL)與一管制下限（LCL)，以該管制上限與該管制下限作為6 個標(biāo)準(zhǔn)差是否穩(wěn)定且可受控制的依據(jù)。
7. -種利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：晶圓被分為多個被測元件，各所述 被測元件經(jīng)晶圓測試電氣特性及效能時，以一收集單元在所述晶圓進行晶圓測試后收集所 述晶圓的批號、所述晶圓的型號、所述被測元件在晶圓上的坐標(biāo)、所述被測元件號以及所述 被測元件測試的參數(shù)與測試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并送往一測試數(shù)據(jù)分析站進行分析，以此分析可 依客戶的需求重新調(diào)整被測元件分級的參數(shù)，所述參數(shù)為相對值或其他的差異值而非絕對 值，而可達到重新分級的效果。
8. -種利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：晶圓被分為多個被測元件，各所述 被測元件經(jīng)晶圓測試電氣特性及效能時，以一收集單元在所述晶圓進行晶圓測試后收集所 述晶圓的批號、晶圓的型號、所述被測元件在晶圓上的坐標(biāo)、所述被測元件號以及所述被測 元件測試的參數(shù)與測試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并送往一測試數(shù)據(jù)分析站進行分析，通過多片多批晶 圓的透視分析，可觀察產(chǎn)品可靠度與穩(wěn)定度，幫助制程與設(shè)計。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1、7或8所述的利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：其中，該常 態(tài)分布圖以三維空間坐標(biāo)呈現(xiàn)，包括代表第一參數(shù)的X坐標(biāo)軸、代表第二參數(shù)的Y坐標(biāo)軸以 及代表第三參數(shù)的Z坐標(biāo)軸，該三維空間坐標(biāo)中多個坐標(biāo)點X、Y、Z形成立體化圖形的常態(tài) 分布圖。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：其中，該X、Y坐 標(biāo)軸為橫坐標(biāo)，該Z坐標(biāo)軸為縱坐標(biāo)，以坐標(biāo)點X、Y定義各該被測元件于晶圓上的位置，且 以坐標(biāo)點Z定義一特定的參數(shù)的數(shù)據(jù)，于三維空間坐標(biāo)中依該多個被測元件個別對應(yīng)的坐 標(biāo)點X、Y、Z產(chǎn)生三維柱狀的常態(tài)分布圖。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，其特征在于：其中，該參數(shù)為 被測元件的分級、通過測試、未通過測試、依不同測試探針分組的組別、電性測試時產(chǎn)生的 頻率或電性測試時產(chǎn)生的電流。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種利用測試數(shù)據(jù)進行品管方法，是晶圓被分為多個被測元件，各被測元件經(jīng)晶圓測試電氣特性及效能時，以一收集單元在晶圓進行晶圓測試后收集晶圓的批號、晶圓的型號、被測元件在晶圓上的坐標(biāo)、被測元件號以及被測元件測試的參數(shù)與測試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并送往一測試數(shù)據(jù)分析站進行分析，以此數(shù)據(jù)制作各種收集資料的常態(tài)分布圖，計算出差異數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)差，作為品質(zhì)管制監(jiān)控手段或測試程式穩(wěn)定度分析，由此構(gòu)成本發(fā)明。
【IPC分類】G06F17-50, G06Q10-06
【公開號】CN104778525
【申請?zhí)枴緾N201410288603
【發(fā)明人】陳坤忠
【申請人】訊利電業(yè)股份有限公司, 陳坤忠
【公開日】2015年7月15日
【申請日】2014年6月25日