1.一種觸控基板，其特征在于，包括：襯底基板，所述襯底基板上形成有遮光圖形，所述遮光圖形限定出觸控區(qū)域和功能孔區(qū)域；
在所述觸控區(qū)域內(nèi)，形成有位于所述襯底基板上方的觸控單元和位于觸控單元上方的第一消影圖形；
在所述功能孔區(qū)域內(nèi)，形成有位于所述襯底基板上方第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上方且覆蓋所述功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域的第二消影圖形、位于所述第二消影圖形的上方或下方且與所述第二消影圖形對應(yīng)設(shè)置的增透圖形；
所述第一消影圖形與所述第二消影圖形同層設(shè)置，所述增透圖形用于提升所述第二消影圖形所對應(yīng)的區(qū)域的透光率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控單元包括：位于所述襯底基板上方的若干個觸控電極；
所述增透圖形位于所述第二消影圖形的下方且與所述觸控電極同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控電極和所述增透圖形的材料為氧化銦錫。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控基板，其特征在于，所述觸控單元還包括：信號走線，所述信號走線與所述觸控電極通過過孔連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控基板，其特征在于，所述第一消影圖形的上方設(shè)置有第二絕緣層圖形；
所述增透圖形位于所述第二消影圖形的上方且與所述第二絕緣層圖形同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控基板，其特征在于，所述第二消影圖形包括：若干個彼此獨立的第二消影子圖形；
全部所述第二消影子圖形在所述功能孔區(qū)域內(nèi)均勻分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一所述的觸控基板，其特征在于，第二消影圖形的面積與所述功能孔區(qū)域的面積的比為：80％～90％。
8.一種觸摸屏，其特征在于，包括如上述權(quán)利要求1-7中任一所述的觸控基板。
9.一種觸控基板的制備方法，其特征在于，包括：
在所述襯底基板的上方形成遮光圖形，所述遮光圖形限定出觸控區(qū)域和功能孔區(qū)域；
在所述襯底基板的上方且對應(yīng)所述觸控區(qū)域內(nèi)形成觸控單元，以及在所述襯底基板的上方且對應(yīng)所述功能孔區(qū)域的區(qū)域形成第一絕緣層；
在所述第一絕緣層的上方形成第一消影圖形和第二消影圖形，所述第一消影圖形與所述第二消影圖形同層設(shè)置，所述第一消影圖形覆蓋所述觸控單元所對應(yīng)的區(qū)域，所述第二消影圖形覆蓋所述功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域；
形成增透圖形，所述增透圖形位于所述第二消影圖形的上方或下方且與所述第二消影圖形對應(yīng)設(shè)置，所述增透圖形用于提升所述第二消影圖形所對應(yīng)的區(qū)域的透光率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控基板的制備方法，其特征在于，所述觸控單元包括：若干個觸控電極；
所述形成增透圖形的步驟與所述形成觸控單元的步驟同步進行，形成增透圖形和形成觸控單元的步驟具體包括：
在所述襯底基板的上方形成透明導(dǎo)電材料膜層；
對所述透明導(dǎo)電材料膜層進行一次構(gòu)圖工藝以形成所述觸控電極和所述增透圖形，所述觸控電極位于所述觸控區(qū)域內(nèi)，所述增透圖形位于所述功能孔區(qū)域內(nèi)且與后續(xù)待形成的所述第二消影圖形對應(yīng)設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控基板的制備方法，其特征在于，所述觸控單元還包括：信號走線；
所述形成增透圖形和形成觸控單元的步驟還包括：
在所述觸控電極和所述增透圖形的上方形成第一絕緣層，所述第一絕緣層上對應(yīng)所述觸控電極的位置形成有過孔；
在所述第一絕緣層上的上方形成所述信號走線，所述信號走線通過對應(yīng)的過孔與對應(yīng)的所述觸控電極電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控基板的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控基板的制備方法，其特征在于，所述在所述第一絕緣層的上方形成第一消影圖形和第二消影圖形的步驟具體包括：
在所述第一絕緣層的上方形成消影材料膜層；
在所述消影材料膜層材料的上方形成第二絕緣材料膜層；
對所述第二絕緣材料膜層進行一次構(gòu)圖工藝以形成第二絕緣層圖形，所述第二絕緣層圖形覆蓋所述觸控區(qū)域；
對所述消影材料膜層進行網(wǎng)印刻蝕以形成所述第一消影圖形和所述第二消影圖形，所述第一消影圖形覆蓋所述觸控單元所對應(yīng)的區(qū)域，所述第二消影圖形覆蓋所述功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控基板的制備方法，其特征在于，所述形成增透圖形的步驟位于所述形成第一消影圖形和第二消影圖形的步驟之前執(zhí)行，形成增透圖形、第一消影圖形和第二消影圖形的步驟具體包括：
在所述第一絕緣層的上方形成消影材料膜層；
在所述消影材料膜層材料的上方形成第二絕緣材料膜層；
對所述第二絕緣材料膜層進行一次構(gòu)圖工藝以形成第二絕緣層圖形和所述增透圖形，所述第二絕緣層圖形覆蓋所述觸控區(qū)域，所述增透圖形與后續(xù)待形成的所述第二消影圖形對應(yīng)設(shè)置；
對所述消影材料膜層進行網(wǎng)印刻蝕以形成所述第一消影圖形和所述第二消影圖形，所述第一消影圖形覆蓋所述觸控單元所對應(yīng)的區(qū)域，所述第二消影圖形覆蓋所述功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控基板的制備方法，其特征在于，所述第二消影圖形包括：若干個彼此獨立的第二消影子圖形；
全部所述第二消影子圖形在所述功能孔區(qū)域內(nèi)均勻分布。
16.根據(jù)權(quán)利要求9-15中任一所述的觸控基板的制備方法，其特征在于，第二消影圖形的面積與所述功能孔區(qū)域的面積的比為：80％～90％。