本發(fā)明涉及一種高性能pcb的si、pi和emc協(xié)同設(shè)計(jì)方法，屬于服務(wù)器印刷電路板設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

emi(electromagneticinterference，電磁干擾)設(shè)計(jì)主要關(guān)注高速電路板級(jí)電磁干擾和抗干擾設(shè)計(jì)，板級(jí)電磁干擾指信號(hào)互連和電源地對(duì)外電磁發(fā)射；抗干擾指信號(hào)互連和電源地對(duì)外界電磁干擾的抗干擾能力。emi設(shè)計(jì)需遵從互易定理：容易輻射電磁場(chǎng)的回路，也容易受環(huán)境電磁場(chǎng)干擾。高速電路中易造成emi問題的原因是信號(hào)回路設(shè)計(jì)不當(dāng)和電源地平面反諧振。

高速電路中主要有兩種形式的電流：差模電流和共模電流。差模電流指大小相等，方向相反的電流；共模電流指大小相等，方向相同的電流。差模電流方向相反，其遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向也相反，大部分遠(yuǎn)場(chǎng)輻射抵消。兩差模信號(hào)線相距越近，遠(yuǎn)場(chǎng)輻射抵消越多。共模電流方向相同，其遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向也相同，相互疊加后遠(yuǎn)場(chǎng)輻射增大。兩共模信號(hào)線相距越近，遠(yuǎn)場(chǎng)輻射越強(qiáng)。

電路emi設(shè)計(jì)往往關(guān)注的是最大遠(yuǎn)場(chǎng)輻射，合理設(shè)計(jì)信號(hào)回路盡量減小電路中共模電流的影響，可最大限度地避免emi問題。常見的信號(hào)回路設(shè)計(jì)不當(dāng)情況有：高速信號(hào)跨越分割平面、高速信號(hào)過孔切換參考平面時(shí)未采取保護(hù)措施、pcb表層信號(hào)布線形成環(huán)路等。這些信號(hào)回路設(shè)計(jì)不當(dāng)也是si(signalintegrity，信號(hào)完整性)問題的主要來源。因此，許多板級(jí)emi設(shè)計(jì)方法與si設(shè)計(jì)方法相同。

多層pcb設(shè)計(jì)中通常采用電源地平面供電，電源地平面構(gòu)成了平面諧振腔結(jié)構(gòu)，若平面諧振模式被激發(fā)，在pcb邊緣將產(chǎn)生較大電磁輻射導(dǎo)致emi問題。合理的電源地平面設(shè)計(jì)不但可以為系統(tǒng)提供穩(wěn)定地供電，而且可有效降低系統(tǒng)電磁輻射。多層pcb疊層設(shè)計(jì)時(shí)通常考慮將高速信號(hào)布在內(nèi)層，通過電源地平面有效隔離高頻輻射。pi(powerintegrity，電源完整性)設(shè)計(jì)中需保持pdn低阻抗以減小電源地平面噪聲，干凈的電源地平面可大大降低系統(tǒng)電磁輻射風(fēng)險(xiǎn)。pdn阻抗反諧振頻率包含在電源地平面反諧振頻率中，通過添加去耦電容抑制pdn反諧振峰值，同樣可有效抑制電源地平面的反諧振，減少pcb邊緣場(chǎng)輻射。

emi設(shè)計(jì)中，可考慮在電源地平面放置電容陣列或短路孔陣列進(jìn)行平面諧振抑制。電容或短路孔放置位置優(yōu)選電源地平面反諧振峰值處，且保證其間隔小于系統(tǒng)有效頻段內(nèi)最大諧振波長(zhǎng)的1/10。設(shè)計(jì)中還可通過抑制pcb邊緣場(chǎng)減少平面諧振輻射，如20-h設(shè)計(jì)法則、pcb邊緣布地防護(hù)線、pcb邊緣板鍍等。尋找電源地平面諧振激勵(lì)源，從輻射產(chǎn)生源頭進(jìn)行抑制是有效的emi設(shè)計(jì)方法。主要的電源地平面諧振激勵(lì)源有ssn、信號(hào)過孔切換參考平面、信號(hào)線跨越平面開槽等，因此需要采取抑制電磁輻射源頭的設(shè)計(jì)。

為克服上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種高性能pcb的si、pi和emc(electromagneticcompatibility，電磁兼容)協(xié)同設(shè)計(jì)方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種高性能pcb的si、pi和emc協(xié)同設(shè)計(jì)方法，其能夠改善整個(gè)pcb系統(tǒng)的全面性，保證整個(gè)pcb系統(tǒng)的穩(wěn)定性，增強(qiáng)服務(wù)器系統(tǒng)的可靠性。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題采取的技術(shù)方案是：一種高性能pcb的si、pi和emc協(xié)同設(shè)計(jì)方法，其特征是，首先進(jìn)行pcb系統(tǒng)的si、pi設(shè)計(jì)，在pcb系統(tǒng)滿足si、pi設(shè)計(jì)需求后對(duì)pcb系統(tǒng)emc設(shè)計(jì)需求的檢查進(jìn)行emi反饋設(shè)計(jì)。

進(jìn)一步地，所述的方法包括以下具體步驟：

步驟s1，分析emi產(chǎn)生的主要原因；

步驟s2，通過電源地平面構(gòu)成的平面諧振腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離高頻輻射；

步驟s3，通過在電源地平面放置電容陣列或短路孔陣列進(jìn)行平面諧振抑制；

步驟s4，在考慮si、pi的情況下建立si、pi、emi權(quán)衡設(shè)計(jì)策略。

進(jìn)一步地，emi產(chǎn)生主要原因的分析過程為：

(1)由于在芯片中存在多個(gè)驅(qū)動(dòng)器同時(shí)做出開關(guān)動(dòng)作時(shí)引起同時(shí)開關(guān)躁聲ssn，開關(guān)躁聲ssn的產(chǎn)生會(huì)使得在電源地中汲取或注入瞬態(tài)大電流，導(dǎo)致電源分配網(wǎng)絡(luò)pdn上較大電壓波動(dòng)并耦合到信號(hào)路徑產(chǎn)生開關(guān)躁聲ssn,開關(guān)躁聲ssn耦合至信號(hào)路徑將引起si問題，在電源分配網(wǎng)絡(luò)pdn上傳播導(dǎo)致pi問題和emi問題；

(2)在電源分配網(wǎng)絡(luò)pdn系統(tǒng)中，ac噪聲的存在使得電源分配網(wǎng)絡(luò)pdn的傳播會(huì)引起si問題和emi問題；

(3)在服務(wù)器供電系統(tǒng)中，多層pcb設(shè)計(jì)中通常采用電源地平面供電，電源地平面構(gòu)成了平面諧振腔結(jié)構(gòu)，如果平面諧振模式被激發(fā)，則在pcb邊緣將產(chǎn)生較大電磁輻射導(dǎo)致emi問題。

進(jìn)一步地，所述開關(guān)躁聲ssn的計(jì)算公式為：

式中，vssn表示噪聲電壓，n表示共用電源地的同時(shí)開關(guān)信號(hào)數(shù)量，ltotal表示總回路電感，表示同時(shí)開關(guān)變化率。

進(jìn)一步地，在多層pcb疊層設(shè)計(jì)時(shí)將高速信號(hào)布在內(nèi)層，通過電源地平面進(jìn)行有效隔離高頻輻射。

進(jìn)一步地，在進(jìn)行平面諧振抑制過程中，電容陣列或短路孔陣列放置在電源地平面反諧振峰值處，且保證其間隔小于pcb系統(tǒng)有效頻段內(nèi)最大諧振波長(zhǎng)的1/10。

進(jìn)一步地，在步驟s4中，結(jié)合si、pi設(shè)計(jì)方法可進(jìn)行系統(tǒng)的si、pi設(shè)計(jì)，在系統(tǒng)滿足si、pi設(shè)計(jì)需求后，通過對(duì)系統(tǒng)emc設(shè)計(jì)需求的檢查進(jìn)行emi反饋設(shè)計(jì)。

進(jìn)一步地，所述步驟s4包括以下具體步驟：

步驟s41，建立仿真模型：首先通過電磁仿真或?qū)嶋H測(cè)量提取互連頻域參數(shù)，然后通過電路綜合獲得sipce兼容的電路模型用于時(shí)域仿真，最后采用寬帶宏模型建模技術(shù)流程；

步驟s42，建立si-pi協(xié)同仿真模型：首先采用多端口s參數(shù)或z參數(shù)進(jìn)行特性提取，然后通過寬帶宏模型建模獲得信號(hào)鏈路與pdn構(gòu)成的整體模型，最后將封裝與pcb級(jí)的耦合忽略，將信號(hào)鏈路與pdn構(gòu)成的整體模型進(jìn)行設(shè)計(jì)后建立si-pi協(xié)同仿真模型；

步驟s43，簡(jiǎn)化si-pi協(xié)同仿真模型：將si-pi協(xié)同仿真模型進(jìn)行簡(jiǎn)化得到簡(jiǎn)化后si-pi協(xié)同仿真模型；

步驟s44，建立si、pi和emi綜合分析框圖：在保證pcb系統(tǒng)si、pi設(shè)計(jì)需求基礎(chǔ)上，根據(jù)設(shè)計(jì)需求進(jìn)行emi權(quán)衡設(shè)計(jì)建立si、pi和emi綜合分析框圖，并根據(jù)si、pi和emi綜合分析框圖進(jìn)行搭建高性能pcb。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明首先進(jìn)行pcb系統(tǒng)的si、pi設(shè)計(jì)，在pcb系統(tǒng)滿足si、pi設(shè)計(jì)需求后對(duì)pcb系統(tǒng)emc設(shè)計(jì)需求的檢查進(jìn)行emi反饋設(shè)計(jì)，在保證系統(tǒng)si、pi設(shè)計(jì)需求基礎(chǔ)上，根據(jù)設(shè)計(jì)需求進(jìn)行emi權(quán)衡設(shè)計(jì)，提出了一種系統(tǒng)級(jí)的emi權(quán)衡策略。

本發(fā)明在整個(gè)pcb設(shè)計(jì)中通過將si、pi以及emc綜合考慮進(jìn)去以后，大大的改善了整個(gè)pcb系統(tǒng)的全面性，從而保證了整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，更好的進(jìn)行了信號(hào)之間的在實(shí)際運(yùn)行中高速傳輸狀態(tài)，增強(qiáng)了服務(wù)器系統(tǒng)的可靠性。

附圖說明

下面結(jié)合說明書附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明。

圖1為本發(fā)明的的方法流程圖；

圖2為差模與共模電流遠(yuǎn)場(chǎng)輻射示意圖；

圖3為pdn上兩種噪聲的傳播示意圖；

圖4為電源地平面諧振引起pcb邊緣場(chǎng)輻射增強(qiáng)示意圖；

圖5為電容陣列抑制平面諧振示意圖；

圖6為si、pi、emi綜合分析框圖；

圖7為sipce兼容的電路模型示意圖；

圖8為信號(hào)鏈路與pdn構(gòu)成的整體模型示意圖；

圖9為si-pi協(xié)同仿真模型示意圖；

圖10為簡(jiǎn)化后的si-pi協(xié)同仿真模型示意圖。

具體實(shí)施方式

為能清楚說明本方案的技術(shù)特點(diǎn)，下面通過具體實(shí)施方式，并結(jié)合其附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。下文的公開提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)注意，在附圖中所圖示的部件不一定按比例繪制。本發(fā)明省略了對(duì)公知組件和處理技術(shù)及工藝的描述以避免不必要地限制本發(fā)明。

一種高性能pcb的si、pi和emc協(xié)同設(shè)計(jì)方法，首先進(jìn)行pcb系統(tǒng)的si、pi設(shè)計(jì)，在pcb系統(tǒng)滿足si、pi設(shè)計(jì)需求后對(duì)pcb系統(tǒng)emc設(shè)計(jì)需求的檢查進(jìn)行emi反饋設(shè)計(jì)。本發(fā)明在整個(gè)pcb設(shè)計(jì)中通過將si、pi以及emc綜合考慮進(jìn)去以后，可以大大的改善整個(gè)pcb系統(tǒng)的全面性，從而保證了整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性，更好的進(jìn)行了信號(hào)之間的在實(shí)際運(yùn)行中高速傳輸狀態(tài)，增強(qiáng)了服務(wù)器系統(tǒng)的可靠性。

如圖1所示，本發(fā)明的一種高性能pcb的si、pi和emc協(xié)同設(shè)計(jì)方法包括以下具體步驟：

步驟s1，分析emi產(chǎn)生的主要原因；

步驟s2，通過電源地平面構(gòu)成的平面諧振腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離高頻輻射；

步驟s3，通過在電源地平面放置電容陣列或短路孔陣列進(jìn)行平面諧振抑制；

步驟s4，在考慮si、pi的情況下建立si、pi、emi權(quán)衡設(shè)計(jì)策略。

如圖2所示，高速電路中主要有兩種形式的電流：差模電流和共模電流。差模電流指大小相等，方向相反的電流；共模電流指大小相等，方向相同的電流。差模電流方向相反，其遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向也相反，大部分遠(yuǎn)場(chǎng)輻射抵消。兩差模信號(hào)線相距越近，遠(yuǎn)場(chǎng)輻射抵消越多。共模電流方向相同，其遠(yuǎn)場(chǎng)輻射方向也相同，相互疊加后遠(yuǎn)場(chǎng)輻射增大。兩共模信號(hào)線相距越近，遠(yuǎn)場(chǎng)輻射越強(qiáng)。電路emi設(shè)計(jì)往往關(guān)注的是最大遠(yuǎn)場(chǎng)輻射，合理設(shè)計(jì)信號(hào)回路盡量減小電路中共模電流的影響，可最大限度地避免emi問題。常見的信號(hào)回路設(shè)計(jì)不當(dāng)情況有：高速信號(hào)跨越分割平面、高速信號(hào)過孔切換參考平面時(shí)未采取保護(hù)措施、pcb表層信號(hào)布線形成環(huán)路等。這些信號(hào)回路設(shè)計(jì)不當(dāng)也是si問題的主要來源，因此許多板級(jí)emi設(shè)計(jì)方法與si設(shè)計(jì)方法相同。

同時(shí)開關(guān)躁聲(ssn)是由于在芯片中存在多個(gè)驅(qū)動(dòng)器同時(shí)做出開關(guān)動(dòng)作時(shí)引起的，有一公式可以比較準(zhǔn)確表達(dá)出這一影響。ssn參考計(jì)算式：上式中，vssn表示噪聲電壓，n表示共用電源地的同時(shí)開關(guān)信號(hào)數(shù)量，ltotal表示總回路電感，表示同時(shí)開關(guān)變化率。從ssn參考公式來講，vssn與n、ltotal、成正比。ssn的產(chǎn)生會(huì)使得在電源地中汲取或注入瞬態(tài)大電流，導(dǎo)致pdn上較大電壓波動(dòng)并耦合到信號(hào)路徑產(chǎn)生ssn噪聲。ssn在芯片驅(qū)動(dòng)器端產(chǎn)生，耦合至信號(hào)路徑將引起si問題，在pdn上傳播導(dǎo)致pi問題甚至emi問題。ssn將si與pi設(shè)計(jì)緊密聯(lián)系起來，對(duì)ssn噪聲的仿真是進(jìn)

多層pcb設(shè)計(jì)中通常采用電源地平面供電，電源地平面構(gòu)成了平面諧振腔結(jié)構(gòu)，若平面諧振模式被激發(fā)，在pcb邊緣將產(chǎn)生較大電磁輻射導(dǎo)致emi問題。合理的電源地平面設(shè)計(jì)不但可以為系統(tǒng)提供穩(wěn)定地供電，而且可有效降低系統(tǒng)電磁輻射。多層pcb疊層設(shè)計(jì)時(shí)通?？紤]將高速信號(hào)布在內(nèi)層，通過電源地平面有效隔離高頻輻射。pi設(shè)計(jì)中需保持pdn低阻抗以減小電源地平面噪聲，干凈的電源地平面可大大降低系統(tǒng)電磁輻射風(fēng)險(xiǎn)。

在pdn系統(tǒng)中，ac噪聲一直是一個(gè)十分頭疼的問題，ac噪聲的存在使得pdn的傳播會(huì)引起si和emi的問題。而ac的來源主要來之vrm和ssn。這就使得si與pi聯(lián)系十分緊密起來。pdn上兩種噪聲的傳播示意圖如圖3所示。

pdn阻抗反諧振頻率包含在電源地平面反諧振頻率中，通過添加去耦電容抑制pdn反諧振峰值，同樣可有效抑制電源地平面的反諧振，減少pcb邊緣場(chǎng)輻射。電源地平面諧振引起pcb邊緣場(chǎng)輻射增強(qiáng)示意圖如圖4所示。

emi設(shè)計(jì)中可考慮在電源地平面放置電容陣列或短路孔陣列進(jìn)行平面諧振抑制。電容或短路孔放置位置優(yōu)選電源地平面反諧振峰值處，且保證其間隔小于系統(tǒng)有效頻段內(nèi)最大諧振波長(zhǎng)的1/10。設(shè)計(jì)中還可通過抑制pcb邊緣場(chǎng)減少平面諧振輻射，如20-h設(shè)計(jì)法則、pcb邊緣布地防護(hù)線、pcb邊緣板鍍等。尋找電源地平面諧振激勵(lì)源，從輻射產(chǎn)生源頭進(jìn)行抑制是有效的emi設(shè)計(jì)方法。主要的電源地平面諧振激勵(lì)源有ssn、信號(hào)過孔切換參考平面、信號(hào)線跨越平面開槽等，因此抑制電磁輻射源頭的設(shè)計(jì)。電容陣列抑制平面諧振如圖5所示。

emi設(shè)計(jì)通常貫穿整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)過程，涉及到方案選定、器件選型及電路原理設(shè)計(jì)階段。pcb設(shè)計(jì)階段主要考慮si、pi設(shè)計(jì)，emi設(shè)計(jì)則在si、pi設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上進(jìn)行權(quán)衡設(shè)計(jì)。pcb設(shè)計(jì)中可采取的emi設(shè)計(jì)措施也較多，且大部分的si、pi設(shè)計(jì)方法都有助于降低系統(tǒng)電磁輻射，但某些專用emi設(shè)計(jì)措施卻與si、pi設(shè)計(jì)理論相悖，如電源網(wǎng)絡(luò)添加濾波電感和磁珠等情況。結(jié)合si、pi設(shè)計(jì)方法可進(jìn)行系統(tǒng)的si、pi設(shè)計(jì)。本發(fā)明在系統(tǒng)滿足si、pi設(shè)計(jì)需求后，通過對(duì)系統(tǒng)emc設(shè)計(jì)需求的檢查進(jìn)行emi反饋設(shè)計(jì)，這是一種系統(tǒng)級(jí)的emi權(quán)衡策略。本發(fā)明在保證系統(tǒng)si、pi設(shè)計(jì)需求基礎(chǔ)上，根據(jù)設(shè)計(jì)需求進(jìn)行emi權(quán)衡設(shè)計(jì)，如圖6所示，建立si、pi和emi綜合分析框圖，并根據(jù)si、pi和emi綜合分析框圖進(jìn)行搭建高性能pcb。。

由于驅(qū)動(dòng)器為有源器件，所以建模起來非常困難。而常見的封裝和pcb級(jí)互連屬無源器件，因此獲得其集總元件模型非常困難。基于這兩方面的困難，可采用寬帶宏模型進(jìn)行建模。寬帶宏模型建模需首先通過電磁仿真或?qū)嶋H測(cè)量提取互連頻域參數(shù)，最后通過電路綜合獲得如圖7所示的sipce兼容的電路模型用于時(shí)域仿真，寬帶宏模型建模技術(shù)流程。

實(shí)現(xiàn)si-pi協(xié)同仿真必須在建模時(shí)包含pdn與信號(hào)鏈路間的耦合作用，因此需要采用協(xié)同建模技術(shù)。在協(xié)同建模中必須將芯片-封裝-pcb級(jí)的信號(hào)互連和電源地視為一個(gè)整體進(jìn)行建模。通常在協(xié)同建模中采用多端口s參數(shù)或z參數(shù)進(jìn)行特性提取，然后通過寬帶宏模型建模獲得信號(hào)鏈路與pdn構(gòu)成的整體模型，如圖8所示。圖8中芯片級(jí)模型包括兩部分：信號(hào)鏈路驅(qū)動(dòng)器模型和芯片級(jí)pdn模型，icc(t)為行為模型補(bǔ)償電流，n表示多個(gè)驅(qū)動(dòng)器同時(shí)開關(guān)時(shí)的總電流。封裝級(jí)建模將pdn與信號(hào)互連作為一個(gè)多端口網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行建模，通過多端口網(wǎng)絡(luò)間的轉(zhuǎn)移阻抗信息表征信號(hào)與電源間耦合特性，同理可進(jìn)行pcb級(jí)協(xié)同建模。封裝與pcb級(jí)協(xié)同建模中模型端口數(shù)很多，導(dǎo)致模型復(fù)雜度激增，仿真效率低下。因此在協(xié)同建模中一定要控制模型端口數(shù)，以防止過于復(fù)雜的模型導(dǎo)致si-pi協(xié)同建模仿真效率過低。

電源與信號(hào)間耦合主要體現(xiàn)在芯片驅(qū)動(dòng)器端，pcb和封裝級(jí)無源互連的耦合可通過相關(guān)措施大大降低。實(shí)際設(shè)計(jì)中采用si-pi協(xié)同仿真主要針對(duì)si、pi設(shè)計(jì)后的電源對(duì)信號(hào)質(zhì)量惡化的影響分析，此時(shí)封裝與pcb級(jí)pdn與信號(hào)互連耦合很小。因此為了簡(jiǎn)化建模仿真過程，可將封裝與pcb級(jí)的耦合忽略，聯(lián)合上述信號(hào)鏈路與pdn宏模型進(jìn)行設(shè)計(jì)后協(xié)同仿真分析，建立如圖9所示的si-pi協(xié)同仿真模型。

導(dǎo)致si與pi噪聲不滿足直接線性疊加的原因是系統(tǒng)中的高階互擾影響，主要體現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)器端非線性調(diào)制和封裝與pcb級(jí)高階電磁作用。封裝與pcb級(jí)高階互擾噪聲相對(duì)于驅(qū)動(dòng)器端非線性調(diào)制噪聲要小很多，如果仿真中可得到ssn噪聲在驅(qū)動(dòng)器端的高階耦合效應(yīng)，此時(shí)獲得的si-pi協(xié)同仿真結(jié)果具有很高的可信度。同時(shí)在ssn時(shí)域特性分析時(shí)采用三角波近似瞬態(tài)電流是對(duì)同時(shí)開關(guān)電流的過大估計(jì)，可補(bǔ)償少許忽略的封裝與pcb級(jí)高階噪聲影響。因此進(jìn)一步將si-pi協(xié)同仿真模型進(jìn)行簡(jiǎn)化如圖10所示的si-pi協(xié)同仿真簡(jiǎn)化模型。

結(jié)合si、pi設(shè)計(jì)方法可進(jìn)行系統(tǒng)的si、pi設(shè)計(jì)。在系統(tǒng)滿足si、pi設(shè)計(jì)需求后，通過對(duì)系統(tǒng)emc設(shè)計(jì)需求的檢查進(jìn)行emi反饋設(shè)計(jì)，這是一種系統(tǒng)級(jí)的emi權(quán)衡策略。在保證系統(tǒng)si、pi設(shè)計(jì)需求基礎(chǔ)上，根據(jù)設(shè)計(jì)需求進(jìn)行emi權(quán)衡設(shè)計(jì)，建立如圖6所示的si、pi、emi綜合分析框圖進(jìn)行搭建高性能pcb。

與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有以下特點(diǎn)：

1)、提出了emi產(chǎn)生的主要兩個(gè)方面：信號(hào)回路設(shè)計(jì)不當(dāng)和電源地平面反諧振，根據(jù)這兩方面因素的來源，就可清楚地理解emi產(chǎn)生機(jī)理。在知道emi產(chǎn)生的兩個(gè)主要原因后，可以分別從si和pi角度分別進(jìn)行提前規(guī)劃，從而避免emi的產(chǎn)生；

2)、提出了一種平面諧振腔結(jié)構(gòu)，如果平面諧振模式被激發(fā)，pdn阻抗反諧振頻率包含在電源地平面反諧振頻率中，通過添加去耦電容抑制pdn反諧振峰值，同樣可有效抑制電源地平面的反諧振，減少pcb邊緣場(chǎng)輻射；

3)、提出了電源地平面放置電容陣列或短路孔陣列進(jìn)行平面諧振抑制的方法，電容或短路孔放置位置優(yōu)選在電源地平面反諧振峰值處，且保證其間隔小于系統(tǒng)有效頻段內(nèi)最大諧振波長(zhǎng)的1/10；

4)、提出了一種系統(tǒng)級(jí)的emi權(quán)衡策略：結(jié)合si、pi設(shè)計(jì)方法可進(jìn)行系統(tǒng)的si、pi設(shè)計(jì)，在系統(tǒng)滿足si、pi設(shè)計(jì)需求后，通過對(duì)系統(tǒng)emc設(shè)計(jì)需求的檢查進(jìn)行emi反饋設(shè)計(jì)。在保證系統(tǒng)si、pi設(shè)計(jì)需求基礎(chǔ)上，根據(jù)設(shè)計(jì)需求進(jìn)行emi權(quán)衡設(shè)計(jì)。

以上所述只是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也被視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。