本申請(qǐng)要求于2016年2月3日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0013550號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用全部包含于此。

本公開(kāi)的實(shí)施例的多個(gè)方面涉及一種顯示裝置和用于制造該顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

當(dāng)今的顯示裝置配備有用于識(shí)別用戶的觸摸的觸摸識(shí)別功能與圖像顯示功能。這樣的顯示裝置不需要諸如鍵盤、鼠標(biāo)等的額外的輸入裝置，因此被用于更多數(shù)量的領(lǐng)域。

通過(guò)分別準(zhǔn)備顯示面板和觸摸面板然后將觸摸面板附著到顯示面板能夠制造傳統(tǒng)的顯示裝置。

然而，這樣的方法采用分開(kāi)的工藝來(lái)制造觸摸面板和顯示面板，在工藝時(shí)間和工藝成本的方面效率低。因此，期望將觸摸面板與顯示面板集成。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的多個(gè)方面涉及一種包括觸摸傳感器且具有減小的缺陷率的顯示裝置。

本公開(kāi)的多個(gè)方面涉及一種用于制造包括觸摸傳感器且具有減小的缺陷率的顯示裝置的方法。

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：第一基底；第二基底，包括被構(gòu)造為顯示圖像的像素部和與像素部間隔開(kāi)的虛設(shè)部，虛設(shè)部的一側(cè)暴露到外面；中間層，位于第一基底與第二基底之間，其中，像素部和虛設(shè)部均包括多層，像素部的至少一層與虛設(shè)部的至少一層包括相同的材料。

在實(shí)施例中，在平面圖中，第二基底的邊緣的一部分與虛設(shè)部的邊緣的一部分對(duì)齊。

在實(shí)施例中，所述顯示裝置具有圓形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀，虛設(shè)部沿著圓形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀的線的至少一部分布置。

在實(shí)施例中，中間層的一側(cè)的一部分暴露到外面。

在實(shí)施例中，像素部包括至少一個(gè)像素和位于所述至少一個(gè)像素上以覆蓋所述至少一個(gè)像素的密封層。

在實(shí)施例中，虛設(shè)部包括虛設(shè)密封層，所述虛設(shè)密封層包括與密封層的材料相同的材料。

在實(shí)施例中，密封層包括多層，所述多層包括有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)絕緣層。

在實(shí)施例中，有機(jī)絕緣層和無(wú)機(jī)絕緣層中的至少一者以復(fù)數(shù)設(shè)置，所述有機(jī)絕緣層和所述無(wú)機(jī)絕緣層彼此交替地布置。

在實(shí)施例中，所述至少一個(gè)像素包括多層，虛設(shè)部包括與所述至少一個(gè)像素的多層中的至少一層的材料相同的材料。

在實(shí)施例中，顯示裝置包括被構(gòu)造為顯示圖像的顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域的外圍的非顯示區(qū)域，像素部位于顯示區(qū)域處。

在實(shí)施例中，虛設(shè)部位于非顯示區(qū)域處，并與像素部間隔開(kāi)。

在實(shí)施例中，在平面圖中，虛設(shè)部覆蓋顯示區(qū)域。

在實(shí)施例中，在平面圖中，虛設(shè)部覆蓋顯示區(qū)域的一部分。

在實(shí)施例中，虛設(shè)部包括沿著第一基底的外周延伸的多個(gè)條。

在實(shí)施例中，第二基底包括其上形成有像素部和虛設(shè)部的第二基體基底，中間層填充在虛設(shè)部與像素部之間。

在實(shí)施例中，所述顯示裝置還包括位于第一基底與中間層之間的觸摸傳感器。

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括：第一基底；第二基底，包括被構(gòu)造為顯示圖像的像素部和與像素部間隔開(kāi)的虛設(shè)部；中間層，位于第一基底與第二基底之間，其中，像素部和虛設(shè)部均包括多層，像素部的至少一部分與虛設(shè)部的至少一部分由同一工藝形成。

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，提供了一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括：準(zhǔn)備第一母基底；準(zhǔn)備具有由假想線劃分的多個(gè)單元區(qū)域的第二母基底；在所述多個(gè)單元區(qū)域處形成像素部；沿著假想線形成虛設(shè)部；將第一母基底和第二母基底結(jié)合，使中間層位于所述第一母基底與所述第二母基底之間；沿著假想線切割第一母基底和第二母基底，其中，通過(guò)同一工藝形成像素部的至少一部分和虛設(shè)部的至少一部分。

在實(shí)施例中，在平面圖中，假想線位于虛設(shè)部處。

在實(shí)施例中，第一母基底包括非顯示區(qū)域和形成有像素部的顯示區(qū)域，虛設(shè)部位于非顯示區(qū)域處。

在實(shí)施例中，形成像素部的步驟包括：在第一母基底上形成像素；在像素上形成密封層，其中，與密封層在同一步驟形成虛設(shè)部的至少一部分。

在實(shí)施例中，將像素形成為多層，與像素在同一步驟形成虛設(shè)部的至少一部分。

在實(shí)施例中，所述方法還包括在第一母基底上形成觸摸傳感器。

在實(shí)施例中，使用激光執(zhí)行切割的步驟。

根據(jù)前面提及的本公開(kāi)的實(shí)施例，可以提供一種顯示裝置以及制造所述顯示裝置的方法，其中，所述顯示裝置的缺陷率通過(guò)設(shè)置在非顯示區(qū)域中的虛設(shè)部減小。

附圖說(shuō)明

現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例，其中：

圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的顯示裝置的平面圖；

圖2a是圖1的沿著線i-i’截取的剖視圖；

圖2b是圖1的沿著線ii-ii’截取的剖視圖；

圖3是示出圖1的第一基底的平面圖；

圖4是示出圖1的第二基底的平面圖；

圖5a是示出像素部的一部分的平面圖；

圖5b是圖5a的沿著線iii-iii’截取的剖視圖，也示出了與圖2b的部分p1對(duì)應(yīng)的部分；

圖6a至圖6f是順序地示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的制造顯示裝置的方法的剖視圖；以及

圖7a和圖7b是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的顯示裝置的平面圖。

具體實(shí)施方式

通過(guò)參照下面對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)描述和附圖，可以更容易地理解發(fā)明構(gòu)思的特征及完成其的方法。然而，發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為限于在這里所闡述的實(shí)施例。在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述示例實(shí)施例，在附圖中，同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件。然而，本發(fā)明可以以各種不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為僅限于在這里示出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例作為示例，使得此公開(kāi)將是徹底和完整的，并將把本發(fā)明的方面和特征充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。因此，可以不描述對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員完整理解本發(fā)明的方面和特征非必需的工藝、元件和技術(shù)。除非另有說(shuō)明，否則貫穿附圖和文字描述，同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件，因此，將不重復(fù)其描述。在附圖中，為了清晰可以夸大元件、層和區(qū)域的相對(duì)尺寸。

除非另外定義，否則在這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非在這里明確如此定義，否則術(shù)語(yǔ)(諸如在通用字典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)被解釋為具有在相關(guān)領(lǐng)域的上下文和/或本說(shuō)明書中它們的意思一致的意思，而不應(yīng)以理想化的或過(guò)于形式化的意思來(lái)解釋。

在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地說(shuō)明本公開(kāi)的實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的顯示裝置的平面圖，圖2a是圖1的沿著線i-i’截取的剖視圖，圖2b是圖1的沿著線ii-ii’截取的剖視圖。圖3是示出圖1的第一基底的平面圖，圖4是示出圖1的第二基底的平面圖。

參照?qǐng)D1至圖4，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的顯示裝置dsp可以包括顯示區(qū)域da以及在顯示區(qū)域da的外圍的非顯示區(qū)域nda。

顯示區(qū)域da是用于顯示圖像的區(qū)域。圖像的示例包括諸如文本、視頻、照片、二維或三維圖像等的視覺(jué)信息。

非顯示區(qū)域nda設(shè)置在顯示區(qū)域da的外圍。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，非顯示區(qū)域nda可以在顯示區(qū)域da的至少一側(cè)上形成，或者沿著顯示區(qū)域da的外圍(例如，周界)形成。在非顯示區(qū)域nda中，可以存在提供布線的焊盤的焊盤部。焊盤部可以形成在顯示區(qū)域da的一側(cè)處。焊盤部包括觸摸傳感器焊盤部、連接焊盤部、操作焊盤部等，焊盤部的形狀可以根據(jù)觸摸傳感器焊盤部、連接焊盤部、操作焊盤部等的形狀而變化。

顯示裝置dsp包括第一基底sub1、第二基底sub2、設(shè)置在第一基底sub1和第二基底sub2之間的中間層ctl以及導(dǎo)電構(gòu)件cm。

第一基底sub1和第二基底sub2可以以各種合適的形狀形成。例如，第一基底sub1和第二基底sub2可以以圓形、橢圓形、三角形或矩形(包括正方形)形狀等設(shè)置。第一基底sub1和第二基底sub2也均可以以包括直線和曲線的閉合圖形(例如，半圓形)設(shè)置。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，第一基底sub1和第二基底sub2可以以具有兩對(duì)彼此平行的線的矩形板形狀來(lái)設(shè)置。在顯示裝置dsp以矩形板形狀設(shè)置的這樣的情況下，一對(duì)線可以比另一對(duì)線長(zhǎng)。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，顯示裝置dsp示出為呈現(xiàn)具有一對(duì)長(zhǎng)線和另一對(duì)短線的矩形形狀，短線的延伸方向被稱為第一方向d1，長(zhǎng)線的延伸方向被稱為第二方向d2。在這種情況下，為了方便的緣故，顯示裝置dsp的一條短線將被稱為第一線s1，順序地連接到第一線s1的三條線將被稱為第二線s2、第三線s3和第四線s4。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，第一基底sub1可以具有比第二基底sub2的尺寸面積小的尺寸面積。在平面圖中，第二基底sub2可以包括與第一基底sub1疊置的疊置部ov以及不與第一基底sub1疊置的非疊置部nov。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，第一基底sub1的第一線與第二基底sub2的第一線可以不彼此對(duì)應(yīng)。在下文中，第一基底sub1的第一線將被稱為s1，第二基底sub2的第一線將被稱為s1’。例如，第一基底sub1可以在第一方向d1上與第二基底sub2具有相同或基本相同的長(zhǎng)度，而在第二方向d2上具有比第二基底sub2短的長(zhǎng)度。因此，非疊置部nov可以形成在第一基底sub1的第一線s1與第二基底sub2的第一線s1’之間。在平面圖中，其余的線，即，第一基底sub1的第二線s2至第四線s4與第二基底sub2的第二線s2至第四線s4可以基本彼此對(duì)應(yīng)。

第一基底sub1的第一線s1與第二基底sub2的第一線s1’可以具有相同或基本相同的形狀。例如，第一基底sub1的第一線s1和第二基底sub2的第一線s1’都可以是在第一方向d1上延伸的直線。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，非顯示區(qū)域nda的一部分和顯示區(qū)域da設(shè)置在疊置部ov上。此外，非顯示區(qū)域nda的一部分設(shè)置在非疊置部nov上。

非疊置部nov可以設(shè)置為將柔性印刷電路板等附著到外部驅(qū)動(dòng)器的位置(例如，設(shè)置操作焊盤部op的地方，將在下文中說(shuō)明操作焊盤部)。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，還可以在第二基底sub2的非疊置部的上表面上設(shè)置用來(lái)檢查像素或其他組件是否有缺陷的檢查焊盤部。

在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，第一基底sub1的第一線s1可以具有與第二基底sub2的與其對(duì)應(yīng)的線不同的形狀。第一基底sub1的第一線s1的形狀可以根據(jù)焊盤部的類型、布置等來(lái)變化。

第一基底sub1包括第一基體基底bs1、設(shè)置在第一基體基底bs1上的觸摸傳感器sr、連接到觸摸傳感器sr的連接線cl1和cl2(在下文中被統(tǒng)稱為cl)以及設(shè)置在連接線cl的端部上的觸摸傳感器焊盤部sp1和sp2(在下文中被統(tǒng)稱為sp)。

第一基體基底bs1可以由具有柔性的絕緣材料制成。第一基體基底bs1可以由諸如玻璃、聚合物、金屬等的各種合適類型的材料制成。在一些示例中，第一基體基底bs1可以是由有機(jī)聚合物制成的絕緣基底。由有機(jī)聚合物制成的絕緣基底的示例包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、三乙酸纖維素、乙酸丙酸纖維素等，但不限于此。第一基體基底bs1也可以由玻璃纖維增強(qiáng)塑料frp制成。

觸摸傳感器sr用于當(dāng)在顯示裝置dsp上有用戶的觸摸時(shí)感測(cè)該觸摸和/或該觸摸的壓力。觸摸傳感器sr設(shè)置在顯示區(qū)域da中。觸摸傳感器sr可以是互電容型傳感器、自電容型傳感器或電阻型傳感器，但不限于此，只要觸摸傳感器sr被構(gòu)造為感測(cè)用戶做出的觸摸和/或該觸摸的壓力即可。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，觸摸傳感器sr可以是基于兩種類型的感測(cè)電極之間的相互作用感測(cè)電容變化的互電容型傳感器，在下文中，將基于觸摸傳感器sr是這樣的互電容型傳感器的假定作出說(shuō)明。

觸摸傳感器sr包括在第一方向d1上延伸且可以被施加感測(cè)電壓的多個(gè)第一傳感器sr1、在與第一方向d1不同的方向上(例如，在與第一方向d1相交的第二方向d2上)延伸的多個(gè)第二傳感器sr2。第一傳感器sr1可以與第二傳感器sr2電容耦合。電壓可以通過(guò)電容耦合改變。

每個(gè)第一傳感器sr1包括在第一方向d1上布置的多個(gè)第一感測(cè)電極sse1以及將彼此相鄰的第一感測(cè)電極sse1進(jìn)行連接的多個(gè)第一橋br1。第一感測(cè)電極sse1可以以諸如包括條形形狀、正方形形狀、矩形形狀、菱形形狀等的四邊形形狀的各種合適的多邊形形狀來(lái)設(shè)置。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，第一感測(cè)電極sse1和第一橋br1可以設(shè)置為一塊板或者以包括精細(xì)線的網(wǎng)格形式設(shè)置。

每個(gè)第二傳感器sr2包括在第二方向d2上布置的多個(gè)第二感測(cè)電極sse2以及將彼此相鄰的第二感測(cè)電極sse2進(jìn)行連接的多個(gè)第二橋br2。第二感測(cè)電極sse2也可以以諸如包括條形形狀、正方形形狀、矩形形狀、菱形形狀等的四邊形形狀的各種合適的多邊形形狀來(lái)設(shè)置。

第二感測(cè)電極sse2和第二橋br2也可以設(shè)置為一塊板或者以包括精細(xì)線的網(wǎng)格形式設(shè)置。

第一感測(cè)電極sse1和第二感測(cè)電極sse2可以以矩陣形式布置在第一基體基底bs1上，使得它們彼此交替(例如，使得它們交替地布置)。

第一傳感器sr1和第二傳感器sr2彼此絕緣。在圖3的一些示例中，示出的是第一橋br1與第二橋br2彼此相交，但是實(shí)際上，它們用布置在它們之間的絕緣層彼此絕緣。第一傳感器sr1和第二傳感器sr2可以設(shè)置在不同的層上，但不限于此。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，第一感測(cè)電極sse1和第二感測(cè)電極sse2可以設(shè)置在同一層上，第一橋br1和第二橋br2可以設(shè)置在不同的層上。

連接線cl1和cl2用于將觸摸傳感器sr連接到驅(qū)動(dòng)觸摸傳感器sr的驅(qū)動(dòng)器。連接線cl1和cl2設(shè)置在非顯示區(qū)域nda中。驅(qū)動(dòng)器可以或者設(shè)置在將在下文中解釋的第二基底sub2上，或者設(shè)置在另外的印刷電路板等上。驅(qū)動(dòng)器可以包括位置檢測(cè)電路。連接線cl可以將從驅(qū)動(dòng)器接收的感測(cè)輸入信號(hào)傳輸?shù)降谝粋鞲衅鱯r1并傳輸?shù)降诙鞲衅鱯r2，或者將從第一傳感器sr1和第二傳感器sr2接收的感測(cè)輸出信號(hào)傳輸?shù)津?qū)動(dòng)器。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，連接線cl可以包括多條第一連接線cl1和多條第二連接線cl2。第一連接線cl1連接到第一傳感器sr1。每條第一連接線cl1可以連接到與第一傳感器sr1對(duì)應(yīng)的行。在平面圖中，第一連接線cl1可以在非顯示區(qū)域nda內(nèi)出現(xiàn)多次彎曲。

第二連接線cl2連接到第二傳感器sr2。每條第二連接線cl2可以連接到與第二傳感器sr2對(duì)應(yīng)的列。在平面圖中，第二連接線cl2可以在非顯示區(qū)域nda內(nèi)出現(xiàn)多次彎曲。

觸摸傳感器焊盤部sp被構(gòu)造為在觸摸傳感器sr與驅(qū)動(dòng)器之間傳輸信號(hào)。觸摸傳感器焊盤部sp設(shè)置在非顯示區(qū)域nda中，觸摸傳感器焊盤部sp連接到連接線cl的端部。觸摸傳感器焊盤部sp包括設(shè)置在連接線cl的端部上的多個(gè)觸摸傳感器焊盤。觸摸傳感器焊盤部sp通過(guò)將在下文中說(shuō)明的導(dǎo)電構(gòu)件電連接到也將在下文中說(shuō)明的第二基底sub2的連接焊盤部cp1和cp2(在下文中被稱為cp)。觸摸傳感器sr連接到連接線cl，觸摸傳感器焊盤部sp連接到連接線cl的端部，觸摸傳感器焊盤部sp通過(guò)導(dǎo)電構(gòu)件連接到連接焊盤部cp，最終，連接焊盤部cp通過(guò)將在下文中說(shuō)明的操作焊盤部op連接到驅(qū)動(dòng)器。通過(guò)前述說(shuō)明，與觸摸相關(guān)的信號(hào)可以在驅(qū)動(dòng)器與觸摸傳感器之間相互傳輸。

觸摸傳感器焊盤部sp設(shè)置在與第一基底sub1的四條線中的至少一條相鄰的非顯示區(qū)域nda中。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，示出的是觸摸傳感器焊盤部sp設(shè)置在與第一線s1相鄰的非顯示區(qū)域nda中。

觸摸傳感器焊盤部sp可以包括設(shè)置在第一連接線cl1的端部上的第一觸摸傳感器焊盤部sp1以及設(shè)置在第二連接線cl2的端部上的第二觸摸傳感器焊盤部sp2。在平面圖中，第一觸摸傳感器焊盤部sp1和第二觸摸傳感器焊盤部sp2可以設(shè)置為彼此相鄰或彼此間隔開(kāi)。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，第一觸摸傳感器焊盤部sp1和第二觸摸傳感器焊盤部sp2沿著第一方向d1設(shè)置在第一基底sub1的兩側(cè)，其中，第一觸摸傳感器焊盤部sp1和第二觸摸傳感器焊盤部sp2可以彼此間隔開(kāi)。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，觸摸傳感器sr、連接線cl和觸摸傳感器焊盤部sp都可以由導(dǎo)電材料制成?？梢栽谶@里使用的導(dǎo)電材料的示例包括金屬、金屬的合金、導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電金屬氧化物、納米導(dǎo)電材料等。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，可以在這里使用的金屬的示例包括銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鋁、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛等?？梢栽谶@里使用的導(dǎo)電聚合物的示例包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚亞苯基等。根據(jù)一些示例實(shí)施例，從聚噻吩中，可以使用pedot/pss?？梢栽谶@里使用的導(dǎo)電金屬氧化物的示例包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化銻鋅(azo)、氧化銦錫鋅(itzo)、氧化鋅(zno)、氧化錫(sno2)等?？梢栽谶@里使用的納米導(dǎo)電材料的示例包括銀納米線(agnw)、碳納米管、石墨烯等。

第二基底sub2面對(duì)第一基底sub1，并顯示圖像。

第二基底sub2包括第二基體基底bs2、像素部px和與像素部px間隔開(kāi)的虛設(shè)部dm。

圖5a是示出像素部px的一部分的平面圖，圖5b是圖5a的沿著線iii-iii’截取的剖視圖。圖5b示出了與圖2b的部分p1對(duì)應(yīng)的部分以及虛設(shè)部dm，以與像素部px比較起來(lái)說(shuō)明虛設(shè)部dm。

在下文中，將參照?qǐng)D1至圖5b對(duì)第二基體基底bs2、像素部px和虛設(shè)部dm做出說(shuō)明。

第二基體基底bs2以與第一基體基底bs1基本相同的形狀設(shè)置。第二基體基底bs2設(shè)置為具有與第一基體基底bs1的尺寸面積相同的或比其大的尺寸面積。

像素部px設(shè)置在第二基體基底bs2上。像素部px包括用于顯示圖像的至少一個(gè)像素pxl和設(shè)置在像素pxl上的密封層sl。

顯示區(qū)域da設(shè)置有實(shí)現(xiàn)圖像的多個(gè)像素pxl。

第二基體基底bs2設(shè)置有連接到像素pxl的信號(hào)線sgl、位于信號(hào)線sgl的端部上的操作焊盤部op和與觸摸傳感器焊盤部sp對(duì)應(yīng)的連接焊盤部cp。

像素pxl連接到信號(hào)線sgl。信號(hào)線sgl將信號(hào)提供到每個(gè)像素pxl，信號(hào)線sgl包括柵極線gl、數(shù)據(jù)線dl和驅(qū)動(dòng)電壓線dvl，此外，如果需要還可以包括其他類型的布線。

柵極線gl可以在第一方向d1和第二方向d2中的一個(gè)方向上延伸。數(shù)據(jù)線dl可以在與柵極線gl交叉的方向上延伸。驅(qū)動(dòng)電壓線dvl可以在基本上與數(shù)據(jù)線dl相同的方向上延伸。柵極線gl將掃描信號(hào)傳輸?shù)奖∧ぞw管，數(shù)據(jù)線dl將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)奖∧ぞw管，驅(qū)動(dòng)電壓線dvl將驅(qū)動(dòng)電壓提供到薄膜晶體管。

柵極線gl、數(shù)據(jù)線dl和驅(qū)動(dòng)電壓線dvl中的每者被實(shí)現(xiàn)為多條這樣的線。

每條信號(hào)線sgl被設(shè)置為在顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda上延伸。

像素pxl顯示圖像，并設(shè)置在顯示區(qū)域da中。像素pxl可以實(shí)現(xiàn)為以矩陣形式布置的多個(gè)像素pxl。這里，示出的是像素pxl具有矩形形狀，但不限于此。像素pxl可以修改為具有各種合適的形狀。此外，當(dāng)像素pxl被實(shí)現(xiàn)為多個(gè)像素pxl時(shí)，每個(gè)像素pxl可以具有不同的尺寸面積。例如，不同顏色的像素pxl可以根據(jù)顏色具有不同的尺寸面積和/或不同的形狀。

每個(gè)像素pxl包括連接到信號(hào)線sgl中的對(duì)應(yīng)的信號(hào)線的薄膜晶體管、連接到薄膜晶體管的發(fā)光元件和電容器cst。

薄膜晶體管可以包括用于控制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2和用于導(dǎo)通和/或截止驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管tr1。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，一個(gè)像素pxl包括兩個(gè)薄膜晶體管tr1和tr2，但不限于此。例如，一個(gè)像素pxl可以包括一個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)電容器或者三個(gè)或更多個(gè)薄膜晶體管和兩個(gè)或更多個(gè)電容器。

開(kāi)關(guān)薄膜晶體管tr1包括第一柵電極ge1、第一源電極se1和第一漏電極de1。第一柵電極ge1連接到柵極線gl，第一源電極se1連接到數(shù)據(jù)線dl。第一漏電極de1連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的柵電極(即，第二柵電極ge2)。開(kāi)關(guān)薄膜晶體管tr1根據(jù)施加到柵極線gl的掃描信號(hào)將施加到數(shù)據(jù)線dl的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)津?qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2包括第二柵電極ge2、第二源電極se2和第二漏電極de2。第二柵電極ge2連接到開(kāi)關(guān)薄膜晶體管tr1，第二源電極se2連接到驅(qū)動(dòng)電壓線dvl，第二漏電極de2連接到發(fā)光元件。

發(fā)光元件包括發(fā)光層eml以及第一電極el1和第二電極el2，第一電極el1和第二電極el2彼此相對(duì)，發(fā)光層eml布置在第一電極el1與第二電極el2之間。第一電極el1連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的第二漏電極de2。共電壓施加到第二電極el2，發(fā)光層eml通過(guò)根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的輸出信號(hào)發(fā)光或不發(fā)光來(lái)顯示圖像。在這種情況下，從發(fā)光層eml發(fā)出的光可以根據(jù)發(fā)光層eml的材料而變化。從發(fā)光層eml發(fā)出的光可以是彩色光或白光。

電容器cst連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的第二柵電極ge2與第二源電極se2之間，電容器cst充電并維持輸入到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的第二柵電極ge2中的數(shù)據(jù)信號(hào)。

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的像素部px設(shè)置為具有多層。在下文中，將按照層疊順序說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的像素部。

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的像素部px設(shè)置在第二基體基底bs2上。

緩沖層bfl形成在第二基體基底bs2上。緩沖層bfl防止或基本防止雜質(zhì)擴(kuò)散穿過(guò)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管tr1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2。緩沖層bfl可以由氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)、氮氧化硅(sioxny)等制成。根據(jù)基體基底(bs)的材料和工藝條件可以省略緩沖層。

第一有源圖案act1和第二有源圖案act2設(shè)置在緩沖層bfl上。第一有源圖案act1和第二有源圖案act2可以由半導(dǎo)體材料制成。第一有源圖案act1和第二有源圖案act2中的每者包括源區(qū)、漏區(qū)和設(shè)置在源區(qū)與漏區(qū)之間的溝道區(qū)。第一有源圖案act1和第二有源圖案act2中的每者可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半導(dǎo)體等制成的半導(dǎo)體圖案。溝道區(qū)是未摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體圖案。溝道區(qū)可以是本征半導(dǎo)體。源區(qū)和漏區(qū)中的每者可以是摻雜有雜質(zhì)的半導(dǎo)體圖案?？梢詫?duì)源區(qū)和漏區(qū)摻雜的雜質(zhì)的示例包括n型雜質(zhì)、p型雜質(zhì)和金屬。

第一絕緣層ins1設(shè)置在第一有源圖案act1和第二有源圖案act2上。

連接到柵極線gl的第一柵電極ge1和第二柵電極ge2設(shè)置在第一絕緣層ins1上。第一柵電極ge1和第二柵電極ge2中的每者形成為覆蓋與第一有源圖案act1和第二有源圖案act2的溝道區(qū)中的各自的溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域。

在第一柵電極ge1和第二柵電極ge2上，第二絕緣層ins2設(shè)置為覆蓋第一柵電極ge1和第二柵電極ge2。

第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2和第二漏電極de2設(shè)置在第二絕緣層ins2上。通過(guò)形成在第一絕緣層ins1和第二絕緣層ins2中的接觸孔(例如，接觸開(kāi)口)，第一源電極se1和第一漏電極de1分別接觸第一有源圖案act1的源區(qū)和漏區(qū)。通過(guò)形成在第一絕緣層ins1和第二絕緣層ins2中的接觸孔，第二源電極se2和第二漏電極de2分別接觸第二有源圖案act2的源區(qū)和漏區(qū)。

同時(shí)，第二柵電極ge2的一部分和驅(qū)動(dòng)電壓線dvl的一部分分別是第一電容器電極ce1和第二電容器電極ce2，第一電容器電極ce1和第二電容器電極ce2形成了第二絕緣層ins2布置在其間的電容器cst。

第三絕緣層ins3形成在第一源電極se1、第一漏電極de1、第二源電極se2和第二漏電極de2上。第三絕緣層ins3可以用作保護(hù)開(kāi)關(guān)薄膜晶體管tr1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的膜，或者用作用于使開(kāi)關(guān)薄膜晶體管tr1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的頂表面平坦化的平坦化膜。

在第三絕緣層ins3上，第一電極el1設(shè)置為發(fā)光元件的陽(yáng)極。第一電極el1通過(guò)形成在第三絕緣層中的接觸孔(例如，接觸開(kāi)口)連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tr2的第二漏電極de2。這里，第一電極el1可以代替地用作陰極；然而，在下文中將基于第一電極el1用作陽(yáng)極的假定做出解釋。

第一電極el1可以由具有高逸出功的材料制成。在前述例證中的朝向基體基底bs的下方向提供圖像的情況下，第一電極el1可以是由氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦錫鋅(itzo)等制成的透明導(dǎo)電膜。在前述例證中的朝向基體基底bs的上方向提供圖像的情況下，第一電極el1可以是由具有ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr等的金屬反射膜與氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦錫鋅(itzo)等一起制成的透明導(dǎo)電膜。

像素限定層pdl設(shè)置在其上形成有第一電極el1的第二基體基底bs2上，像素限定層pdl將像素區(qū)域分開(kāi)，使得每個(gè)分開(kāi)的像素區(qū)域?qū)?yīng)于每個(gè)像素pxl。像素限定層pdl暴露第一電極el1的上表面，并沿著像素pxl的外圍(例如，周界)從基體基底bs突出。

發(fā)光層eml設(shè)置在被像素限定層pdl圍繞的像素區(qū)域上，第二電極el2設(shè)置在發(fā)光層eml上。

密封層sl覆蓋像素pxl以保護(hù)像素pxl。

密封層sl設(shè)置在第二電極el2上。

密封層sl可以是單層或多層。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，密封層sl可以包括第一密封層sl1和第二密封層sl2。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，第一密封層sl1和第二密封層sl2可以包括彼此不同的材料。例如，第一密封層sl1可以由有機(jī)材料制成，而第二密封層sl2由無(wú)機(jī)材料制成。然而，第一密封層sl1和第二密封層sl2的層數(shù)或材料不限于上面所述的，因此各種合適的修改是可能的。

在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，第一密封層sl1和第二密封層sl2中的每個(gè)可以實(shí)現(xiàn)為彼此交替層疊的多個(gè)層。在第一密封層sl1和第二密封層sl2中的每個(gè)實(shí)現(xiàn)為彼此交替層疊的多個(gè)層的這樣的情況下，能夠有效地保護(hù)像素pxl免受空氣(例如，氧)、潮氣和/或其他雜質(zhì)從外部滲入。

虛設(shè)部dm在第二基體基底bs2的非顯示區(qū)域nda內(nèi)設(shè)置在疊置部ov上。在制造顯示裝置時(shí)，虛設(shè)部dm防止或基本防止在切割階段出現(xiàn)的缺陷，也防止或基本防止諸如潮氣、氧等的因素滲入到像素部px中。將在下文中在解釋顯示裝置的制造方法時(shí)更詳細(xì)地對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。

在平面圖中，虛設(shè)部dm沿著第一基底sub1的邊緣形成，使得虛設(shè)部dm與像素部px間隔開(kāi)一定距離。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，虛設(shè)部dm可以沿著第一至第四線s1、s2、s3和s4中的每條線設(shè)置，但不限于此。即，虛設(shè)部dm可以僅沿著第一基底sub1的第一至第四線s1、s2、s3和s4中的一些設(shè)置。在平面圖中，虛設(shè)部dm的一側(cè)對(duì)應(yīng)于第一基底sub1的邊緣，在剖視圖中，虛設(shè)部dm的外側(cè)突出到外部。

在本實(shí)施例中，說(shuō)明了虛設(shè)部dm沿著第一基底sub1的第一至第四線s1、s2、s3和s4中的至少一些設(shè)置，但是對(duì)此沒(méi)有限制。因此，當(dāng)?shù)谝换譻ub1以不同的形狀設(shè)置時(shí)，虛設(shè)部dm的位置也可以不同。例如，在第一基底sub1以圓形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀形成的情況下，虛設(shè)部dm可以沿著圓形、橢圓形或多邊形形狀的線中的至少一些設(shè)置。

虛設(shè)部dm可以實(shí)現(xiàn)為具有設(shè)定或預(yù)定的高度的多層的部。在剖視圖中，虛設(shè)部dm可以形成為從第二基體基底bs2的上表面突出并具有與像素部px相同或相似的高度。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，虛設(shè)部dm的高度可以是像素部px的高度的至少50％。在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，虛設(shè)部dm的高度可以是像素部px的高度的至少70％。在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，虛設(shè)部dm的高度可以是像素部px的高度的至少90％。

在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，虛設(shè)部dm可以在與制造像素pxl的步驟中的至少一個(gè)步驟相同的步驟中制造。結(jié)果，虛設(shè)部dm可以包括與構(gòu)成像素pxl的層中的至少一層對(duì)應(yīng)的層，虛設(shè)部dm可以由與構(gòu)成像素pxl的層中的至少一層相同或基本相同的材料制成。

再次參照?qǐng)D5b，根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的虛設(shè)部dm可以包括以前述順序?qū)盈B在第二基體基底bs2上的虛設(shè)緩沖層bfl’、虛設(shè)第一絕緣層ins1’、虛設(shè)第二絕緣層ins2’、虛設(shè)第三絕緣層ins3’、虛設(shè)像素限定層pdl’、虛設(shè)第二電極el2’和虛設(shè)密封層sl’。虛設(shè)緩沖層bfl’、虛設(shè)第一絕緣層ins1’、虛設(shè)第二絕緣層ins2’、虛設(shè)第三絕緣層ins3’、虛設(shè)像素限定層pdl’、虛設(shè)第二電極el2’和虛設(shè)密封層sl’可以分別對(duì)應(yīng)于緩沖層bfl、第一絕緣層ins1、第二絕緣層ins2、第三絕緣層ins3、像素限定層pdl、第二電極el2和密封層sl，對(duì)應(yīng)的層可以由相同或基本相同的材料制成。

例如，虛設(shè)緩沖層bfl’可以設(shè)置在第二基體基底bs2上，虛設(shè)緩沖層bfl’可以由與像素部px的緩沖層bfl相同或基本相同的材料制成。虛設(shè)第一絕緣層ins1’、虛設(shè)第二絕緣層ins2’和虛設(shè)第三絕緣層ins3’可以設(shè)置在虛設(shè)緩沖層bfl’上，并可以分別由與像素部px的第一絕緣層ins1、第二絕緣層ins2和第三絕緣層ins3相同或基本相同的材料制成。虛設(shè)像素限定層pdl’可以設(shè)置在虛設(shè)第三絕緣層ins3’上，并且由與像素部px的像素限定層pdl相同或基本相同的材料制成。虛設(shè)第二電極el2’可以設(shè)置在虛設(shè)像素限定層pdl’上，并且由與像素部px的第二電極el2相同或基本相同的材料制成。虛設(shè)密封層sl’可以設(shè)置在虛設(shè)第二電極el2’上，并且由與像素部px的密封層sl相同或基本相同的材料制成。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，構(gòu)成虛設(shè)部dm的層中的至少一些由與像素部px的對(duì)應(yīng)層中的至少一些相同或基本相同的材料制成；然而，并非虛設(shè)部dm的全部層可以由與像素部px的對(duì)應(yīng)層相同或基本相同的材料制成。例如，虛設(shè)部dm的虛設(shè)第一絕緣層ins1’至虛設(shè)第三絕緣層ins3’可以由與像素部px的第一絕緣層ins1至第三絕緣層ins3相同或基本相同的材料制成，而虛設(shè)部dm的虛設(shè)像素限定層pdl’由與像素部px的像素限定層pdl不同的材料制成。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，構(gòu)成虛設(shè)部dm的層不限于附圖中示出的層?？梢允÷砸恍┦境龅膶樱⑶?或者還可以增加合適的層。

從虛設(shè)部dm省略的層可以是對(duì)虛設(shè)部dm的高度具有非重要貢獻(xiàn)的層。在圖5b中，為了易于示出，已經(jīng)減小或增大層的厚度，因此應(yīng)該認(rèn)為實(shí)際厚度可以與例證不同。因此，可以省略的層與圖5b中的例證無(wú)關(guān)。例如，構(gòu)成薄膜晶體管的許多層(例如，第一有源圖案和第二有源圖案、柵電極、源電極等)的厚度可以小于第一絕緣層ins1、第二絕緣層ins2與第三絕緣層ins3和/或像素限定層pdl的厚度。因此，虛設(shè)部dm可以包括與第一絕緣層ins1、第二絕緣層ins2與第三絕緣層ins3或像素限定層pdl對(duì)應(yīng)的層；然而，可以省略構(gòu)成薄膜晶體管的許多層。在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，第一絕緣層ins1、第二絕緣層ins2與第三絕緣層ins3和/或像素限定層pdl的厚度可以小于密封層的厚度。因此，也可以省略第一絕緣層ins1、第二絕緣層ins2與第三絕緣層ins3和/或像素限定層pdl。

在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，可以省略從虛設(shè)緩沖層bfl’至虛設(shè)第二電極el2’的全部的層，因此，虛設(shè)部dm可以僅包括虛設(shè)密封層sl’。在圖5b中，看起來(lái)虛設(shè)密封層sl’具有與其他層相似的厚度，然而，虛設(shè)密封層sl’實(shí)際上可以比其他層厚很多。因此，即使在省略從虛設(shè)緩沖層bfl’至虛設(shè)第二電極el2’的全部的層時(shí)，虛設(shè)部dm的高度將不會(huì)比像素部px的高度小很多。

此外，在本公開(kāi)的實(shí)施例中，虛設(shè)部dm當(dāng)然還可以包括與像素部px的有源圖案、柵電極、源電極和漏電極對(duì)應(yīng)的層。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，第二基體基底bs2的上表面可以在像素部px與虛設(shè)部dm之間的空間上被暴露。然而對(duì)其沒(méi)有限制，因此，如果需要，諸如信號(hào)布線、絕緣層等的組件也可以設(shè)置在像素部px與虛設(shè)部dm之間。

再次參照?qǐng)D1至圖5b，連接焊盤部cp設(shè)置在與非顯示區(qū)域nda的第一基底sub1的觸摸傳感器焊盤部sp對(duì)應(yīng)的位置上，并且基本上呈相同的形狀。在平面圖中，連接焊盤部cp與觸摸傳感器焊盤部sp疊置。連接焊盤部cp可以包括均與觸摸傳感器焊盤部sp的每個(gè)觸摸傳感器焊盤一一對(duì)應(yīng)的連接焊盤。連接焊盤部cp被構(gòu)造為傳輸信號(hào)至驅(qū)動(dòng)器和/或從驅(qū)動(dòng)器傳輸信號(hào)。連接焊盤部cp通過(guò)將在下文中說(shuō)明的導(dǎo)電構(gòu)件電連接到第一基底sub1的觸摸傳感器焊盤部sp。

連接焊盤部cp可以包括與第一觸摸傳感器焊盤部sp1對(duì)應(yīng)的第一連接焊盤部cp1和與第二觸摸傳感器焊盤部sp2對(duì)應(yīng)的第二連接焊盤部cp2。

附加連接線連接到連接焊盤部cp。第三連接線cl3連接到第一連接焊盤部cp1，第四連接線cl4連接到第二連接焊盤部cp2。

信號(hào)線sgl連接到像素pxl。信號(hào)線sgl將與圖像相關(guān)的信號(hào)提供到像素pxl。例如，柵極線gl將掃描信號(hào)從驅(qū)動(dòng)器傳輸?shù)奖∧ぞw管，數(shù)據(jù)線dl將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)奖∧ぞw管，驅(qū)動(dòng)電壓線dvl將驅(qū)動(dòng)電壓提供到薄膜晶體管。信號(hào)線sgl還可以包括用于實(shí)現(xiàn)圖像的各種合適的線，各種合適的信號(hào)可以施加到每條信號(hào)線sgl。

操作焊盤部op設(shè)置在非顯示區(qū)域nda中，操作焊盤部op連接到信號(hào)線sgl的端部并且連接到附加連接線(第三連接線cl3和第四連接線cl4)的端部。操作焊盤部op包括設(shè)置在信號(hào)線sgl的端部上的多個(gè)操作焊盤。操作焊盤部op被構(gòu)造為在驅(qū)動(dòng)器和像素pxl與連接焊盤部cp之間傳輸信號(hào)。

操作焊盤部op設(shè)置在非顯示區(qū)域nda中，與第一基底sub1的四條線中的至少一條相鄰。例如，操作焊盤部op可以設(shè)置在第二基底sub2上的非疊置部nov上。

操作焊盤部op可以連接到諸如柔性印刷電路板的另一組件，附加導(dǎo)電構(gòu)件設(shè)置在操作焊盤部op與所述另一組件之間。

連接焊盤部cp、信號(hào)線sgl、附加連接線和操作焊盤部op可以由導(dǎo)電材料制成?？梢栽谶@里使用的導(dǎo)電材料的示例包括金屬、金屬的合金、導(dǎo)電聚合物、導(dǎo)電金屬氧化物、納米導(dǎo)電材料等。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，可以在這里使用的金屬的示例包括銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鋁、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛等。可以在這里使用的導(dǎo)電聚合物的示例包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚亞苯基等。根據(jù)一些示例，從聚噻吩中，可以使用pedot/pss?？梢栽谶@里使用的導(dǎo)電金屬氧化物的示例包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化銻鋅(azo)、氧化銦錫鋅(itzo)、氧化鋅(zno)、氧化錫(sno2)等?？梢栽谶@里使用的納米導(dǎo)電材料的示例包括銀納米線(agnw)、碳納米管、石墨烯等。

在制造像素pxl時(shí)，可以一起制造連接焊盤部cp、信號(hào)線sgl、附加連接線和操作焊盤部op。

如前所述，在根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的顯示裝置dsp上設(shè)置有第一基底sub1和第二基底sub2，在第一基底sub1與第二基底sub2之間設(shè)置有中間層ctl和導(dǎo)電構(gòu)件cm。

中間層ctl設(shè)置在第一基底sub1與第二基底sub2之間。例如，在顯示區(qū)域da中，中間層ctl設(shè)置在第一基底sub1與像素部px之間，在非顯示區(qū)域nda中，中間層ctl設(shè)置在第一基底sub1與虛設(shè)部dm之間。中間層ctl也填充在像素部px與虛設(shè)部dm之間的空間中。

中間層ctl可以保護(hù)第一基底sub1的觸摸傳感器sr，并將第一基底sub1與第二基底sub2結(jié)合。中間層ctl可以具有粘度(viscosity)或粘性(adhesion)，以執(zhí)行結(jié)合功能。

中間層ctl可以由透明材料制成，以使來(lái)自第二基底sub2的圖像通過(guò)其透射。此外，中間層ctl可以由絕緣材料制成，并且可以具有柔性。

只要中間層ctl的材料能保護(hù)第一基底sub1的觸摸傳感器并被用來(lái)將第一基底sub1與第二基底sub2結(jié)合，就對(duì)該材料沒(méi)有限制。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，中間層ctl可以由有機(jī)材料制成。有機(jī)材料可以是可以從各種合適的有機(jī)聚合材料中選擇的光固化材料或熱固化材料。例如，有機(jī)材料可以包括丙烯酸酯聚合物。另外，有機(jī)材料可以包括環(huán)氧樹(shù)脂?？梢栽谶@里使用的環(huán)氧樹(shù)脂的示例包括雙酚a、雙酚f、雙酚ad、雙酚s、二甲苯酚、苯酚線型酚醛清漆(phenolnovolac)、甲酚線型酚醛清漆(cresolnovolac)、四羥苯基甲烷(tetraphenylolmethane)、聚乙二醇、聚丙二醇、己二醇、三羥甲基丙烷、環(huán)氧丙烷雙酚a等。

中間層ctl可以以合適的厚度不僅設(shè)置在顯示區(qū)域da中，而且設(shè)置在與顯示區(qū)域da相鄰的非顯示區(qū)域nda中。例如，與第一基底sub1的第一至第四線s1、s2、s3和s4中的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)的一側(cè)可以暴露到外面。即，中間層ctl沿著第一基底sub1的邊緣布置。中間層ctl可以在剖視圖中設(shè)置在第一基底sub1與虛設(shè)部dm之間，可以在在平面圖中與虛設(shè)部dm一起設(shè)置在第一基底sub1的遠(yuǎn)處邊緣處中。因此，中間層ctl的一側(cè)和虛設(shè)部dm可以在第一基底sub1的第一至第四線s1、s2、s3和s4處暴露到外面。

導(dǎo)電構(gòu)件cm設(shè)置在第一基底sub1與第二基底sub2之間，導(dǎo)電構(gòu)件cm將第一基底sub1的觸摸傳感器焊盤部sp與第二基底sub2的連接焊盤部cp連接。在平面圖中，導(dǎo)電構(gòu)件cm形成在形成有觸摸傳感器焊盤部sp和連接焊盤部cp的區(qū)域中。因此，導(dǎo)電構(gòu)件cm與觸摸傳感器焊盤部sp和連接焊盤部cp疊置。

導(dǎo)電構(gòu)件cm可以包括多個(gè)導(dǎo)電球cb和圍繞導(dǎo)電球cb的絕緣件rs。

導(dǎo)電球cb由使能夠電連接的材料制成，且對(duì)其沒(méi)有特別的限制。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，導(dǎo)電球cb可以由自身具有導(dǎo)電性的顆粒制成，像金屬(諸如鎳、鐵、銅、鋁、錫、鋅、鉻、鈷、銀、金、銻)、其化合物、其氧化物、碳等。在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，導(dǎo)電球cb可以由通過(guò)對(duì)諸如玻璃、陶瓷和聚合物等的核的表面執(zhí)行無(wú)電鍍制成的薄金屬層顆粒制成。聚合物可以是有機(jī)聚合物，例如，各種合適類型的環(huán)氧樹(shù)脂。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，環(huán)氧樹(shù)脂可以是雙酚f環(huán)氧樹(shù)脂。另外，導(dǎo)電球cb可以由自身具有導(dǎo)電性的顆?；蛘邔?duì)絕緣材料核的顆粒的表面涂覆薄金屬層從而具有導(dǎo)電性的顆粒制成。

絕緣件rs可以是具有將觸摸傳感器焊盤部sp和連接焊盤部cp牢固結(jié)合的粘性的絕緣件，但不限于此。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，絕緣件rs可以包括樹(shù)膠樹(shù)脂、聚合物樹(shù)脂等?？梢栽谶@里使用的聚合物樹(shù)脂的示例包括熱塑性聚合物樹(shù)脂、熱固性聚合物樹(shù)脂、自由基聚合樹(shù)脂等。

可以在這里使用的熱塑性樹(shù)脂的示例包括苯乙烯丁二烯樹(shù)脂、乙烯乙酸乙烯樹(shù)脂、酯樹(shù)脂、硅樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、酰胺樹(shù)脂、丙烯酸酯樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂等?？梢栽谶@里使用的熱固性樹(shù)脂的示例包括環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂等?？梢栽谶@里使用的自由基聚合樹(shù)脂的示例包括丙烯酸酯，諸如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、雙酚a乙二醇改性二丙烯酸酯、異氰脲酸乙二醇改性二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷丙二醇三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷乙二醇三丙烯酸酯、異氰脲酸乙二醇改性三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二環(huán)戊烯基丙烯酸酯和丙烯酸三環(huán)癸酯；甲基丙烯酸酯、馬來(lái)酰亞胺、不飽和聚酯、丙烯酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、甲基丙烯腈等。

在附圖中，示出的是有一個(gè)導(dǎo)電球cb，然而，這是為了易于例證，因此在導(dǎo)電構(gòu)件cm中可以有多個(gè)導(dǎo)電球cb。

每個(gè)導(dǎo)電球cb可以以大體上圓形或橢圓形形狀設(shè)置在第一基底sub1與第二基底sub2之間。導(dǎo)電球cb可以以橢圓形形狀設(shè)置在彼此面對(duì)的觸摸傳感器焊盤與連接焊盤之間，除了這些區(qū)域，導(dǎo)電球cb可以以大體上圓形形狀設(shè)置。導(dǎo)電球cb最初以圓形形狀設(shè)置，然而，在第一基底sub1與第二基底sub2之間，然后隨著導(dǎo)電球cb在制造顯示裝置的工藝期間在豎直方向上被壓緊，導(dǎo)電球cb變形成橢圓形形狀。因?yàn)楸舜嗣鎸?duì)的觸摸傳感器焊盤與連接焊盤之間的空間比其他區(qū)域狹窄，所以布置在彼此面對(duì)的觸摸傳感器焊盤與連接焊盤之間的導(dǎo)電構(gòu)件cm可以以大體上橢圓形形狀設(shè)置。

可以一次形成一個(gè)具有上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置，然而，還可以同時(shí)(例如，在同一時(shí)間)制造多個(gè)這樣的顯示裝置。因此，將在下文中說(shuō)明制造多個(gè)顯示裝置的方法。

可以通過(guò)如下步驟形成根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的顯示裝置：準(zhǔn)備第一母基底；準(zhǔn)備具有被假想線劃分的多個(gè)單元區(qū)域的第二母基底；在單元區(qū)域中形成像素部；沿著假想線形成虛設(shè)部；將第一母基底和第二母基底結(jié)合，使中間層布置在第一母基底和第二母基底之間；沿著假想線切割第一母基底和第二母基底。在這種情況下，通過(guò)同一工藝形成了像素部的至少一部分和虛設(shè)部的至少一部分。

將參照?qǐng)D6a至圖6f說(shuō)明制造顯示裝置的方法，圖6a至圖6f是順序地示出制造根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的顯示裝置的方法的剖視圖。在下文中，除了上述附圖之外，還將參照?qǐng)D1至圖5b做出說(shuō)明。

參照?qǐng)D6a，準(zhǔn)備第一母基底m_sub1。在第一母基底m_sub1的后表面上，設(shè)置第一載體基底cr1，第一載體基底cr1被構(gòu)造為支撐第一母基底m_sub1。第一母基底m_sub1和第一載體基底cr1通過(guò)靜電、范德華力等彼此接觸。

第一母基底m_sub1可以包括一個(gè)單元區(qū)域unt或多個(gè)單元區(qū)域unt。單元區(qū)域unt是與每個(gè)顯示裝置對(duì)應(yīng)的部分。在每個(gè)單元區(qū)域unt中，形成每個(gè)顯示裝置的第一基底sub1。在附圖中，僅示出了單元區(qū)域unt的一些部件來(lái)著重對(duì)彼此相鄰的部分進(jìn)行說(shuō)明，但對(duì)其沒(méi)有限制。例如，第一母基底m_sub1中的單元區(qū)域unt可以形成為具有相同或基本相同的尺寸，并且可以以矩陣形式布置。然而，在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，第一母基底m_sub1中的單元區(qū)域unt可以形成為具有不同的尺寸，并且可以根據(jù)第一母基底m_sub1的尺寸以各種合適的形式布置。

單元區(qū)域unt被假想線iml劃分。假想線iml通過(guò)圍繞每個(gè)單元區(qū)域unt來(lái)劃分每個(gè)單元區(qū)域unt?？梢詫⒓傧刖€iml布置為圍繞單元區(qū)域unt的一部分，或者在兩個(gè)單元區(qū)域unt之間。因此，當(dāng)有多個(gè)單元區(qū)域unt時(shí)，每個(gè)單元區(qū)域unt的至少一側(cè)可以與另一單元區(qū)域unt接觸，假想線iml布置在接觸的單元區(qū)域unt之間。在后續(xù)工藝中，假想線iml被用作切割線?？梢匝刂傧刖€iml將第一母基底m_sub1切割成多個(gè)單元區(qū)域unt。在這種情況下，當(dāng)僅設(shè)置一個(gè)單元區(qū)域unt時(shí)，在第一母基底m_sub1上，單元區(qū)域unt可以被假想線iml所限定，可以切割掉假想線iml所限定的外部并因此將其去除。結(jié)果，可以在同一時(shí)間形成至少一個(gè)第一基底sub1。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，彼此相鄰的兩個(gè)單元區(qū)域unt可以彼此接觸，或彼此間隔開(kāi)。在附圖中，示出的是彼此相鄰的兩個(gè)單元區(qū)域unt彼此接觸，一條假想線iml布置在其間；然而，本發(fā)明不限于此。即，可以通過(guò)兩條或更多條假想線iml對(duì)彼此間隔開(kāi)的兩個(gè)單元區(qū)域unt進(jìn)行了劃分。

準(zhǔn)備第一母基底m_sub1的步驟包括準(zhǔn)備第一基體基底bs1以及在第一基體基底bs1上形成觸摸傳感器sr、連接線cl和觸摸傳感器焊盤部sp的步驟。

可以在第一載體基底cr1上層疊第一基體基底bs1并然后固化。

可以以各種合適的工藝在第一基體基底bs1上形成觸摸傳感器sr、連接線cl和觸摸傳感器焊盤部sp。例如，可以通過(guò)執(zhí)行光刻至少一次來(lái)形成觸摸傳感器sr、連接線cl和觸摸傳感器焊盤部sp。

參照?qǐng)D6b，準(zhǔn)備第二母基底m_sub2。在第二母基底m_sub2的后表面上，設(shè)置第二載體基底cr2，以支撐第二母基底m_sub2。因?yàn)榈诙富譵_sub2和第二載體基底cr2通過(guò)靜電、范德華力等彼此附著，所以第二母基底m_sub2和第二載體基底cr2也彼此接觸。

第二母基底m_sub2也包括多個(gè)單元區(qū)域unt。單元區(qū)域unt是與每個(gè)顯示裝置對(duì)應(yīng)的部分。在每個(gè)單元區(qū)域unt中，形成每個(gè)顯示裝置的第二基底sub2。第二母基底m_sub2的單元區(qū)域unt與第一母基底m_sub1的單元區(qū)域unt基本相同，因此省略其重復(fù)解釋。

可以通過(guò)在第二基體基底bs2上形成像素pxl、密封層sl、信號(hào)線sgl、操作焊盤部op和連接焊盤部cp來(lái)準(zhǔn)備第二母基底m_sub2。可以通過(guò)各種合適的工藝來(lái)形成像素pxl，例如，通過(guò)多次執(zhí)行層疊工藝和/或光刻。

在這種情況下，可以通過(guò)同一工藝準(zhǔn)備像素部px的至少一部分和虛設(shè)部dm的至少一部分，因此也利用相同或基本相同的材料。

例如，可以與像素部px的緩沖層bfl在同一步驟在第二基體基底bs2上準(zhǔn)備虛設(shè)緩沖層bfl’?？梢苑謩e與像素部px的第一絕緣層ins1、第二絕緣層ins2和第三絕緣層ins3在相同步驟在虛設(shè)緩沖層bfl’上準(zhǔn)備虛設(shè)第一絕緣層ins1’、虛設(shè)第二絕緣層ins2’和虛設(shè)第三絕緣層ins3’。可以與像素部px的像素限定層pdl在同一步驟在虛設(shè)第三絕緣層ins3’上形成虛設(shè)像素限定層pdl’。可以與像素部px的第二電極el2在同一步驟在虛設(shè)像素限定層pdl’上準(zhǔn)備虛設(shè)第二電極el2’。可以與像素部px的密封層sl在同一步驟在虛設(shè)第二電極el2’上準(zhǔn)備虛設(shè)密封層sl’。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，可以在與像素部px的對(duì)應(yīng)層中的至少一些層相同的步驟形成構(gòu)成虛設(shè)部dm的層中的至少一些層，但不是虛設(shè)部dm中的每層都與像素部px的對(duì)應(yīng)層在同一步驟形成。例如，可以在與像素部px的第一絕緣層ins1、第二絕緣層ins2和第三絕緣層ins3相同的步驟形成虛設(shè)部dm的虛設(shè)第一絕緣層ins1’至虛設(shè)第三絕緣層ins3’；然而，可以在與像素部px的像素限定層pdl的步驟不同的步驟形成虛設(shè)部dm的虛設(shè)像素限定層pdl’。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，構(gòu)成虛設(shè)部dm的層不限于在附圖中示出的層。即，可以省略構(gòu)成虛設(shè)部dm的一些層。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，在平面圖中，將虛設(shè)部dm布置為與假想線iml疊置。即，假想線iml位于虛設(shè)部dm上。在平面圖中，虛設(shè)部dm可以沿著假想線iml延伸。在平面圖中，假想線iml可以位于虛設(shè)部dm區(qū)域內(nèi)，并且盡可能不與虛設(shè)部dm的邊緣的線接觸。在平面圖中，假想線iml布置在將虛設(shè)部dm劃分成兩個(gè)的位置上。虛設(shè)部dm的被假想線iml劃分的一側(cè)和另一側(cè)分別在彼此相鄰的單元區(qū)域unt中的每個(gè)內(nèi)。

參照?qǐng)D6c，將第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2彼此結(jié)合，中間層ctl布置在它們之間。在將第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2布置為使得它們的假想線iml在平面圖中彼此對(duì)應(yīng)之后，將第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2彼此結(jié)合。

在結(jié)合工藝，沿著彼此面對(duì)的方向(例如，附圖中的豎直方向)將第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2壓緊?？梢詮捻?shù)降讏?zhí)行壓緊prs的步驟，即，通過(guò)從第一母基底m_sub1朝向第二母基底m_sub2施加壓力。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，示出的是第一母基底m_sub1位于上部，但是對(duì)其沒(méi)有限制，因此在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，可以代替地為第二母基底m_sub2位于上部。在這樣的情況下，可以通過(guò)從第二母基底m_sub2朝向第一母基底m_sub1施加壓力進(jìn)行壓緊prs。

可以用包括印刷法、涂覆法和點(diǎn)膠法(dispensingmethod)的各種合適的方法在第一母基底m_sub1上形成中間層ctl。例如，可以通過(guò)印刷法(諸如絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷、噴嘴印刷等)、涂覆法(諸如狹縫涂覆、旋涂、噴涂等)和使用點(diǎn)膠機(jī)的點(diǎn)膠法中的一種形成中間層ctl。在本公開(kāi)的實(shí)施例中，在用絲網(wǎng)印刷法形成中間層ctl的情況下，可以以表面形狀印刷中間層。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，在第二基底sub2上設(shè)置中間層ctl，中間層ctl未固化。然后，一旦中間層ctl設(shè)置在第二基底sub2上，將中間層ctl半固化。執(zhí)行半固化工藝，以使得中間層ctl具有足夠的彈性和流動(dòng)性?？梢酝ㄟ^(guò)熱固化或光固化執(zhí)行半固化工藝。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，中間層ctl由未固化或半固化的材料制成，因此具有一定程度的流動(dòng)性。將中間層ctl正式固化，使第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2彼此結(jié)合，中間層ctl布置在它們之間?？梢酝ㄟ^(guò)使用熱的熱固化或通過(guò)使用光(諸如uv等)的光固化來(lái)執(zhí)行這個(gè)主固化工藝。

在這個(gè)固化工藝中，中間層ctl被完全固化，第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2牢固地彼此結(jié)合。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，示出的是在第一母基底m_sub1上形成中間層ctl，但不限于此。在本公開(kāi)的另一實(shí)施例中，可以代替地為在第二母基底m_sub2上形成中間層ctl。

參照?qǐng)D6d，將第一載體基底cr1和第二載體基底cr2去除。將第一載體基底cr1從第一母基底m_sub1分離，將第二載體基底cr2從第二母基底m_sub2分離。

參照?qǐng)D6e，按照每個(gè)單元區(qū)域unt對(duì)結(jié)合的第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2進(jìn)行切割。沿著假想線iml執(zhí)行切割的步驟。每個(gè)單元區(qū)域unt的沿著假想線iml切割的每條線可以與最終單元的第一至第四線s1、s2、s3和s4對(duì)應(yīng)。

可以用各種合適的方法執(zhí)行切割第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2的步驟。例如，可以使用劃線輪、激光lsr等執(zhí)行切割步驟。通過(guò)假想線iml劃分彼此相鄰的兩個(gè)單元區(qū)域unt，在沿著假想線iml切割的線上，虛設(shè)部dm和中間層暴露到外面。

參照?qǐng)D6f，通過(guò)切割的單元區(qū)域完成顯示裝置。圖6f示出了通過(guò)激光切割的顯示裝置的示例。虛設(shè)部dm形成在兩側(cè)上。在這種情況下，因?yàn)檠刂傧刖€iml將中間層ctl和虛設(shè)部dm橫跨切割，所以中間層ctl和虛設(shè)部dm的側(cè)暴露到外面。

按照以上方法準(zhǔn)備的顯示裝置具有下面的效果。

根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的虛設(shè)部dm防止或基本防止在切割單元區(qū)域unt時(shí)出現(xiàn)缺陷。在傳統(tǒng)的顯示裝置中，像素部px僅設(shè)置在顯示區(qū)域da中而不在非顯示區(qū)域nda中，因此在顯示區(qū)域da與非顯示區(qū)域nda之間出現(xiàn)水平差。當(dāng)在第一母基底m_sum1上形成中間層ctl之后將第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2結(jié)合時(shí)，由于顯示區(qū)域da與非顯示區(qū)域nda之間的水平差，在第一母基底m_sub1與第二母基底m_sub2之間的在非顯示區(qū)域nda中的間隙會(huì)大于在第一母基底m_sub1與第二母基底m_sub2之間的在顯示區(qū)域da中的間隙。當(dāng)在第一母基底m_sub1上以基本一致的厚度形成中間層ctl時(shí)，中間層ctl可以充分地填充在顯示區(qū)域da中；然而，在非顯示區(qū)域nda中可能會(huì)由于與顯示區(qū)域da相比更大的填充空間而有未填充的部分。未填充的部分將出現(xiàn)泡(bubble)。泡將不僅減小第一母基底m_sub1與第二母基底m_sub2之間的粘性，而且使通過(guò)切割第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2形成的第一基底sub1和第二基底sub2的截面相當(dāng)粗糙。例如，在通過(guò)激光切割第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2的情況下，激光會(huì)在泡中散射，從而利用了比實(shí)際要切割的區(qū)域多的區(qū)域，這不是期望的。

在本公開(kāi)的實(shí)施例中，通過(guò)形成虛設(shè)部dm，減小了顯示區(qū)域da與非顯示區(qū)域nda之間的水平差。因此，增加了第一基底sub1與第二基底sub2之間的粘性。此外，由于減小的水平差，將減少或防止泡產(chǎn)生，使得可以保持第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2的均勻切割的截面。這也防止或基本防止激光被泡散射，從而改善切割余量。

此外，因?yàn)檠刂懈罹€設(shè)置虛設(shè)部dm，所以虛設(shè)部dm減少或防止在切割第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2的工藝期間在每個(gè)基底中產(chǎn)生的任何裂紋擴(kuò)展到像素部px。此外，虛設(shè)部dm減少或防止諸如潮氣、氧等的因素進(jìn)入像素部px的內(nèi)部。這是因?yàn)樘撛O(shè)部dm形成為與像素部px間隔開(kāi)。因?yàn)樵谙袼夭縫x與虛設(shè)部dm之間有中間層ctl，所以中間層ctl可以防止或基本防止在切割第一母基底m_sub1和第二母基底m_sub2期間產(chǎn)生的應(yīng)力傳遞到像素部px，并且還防止諸如潮氣、氧等的因素沿著層疊在虛設(shè)部dm上的每層的界面進(jìn)入。

圖7a和圖7b是示出本公開(kāi)的實(shí)施例的平面圖。

參照?qǐng)D7a和圖7b，虛設(shè)部dm可以具有各種合適的形狀，只要虛設(shè)部dm在獲得根據(jù)前述實(shí)施例的效果的范圍內(nèi)即可。

參照?qǐng)D7a，虛設(shè)部dm可以覆蓋顯示區(qū)域da的一部分。在本實(shí)施例中，虛設(shè)部dm可以沿著第一基底sub1的排除第一線s1的第二至第四線s2、s3和s4設(shè)置。此外，虛設(shè)部dm可以僅沿著第一至第四線s1、s2、s3和s4中的一條線形成，或者僅沿著第一至第四線s1、s2、s3和s4中的兩條線形成?？梢愿鶕?jù)母基底的尺寸和布置在母基底內(nèi)的單元區(qū)域的形狀來(lái)不同地設(shè)置其上將要形成虛設(shè)部dm的區(qū)域。

參照?qǐng)D7b，在平面圖中，虛設(shè)部dm可以設(shè)置為覆蓋顯示區(qū)域da的一部分，并且呈沿著第一基底sub1的外圍(例如，周界)延伸的多個(gè)條的形式。

已經(jīng)在這里公開(kāi)了示例實(shí)施例，雖然采用了特定的術(shù)語(yǔ)，但是僅以一般的和描述性的意思來(lái)使用和解釋它們，而不是為了限制的目的。在一些情況下，對(duì)于到提交本申請(qǐng)時(shí)為止的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言將明顯的是，可以單獨(dú)使用結(jié)合具體實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件，或者可與結(jié)合其他實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合起來(lái)使用，除非另外特別說(shuō)明。

將理解的是，雖然可以在這里使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)所限制。這些術(shù)語(yǔ)用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)來(lái)。因此，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，下面討論的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或第一部分可以被命名為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或第二部分。

另外，還將理解的是，當(dāng)層被稱為“在”兩層“之間”時(shí)，該層可以是兩層之間的唯一層，或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間層。

在這里使用的術(shù)語(yǔ)是用于描述具體實(shí)施例的目的，而不意圖限制發(fā)明構(gòu)思。如這里使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)(種)(者)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在此說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”和/或其變型時(shí)，說(shuō)明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任意和全部組合。當(dāng)諸如“……中的至少一個(gè)(種)”的表述用在一列元件(或要素)之后時(shí)，修飾整列元件(或要素)，而不修飾該列中的個(gè)別元件(或要素)。此外，當(dāng)在描述發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例時(shí)使用“可以”表示“發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例”。此外，術(shù)語(yǔ)“示例性”意圖表示示例或例證。

將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”另一元件或?qū)?、“結(jié)合到”另一元件或?qū)踊蛘摺芭c”另一元件或?qū)印跋噜彙睍r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪辉驅(qū)由稀⒅苯舆B接到另一元件或?qū)?、直接結(jié)合到另一元件或?qū)踊蛘吲c另一元件或?qū)又苯酉噜彛蛘呖梢源嬖谝粋€(gè)或更多個(gè)中間元件或中間層。當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”另一元件或?qū)?、“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)踊蛘摺芭c”另一元件或?qū)印爸苯酉噜彙睍r(shí)，不存在中間元件或中間層。

如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“基本上”、“大約”和相似術(shù)語(yǔ)被用作近似術(shù)語(yǔ)而非用作程度術(shù)語(yǔ)，并意圖說(shuō)明本領(lǐng)域普通技術(shù)人員承認(rèn)的測(cè)量值或計(jì)算值中的固有變差。

可以利用任何合適的硬件、固件(例如專用集成電路)、軟件或者軟件、固件與硬件的合適的組合來(lái)實(shí)施根據(jù)在這里描述的本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置和/或任意其他相關(guān)裝置或組件。例如，顯示裝置的各種組件可以形成在一個(gè)集成電路(ic)芯片上或在分離的ic芯片上。此外，顯示裝置的各種組件可以實(shí)施在柔性印刷電路膜、帶載封裝(tcp)、印刷電路板(pcb)上，或者形成在同一基底上。此外，顯示裝置的各種組件可以是進(jìn)程或線程，其中，進(jìn)程或線程運(yùn)行在一個(gè)或更多個(gè)處理器上，在一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算裝置中，執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序指令并與執(zhí)行在這里描述的各種功能的其他系統(tǒng)組件交互。計(jì)算機(jī)程序指令存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，其中，存儲(chǔ)器可以在計(jì)算設(shè)備中利用諸如以隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)為例的標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器裝置實(shí)施。計(jì)算機(jī)程序指令也可以存儲(chǔ)在其他非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如以cd-rom、閃存驅(qū)動(dòng)器等為例)中。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在不脫離本發(fā)明的示例性實(shí)施例的范圍的情況下，可以將各種計(jì)算設(shè)備的功能組合或集成到單個(gè)的計(jì)算設(shè)備中，或者可以將特定計(jì)算設(shè)備的功能分布遍及一個(gè)或更多個(gè)其他計(jì)算設(shè)備。

因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如在權(quán)利要求及其等同物中所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出形式上和細(xì)節(jié)上的各種合適的改變。