本發(fā)明涉及單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)仿真技術(shù)，尤其涉及一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法及裝置。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，器件的特征尺寸和工作電壓越來越小，相應(yīng)地在宇宙空間中，數(shù)字集成電路抗單粒子效應(yīng)的臨界電荷也越來越小，單粒子效應(yīng)越來越明顯。存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)是數(shù)字集成電路中單粒子事件的主要來源之一，將使得電路運行的正常功能發(fā)生錯誤，從而威脅空間飛行器的安全。

現(xiàn)有的地面模擬空間單粒子效應(yīng)主要通過在重離子加速器上進行單粒子輻射試驗，由于在重離子加速器上進行單粒子試驗需要在真空、輻射等特殊環(huán)境下進行，因此需要搭建專門的單粒子試驗系統(tǒng)裝置來進行測試，存在試驗費用昂貴、單粒子機時緊張、試驗系統(tǒng)復(fù)雜、輻射環(huán)境對人體危害等不足。

利用計算機仿真手段進行微電子集成電路的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)性能指標(biāo)評估，是替代單粒子輻射試驗的一種有效方式。目前國內(nèi)外開展了單元級和器件級的單粒子效應(yīng)仿真技術(shù)研究，可以獲得數(shù)字電路內(nèi)部各種單元的本征單粒子翻轉(zhuǎn)截面，然而在集成電路級進行整個電路的單粒子翻轉(zhuǎn)仿真研究開展較少，特別是缺乏評價數(shù)字電路內(nèi)部各種單元的單粒子翻轉(zhuǎn)截面的仿真計算方法，無法表征各種單元各自對整個電路的單粒子翻轉(zhuǎn)截面貢獻，沒有詳細(xì)地仿真數(shù)字電路內(nèi)部各種單元的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的生成、掩蔽、傳播等過程，在精確度上存在較大誤差。此外，現(xiàn)有器件級和單元級的單粒子翻轉(zhuǎn)仿真方法自動化程度較低，不利于計算大規(guī)模數(shù)字電路的內(nèi)部單元單粒子翻轉(zhuǎn)截面。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是：相比于現(xiàn)有技術(shù)，提供了一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法及裝置，實現(xiàn)了區(qū)分和模擬單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)在不同種類存儲單元中的產(chǎn)生、捕獲、掩蔽及傳導(dǎo)過程，提高集成電路級單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的仿真準(zhǔn)確度的目的。

本發(fā)明目的通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn)：

第一方面，本發(fā)明提供了一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法，包括：

獲取仿真輸入向量的仿真時間，并統(tǒng)計數(shù)字集成電路中預(yù)選單一種類的存儲單元的數(shù)量；

統(tǒng)計每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

根據(jù)所述單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間和所述仿真時間，計算每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率，所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率為發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲單元被捕獲且傳播的概率；

利用所述每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率和所述數(shù)量，計算所述預(yù)選單一種類的存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率。

進一步地，統(tǒng)計每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間，包括：

獲取當(dāng)前存儲單元的寫操作時刻；

計算所述當(dāng)前存儲單元在每個所述寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

將所述單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間相加，以計算所述當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

更新所述當(dāng)前存儲單元，并返回執(zhí)行獲取寫操作時刻的步驟，直至統(tǒng)計出每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

進一步地，計算所述當(dāng)前存儲單元在每個所述寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間，包括：

在當(dāng)前寫操作時刻之前，尋找與所述當(dāng)前寫操作時刻最相鄰的寫操作時刻和讀操作時刻；

將所述最相鄰讀操作時刻減去所述最相鄰寫操作時刻，以獲取所述當(dāng)前存儲單元在所述當(dāng)前寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

更新所述當(dāng)前寫操作時刻，返回執(zhí)行尋找最相鄰寫操作時刻和最相鄰讀操作時刻的步驟，直至計算出當(dāng)前存儲單元在每個寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

進一步地，所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算公式為：

公式(1)中，p^·為當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；t^·為當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；t為仿真輸入向量的仿真時間。

進一步地，所述預(yù)選種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算公式為：

公式(2)中，p為預(yù)選種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；sum表示求和運算；p1,p2,…pn表示每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；n為數(shù)字集成電路中預(yù)選種類的存儲單元的數(shù)量。

第二方面，本發(fā)明還提供了一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算裝置，該裝置包括：

獲取模塊，用于獲取仿真輸入向量的仿真時間，并統(tǒng)計數(shù)字集成電路中預(yù)選單一種類的存儲單元的數(shù)量；

統(tǒng)計模塊，用于統(tǒng)計每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

第一計算模塊，用于根據(jù)所述單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間和所述仿真時間，計算每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率，所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率為發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲單元被捕獲且傳播的概率；

第二計算模塊，用于利用所述每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率和所述數(shù)量，計算所述預(yù)選單一種類的存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率。

進一步地，所述統(tǒng)計模塊包括：

獲取子模塊，用于獲取當(dāng)前存儲單元的寫操作時刻；

計算子模塊，用于計算所述當(dāng)前存儲單元在每個所述寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

累計子模塊，用于將所述單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間相加，以計算所述當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

返回子模塊，用于更新所述當(dāng)前存儲單元，并返回執(zhí)行獲取寫操作時刻的步驟，直至統(tǒng)計出每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

進一步地，所述計算子模塊包括：

尋找單元，用于在當(dāng)前寫操作時刻之前，尋找與所述當(dāng)前寫操作時刻最相鄰的寫操作時刻和讀操作時刻；

消減單元，用于將所述最相鄰讀操作時刻減去所述最相鄰寫操作時刻，以獲取所述當(dāng)前存儲單元在所述當(dāng)前寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

返回單元，用于更新所述當(dāng)前寫操作時刻，返回執(zhí)行尋找最相鄰寫操作時刻和最相鄰讀操作時刻的步驟，直至計算出當(dāng)前存儲單元在每個寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

進一步地，所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算公式為：

公式(1)中，p^·為當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；t^·為當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；t為仿真輸入向量的仿真時間。

進一步地，所述預(yù)選種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算公式為：

公式(2)中，p為預(yù)選種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；sum表示求和運算；p1,p2,…pn表示每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；n為數(shù)字集成電路中預(yù)選種類的存儲單元的數(shù)量。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下有益效果：

(1)、本發(fā)明提出了一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法，能夠用于計算不同種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)錯誤截面，進而實現(xiàn)區(qū)分和模擬單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)在不同種類存儲單元中的產(chǎn)生、捕獲、掩蔽及傳導(dǎo)過程，提高集成電路級單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的仿真準(zhǔn)確度的目的。

(2)、本發(fā)明提出的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法，能夠?qū)⒛壳按笠?guī)模數(shù)字電路在存儲單元上進行的數(shù)萬次以上單粒子翻轉(zhuǎn)仿真，縮小為針對不同類型存儲單元分別進行約百千次的單粒子翻轉(zhuǎn)仿真，大幅降低了計算工作量，大幅提高了仿真效率和自動化水平，縮短了仿真時間。

(3)、本發(fā)明提出的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法，能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)十種工作模式，并且覆蓋全部存儲單元，從而極大地提高了仿真覆蓋率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例一中的一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法的流程圖；

圖2是存儲單元讀寫操作仿真時間軸示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例二中的一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算裝置的結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

實施例一

圖1是本發(fā)明實施例一中的一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法的流程圖，本實施例可適用于需要對存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率進行仿真計算的情況，該方法可以由存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算裝置來執(zhí)行，其中該裝置可以由軟件和/或硬件實現(xiàn)。參考圖1，本實施例提供的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法具體可以包括如下步驟：

s110、獲取仿真輸入向量的仿真時間，并統(tǒng)計數(shù)字集成電路中預(yù)選單一種類的存儲單元的數(shù)量。

具體的，所述數(shù)字集成電路中包含有三種類型的庫單元，這三種類型的庫單元分別為存儲單元、時序單元、和組合邏輯單元。每種類型的庫單元又包含有多個種類，例如，存儲單元包含有多個品種。本實施例以數(shù)字集成電路中預(yù)選的一種存儲單元為研究對象，統(tǒng)計該預(yù)選的單一種類的存儲單元的數(shù)量，并獲取仿真輸入向量的仿真時間。例如，所述仿真輸入向量的仿真時間可為t，所述預(yù)選單一種類的存儲單元的數(shù)量可為n。

s120、統(tǒng)計每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

可選的，統(tǒng)計每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間，包括：

獲取當(dāng)前存儲單元的寫操作時刻。

具體的，對于每個存儲單元，通常有多個寫操作時刻。本實施例中，獲取當(dāng)前存儲單元的寫操作時刻，即獲取當(dāng)前存儲單元的所有的寫操作時刻。

計算所述當(dāng)前存儲單元在每個所述寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

具體的，計算所述當(dāng)前存儲單元在每個所述寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間，可以包括：

在當(dāng)前寫操作時刻之前，尋找與所述當(dāng)前寫操作時刻最相鄰的寫操作時刻和讀操作時刻。

其中，如圖2所示為存儲單元讀寫操作仿真時間軸示意圖。例如，若當(dāng)前寫操作時刻為tw0，則在當(dāng)前寫操作時刻tw0之前，尋找與所述當(dāng)前寫操作時刻tw0最相鄰的寫操作時刻和讀操作時刻。參考圖2，與所述當(dāng)前寫操作時刻tw0最相鄰的寫操作時刻為tw，與所述當(dāng)前寫操作時刻tw0最相鄰的讀操作時刻為tr。又例如，若當(dāng)前寫操作時刻為t′w0，則在當(dāng)前寫操作時刻t′w0之前，尋找與所述當(dāng)前寫操作時刻t′w0最相鄰的寫操作時刻和讀操作時刻。參考圖2，與所述當(dāng)前寫操作時刻t′w0最相鄰的寫操作時刻為t′w，與所述當(dāng)前寫操作時刻t′w0最相鄰的讀操作時刻為t′r。

將所述最相鄰讀操作時刻減去所述最相鄰寫操作時刻，以獲取所述當(dāng)前存儲單元在所述當(dāng)前寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

其中，將當(dāng)前寫操作時刻對應(yīng)的最相鄰讀操作時刻減去當(dāng)前寫操作時刻對應(yīng)的最相鄰寫操作時刻，即可獲取所述當(dāng)前存儲單元在所述當(dāng)前寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。參考圖2，若當(dāng)前寫操作時刻為tw0，則當(dāng)前存儲單元在所述當(dāng)前寫操作時刻tw0的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間為tr-tw；若當(dāng)前寫操作時刻為t′w0，則當(dāng)前存儲單元在所述當(dāng)前寫操作時刻t′w0的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間為t′r-t′w。

更新所述當(dāng)前寫操作時刻，返回執(zhí)行尋找最相鄰寫操作時刻和最相鄰讀操作時刻的步驟，直至計算出當(dāng)前存儲單元在每個寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

其中，由于每個存儲單元通常對應(yīng)有多個寫操作時刻。在獲取了當(dāng)前存儲單元在當(dāng)前寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間之后，更新所述當(dāng)前寫操作時刻，返回執(zhí)行尋找最相鄰寫操作時刻和最相鄰讀操作時刻的步驟，以計算當(dāng)前存儲單元在新的當(dāng)前寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。如此循環(huán)，直至計算出當(dāng)前存儲單元在每個寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

將所述單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間相加，以計算所述當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

具體的，將當(dāng)前存儲單元在其對應(yīng)的每個寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間相加，以計算出所述當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

更新所述當(dāng)前存儲單元，并返回執(zhí)行獲取寫操作時刻的步驟，直至統(tǒng)計出每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

具體的，本實施例中，在計算出當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間之后，更新所述當(dāng)前存儲單元，并返回執(zhí)行獲取寫操作時刻的步驟，以統(tǒng)計新的當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。如此循環(huán)，直至統(tǒng)計出每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

s130、根據(jù)所述單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間和所述仿真時間，計算每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率，所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率為發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲單元被捕獲且傳播的概率。

可選的，所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算公式為：

公式(1)中，p^·為當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；t^·為當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；t為仿真輸入向量的仿真時間。

具體的，所述存儲單元的數(shù)量可為n個。由于每個存儲單元均對應(yīng)一個單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率，則n個存儲單元對應(yīng)n個單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率。對于每個存儲單元，均可利用公式(1)計算其對應(yīng)的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率。本實施例中，利用公式(1)計算每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率，由于存儲單元的數(shù)量為n個，則計算出的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的個數(shù)也為n個。所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率為發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲單元被捕獲且傳播的概率。

s140、利用所述每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率和所述數(shù)量，計算所述預(yù)選單一種類的存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率。

可選的，所述預(yù)選種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算公式為：

公式(2)中，p為預(yù)選種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；sum表示求和運算；p1,p2,…pn表示每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；n為數(shù)字集成電路中預(yù)選種類的存儲單元的數(shù)量。

具體的，本實施例中，所述存儲單元的數(shù)量可為n個。公式(2)中，pi＝1,2,...n分別表示第i個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率。求取s130計算出的n個單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的平均值，即可獲得所述預(yù)選單一種類的存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率。

本實施例的技術(shù)方案提出了一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法，通過利用存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間，計算發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲單元被捕獲且傳播的概率。能夠用于計算不同種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)錯誤截面，進而實現(xiàn)區(qū)分和模擬單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)在不同種類存儲單元中的產(chǎn)生、捕獲、掩蔽及傳導(dǎo)過程，提高集成電路級單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的仿真準(zhǔn)確度的目的；能夠?qū)⒛壳按笠?guī)模數(shù)字電路在存儲單元上進行的數(shù)萬次以上單粒子翻轉(zhuǎn)仿真，縮小為針對不同類型存儲單元分別進行約百千次的單粒子翻轉(zhuǎn)仿真，大幅降低了計算工作量，大幅提高了仿真效率和自動化水平，縮短了仿真時間；能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)十種工作模式，并且覆蓋全部存儲單元，從而極大地提高了仿真覆蓋率。

實施例二

圖3是本發(fā)明實施例二中的一種存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算裝置的結(jié)構(gòu)圖，本實施例可適用于需要對存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率進行仿真計算的情況。參考圖3，本實施例提供的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算裝置具體可以如下：

獲取模塊310，用于獲取仿真輸入向量的仿真時間，并統(tǒng)計數(shù)字集成電路中預(yù)選單一種類的存儲單元的數(shù)量；

統(tǒng)計模塊320，用于統(tǒng)計每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

第一計算模塊330，用于根據(jù)所述單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間和所述仿真時間，計算每個所述存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率，所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率為發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)的存儲單元被捕獲且傳播的概率；

第二計算模塊340，用于利用所述每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率和所述數(shù)量，計算所述預(yù)選單一種類的存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率。

可選的，所述統(tǒng)計模塊包括：

獲取子模塊，用于獲取當(dāng)前存儲單元的寫操作時刻；

計算子模塊，用于計算所述當(dāng)前存儲單元在每個所述寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

累計子模塊，用于將所述單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間相加，以計算所述當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

返回子模塊，用于更新所述當(dāng)前存儲單元，并返回執(zhí)行獲取寫操作時刻的步驟，直至統(tǒng)計出每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

可選的，所述計算子模塊包括：

尋找單元，用于在當(dāng)前寫操作時刻之前，尋找與所述當(dāng)前寫操作時刻最相鄰的寫操作時刻和讀操作時刻；

消減單元，用于將所述最相鄰讀操作時刻減去所述最相鄰寫操作時刻，以獲取所述當(dāng)前存儲單元在所述當(dāng)前寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；

返回單元，用于更新所述當(dāng)前寫操作時刻，返回執(zhí)行尋找最相鄰寫操作時刻和最相鄰讀操作時刻的步驟，直至計算出當(dāng)前存儲單元在每個寫操作時刻的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間。

可選的，所述單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算公式為：

公式(1)中，p^·為當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；t^·為當(dāng)前存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)有效生存時間；t為仿真輸入向量的仿真時間。

可選的，所述預(yù)選種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算公式為：

公式(2)中，p為預(yù)選種類存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；sum表示求和運算；p1,p2,…pn表示每個存儲單元的單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率；n為數(shù)字集成電路中預(yù)選種類的存儲單元的數(shù)量。

本實施例提供的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算裝置，與本發(fā)明任意實施例所提供的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法屬于同一發(fā)明構(gòu)思，可執(zhí)行本發(fā)明任意實施例所提供的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法，具備執(zhí)行存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法相應(yīng)的功能模塊和有益效果。未在本實施例中詳盡描述的技術(shù)細(xì)節(jié)，可參見本發(fā)明任意實施例提供的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)功能傳播率的計算方法。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。