技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種集總參數(shù)射頻電感模型及其優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，采用帶校正因子的電感計(jì)算公式，便于使用專業(yè)軟件進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。采用一端口物理電路模型，便于使電感的優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)和其幾何尺寸建立聯(lián)系，簡(jiǎn)化電感優(yōu)化設(shè)計(jì)步驟。考慮趨夫厚度與導(dǎo)體厚度的關(guān)系提高計(jì)算的精度。通過(guò)大量實(shí)例的研究確定了校正因子的初始值，減少了優(yōu)化步驟。用格林豪斯算法獲得準(zhǔn)確的電感值，以此得到實(shí)際校正因子提高設(shè)計(jì)精度。本發(fā)明有效解決了硅射頻電感值的計(jì)算精度不高及不便于電路優(yōu)化的問(wèn)題，為提高硅射頻電感的計(jì)算精度和便于實(shí)現(xiàn)硅射頻電感優(yōu)化設(shè)計(jì)，提供了一種有力的手段。

技術(shù)研發(fā)人員：熊祥正;廖成;奐瑞;羅杰;高明均;郭曉東
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西南交通大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710008189
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.05
技術(shù)公布日：2017.05.24