本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種觸摸屏走線結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

目前，metal mesh觸摸屏相比于傳統(tǒng)N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫(ITO)材質(zhì)OGS觸摸屏具有低的電阻，特別是在大尺寸觸摸屏方面，可以有效降低RC電路的延時時間，以及防止靜電釋放(ESD)。對于大尺寸metal mesh觸摸屏由于Rx與Tx通道數(shù)的增加，屏幕尺寸會變大，各通道走線長度呈現(xiàn)逐漸增加，阻抗最大通道和阻抗最低通道差異過大，導(dǎo)致阻抗均一性降低，影響觸控數(shù)據(jù)均一性與觸控體驗。

而在現(xiàn)有技術(shù)中降低走線較長通道阻抗方法為局部走線加寬設(shè)計，但是受到走線空間限制，該種方法阻抗降低幅度非常有限。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種觸摸屏走線結(jié)構(gòu)及其制備方法，通過對metal mesh觸摸屏采用立體走線與并聯(lián)結(jié)構(gòu)，從而解決metal mesh觸摸屏走線阻抗降低幅度非常有限的問題。

基于上述目的本發(fā)明提供的觸摸屏走線結(jié)構(gòu)，包括：在第二阻抗走線層設(shè)置與第一阻抗走線層的多個金屬跡線相對應(yīng)的多個阻抗補償跡線，所述每個阻抗補償跡線的兩端分別與對應(yīng)的金屬跡線的兩端相連。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述阻抗補償跡線的一端通過結(jié)合區(qū)與對應(yīng)的金屬跡線的一端連接，所述阻抗補償跡線的另一端通過連接塊與對應(yīng)的金屬跡線的另一端連接。

在本發(fā)明的一些實施例中，如果所述第一阻抗走線層設(shè)置為與Tx功能層同層，那么第二阻抗走線層設(shè)置在Tx功能層下方的絕緣層中；或如果所述第一阻抗走線層設(shè)置在絕緣層中，則第二阻抗走線層設(shè)置為與Tx功能層同層。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述絕緣層包括Rx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層，且第一阻抗走線層或第二阻抗走線層設(shè)置在Rx功能層的上方。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述阻抗補償跡線與對應(yīng)的所述金屬跡線呈上下并列設(shè)置。

在本發(fā)明的一些實施例中，還包括：

在第二阻抗走線層設(shè)置與第一阻抗走線層阻抗值大于預(yù)設(shè)阻抗閾值的金屬跡線相對應(yīng)的阻抗補償跡線。

在本發(fā)明的一些實施例中，所述阻抗補償跡線的阻抗值R₂與所述金屬跡線的阻抗值R₁的關(guān)系為：其中R為需要下降到的目標(biāo)阻抗值。

另外，本發(fā)明還提出了一種觸摸屏走線制備方法，用于上述觸摸屏形成所述的第一阻抗走線層和所述的第二阻抗走線層，包括步驟：

設(shè)置Rx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層，形成包括第一阻抗走線層或第二阻抗走線層和Rx功能層的絕緣層；

在所述絕緣層上方設(shè)置所述第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層，以及Tx功能層。

在本發(fā)明的一些實施例中，第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層和Tx功能層設(shè)置為同層。

在本發(fā)明的一些實施例中，在所述Rx功能層上方設(shè)置第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的一種觸摸屏走線結(jié)構(gòu)及其制備方法，通過在第二阻抗走線層設(shè)置與第一阻抗走線層的金屬跡線相對應(yīng)的阻抗補償跡線，所述阻抗補償跡線的兩端分別與對應(yīng)的金屬跡線的兩端相連。從而，本發(fā)明所述的觸摸屏走線結(jié)構(gòu)及其制備方法能夠大幅降低觸摸屏走線的阻抗，實現(xiàn)整體走線通道阻抗差異變小，均一性得到提升。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種實施例中觸摸屏走線結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一種實施例中阻抗補償跡線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一種可參考實施例中觸摸屏走線的sensor結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一種實施例中觸摸屏走線制備方法的流程示意圖；

圖5為本發(fā)明一種可參考實施例中觸摸屏走線制備方法的流程示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。

需要說明的是，本發(fā)明實施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是為了區(qū)分兩個相同名稱非相同的實體或者非相同的參量，可見“第一”“第二”僅為了表述的方便，不應(yīng)理解為對本發(fā)明實施例的限定，后續(xù)實施例對此不再一一說明。

參閱圖1所示，為本發(fā)明一種實施例中觸摸屏走線結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，所述的觸摸屏走線結(jié)構(gòu)包括金屬跡線101以及阻抗補償跡線102，所述的金屬跡線101設(shè)置在第一阻抗走線層中，所述的阻抗補償跡線102設(shè)置在第二阻抗走線層中。并且，在第二阻抗走線層設(shè)置與第一阻抗走線層的金屬跡線101相對應(yīng)的阻抗補償跡線102。同時，阻抗補償跡線102的兩端分別與相對應(yīng)地金屬跡線101的兩端相連。

因此，所述的觸摸屏走線結(jié)構(gòu)中設(shè)置了上下并列的第一阻抗走線層和第二阻抗走線層，而第一阻抗走線層的金屬跡線101與第二阻抗走線層的阻抗補償跡線102具有對應(yīng)關(guān)系，同時相對應(yīng)地金屬跡線101兩端和阻抗補償跡線102兩端連接。從而，形成了雙層走線且并聯(lián)的結(jié)構(gòu)，第二阻抗走線層的阻抗補償跡線102可以將對應(yīng)的第一阻抗走線層的金屬跡線101的阻抗值降低，實現(xiàn)走線阻抗均一。

作為本發(fā)明一個較佳地實施例，阻抗補償跡線102的一自由端通過結(jié)合區(qū)與對應(yīng)的金屬跡線101的一自由端連接，阻抗補償跡線102的另一自由端通過連接塊與對應(yīng)的金屬跡線101的另一自由端連接。例如：如圖1中所示，金屬跡線101與阻抗補償跡線102呈上下并列設(shè)置，阻抗補償跡線102的一自由端通過連接塊c-pad與對應(yīng)的金屬跡線101的一自由端連接，阻抗補償跡線102的另一自由端通過結(jié)合區(qū)bonding pad與對應(yīng)的金屬跡線101的另一自由端連接。在本發(fā)明的實施例中還給出了一個單獨阻抗補償跡線102的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，可以看到該阻抗補償跡線102一個自由端連接在連接塊c-pad。

另外，作為本發(fā)明的一個可參考的實施例，所述的第一阻抗走線層或所述的第二阻抗走線層設(shè)置在絕緣層中，所述的第二阻抗走線層或所述的第一阻抗走線層設(shè)置在該絕緣層外。也就是說，如果第一阻抗走線層設(shè)置在絕緣層中，那么第二阻抗走線層設(shè)置在該絕緣層外?；蛘?，如果第二阻抗走線層設(shè)置在絕緣層中，那么第一阻抗走線層設(shè)置在該絕緣層外。從而，可以使第一阻抗走線層的金屬跡線101與第二阻抗走線層的阻抗補償跡線102互不干擾，且阻抗補償跡線102能夠更好的降低相對應(yīng)地金屬跡線101的阻抗值。如圖1和3中所示，都是將第二阻抗走線層的阻抗補償跡線102設(shè)置在絕緣層OC1中，而將第一阻抗走線層的金屬跡線101設(shè)置在絕緣層OC1外。

進(jìn)一步地，參閱圖3所示，設(shè)置在絕緣層OC1外的第一阻抗走線層或第二阻抗走線層可以與Tx功能層同層。具體來說，如果所述第一阻抗走線層設(shè)置為與Tx功能層同層，那么第二阻抗走線層設(shè)置在絕緣層OC1中?；蛘呷绻龅谝蛔杩棺呔€層設(shè)置在絕緣層OC1中，則第二阻抗走線層設(shè)置為與Tx功能層同層。在圖3所示的實施例中，是將第一阻抗走線層設(shè)置為與Tx功能層同層，而第二阻抗走線層設(shè)置在絕緣層OC1中。在優(yōu)選地實施例中，所述絕緣層OC1可以包括Rx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層，并且第一阻抗走線層或第二阻抗走線層設(shè)置在Rx功能層的上方。例如，在圖3中就是將第二阻抗走線層設(shè)置在絕緣層OC1中且在Rx功能層的上方。上面所述的實施方式，主要是為了能夠更好地實現(xiàn)第二阻抗走線層的阻抗補償跡線102對相對應(yīng)地第一阻抗走線層的金屬跡線101進(jìn)行降阻抗，效果更明顯。

更進(jìn)一步地，在絕緣層OC1上方設(shè)置的是保護層OC2，保護層OC2包括Tx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層，絕緣層OC1包括Rx功能層和第二阻抗走線層或第一阻抗走線層。從而，可以盡可能將第一阻抗走線層和第二阻抗走線層分割開，并且保護層OC2可以更好地保護與設(shè)置有Tx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。

值得說明的是，在實際的觸摸屏走線結(jié)構(gòu)中會有多個位于第一阻抗走線層的金屬跡線101，例如圖3中就給出了三個金屬跡線101，對應(yīng)的該實施例給出的三個金屬跡線101分別設(shè)置了三個阻抗補償跡線102。其實對于一個觸摸屏走線結(jié)構(gòu)是否需要進(jìn)行阻抗補償，即是否需要將金屬跡線101的阻抗值降下來，是可以進(jìn)行判斷的。具體的實施例為：可以通過計算如下的公式：(Rmax-Rmin)/(Rmax+Rmin)，其中Rmax表示多個金屬跡線101中阻抗值最大的，Rmin表示多個金屬跡線101中阻抗值最小的。

通過上述公式獲得的比值越小說明該觸摸屏走線結(jié)構(gòu)的阻抗均一性好，反之所述的比值最大說明該觸摸屏走線結(jié)構(gòu)的阻抗均一性差。較佳地，預(yù)先設(shè)置有一比值閾值，若計算獲得的比值大于該比值閾值則可以針對金屬跡線101設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102，若計算獲得的比值小于或等于該比值閾值則可以不設(shè)置相對應(yīng)金屬跡線101的阻抗補償跡線102。

還值得說明的是，當(dāng)需要設(shè)置相對應(yīng)金屬跡線101的阻抗補償跡線102，并且具有多個金屬跡線101時，可以對每一個金屬跡線101分別設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102，也可以有選擇的針對一些金屬跡線101設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102。較佳地，具體的實施方式可以為：預(yù)先設(shè)置有阻抗閾值，判斷第一阻抗走線層中金屬跡線101的阻抗值是否大于該阻抗閾值。當(dāng)?shù)谝蛔杩棺呔€層中金屬跡線101的阻抗值大于該阻抗閾值時，則可以針對該金屬跡線101設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102。當(dāng)?shù)谝蛔杩棺呔€層中金屬跡線101的阻抗值小于或等于該阻抗閾值時，則可以不設(shè)置針對該金屬跡線101的阻抗補償跡線102。

優(yōu)選地，在針對需要設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102的金屬跡線101來說，阻抗補償跡線102的阻抗值可以為：其中R為需要下降到的目標(biāo)阻抗值，R₁為金屬跡線的阻抗值，R₂為阻抗補償跡線的阻抗值。根據(jù)上面的計算過程可以看到，在這種阻抗補償?shù)膶嵤├心繕?biāo)阻抗值甚至可以小于金屬跡線101阻抗值的一半以上。同時還可以看到，在具有多個金屬跡線101的觸摸屏走線結(jié)構(gòu)中，如果想針對較少的金屬跡線101設(shè)置阻抗補償跡線102時，則設(shè)置的阻抗補償跡線102阻抗值便要增大，才能滿足保持觸摸屏走線結(jié)構(gòu)均一性的阻抗值。

更為優(yōu)選地實施例中，可以根據(jù)獲得的阻抗補償跡線102阻抗值設(shè)計不同需求的阻抗補償跡線102尺寸。具體來說，設(shè)阻抗補償跡線102的走線長為L，寬為w，膜厚為d。阻抗補償跡線102阻抗值R₂＝L*R□/w，其中R□為膜層方阻，而膜層方阻R□＝ρ*L/(w*d)，其中ρ為所述阻抗補償跡線的物質(zhì)電阻率。

在本發(fā)明的另一方面，還設(shè)計了一種觸摸屏走線的制備方法，參閱圖4所示，為本發(fā)明一種實施例中觸摸屏走線制備方法的流程示意圖，包括步驟：

步驟401，設(shè)置Rx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。

在實施例中，可以先在觸摸面板上通過光刻形成黑色光阻邊框BM，然后再設(shè)置Rx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。其中，可以依次通過磁控濺射鍍金屬膜、涂覆光刻膠、曝光、顯影以及刻蝕的過程設(shè)置Rx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。較佳地，可以在所述Rx功能層上方設(shè)置第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。

另外，可以在第一阻抗走線層或第二阻抗走線層上設(shè)置金屬跡線101或阻抗補償跡線102。同時，可以將金屬跡線101或阻抗補償跡線102的兩端分別連接至連接塊c-pad和結(jié)合區(qū)bonding pad上。

當(dāng)然，設(shè)不設(shè)置第二阻抗走線層可以通過預(yù)先設(shè)置有一比值閾值，若計算獲得的(Rmax-Rmin)/(Rmax+Rmin)比值大于該比值閾值則可以針對金屬跡線101設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102，若計算獲得的(Rmax-Rmin)/(Rmax+Rmin)比值小于或等于該比值閾值則可以不設(shè)置相對應(yīng)金屬跡線101的阻抗補償跡線102。

而針對每個第一阻抗走線層上的金屬跡線101來說，是否需要設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102，可以判斷第一阻抗走線層中金屬跡線101的阻抗值是否大于該阻抗閾值。當(dāng)?shù)谝蛔杩棺呔€層中金屬跡線101的阻抗值大于該阻抗閾值時，則可以針對該金屬跡線101設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102。當(dāng)?shù)谝蛔杩棺呔€層中金屬跡線101的阻抗值小于或等于該阻抗閾值時，則可以不設(shè)置針對該金屬跡線101的阻抗補償跡線102。

在優(yōu)選地實施例中，阻抗補償跡線102的尺寸可以通過如下方法設(shè)計：設(shè)阻抗補償跡線102的走線長為L，寬為w，膜厚為d。阻抗補償跡線102阻抗值R₂＝L*R□/w，其中R□為膜層方阻，而膜層方阻R□＝ρ*L/(w*d)，其中ρ為所述阻抗補償跡線的物質(zhì)電阻率。另外，阻抗補償跡線102阻抗值R₂通過公式計算得到，其中R為需要下降到的目標(biāo)阻抗值，R₁為金屬跡線的阻抗值，R₂為阻抗補償跡線的阻抗值。

步驟402，形成包括第一阻抗走線層或第二阻抗走線層和Rx功能層的絕緣層。

作為一個實施例，可以是在第一阻抗走線層或第二阻抗走線層和Rx功能層上涂覆OC材料，然后曝光、顯影形成所需絕緣層OC1。也就是說，在步驟402后可以形成包括有第一阻抗走線層或第二阻抗走線層和Rx功能層的絕緣層OC1。

步驟403，在所述絕緣層上方設(shè)置所述第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層，以及Tx功能層。

在較佳地實施例中，可以將第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層和Tx功能層設(shè)置為同層。其中，可以依次通過磁控濺射鍍金屬膜、涂覆光刻膠、曝光、顯影以及刻蝕的過程設(shè)置Tx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層。

另外，可以在第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層上設(shè)置阻抗補償跡線102或金屬跡線101。同時，可以將阻抗補償跡線102或金屬跡線101的兩端分別連接至連接塊c-pad和結(jié)合區(qū)bonding pad上。

更進(jìn)一步地，形成包括第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層和Tx功能層的保護層OC2。其中，可以是在第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層和Tx功能層上涂覆OC材料，然后曝光、顯影形成所需保護層OC2。

作為所述觸摸屏走線制備方法的一個可參考實施例，參閱圖5所示，為需要設(shè)置第二阻抗走線層的情況，可以包括步驟：

步驟501，在觸摸面板上通過光刻形成黑色光阻邊框BM。

步驟502，設(shè)置Rx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。

其中，可以依次通過磁控濺射鍍金屬膜、涂覆光刻膠、曝光、顯影以及刻蝕的過程設(shè)置Rx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。較佳地，可以在所述Rx功能層上方設(shè)置第一阻抗走線層或第二阻抗走線層。

步驟503，在第一阻抗走線層或第二阻抗走線層上設(shè)置金屬跡線101或阻抗補償跡線102。同時，可以將金屬跡線101或阻抗補償跡線102的兩端分別連接至連接塊c-pad和結(jié)合區(qū)bonding pad上。

較佳地，第一阻抗走線層上的哪個金屬跡線101需要設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102，可以采用如下方法：判斷第一阻抗走線層中金屬跡線101的阻抗值是否大于該阻抗閾值。當(dāng)?shù)谝蛔杩棺呔€層中金屬跡線101的阻抗值大于該阻抗閾值時，則可以針對該金屬跡線101設(shè)置相對應(yīng)地阻抗補償跡線102。當(dāng)?shù)谝蛔杩棺呔€層中金屬跡線101的阻抗值小于或等于該阻抗閾值時，則可以不設(shè)置針對該金屬跡線101的阻抗補償跡線102。

優(yōu)選地，阻抗補償跡線102的尺寸可以通過如下方法設(shè)計：設(shè)阻抗補償跡線102的走線長為L，寬為w，膜厚為d。阻抗補償跡線102阻抗值R₂＝L*R□/w，其中R□為膜層方阻，而膜層方阻R□＝ρ*L/(w*d)，其中ρ為所述阻抗補償跡線的物質(zhì)電阻率。另外，阻抗補償跡線102阻抗值R₂通過公式計算得到，其中R為需要下降到的目標(biāo)阻抗值，R₁為金屬跡線的阻抗值，R₂為阻抗補償跡線的阻抗值。

步驟504，形成包括第一阻抗走線層或第二阻抗走線層和Rx功能層的絕緣層。

其中，在第一阻抗走線層或第二阻抗走線層和Rx功能層上涂覆OC材料，然后曝光、顯影形成所需絕緣層OC1。

步驟505，在所述絕緣層上方設(shè)置所述第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層，以及Tx功能層。

其中，可以依次通過磁控濺射鍍金屬膜、涂覆光刻膠、曝光、顯影以及刻蝕的過程設(shè)置Tx功能層和第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層。較佳地，可以將第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層和Tx功能層設(shè)置為同層。

步驟506，在第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層上設(shè)置阻抗補償跡線102或金屬跡線101。同時，可以將阻抗補償跡線102或金屬跡線101的兩端分別連接至連接塊c-pad和結(jié)合區(qū)bonding pad上。

步驟507，形成包括第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層和Tx功能層的保護層OC2。

其中，可以是在第一阻抗走線層或第二阻抗走線層對應(yīng)的第二阻抗走線層或第一阻抗走線層和Tx功能層上涂覆OC材料，然后曝光、顯影形成所需保護層OC2。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種觸摸屏走線結(jié)構(gòu)及其制備方法，創(chuàng)造性地提出了metal mesh觸摸屏走線阻抗均一性設(shè)計；并且，針對于Tx功能層和Rx功能層走線較長阻抗較大，通道采用利用立體走線與并聯(lián)結(jié)構(gòu)，阻抗較大通道采用雙層走線并聯(lián)結(jié)構(gòu)，即金屬跡線與對應(yīng)的阻抗補償跡線呈在不同層走線且并聯(lián)在一起；因此，金屬跡線與對應(yīng)的阻抗補償跡線的整體可大幅降低阻抗，實現(xiàn)整體通道阻抗差異變小，均一性提升；同時，本發(fā)明在不增加額外層面的情況下還能達(dá)到提升metal mesh觸摸屏通道阻抗均一性的效果；最后，整個所述的一種觸摸屏走線結(jié)構(gòu)及其制備方法緊湊，易于實現(xiàn)、使用。

所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：以上任何實施例的討論僅為示例性的，并非旨在暗示本公開的范圍(包括權(quán)利要求)被限于這些例子；在本發(fā)明的思路下，以上實施例或者不同實施例中的技術(shù)特征之間也可以進(jìn)行組合，步驟可以以任意順序?qū)崿F(xiàn)，并存在如上所述的本發(fā)明的不同方面的許多其它變化，為了簡明它們沒有在細(xì)節(jié)中提供。

在闡述了具體細(xì)節(jié)以描述本發(fā)明的示例性實施例的情況下，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下或者這些具體細(xì)節(jié)有變化的情況下實施本發(fā)明。因此，這些描述應(yīng)被認(rèn)為是說明性的而不是限制性的。

盡管已經(jīng)結(jié)合了本發(fā)明的具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是根據(jù)前面的描述，這些實施例的很多替換、修改和變型對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因此，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何省略、修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。