1.一種用于GGNMOS的模型電路，其特征在于，其包括三極管、第一電阻、第二電阻和二極管，所述第一電阻的一端與電源地連接、另一端連接二極管的正極，所述二極管的負極連接電源，所述三極管的基極與二極管和第一電阻之間的連接節(jié)點連接，所述三極管的發(fā)射極接電源地、集電極通過第二電阻與電源連接。
2.一種用于GGNMOS的電路級建模方法，其特征在于，所述方法應用于如權利要求1所述的一種用于GGNMOS的模型電路，所述方法包括步驟：
步驟一：建立GGNMOS等效模型電路，所述GGNMOS等效模型電路包括三極管、第一電阻、第二電阻和二極管，所述第一電阻的一端與電源地連接、另一端連接二極管的正極，所述二極管的負極連接電源，所述三極管的基極與二極管和第一電阻之間的負極連接電源，所述三極管發(fā)射極接電源地、集電極通過第二電阻與電源連接；
步驟二：建立人體模型ESD等效電路，所述人體模型ESD等效電路與模型電路并聯(lián)得到總電路；
步驟三：將步驟二得到的總電路，利用電路模擬軟件Spice對總電路進行模擬仿真，在人體模型ESD等效電路端增加電流脈沖，獲取GGNMOS等效模型電路輸出電壓變化曲線，得到GGNMOS等效模型電路對ESD的箝位電壓最高值。
3.根據(jù)權利要求3所述的一種用于GGNMOS的電路級建模方法，其特征在于，所述人體模型ESD等效電路包括第三電阻、第一電容、第二電容和電感，所述第三電阻并聯(lián)第二電容連接在電源與電感之間，所述電感通過串聯(lián)第一電容與電源地連接。
4.根據(jù)權利要求2所述的一種用于GGNMOS的電路級建模方法，其特征在于，所述三極管為GGNMOS寄生NPN三極管。
5.根據(jù)權利要求2所述的一種用于GGNMOS的電路級建模方法，其特征在于，所述第一電阻為GGNMOS的漏端至溝道路徑的等效電阻。
6.根據(jù)權利要求2所述的一種用于GGNMOS的電路級建模方法，其特征在于，所述二極管為GGNMOS的漏端與襯底之間的寄生二極管。
7.根據(jù)權利要求2所述的一種用于GGNMOS的電路級建模方法，其特征在于，所述第二電阻為GGNMOS襯底寄生電阻。
8.根據(jù)權利要求2所述的一種用于GGNMOS的電路級建模方法，其特征在于，所述步驟三的具體步驟為：將步驟二得到的總電路，利用電路模擬軟件Spice對總電路進行模擬仿真，在人體模型ESD等效電路中第一電容兩端增加至少2000V電流脈沖，獲取GGNMOS等效模型電路輸出電壓變化曲線，得到GGNMOS等效模型電路對ESD的箝位電壓最高值。