利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行品管方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有關(guān)一種品管方法，尤指更具體地說(shuō)，是一種利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行品管 方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 如圖16所示，為常見(jiàn)晶圓的品管方法，主要是晶圓領(lǐng)貨且準(zhǔn)備好晶圓測(cè)試的安排 (CP-setup)后，便開(kāi)始進(jìn)行晶圓測(cè)試（circuit probing, CP)，主要是將晶圓分成多個(gè)被測(cè) 元件（device under test, DUT)且各別測(cè)試。經(jīng)過(guò)晶圓測(cè)試后，將不合格的被測(cè)元件上墨 (inking)，經(jīng)烘烤（baking)后將測(cè)試完成的晶圓經(jīng)由晶圓測(cè)試整貨站進(jìn)行整貨，再經(jīng)過(guò)對(duì) 即將出貨的物品的品質(zhì)控管（out-going quality control, 0QC)后送至庫(kù)房直至出貨。
[0003] 然而，在晶圓測(cè)試的過(guò)程中，被測(cè)元件的良率除了被測(cè)元件的制程本身的問(wèn)題外， 也包含了其他的因素，例如測(cè)試機(jī)的問(wèn)題，意即測(cè)試機(jī)臺(tái)的探針未正確校正，或測(cè)試機(jī)臺(tái)的 程式并未以正確的測(cè)試參數(shù)為基礎(chǔ)，皆會(huì)影響被測(cè)元件的良率，惟上述晶圓測(cè)試的品管流 程無(wú)法分析被測(cè)元件不合格的問(wèn)題為制程本身或測(cè)試機(jī)臺(tái)所致，便無(wú)法正確地解決被測(cè)元 件不合格的問(wèn)題，且合格被測(cè)元件的測(cè)試資料同樣無(wú)記錄可循，若最終產(chǎn)品有需要校正的 話，便無(wú)法提供校正的相關(guān)數(shù)據(jù)。
[0004] 因此，如何解決上述常見(jiàn)的晶圓的品管方法的問(wèn)題，即為本發(fā)明的主要重點(diǎn)所在。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明目的之一，在于解決上述的問(wèn)題而提供一種利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行品管方法， 通過(guò)收集單元在晶圓進(jìn)行晶圓測(cè)試后收集測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)送往一測(cè)試數(shù)據(jù)分析 站進(jìn)行分析，以此數(shù)據(jù)制作各種收集資料的常態(tài)分布圖，計(jì)算出差異數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)差，作為品質(zhì) 管制監(jiān)控手段或測(cè)試程式穩(wěn)定度分析。
[0006] 本發(fā)明目的之二，在于解決上述的問(wèn)題而提供一種利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行品管方法， 通過(guò)收集單元在晶圓進(jìn)行晶圓測(cè)試后收集測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)送往一測(cè)試數(shù)據(jù)分析 站進(jìn)行分析，以此數(shù)據(jù)可依客戶的需求重新調(diào)整被測(cè)元件分級(jí)的參數(shù)，此參數(shù)為相對(duì)值或 其他的差異值而非絕對(duì)值，而可達(dá)到重新分級(jí)的效果。
[0007] 本發(fā)明目的之三，在于解決上述的問(wèn)題而提供一種利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行品管方法， 通過(guò)收集單元在晶圓進(jìn)行晶圓測(cè)試后收集測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)送往一測(cè)試數(shù)據(jù)分 析站進(jìn)行分析，通過(guò)多片多批晶圓的透視分析，可觀察產(chǎn)品可靠度與穩(wěn)定度，幫助制程與設(shè) 計(jì)。
[0008] 本發(fā)明目的之四，在于解決上述的問(wèn)題而提供一種利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行品管方法， 通過(guò)以三維空間坐標(biāo)表現(xiàn)出常態(tài)分布圖，而使數(shù)據(jù)能以三維空間呈現(xiàn)，由此達(dá)到讓數(shù)據(jù)的 觀看者能一目了然的便利性。
[0009] 為達(dá)前述的目的，本發(fā)明包括：
[0010] 晶圓被分為多個(gè)被測(cè)元件，各被測(cè)元件經(jīng)晶圓測(cè)試電氣特性及效能時(shí)，以一收集 單元在晶圓進(jìn)行晶圓測(cè)試后收集晶圓的批號(hào)、晶圓的型號(hào)、被測(cè)元件在晶圓上的坐標(biāo)、被測(cè) 元件號(hào)以及被測(cè)元件測(cè)試的參數(shù)與測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并送往一測(cè)試數(shù)據(jù)分析站進(jìn)行分析， 以此數(shù)據(jù)制作各種收集資料的常態(tài)分布圖，計(jì)算出差異數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)差，作為品質(zhì)管制監(jiān)控手 段或測(cè)試程式穩(wěn)定度分析。
[0011] 晶圓被分為多個(gè)被測(cè)元件，各被測(cè)元件經(jīng)晶圓測(cè)試電氣特性及效能時(shí)，以一收集 單元在晶圓進(jìn)行晶圓測(cè)試后收集晶圓的批號(hào)、晶圓的型號(hào)、被測(cè)元件在晶圓上的坐標(biāo)、被測(cè) 元件號(hào)以及被測(cè)元件測(cè)試的參數(shù)與測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并送往一測(cè)試數(shù)據(jù)分析站進(jìn)行分析， 以此分析可依客戶的需求重新調(diào)整被測(cè)元件分級(jí)的參數(shù)，此參數(shù)為相對(duì)值或其他的差異值 而非絕對(duì)值，而可達(dá)到重新分級(jí)的效果。
[0012] 晶圓被分為多個(gè)被測(cè)元件，各被測(cè)元件經(jīng)晶圓測(cè)試電氣特性及效能時(shí)，以一收集 單元在晶圓進(jìn)行晶圓測(cè)試后收集晶圓的批號(hào)、晶圓的型號(hào)、被測(cè)元件在晶圓上的坐標(biāo)、被測(cè) 元件號(hào)以及被測(cè)元件測(cè)試的參數(shù)與測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)，并送往一測(cè)試數(shù)據(jù)分析站進(jìn)行分析， 透過(guò)多片多批晶圓的透視分析，可觀察產(chǎn)品可靠度與穩(wěn)定度，幫助制程與設(shè)計(jì)。
[0013] 其中，該常態(tài)分布圖以三維空間坐標(biāo)呈現(xiàn)，包括代表第一參數(shù)的X坐標(biāo)軸的代表 第二參數(shù)的Y坐標(biāo)軸以及代表第三參數(shù)的Z坐標(biāo)軸，該三維空間坐標(biāo)中多個(gè)座標(biāo)坐標(biāo)點(diǎn)X、 Y、Z形成立體化圖形的常態(tài)分布圖。
[0014] 本發(fā)明的上述及其他目的與優(yōu)點(diǎn)，不難從下述所選用實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明與附圖 中，獲得深入了解。
[0015] 當(dāng)然，本發(fā)明在某些另件上，或另件的安排上容許有所不同，但所選用的實(shí)施例， 則于本說(shuō)明書(shū)中，予以詳細(xì)說(shuō)明，并于附圖中展示其構(gòu)造。
【附圖說(shuō)明】
[0016] 圖1為本發(fā)明的品管方法所采用的晶圓構(gòu)造圖。
[0017] 圖2為本發(fā)明的品管方法的流程圖。
[0018] 圖3為本發(fā)明的品管方法用以測(cè)試數(shù)據(jù)的設(shè)備的示意圖。
[0019] 圖4為本發(fā)明的晶圓為批量的數(shù)據(jù)時(shí)所繪制的一常態(tài)分布圖。
[0020] 圖5為本發(fā)明的晶圓為批量的數(shù)據(jù)時(shí)所繪制的另一常態(tài)分布圖。
[0021] 圖6為本發(fā)明的晶圓為批量的數(shù)據(jù)時(shí)所繪制的又一常態(tài)分布圖。
[0022] 圖7為本發(fā)明的晶圓為批量的數(shù)據(jù)時(shí)所繪制的再一常態(tài)分布圖。
[0023] 圖8為本發(fā)明的被測(cè)元件在電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率為參數(shù)的常態(tài)分布圖。
[0024] 圖9為本發(fā)明的被測(cè)元件在校正后電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的頻率為參數(shù)的常態(tài)分布圖。
[0025] 圖10為本發(fā)明的被測(cè)元件在電性測(cè)試時(shí)產(chǎn)生的電流為參數(shù)的常態(tài)分布圖。
[0026] 圖11為本發(fā)明的制程準(zhǔn)確度求取時(shí)的平均值與A、B二值的關(guān)系圖。
[0027] 圖12-1為本發(fā)明的自然公差大于該規(guī)格公差的曲線圖。
[0028] 圖12-2為本發(fā)明的自然公差等于該規(guī)格公差的曲線圖。
[0029] 圖12-3為本發(fā)明的自然公差小于該規(guī)格公差的曲線分布圖。
[0030] 圖13-1為本發(fā)明的測(cè)試的數(shù)據(jù)呈穩(wěn)定且可受控制的曲線分布圖。
[0031] 圖13-2為本發(fā)明的測(cè)試的數(shù)據(jù)呈不穩(wěn)定且不可受控制的曲線分布圖。
[0032] 圖13-3為本發(fā)明的測(cè)試的數(shù)據(jù)呈不穩(wěn)定且不可受控制的曲線分布圖。
[0033] 圖13-4為本發(fā)明的測(cè)試的數(shù)據(jù)呈趨向穩(wěn)定且可受控制的曲線分布圖。
[0034] 圖14-1為本發(fā)明的連續(xù)的15個(gè)樣本點(diǎn)串連而落于一倍標(biāo)準(zhǔn)差（ZONE A)的范圍 間的曲線分布圖。
[0035] 圖14-2為本發(fā)明的連續(xù)的8個(gè)樣本點(diǎn)串連而落于于兩倍標(biāo)準(zhǔn)差（ZONE B)與三倍 標(biāo)準(zhǔn)差（ZONE C)的范圍間的曲線分布圖。
[0036] 圖15為本發(fā)明的方法可獲得的效益分析的方塊圖。
[0037] 圖16為常見(jiàn)晶圓的品管方法。
[0038] 其中：
[0039] 晶圓1 被測(cè)元件11
[0040] 收集單元2 測(cè)試數(shù)據(jù)分析站3
[0041] 電腦4 電腦5
[0042] 測(cè)試機(jī)主控制電腦6 分類(lèi)群組7、8
[0043] 內(nèi)部網(wǎng)路9
【具體實(shí)施方式】
[0044] 請(qǐng)參閱圖1至圖15,圖中所示者為本發(fā)明所選用的實(shí)施例，此僅供說(shuō)明之用，在專(zhuān) 利申請(qǐng)上并不受此種實(shí)施例的限制。
[0045] 本實(shí)施例提供一種利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行品管方法，其包括：
[0046] 如圖1所示，晶圓I (wafer)被分為多個(gè)被測(cè)元件11 (device under test, DUT)， 各被測(cè)元件11經(jīng)晶圓測(cè)試后，將不合格的被測(cè)元件11上墨（inking)，經(jīng)烘烤（baking)后 將測(cè)試完成的晶圓1經(jīng)由晶圓測(cè)試整貨站進(jìn)行整貨，再經(jīng)過(guò)對(duì)即將出貨的物品的品質(zhì)控管 (out-going quality control, 0QC)后送至庫(kù)房直至出貨。
[0047] 如圖2所示，以一收集單元2 (test result data collection)在晶圓1進(jìn)行晶圓 測(cè)試（circuit probing, CP)后收集晶圓1的批號(hào)（lot no)、型號(hào)（type no)、被測(cè)元件11 在晶圓1上的坐標(biāo)（包含X坐標(biāo)及Y坐標(biāo)）、被測(cè)元件號(hào)、被測(cè)元件分級(jí)（binary)的結(jié)果以 及被測(cè)元件測(cè)試的參數(shù)與測(cè)試結(jié)果的數(shù)據(jù)（data)，并送往一測(cè)試數(shù)據(jù)分析站3 (test data analysis station)進(jìn)行分析。
[0048] 如圖3所示，該收集單元1通過(guò)一電腦4執(zhí)行，該測(cè)試數(shù)據(jù)分析站3通過(guò)一電腦5 執(zhí)行，并設(shè)有一測(cè)試機(jī)主控制電腦6連結(jié)二測(cè)試分類(lèi)群組7、8,通過(guò)內(nèi)部網(wǎng)路9的連結(jié)，達(dá)到 測(cè)試的數(shù)據(jù)的傳輸。
[0049] 為進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，于此以附件一至二輔助說(shuō)明。請(qǐng)參閱附件一，該測(cè)試數(shù)據(jù)分 析站3通過(guò)電腦5執(zhí)行的程式簡(jiǎn)介，如附件一第1-13頁(yè)所示，為該程式執(zhí)行測(cè)試數(shù)據(jù)分析 時(shí)的視窗，如附件一第1頁(yè)可選擇過(guò)濾器路徑（Filter Dir)指定分析的條件，又如附件一 第2頁(yè)并選擇分析資料路徑（Logfile Dir)指定被分析的資料，又如附件一第3頁(yè)再選擇分 析后的結(jié)果輸出路徑（Output Dir)，藉此可分析出如附件一第14至18頁(yè)的數(shù)據(jù)結(jié)果。
[0050] 附件一在指定過(guò)濾器路徑（Filter Dir)時(shí)，由附件一第4頁(yè)可見(jiàn)包含Testing Information Head、Probe card information、Bin Description Selection Filter、Dut Selection Filter以及Category Selection Filter等主選項(xiàng)，各主選項(xiàng)中進(jìn)一步具有次 選項(xiàng)可進(jìn)行選擇，例如附件一第5頁(yè)所示，在Testing Information Head的主選項(xiàng)中進(jìn)一 步包括 CUSTOM_