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Nand?flash存儲陣列Mapping管理方法與流程

文檔序號:11620499閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種Nand?flash存儲陣列Mapping管理方法,涉及高速大容量存儲領(lǐng)域,主要通過NOR?FLASH來存儲NAND?FLASH陣列正常使用的BLOCK塊地址,并針對NAND?FLASH陣列不同NAND?FLASH出現(xiàn)操作錯誤對NOR?FLASH進行分別擦除更新,根據(jù)出錯的NAND?FLASH行、列位置去擦除并更新NOR?FLASH的特定位置,其主要包括:初始掃描壞塊、上電加載以及更新壞塊三個步驟。本發(fā)明簡化存儲陣列中的Mapping更新速度,提高了更新速度。

技術(shù)研發(fā)人員:尹超;趙鑫鑫;李朋;姜凱
受保護的技術(shù)使用者:濟南浪潮高新科技投資發(fā)展有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.04.13
技術(shù)公布日:2017.08.04
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