用于rfid標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路，尤其涉及一種用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)動(dòng)態(tài)范圍大低功耗聞靈敏度的解調(diào)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]RFID標(biāo)簽需要從閱讀器發(fā)送的射頻信號(hào)中恢復(fù)數(shù)據(jù)，然后對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，并將得到的數(shù)據(jù)通過(guò)發(fā)射射頻信號(hào)返回給讀寫器。RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路的作用是從射頻信號(hào)中恢復(fù)數(shù)據(jù)，并交由后端控制部分進(jìn)行處理。目前，RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路的解調(diào)動(dòng)態(tài)范圍小，不能處理大范圍變化的信號(hào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的就在于為了解決上述問(wèn)題而提供一種用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)動(dòng)態(tài)范圍大低功耗聞靈敏度的解調(diào)電路。
[0004]本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的:
[0005]本發(fā)明所述用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路，包括第一二極管、第二二極管、第一電容?第三電容、第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管?第三P溝道絕緣柵雙極晶體管、第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管?第三N溝道絕緣柵雙極晶體管、第一電阻、第二電阻、比較器和直流電源，所述第一二極管的正極與所述第二二極管的負(fù)極連接并作為所述解調(diào)電路的信號(hào)輸入端，所述第一二極管的負(fù)極同時(shí)與所述第一電容的第一端、所述第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極、所述第二電阻的第一端連接，所述第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管的基極同時(shí)與所述第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極、所述第一電阻的第一端、所述第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管的基極連接，所述第二二極管的正極同時(shí)與所述第一電容的第二端、所述第一電阻的第二端、所述第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述第二電容的第一端、所述第三電容的第一端、所述比較器的負(fù)極電源輸入端、所述第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述第三N溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述直流電源的負(fù)極連接，所述第二電容的第二端與所述比較器的反相輸入端連接，所述第二電阻的第二端同時(shí)與所述第三電容的第二端、所述比較器的正相輸入端連接，所述比較器的輸出端同時(shí)與所述第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管的基極、所述第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管的基極連接，所述直流電源的正極同時(shí)與所述比較器的正極電源輸入端、所述第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述第三P溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極連接，所述第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極同時(shí)與所述第三P溝道絕緣柵雙極晶體管的基極、所述第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極、所述第三N溝道絕緣柵雙極晶體管的基極連接，所述第三P溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極與所述第三N溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極連接并作為所述解調(diào)電路的信號(hào)輸出端。
[0006]本發(fā)明的有益效果在于:
[0007]本發(fā)明所述用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路，使用高動(dòng)態(tài)范圍的比較器。該解調(diào)電路的解調(diào)動(dòng)態(tài)范圍大，能處理大范圍內(nèi)變化的信號(hào)。該解調(diào)電路的功耗小、穩(wěn)定性好、靈敏度高。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本發(fā)明所述用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明:
[0010]如圖1所示，本發(fā)明所述用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路，包括第一二極管D1、第二二極管D2、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管MP1、第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管MP2、第三P溝道絕緣柵雙極晶體管MP3、第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管MNl、第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管MN2、第三N溝道絕緣柵雙極晶體管MN3、第一電阻R1、第二電阻R2、比較器A和直流電源(圖中未畫出)，第一二極管Dl的正極與第二二極管的負(fù)極D2連接并作為解調(diào)電路的信號(hào)輸入端IN，第一二極管Dl的負(fù)極同時(shí)與第一電容Cl的第一端、第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管MPl的發(fā)射極、第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管麗I的集電極、第二電阻R2的第一端連接，第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管MPl的基極同時(shí)與第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管MPl的集電極、第一電阻Rl的第一端、第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管MNl的基極連接，第二二極管D2的正極同時(shí)與第一電容Cl的第二端、第一電阻Rl的第二端、第一N溝道絕緣柵雙極晶體管MNl的發(fā)射極、第二電容C2的第一端、第三電容C3的第一端、比較器A的負(fù)極電源輸入端、第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管麗2的發(fā)射極、第三N溝道絕緣柵雙極晶體管MN3的發(fā)射極、直流電源的負(fù)極連接，第二電容C2的第二端與比較器A的反相輸入端連接，第二電阻R2的第二端同時(shí)與第三電容C3的第二端、比較器A的正相輸入端連接，比較器A的輸出端同時(shí)與第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管MP2的基極、第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管麗2的基極連接，直流電源的正極同時(shí)與比較器A的正極電源輸入端、第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管MP2的發(fā)射極、第三P溝道絕緣柵雙極晶體管MP3的發(fā)射極連接，第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管MP2的集電極同時(shí)與第三P溝道絕緣柵雙極晶體管MP3的基極、第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管MN2的集電極、第三N溝道絕緣柵雙極晶體管MN3的基極連接，第三P溝道絕緣柵雙極晶體管MP3的集電極與第三N溝道絕緣柵雙極晶體管麗3的集電極連接并作為所述解調(diào)電路的信號(hào)輸出端OUT。
[0011]本發(fā)明所述用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路，由第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管MP1、第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管MP2、第一電阻R1、第二電阻R2和第二電容C2構(gòu)成包絡(luò)檢波電路產(chǎn)生包絡(luò)信號(hào)，由第二電阻R2和第三電容C3構(gòu)成均值電路產(chǎn)生比較器比較電壓，由第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管MP2、第三P溝道絕緣柵雙極晶體管MP3、第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管MN2和第三N溝道絕緣柵雙極晶體管MN3構(gòu)成反相器整形電路整形輸出信號(hào)。該解調(diào)電路使用高動(dòng)態(tài)范圍的比較器A，解調(diào)動(dòng)態(tài)范圍大，能處理大范圍內(nèi)變化的信號(hào)。該解調(diào)電路的功耗小、穩(wěn)定性好、靈敏度聞。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路，其特征在于:包括第一二極管、第二二極管、第一電容?第三電容、第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管?第三P溝道絕緣柵雙極晶體管、第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管?第三N溝道絕緣柵雙極晶體管、第一電阻、第二電阻、比較器和直流電源，所述第一二極管的正極與所述第二二極管的負(fù)極連接并作為所述解調(diào)電路的信號(hào)輸入端，所述第一二極管的負(fù)極同時(shí)與所述第一電容的第一端、所述第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極、所述第二電阻的第一端連接，所述第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管的基極同時(shí)與所述第一 P溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極、所述第一電阻的第一端、所述第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管的基極連接，所述第二二極管的正極同時(shí)與所述第一電容的第二端、所述第一電阻的第二端、所述第一 N溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述第二電容的第一端、所述第三電容的第一端、所述比較器的負(fù)極電源輸入端、所述第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述第三N溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述直流電源的負(fù)極連接，所述第二電容的第二端與所述比較器的反相輸入端連接，所述第二電阻的第二端同時(shí)與所述第三電容的第二端、所述比較器的正相輸入端連接，所述比較器的輸出端同時(shí)與所述第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管的基極、所述第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管的基極連接，所述直流電源的正極同時(shí)與所述比較器的正極電源輸入端、所述第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極、所述第三P溝道絕緣柵雙極晶體管的發(fā)射極連接，所述第二 P溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極同時(shí)與所述第三P溝道絕緣柵雙極晶體管的基極、所述第二 N溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極、所述第三N溝道絕緣柵雙極晶體管的基極連接，所述第三P溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極與所述第三N溝道絕緣柵雙極晶體管的集電極連接并作為所述解調(diào)電路的信號(hào)輸出端。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路，包括第一二極管、第二二極管、第一電容～第三電容、第一P溝道絕緣柵雙極晶體管～第三P溝道絕緣柵雙極晶體管、第一N溝道絕緣柵雙極晶體管～第三N溝道絕緣柵雙極晶體管、第一電阻、第二電阻、比較器和直流電源，第一P溝道絕緣柵雙極晶體管、第一N溝道絕緣柵雙極晶體管、第一電阻、第二電阻和第二電容構(gòu)成包絡(luò)檢波電路，第二電阻和第三電容構(gòu)成均值電路，第二P溝道絕緣柵雙極晶體管、第三P溝道絕緣柵雙極晶體管、第二N溝道絕緣柵雙極晶體管和第三N溝道絕緣柵雙極晶體管構(gòu)成反相器整形電路。本發(fā)明所述用于RFID標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路，使用高動(dòng)態(tài)范圍的比較器。該解調(diào)電路的解調(diào)動(dòng)態(tài)范圍大，能處理大范圍內(nèi)變化的信號(hào)。該解調(diào)電路的功耗小、穩(wěn)定性好、靈敏度高。
【IPC分類】G06K19-077
【公開號(hào)】CN104636789
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310554580
【發(fā)明人】唐海龍
【申請(qǐng)人】成都爪媒科技有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請(qǐng)日】2013年11月8日