本發(fā)明涉及高速大容量存儲(chǔ)領(lǐng)域，具體的說是一種nand-flash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法。

背景技術(shù)：

nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種固態(tài)大容量?jī)?nèi)存，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式。nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、mp3隨身聽記憶卡、體積小巧的u盤等。

在雷達(dá)及航天等領(lǐng)域，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的容量及讀寫速率要求非?？量?，單一的nandflash無法滿足要求，因此nandflash陣列顯得尤為必要。但是隨著nandflash存儲(chǔ)陣列的增加，mapping表也越來越大，如果每次更新mapping表都重新寫入的話會(huì)非常耗費(fèi)時(shí)間。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明針對(duì)目前技術(shù)發(fā)展的需求和不足之處，提供一種nand-flash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法。

本發(fā)明所述nand-flash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法，解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案如下：所述nand-flash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法，主要通過norflash來存儲(chǔ)nandflash陣列正常使用的block塊地址，并針對(duì)nandflash陣列不同nandflash出現(xiàn)操作錯(cuò)誤對(duì)norflash進(jìn)行分別擦除更新，根據(jù)出錯(cuò)的nandflash行、列位置去擦除并更新norflash的特定位置，其主要包括：初始掃描壞塊、上電加載以及更新壞塊三個(gè)步驟。

優(yōu)選的，所述初始掃描壞塊這一步驟，主要是指，通過并行流水的方式讀取nandflash陣列中各個(gè)nandflash中的初始?jí)膲K信息，形成初始mapping表。

優(yōu)選的，在初始掃描壞塊這一步驟中，依次讀取nandflash陣列中各個(gè)nandflash中記錄出廠壞塊信息的地址數(shù)據(jù)，判斷是否為出廠壞塊，形成初始的mapping表，存入norflash不同位置。

優(yōu)選的，所述上電加載這一步驟，主要是指，當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，依次將norflash中的mapping表信息，加載到內(nèi)部ram中以供系統(tǒng)使用。

優(yōu)選的，所述更新壞塊這一步驟，主要是指，根據(jù)nandflash陣列中操作出錯(cuò)的nandflash行、列號(hào)，對(duì)norflash中記錄特定nandflashmapping表的位置進(jìn)行擦除更新。

優(yōu)選的，在更新壞塊這一步驟中，主要包括寫更新及擦更新，當(dāng)某列nandflash寫操作或擦操作失敗時(shí)，根據(jù)其在norflash的存儲(chǔ)位置，對(duì)其進(jìn)行單一的擦除更新，將備用塊的block地址更新到新的mapping表中。

本發(fā)明所述nand-flash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果是：本發(fā)明針對(duì)nandflash陣列不同nandflash出現(xiàn)操作錯(cuò)誤對(duì)norflash進(jìn)行分別擦除更新，能夠減少擦除量，簡(jiǎn)化存儲(chǔ)陣列中的mapping更新速度，提高了更新速度；克服了由于nandflash存儲(chǔ)陣列的mapping表越來越大，每次更新mapping表都重新寫入非常耗時(shí)的問題。

附圖說明

附圖1為nandflash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法的流程圖；

附圖2為norflashmapping表的存儲(chǔ)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明所述nand-flash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法進(jìn)一步詳細(xì)說明。

本發(fā)明提供了nand-flash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法，主要通過非易失的norflash來存儲(chǔ)nandflash陣列正常使用的block塊地址，并針對(duì)nandflash陣列不同nandflash出現(xiàn)操作錯(cuò)誤對(duì)norflash進(jìn)行分別擦除更新，并從而保證每次上電之后，nandflash可以正常工作，避免對(duì)壞塊的訪問。

實(shí)施例：

本實(shí)施例所述nand-flash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法，根據(jù)出錯(cuò)的nandflash行、列位置去擦除并更新norflash的特定位置，其主要包括如下步驟：初始掃描壞塊、上電加載以及更新壞塊三個(gè)步驟。

所述初始掃描壞塊這一步驟，主要是指，通過并行流水的方式讀取nandflash陣列中各個(gè)nandflash中的初始?jí)膲K信息，形成初始mapping表。

在初始掃描壞塊這一步驟中，依次讀取nandflash陣列中各個(gè)nandflash中記錄出廠壞塊信息的地址數(shù)據(jù)，判斷是否為出廠壞塊，形成初始的mapping表，存入norflash不同位置。

所述上電加載這一步驟，主要是指，當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，依次將norflash中的mapping表信息，加載到內(nèi)部ram中以供系統(tǒng)使用。

所述更新壞塊這一步驟，主要是指，根據(jù)nandflash陣列中操作出錯(cuò)的nandflash行、列號(hào)，對(duì)norflash中記錄特定nandflashmapping表的位置進(jìn)行擦除更新。

在更新壞塊這一步驟中，主要包括寫更新及擦更新，當(dāng)某列nandflash寫操作或擦操作失敗時(shí)，根據(jù)其在norflash的存儲(chǔ)位置，對(duì)其進(jìn)行單一的擦除更新，將備用塊的block地址更新到新的mapping表中。

當(dāng)nandflash陣列控制器對(duì)nandflash進(jìn)行寫或擦操作出現(xiàn)錯(cuò)誤時(shí)，通過將nandflash所處的行、列信息加以報(bào)告，實(shí)現(xiàn)對(duì)norflash特定位置的nandflashmapping表更新，從而減少norflash擦除時(shí)間，能夠提高更新速度。

附圖1為nandflash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法的流程圖，如附圖1所示，該nandflash存儲(chǔ)陣列mapping管理方法的具體實(shí)現(xiàn)過程如下：

第一，首先上電系統(tǒng)讀取norflash中記錄是否已進(jìn)行初始掃描的標(biāo)志，如aa；

第二，若已經(jīng)掃過初始?jí)膲K，則進(jìn)行上電加載操作，依次讀取norflash中的mapping表信息到系統(tǒng)內(nèi)部ram；

第三，若未檢測(cè)過初始?jí)膲K，則依次讀取nandflash陣列中各個(gè)nandflash固有的記錄初始?jí)膲K信息位置，形成初始mapping表存入norflash中；

第四，當(dāng)nandflash陣列進(jìn)行寫操作或擦除操作出現(xiàn)問題時(shí)，根據(jù)nandflash陣列中的行、列號(hào)對(duì)norflash中的記錄特定nandflashmapping表的位置進(jìn)行擦除更新操作。

附圖2為norflashmapping表的存儲(chǔ)示意圖，如附圖2所示，其中各個(gè)信息都位于norflash不同的subsector中，比如：subsector0用于是否掃描壞塊標(biāo)志，subsector1用于nandflash1mapping表，……，subsectorn-1用于nandflashn-1mapping表，subsectorn用于nandflashnmapping表；可以根據(jù)nandflash行、列號(hào)進(jìn)行分別擦除更新。

上述具體實(shí)施方式僅是本發(fā)明的具體個(gè)案，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍包括但不限于上述具體實(shí)施方式，任何符合本發(fā)明的權(quán)利要求書的且任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對(duì)其所做的適當(dāng)變化或替換，皆應(yīng)落入本發(fā)明的專利保護(hù)范圍。