半導體裝置的制造方法
【專利說明】半導體裝置
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年12月2日向韓國知識產權局提交的申請?zhí)枮?0-2013-0148513的韓國專利申請的優(yōu)先權，其全部內容通過引用合并于此。
技術領域
[0003]各種實施例涉及一種半導體裝置，且更具體而言，涉及一種控制所發(fā)送信號的相位的半導體裝置。
【背景技術】
[0004]為了提高半導體裝置的集成度，已經(jīng)開發(fā)了 3D (三維)半導體裝置，其中層疊并封裝多個存儲器芯片。在3D半導體裝置中，由于垂直地層疊兩個或更多個存儲器芯片，因此可以在相同面積內獲得最大的集成度。
[0005]可以采用各種方法來實現(xiàn)3D半導體裝置。在方法之一中，將具有相同結構的多個存儲器芯片層疊，然后利用諸如金屬線的導線來將其相互電耦合以作為一個半導體裝置來操作。
[0006]近來，本領域中已經(jīng)公開了 TSV (穿通硅通孔)型的半導體裝置，其中，穿通硅通孔被形成為穿過多個層疊的存儲器芯片，使得所有的存儲器芯片相互電耦合。在TSV型的半導體裝置中，由于穿通硅通孔垂直地穿過相應的存儲器芯片以將其相互電耦合，因此與相應存儲器芯片通過使用導線的外圍布線來相互電耦合的半導體裝置相比，可以有效減少封裝體的面積。
[0007]各個存儲器芯片可以接收數(shù)據(jù)信號、命令信號和各種控制信號。由于各種因素，要傳輸?shù)男盘柨赡苄枰谙辔簧媳豢刂?。例如，由于從發(fā)送單元至接收單元的要經(jīng)過長距離傳輸?shù)男盘柨赡鼙韧ㄟ^短距離來傳輸?shù)男盘栄舆t得更多而被接收，因此可能要控制具有長傳輸距離的信號的相位。作為另一個例子，由于信號可能因為工藝、電壓或溫度上的變化而被延遲地接收，因此可能要控制信號的相位。

【發(fā)明內容】

[0008]在本發(fā)明的一個實施例中，一種半導體裝置包括:邏輯存儲器芯片，其包括將輸入信號和選通信號輸出的發(fā)送塊；以及與邏輯存儲器芯片層疊的多個存儲器芯片，其中所述多個存儲器芯片中的至少一個包括多個接收塊，以及其中所述多個接收塊中的每個接收所述輸入信號之中的輸入信號和所述選通信號，且控制輸入信號和選通信號中的任意一個的相位。
[0009]在本發(fā)明的一個實施例中，一種半導體裝置包括:第一存儲器芯片，其包括將輸入信號和選通信號輸出的發(fā)送塊；以及第二存儲器芯片，其包括接收輸入信號和選通信號的接收塊，其中在相位控制模式的情況下，發(fā)送塊輸出輸入信號和選通信號，使得它們被同時使能預定的次數(shù)，以及其中在相位控制模式的情況下，接收塊設置用于輸入信號和選通信號中的任意一個的延遲量。
[0010]在本發(fā)明的一個實施例中，一種系統(tǒng)包括:處理器；控制器，被配置成從處理器接收一個或更多個請求以及一個或更多個數(shù)據(jù)；以及存儲器單元，被配置成從控制器接收所述一個或更多個請求以及所述一個或更多個數(shù)據(jù)，其中存儲器單元包括:邏輯存儲器芯片，其包括將輸入信號和選通信號輸出的發(fā)送塊；以及與邏輯存儲器芯片層疊的多個存儲器芯片，其中所述多個存儲器芯片中的至少一個包括多個接收塊，以及其中所述多個接收塊中的每個接收輸入信號，且控制輸入信號和選通信號中的任意一個的相位。
[0011 ] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，半導體裝置可以有效地控制信號的相位。
【附圖說明】
[0012]結合附圖描述特征、方面和實施例，在附圖中:
[0013]圖1示例性示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置的圖；
[0014]圖2是解釋在圖1所示的半導體裝置中信號在傳輸期間被延遲且造成相位差的情況的圖；
[0015]圖3是示出圖1所示的第一接收塊的詳細配置的框圖；
[0016]圖4是詳細示出圖1所示的第一接收塊的電路圖；
[0017]圖5是示出圖4所示的延遲單元中的第一延遲代碼和延遲量之間的關系的圖；
[0018]圖6是解釋圖1所示的第一接收塊的操作方法的時序圖；
[0019]圖7是解釋圖1所示的第二接收塊的操作方法的時序圖；
[0020]圖8是詳細示出圖4所示的延遲單元的一個實施例的電路圖；
[0021]圖9是示出圖8所示的延遲單元中的第一延遲代碼和延遲量之間的關系的圖；
[0022]圖10是解釋包括圖8所示的延遲單元的第一接收塊的操作方法的時序圖；
[0023]圖11是示例性示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置的圖；
[0024]圖12是解釋在圖11所示的半導體裝置中信號在傳輸期間被延遲且造成相位差的情況的圖；
[0025]圖13是示例性示出圖11所示的第三接收塊的配置的框圖；
[0026]圖14是示例性示出根據(jù)本發(fā)明實施例的接收塊的框圖；
[0027]圖15詳細示出圖14所示的接收塊的配置的電路圖；
[0028]圖16是示例性示出根據(jù)本發(fā)明實施例的接收塊的配置的框圖；以及
[0029]圖17示出采用根據(jù)本發(fā)明實施例的存儲器控制器電路的系統(tǒng)的框圖。
【具體實施方式】
[0030]下面將參照附圖通過各種實施例來描述根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置。
[0031]圖1是示例性示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置10的圖。
[0032]半導體裝置10可以包括第一存儲器芯片chipl和第二存儲器芯片chip2。
[0033]第一存儲器芯片chipl可以被配置成控制第二存儲器芯片chip2。也就是說，第一存儲器芯片chipl可以是邏輯存儲器芯片。第一存儲器芯片chipl可以與外部控制器(未示出)通信來控制第二存儲器芯片chip2。第一存儲器芯片chipl可以與第二存儲器芯片chip2層疊。
[0034]第一存儲器芯片chipl可以包括發(fā)送塊11。發(fā)送塊11可以分別經(jīng)由選通信號線15、第一數(shù)據(jù)輸入信號線16和第二數(shù)據(jù)輸入信號線17來輸出選通信號str、第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2。選通信號str可以是用于在其上升沿獲得第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2的控制信號。
[0035]第二存儲器芯片chip2可以在第一存儲器芯片chipl的控制之下儲存來自外部的寫入請求的數(shù)據(jù)。換句話說，第二存儲器芯片chip2可以是核心存儲器芯片。
[0036]第二存儲器芯片chip2可以包括第一接收塊100和第二接收塊200。第一接收塊100可以被配置成接收選通信號str和第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl，選通信號str和第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl的相位可能在傳輸期間改變且經(jīng)由選通信號線15和第一數(shù)據(jù)輸入信號線16從發(fā)送塊11輸出。第一接收塊100可以被配置成控制第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl和選通信號str中的任意一個的相位，以控制第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl和選通信號str之間的相位差。第二接收塊200可以被配置成接收選通信號str和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2，選通信號str和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2經(jīng)由選通信號線15和第二數(shù)據(jù)輸入信號線17從發(fā)送塊11輸出。第二接收塊200可以被配置成控制第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2和選通信號str中的任意一個的相位，以控制第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2和選通信號str之間的相位差。
[0037]第一存儲器芯片chipl和第二存儲器芯片chip2例如可以通過TSV12U3和14而電耦合，如圖1所示。選通信號線15、第一數(shù)據(jù)輸入信號線16和第二數(shù)據(jù)輸入信號線17經(jīng)由TSV12、13和14而電耦合在第一存儲器芯片chipl和第二存儲器芯片chip2之間以傳輸信號。
[0038]圖2是解釋在圖1所示的半導體裝置10中信號在傳輸期間被延遲且造成相位差的情況的圖。
[0039]例如，發(fā)送塊11可以輸出選通信號str、第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2，使得它們被同時使能(圖2的(a))。S卩，發(fā)送塊11可以輸出選通信號str、第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2，使得它們具有相同的相位且不具有相位差。
[0040]第一接收塊100和第二接收塊200可能接收具有改變的相位差的信號，所述改變的相位差是由于線和單元的布局結構造成的。例如，如圖2所示，在第一接收塊100被設置成與TSV13相鄰而第二接收塊200被設置成與TSV14相鄰的情況下，第一數(shù)據(jù)輸入信號d_ini和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2傳輸?shù)臅r間可以比選通信號str傳輸?shù)臅r間相對更短。另夕卜，在第一接收塊100被設置成比第二接收塊200更靠近TSV12的情況下，選通信號str從發(fā)送塊11傳輸?shù)降谝唤邮諌K100的時間可以比選通信號str從發(fā)送塊11傳輸?shù)降诙邮諌K200的時間相對更短。結果，第一接收塊100可以接收與第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl相比在相位上延遲了 tl的選通信號str，第二接收塊200可以接收與第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2相比在相位上延遲了 t2(t2>tl)的選通信號str (圖2的(b))。也就是說，第一接收塊100和第二接收塊200可能接收到相位差改變的信號。
[0041]因而，可能需要控制信號之間的相位差，使得選通信號str可以精確地獲得第一數(shù)據(jù)輸入信號d_inl和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2。例如，可以如圖(圖2的(c))所示那樣來適當?shù)乜刂频谝粩?shù)據(jù)輸入信號d_inl和第二數(shù)據(jù)輸入信號d_in2的相位。
[0042]再次參見圖1，根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體裝置10可以被控制成在相位控