本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種觸控基板及其制備方法、觸摸屏。

背景技術(shù)：

21世紀(jì)是一個(gè)快速發(fā)展的年代，電子產(chǎn)品的發(fā)展也是日新月異，各種電子產(chǎn)品也越來(lái)越多的添加觸控的元素，比如手機(jī)，Pad，Notebook等都開(kāi)始使用觸摸屏。目前市場(chǎng)上觸控產(chǎn)品在外觀上均進(jìn)行各種功能孔(例如攝像孔)設(shè)計(jì)，增加功能孔可增加產(chǎn)品附加值，且優(yōu)化客戶體驗(yàn)。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種觸控基板的俯視圖，圖2為圖1中A-A向的截面圖，如圖1和圖2所示，為實(shí)現(xiàn)觸控功能，需要依次在襯底基板的上方依次形成遮光圖形、觸控電極、第一絕緣層和信號(hào)走線(通過(guò)過(guò)孔與觸控電極)。為保證客戶樣品外觀需求和觸控基板消影效果，生產(chǎn)廠商往往會(huì)在形成觸控電極、第一絕緣層和信號(hào)走線之后，在第一絕緣層上形成一層消影層，以及在消影層上形成一層用于對(duì)消影層進(jìn)行保護(hù)的第二絕緣層，其中，消影層的材料一般為氮氧化硅(化學(xué)式SiNxOy)。基于上述工藝，現(xiàn)有觸控基板上的功能孔區(qū)域由襯底基板、第一絕緣層、消影層、第二絕緣層，共四層結(jié)構(gòu)層疊而成。

在現(xiàn)有技術(shù)中，由于功能孔區(qū)域處需要實(shí)現(xiàn)其他功能(例如攝像、拍照功能)，生產(chǎn)廠商對(duì)功能孔區(qū)域處的整體透光率和色度要求很高。雖然，由襯底基板、第一絕緣層、消影層、第二絕緣層四層膜層疊的結(jié)構(gòu)的整體透光率較高(89％～92％)，相對(duì)容易達(dá)到廠商對(duì)功能孔區(qū)域的整體透光率的要求(整體透光率大于90％)，但是，由于消影層的顏色呈淡黃色，使得整個(gè)功能孔區(qū)域偏黃，不符合廠商對(duì)功能孔區(qū)域的整體色度的要求。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中去除功能孔區(qū)域中的消影層時(shí)的截面示意圖，如圖3所述，與圖2所示觸控基板相比，圖3所示觸控基板的功能孔區(qū)域中的消影層和第二絕緣層被刻蝕掉，此時(shí)，功能孔區(qū)域由襯底基板、第一絕緣層，共兩層膜層疊而成。雖然，功能孔區(qū)域中的消影層的刻蝕，會(huì)使得功能孔區(qū)域的整體色度的滿足要求，然而在生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)，在對(duì)功能孔區(qū)域中消影層刻蝕時(shí)，受到工藝的限制，功能孔區(qū)域中始終會(huì)殘留消影材料，受到這些殘留的殘留消影材料的影響，會(huì)使得功能孔區(qū)域的整體透光率降低，此時(shí)功能孔區(qū)域的整體透光率為87％～90％，很難達(dá)到廠商對(duì)功能孔區(qū)域的整體透光率的要求。

為此，如何在保證功能孔區(qū)域的高透光率的同時(shí)，有效降低功能孔區(qū)域的色度，是本領(lǐng)域中亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種觸控基板及其制備方法、觸摸屏。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種觸控基板，包括：襯底基板，所述襯底基板上形成有遮光圖形，所述遮光圖形限定出觸控區(qū)域和功能孔區(qū)域；

在所述觸控區(qū)域內(nèi)，形成有位于所述襯底基板上方的觸控單元和位于觸控單元上方的第一消影圖形；

在所述功能孔區(qū)域內(nèi)，形成有位于所述襯底基板上方第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上方且覆蓋所述功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域的第二消影圖形、位于所述第二消影圖形的上方或下方且與所述第二消影圖形對(duì)應(yīng)設(shè)置的增透圖形；

所述第一消影圖形與所述第二消影圖形同層設(shè)置，所述增透圖形用于提升所述第二消影圖形所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光率。

可選地，所述觸控單元包括：位于所述襯底基板上方的若干個(gè)觸控電極；

所述增透圖形位于所述第二消影圖形的下方且與所述觸控電極同層設(shè)置。

可選地，所述觸控電極和所述增透圖形的材料為氧化銦錫。

可選地，所述觸控單元還包括：信號(hào)走線，所述信號(hào)走線與所述觸控電極通過(guò)過(guò)孔連接。

可選地，所述第一消影圖形的上方設(shè)置有第二絕緣層圖形；

所述增透圖形位于所述第二消影圖形的上方且與所述第二絕緣層圖形同層設(shè)置。

可選地，所述第二消影圖形包括：若干個(gè)彼此獨(dú)立的第二消影子圖形；

全部所述第二消影子圖形在所述功能孔區(qū)域內(nèi)均勻分布。

可選地，所述第二消影圖形的面積與所述功能孔區(qū)域的面積的比為：80％～90％。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種觸摸屏，包括上述的觸控基板。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種觸控基板的制備方法，包括：

在所述襯底基板的上方形成遮光圖形，所述遮光圖形限定出觸控區(qū)域和功能孔區(qū)域；

在所述襯底基板的上方且對(duì)應(yīng)所述觸控區(qū)域內(nèi)形成觸控單元，以及在所述襯底基板的上方且對(duì)應(yīng)所述功能孔區(qū)域的區(qū)域形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層的上方形成第一消影圖形和第二消影圖形，所述第一消影圖形與所述第二消影圖形同層設(shè)置，所述第一消影圖形覆蓋所述觸控單元所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述第二消影圖形覆蓋所述功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域；

形成增透圖形，所述增透圖形位于所述第二消影圖形的上方或下方且與所述第二消影圖形對(duì)應(yīng)設(shè)置，所述增透圖形用于提升所述第二消影圖形所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光率。

可選地，所述觸控單元包括：若干個(gè)觸控電極；

所述形成增透圖形的步驟與所述形成觸控單元的步驟同步進(jìn)行，形成增透圖形和形成觸控單元的步驟具體包括：

在所述襯底基板的上方形成透明導(dǎo)電材料膜層；

對(duì)所述透明導(dǎo)電材料膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形成所述觸控電極和所述增透圖形，所述觸控電極位于所述觸控區(qū)域內(nèi)，所述增透圖形位于所述功能孔區(qū)域內(nèi)且與后續(xù)待形成的所述第二消影圖形對(duì)應(yīng)設(shè)置。

可選地，所述觸控單元還包括：信號(hào)走線；

所述形成增透圖形和形成觸控單元的步驟還包括：

在所述觸控電極和所述增透圖形的上方形成第一絕緣層，所述第一絕緣層上對(duì)應(yīng)所述觸控電極的位置形成有過(guò)孔；

在所述第一絕緣層上的上方形成所述信號(hào)走線，所述信號(hào)走線通過(guò)對(duì)應(yīng)的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的所述觸控電極電連接。

可選地，所述透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫。

可選地，所述在所述第一絕緣層的上方形成第一消影圖形和第二消影圖形的步驟具體包括：

在所述第一絕緣層的上方形成消影材料膜層；

在所述消影材料膜層材料的上方形成第二絕緣材料膜層；

對(duì)所述第二絕緣材料膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形成第二絕緣層圖形，所述第二絕緣層圖形覆蓋所述觸控區(qū)域；

對(duì)所述消影材料膜層進(jìn)行網(wǎng)印刻蝕以形成所述第一消影圖形和所述第二消影圖形，所述第一消影圖形覆蓋所述觸控單元所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述第二消影圖形覆蓋所述功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域。

可選地，所述形成增透圖形的步驟位于所述形成第一消影圖形和第二消影圖形的步驟之前執(zhí)行，形成增透圖形、第一消影圖形和第二消影圖形的步驟具體包括：

在所述第一絕緣層的上方形成消影材料膜層；

在所述消影材料膜層材料的上方形成第二絕緣材料膜層；

對(duì)所述第二絕緣材料膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形成第二絕緣層圖形和所述增透圖形，所述第二絕緣層圖形覆蓋所述觸控區(qū)域，所述增透圖形與后續(xù)待形成的所述第二消影圖形對(duì)應(yīng)設(shè)置；

對(duì)所述消影材料膜層進(jìn)行網(wǎng)印刻蝕以形成所述第一消影圖形和所述第二消影圖形，所述第一消影圖形覆蓋所述觸控單元所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述第二消影圖形覆蓋所述功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域。

可選地，所述第二消影圖形包括：若干個(gè)彼此獨(dú)立的第二消影子圖形；

全部所述第二消影子圖形在所述功能孔區(qū)域內(nèi)均勻分布。

可選地，所述第二消影圖形的面積與所述功能孔區(qū)域的面積的比為：80％～90％。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供了一種觸控基板及其制備方法、觸摸屏，該觸控基板包括：襯底基板，襯底基板上形成有遮光圖形，遮光圖形限定出觸控區(qū)域和功能孔區(qū)域；在觸控區(qū)域內(nèi)，形成有位于襯底基板上方的觸控單元和位于觸控單元上方的第一消影圖形；在功能孔區(qū)域內(nèi)，形成有位于襯底基板上方第一絕緣層、位于第一絕緣層上方且覆蓋功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域的第二消影圖形、位于第二消影圖形的上方或下方且與第二消影圖形對(duì)應(yīng)設(shè)置的增透圖形。本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)在功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域設(shè)置消影圖形和增透圖形，以使得功能孔區(qū)域內(nèi)設(shè)置有消影圖形和增透圖形的區(qū)域具有相對(duì)較高的透光率和色度，而未設(shè)置有消影圖形和增透圖形的區(qū)域具有相對(duì)較低的透光率和色度，此時(shí)可使得功能孔區(qū)域的整體透光率相對(duì)較高且整體色度相對(duì)較低。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種觸控基板的俯視圖；

圖2為圖1中A-A向的截面圖；

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中去除功能孔區(qū)域中的消影層時(shí)的截面示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明提供的觸控基板中功能孔區(qū)域的俯視圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種觸控基板的制備方法的流程圖；

圖8為采用圖7所示制備方法制備的觸控基板的中間結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種觸控基板的制備方法的流程圖；

圖10為采用圖9所示制備方法制備的觸控基板的中間結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的一種觸控基板及其制備方法、觸摸屏進(jìn)行詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

圖4為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為本發(fā)明提供的觸控基板中功能孔區(qū)域的俯視圖，如圖4和圖5所示，該觸控基板包括：襯底基板1，襯底基板1上形成有遮光圖形2，遮光圖形2限定出觸控區(qū)域10和功能孔區(qū)域9。需要說(shuō)明的是，附圖中所示的一個(gè)觸控區(qū)域10和一個(gè)功能孔區(qū)域9的情況僅起到示意性作用作用，其不會(huì)對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案產(chǎn)生限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，可根據(jù)實(shí)際需要來(lái)對(duì)觸控區(qū)域10和功能孔區(qū)域9的形狀、數(shù)量、尺寸、位置進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，具體情況此處不再一一舉例說(shuō)明。

在觸控區(qū)域10內(nèi)，形成有位于襯底基板1上方的觸控單元和位于觸控單元上方的第一消影圖形71。其中，觸控單元一般包括：觸控電極3和信號(hào)走線6，信號(hào)走線6與觸控電極3通過(guò)過(guò)孔連接。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中的“觸控電極”是指用于實(shí)現(xiàn)觸控功能的電極，例如自電容式觸控電極、互電容式觸控電極，各類(lèi)型電極實(shí)現(xiàn)觸控的原理此處不進(jìn)行詳細(xì)描述。

在功能孔區(qū)域9內(nèi)，形成有位于襯底基板1上方第一絕緣層5、位于第一絕緣層5上方且覆蓋功能孔區(qū)域9內(nèi)部分區(qū)域的第二消影圖形72、位于第二消影圖形72的上方或下方且與第二消影圖形72對(duì)應(yīng)設(shè)置的增透圖形4。其中，第一消影圖形71與第二消影圖形72同層設(shè)置，增透圖形4用于提升第二消影圖形72所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的透光率。

在本實(shí)施例中，消影圖形的材料為氧化硅、氮氧化硅中的至少一種。

在本發(fā)明提供的觸控基板的功能孔區(qū)域9中，根據(jù)增透圖形4(第二消影圖形72)所處的位置，將該功能孔區(qū)域9被劃分為第一透光區(qū)域91和第二透光區(qū)域92，其中，未設(shè)置有增透圖形4和第二消影圖形72的區(qū)域?yàn)榈谝煌腹鈪^(qū)域91，設(shè)置有增透圖形4和第二消影圖形72的區(qū)域?yàn)榈诙腹鈪^(qū)域92。由此可見(jiàn)，第一透光區(qū)域91內(nèi)僅包含襯底基板1、第一絕緣層5共兩層結(jié)構(gòu)，第二透光區(qū)域92內(nèi)包含襯底基板1、第一絕緣層5、第二消影圖形72和增透圖形4共四層結(jié)構(gòu)。

由于第一透光區(qū)域91內(nèi)僅包含有襯底基板1、第一絕緣層5兩層結(jié)構(gòu)，因此其色度相對(duì)較低。然而，在實(shí)際制備第一效應(yīng)圖形和第二效應(yīng)圖形時(shí)，需要先整層沉積一層消影材料膜層，然后通過(guò)構(gòu)圖工藝將位于第一透光區(qū)域91的消影材料刻蝕掉。受到工藝的限制，第一透光區(qū)域91中始終會(huì)殘留一些消影材料，殘留于第一透光區(qū)域91中的消影材料會(huì)影響第一透光區(qū)域91的整體透光率，因此第一透光區(qū)域91的整體透光率(87％～90％)相對(duì)較低。由此可見(jiàn)，第一透光區(qū)域91的整體色度相對(duì)較低，整體透光率相對(duì)較低。

與第一透光區(qū)域91相比，由于第二透光區(qū)域92中除了包含襯底基板1、第一絕緣層5外，還包含第二消影圖形72和增透圖形4，第二消影圖形72和增透圖形4的設(shè)置會(huì)使得第二透光區(qū)域92的整體透光率(89％～92％)相對(duì)較高，但是其整體色度會(huì)相對(duì)較高(第二消音圖形72和增透圖形4均具有一定的顏色)。由此可見(jiàn)，第二透光區(qū)域92的整體色度相對(duì)較高，整體透光率相對(duì)較高。

在實(shí)際檢測(cè)中發(fā)現(xiàn)，由上述第一透光區(qū)域91和第二透光區(qū)域92所構(gòu)成的功能孔區(qū)域9，該功能孔區(qū)域9可呈現(xiàn)出較低的整體色度和較高的整體透光率。

本實(shí)施例中，可選地，第二消影圖形72的面積與功能孔區(qū)域9的面積的比為：80％～90％。在本實(shí)施例中，在功能孔區(qū)域9的面積一定的情況下，可根據(jù)廠商的實(shí)際需求來(lái)對(duì)第一透光區(qū)域91和第二透光區(qū)域92的面積進(jìn)行調(diào)整，例如，當(dāng)廠商對(duì)功能孔區(qū)域9的整體色度要求(低色度)相對(duì)較高時(shí)，則可使得第一透光區(qū)域91的面積相應(yīng)增大，第二透光區(qū)域92的面積相應(yīng)減小；當(dāng)廠商對(duì)功能孔區(qū)域9的整體透光率要求(高透光率)相對(duì)較高時(shí)，則可使得第二透光區(qū)域92的面積相應(yīng)增大，第一透光區(qū)域91的面積相應(yīng)減小。

本實(shí)施例中，優(yōu)選地，第二消影圖形72包括：若干個(gè)彼此獨(dú)立的第二消影子圖形，全部第二消影子圖形在功能孔區(qū)域9內(nèi)均勻分布。本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)將第二透光區(qū)域92在功能孔區(qū)域9內(nèi)均勻分布，可有效保證功能孔區(qū)域9內(nèi)各位置的色度、透光率的均勻性。

作為一種具體方案，參見(jiàn)圖4所示，增透圖形4位于第二消影圖形72的下方且與觸控電極3同層設(shè)置。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中的“同層設(shè)置”是指由同一個(gè)材料層形成的，可通過(guò)一次構(gòu)圖工藝得到，本發(fā)明中的“構(gòu)圖工藝”是指包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。由于本實(shí)施例中的增透圖形4可與觸控電極3通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，因此可基于現(xiàn)有的觸控基板的制程來(lái)形成增透圖形4。此外，可通過(guò)預(yù)先實(shí)驗(yàn)來(lái)對(duì)用于形成觸控電極3和增透圖形4的材料層的膜厚(1/4光波波長(zhǎng)的奇數(shù)倍)進(jìn)行設(shè)置，以使得圖案化后得到的增透圖形4具有增透功能的同時(shí)，其色度不會(huì)過(guò)高。

進(jìn)一步地，觸控電極3和增透圖形4的材料為氧化銦錫(化學(xué)式ITO)，氧化銦錫不但具有較優(yōu)的導(dǎo)電性，而且還具備高透光率和低色度的特性，從而保證第二透光區(qū)域92具備高透光率的同時(shí)，色度不會(huì)過(guò)高。

本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種觸控基板，該觸控基板包括：襯底基板，襯底基板上形成有遮光圖形，遮光圖形限定出觸控區(qū)域和功能孔區(qū)域；在觸控區(qū)域內(nèi)，形成有位于襯底基板上方的觸控單元和位于觸控單元上方的第一消影圖形；在功能孔區(qū)域內(nèi)，形成有位于襯底基板上方第一絕緣層、位于第一絕緣層上方且覆蓋功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域的第二消影圖形、位于第二消影圖形的上方或下方且與第二消影圖形對(duì)應(yīng)設(shè)置的增透圖形。本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)在功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域設(shè)置消影圖形和增透圖形，以使得功能孔區(qū)域內(nèi)設(shè)置有消影圖形和增透圖形的區(qū)域具有相對(duì)較高的透光率和色度，而未設(shè)置有消影圖形和增透圖形的區(qū)域具有相對(duì)較低的透光率和色度，此時(shí)可使得功能孔區(qū)域的整體透光率相對(duì)較高，整體色度相對(duì)較低。

實(shí)施例二

圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，圖6所示的觸控基板與圖4所示觸控基板的區(qū)別在于，第一消影圖形71的上方設(shè)置有第二絕緣層圖形8，增透圖形4位于第二消影圖形72的上方且與第二絕緣層圖形8同層設(shè)置。

需要說(shuō)明的是，第二絕緣層圖形8的材料一般為有機(jī)材料，因此在形成第二絕緣層圖形8和增透圖形4時(shí)，僅需利用掩膜版(Mask)對(duì)有機(jī)材料進(jìn)行曝光、顯影，即可完成構(gòu)圖。此外，可通過(guò)預(yù)先實(shí)驗(yàn)來(lái)對(duì)用于形成第二絕緣層圖形8和增透圖形4的材料層的膜厚(1/4光波波長(zhǎng)的奇數(shù)倍)進(jìn)行設(shè)置，以使得圖案化后得到的增透圖形4具有增透功能的同時(shí)，其色度不會(huì)過(guò)高。

本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種觸控基板，該觸控基板上的功能孔區(qū)域9的整體透光率相對(duì)較高且整體色度相對(duì)較低。

實(shí)施例三

圖7為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種觸控基板的制備方法的流程圖，圖8為采用圖7所示制備方法制備的觸控基板的中間結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7和圖8所示，該制備方法用于制備上述實(shí)施例一中的觸控基板，該制備方法包括：

步驟S101、在襯底基板的上方形成遮光圖形，遮光圖形限定出觸控區(qū)域和功能孔區(qū)域。

在步驟S101中，首先在襯底基板1上沉積一層遮光材料膜層，然后對(duì)遮光層材料進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以得到遮光圖形2，遮光圖形2限定出觸控區(qū)域10和功能孔區(qū)域9。圖中僅示例性畫(huà)出了一個(gè)觸控區(qū)域10和一個(gè)功能孔區(qū)域9。

步驟S102、在襯底基板的上方且對(duì)應(yīng)觸控區(qū)域內(nèi)形成觸控單元，以及在襯底基板的上方且對(duì)應(yīng)功能孔區(qū)域的區(qū)域形成第一絕緣層。

其中，觸控單元包括觸控電極3和信號(hào)走線6。步驟S102具體包括：

步驟S1021、在襯底基板的上方形成透明導(dǎo)電材料膜層。

可選地，透明導(dǎo)電材料膜層的材料為氧化銦錫。

步驟S1022、對(duì)透明導(dǎo)電材料膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形成觸控電極。

其中，觸控電極3位于觸控區(qū)域10內(nèi)。

步驟S1023、在觸控電極和增透圖形的上方形成第一絕緣層，第一絕緣層上對(duì)應(yīng)觸控電極的位置形成有過(guò)孔。

在步驟S1023中，可先沉積一層第一絕緣材料膜層，然后對(duì)第一絕緣層5材料膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成過(guò)孔，余下的第一絕緣材料即為第一絕緣層5。

步驟S1024、在第一絕緣層上的上方形成信號(hào)走線。

在步驟S1024中，首先在基板上沉積一層導(dǎo)電材料膜層(例如，金屬材料膜層)，然后對(duì)導(dǎo)電材料膜層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成信號(hào)走線6，信號(hào)走線6通過(guò)對(duì)應(yīng)的過(guò)孔與對(duì)應(yīng)的觸控電極3電連接。

步驟S103、在功能孔區(qū)域內(nèi)預(yù)設(shè)位置形成增透圖形。

需要說(shuō)明的是，步驟S103可與上述步驟S1022同步執(zhí)行。即對(duì)透明導(dǎo)電材料膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以同時(shí)形成觸控電極3和增透圖形4，觸控電極3位于觸控區(qū)域10內(nèi)，增透圖形4位于功能孔區(qū)域9內(nèi)的預(yù)設(shè)位置以覆蓋功能孔區(qū)域9內(nèi)部分區(qū)域。增透圖形4用于提升該預(yù)設(shè)位置的透光率。

由于增透圖形4的制備步驟可融入現(xiàn)有的觸控基板制程中，因而無(wú)需對(duì)現(xiàn)有的觸控基板制程進(jìn)行改變。

步驟S104、在第一絕緣層的上方形成第一消影圖形和第二消影圖形。

可選地，步驟S104包括：

步驟S1041、在第一絕緣層的上方形成消影材料膜層。

可選地，消影材料為氧化硅、氮氧化硅中的至少一種。

步驟S1042、在消影材料膜層材料的上方形成第二絕緣材料膜層。

步驟S1043、對(duì)第二絕緣材料膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形成第二絕緣層圖形，第二絕緣層圖形覆蓋觸控區(qū)域。

通過(guò)步驟S1043可將位于功能孔區(qū)域9內(nèi)的全部第二絕緣材料去除，剩余的第二絕緣材料構(gòu)成第二絕緣層圖形8。此時(shí)，位于功能孔區(qū)域9內(nèi)的消影材料暴露出來(lái)。

需要說(shuō)明的是，上述步驟S101～步驟S103以及步驟S1041～步驟S1043均是在大尺寸襯底基板上進(jìn)行的。在步驟S1043結(jié)束后，對(duì)整個(gè)大尺寸基板進(jìn)行切割、裂片處理(未給出相應(yīng)附圖)，形成若干個(gè)小尺寸基板，并在各小尺寸基板上執(zhí)行下述步驟S1044。

步驟S1044、對(duì)消影材料膜層進(jìn)行網(wǎng)印刻蝕以形成第一消影圖形和第二消影圖形，第一消影圖形覆蓋觸控單元所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，第二消影圖形覆蓋功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域。

在步驟S1044中，采用網(wǎng)印刻蝕工藝(網(wǎng)印刻蝕工藝不適用于大尺寸基板的刻蝕)對(duì)各小尺寸基板上的消影材料進(jìn)行構(gòu)圖，以同時(shí)得到第一消影圖形71與第二消影圖形72。其中，第一消影圖形71覆蓋觸控單元所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，第二消影圖形72與增透圖形4對(duì)應(yīng)設(shè)置，以覆蓋功能孔區(qū)域9內(nèi)部分區(qū)域。

需要說(shuō)明的是，在對(duì)功能孔區(qū)域9中部分區(qū)域的消影材料膜層7進(jìn)行網(wǎng)印刻蝕時(shí)，受到工藝的限制，被刻蝕區(qū)域中始終會(huì)殘留一些消影材料。

此外，上述先對(duì)第二絕緣材料膜層進(jìn)行構(gòu)圖，再對(duì)大尺寸基板進(jìn)行裂片，最后在小尺寸基板上采用網(wǎng)印刻蝕工藝對(duì)消影材料膜層7進(jìn)行刻蝕的情況，為本實(shí)施例中的優(yōu)選方案，其不會(huì)對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案產(chǎn)生限制?？紤]到本發(fā)明的技術(shù)方案對(duì)第二消影圖形72的位置精準(zhǔn)度要求(第二消影圖形72與增透圖形4精準(zhǔn)對(duì)位)較高，同時(shí)相較于曝光刻蝕，網(wǎng)印刻蝕具備更高精度，因此本發(fā)明中選用網(wǎng)印刻蝕工藝來(lái)對(duì)消影材料膜層7進(jìn)行構(gòu)圖，以保證第二消影圖形72與增透圖形4精準(zhǔn)對(duì)位。

當(dāng)然，本實(shí)施例中也可先大尺寸基板上采用曝光刻蝕工藝來(lái)對(duì)消影材料膜層7進(jìn)行構(gòu)圖，以形成第一消影圖形71與第二消影圖形72，然后在第一消影圖形71與第二消影圖形72的上方形成一層第二絕緣材料膜層，并將位于功能孔區(qū)域9內(nèi)的第二絕緣材料去除，最后再進(jìn)行切割、裂片處理，此種情況未給出相應(yīng)的附圖。

優(yōu)選地，第二消影圖形72包括：若干個(gè)彼此獨(dú)立的第二消影子圖形，全部第二消影子圖形在功能孔區(qū)域9內(nèi)均勻分布，從而可保證功能孔區(qū)域9內(nèi)各位置的色度、透光率的均勻性。

可選地，第二消影圖形72的面積與功能孔區(qū)域9的面積的比為：80％～90％。

本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)在功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域設(shè)置消影圖形和增透圖形，以使得功能孔區(qū)域內(nèi)設(shè)置有消影圖形和增透圖形的區(qū)域具有相對(duì)較高的透光率和色度，而未設(shè)置有消影圖形和增透圖形的區(qū)域具有相對(duì)較低的透光率和高色度，此時(shí)可使得功能孔區(qū)域的整體透光率相對(duì)較高，整體色度相對(duì)較低。

實(shí)施例四

圖9為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種觸控基板的制備方法的流程圖，圖10為采用圖9所示制備方法制備的觸控基板的中間結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9和圖10所示，該制備方法用于制備上述實(shí)施例二中的觸控基板，該制備方法包括：

步驟S201、在襯底基板的上方形成遮光圖形，遮光圖形限定出觸控區(qū)域和功能孔區(qū)域。

步驟S202、在襯底基板1的上方且對(duì)應(yīng)觸控區(qū)域10內(nèi)形成觸控單元，以及在襯底基板1的上方且對(duì)應(yīng)功能孔區(qū)域9的區(qū)域形成第一絕緣層5。

其中，步驟S202包括：

步驟S2021、在襯底基板的上方形成透明導(dǎo)電材料膜層。

步驟S2022、對(duì)透明導(dǎo)電材料膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形成觸控電極。

在步驟S2022中，位于功能孔區(qū)域9中的透明導(dǎo)電材料被全部刻蝕。

步驟S2023、在觸控電極和增透圖形的上方形成第一絕緣層，第一絕緣層上對(duì)應(yīng)觸控電極的位置形成有過(guò)孔。

步驟S2024、在第一絕緣層上的上方形成信號(hào)走線。

通過(guò)上述步驟S201、步驟S2021～步驟S2024可在襯底基板1的上方形成遮光圖形2、像素電極、第一絕緣層5、信號(hào)走線6，對(duì)于上述各步驟的具體描述，可參見(jiàn)實(shí)施例一中相應(yīng)內(nèi)容，此處不再贅述。

步驟S203、在第一絕緣層的上方形成消影材料膜層。

步驟S204、在消影材料膜層材料的上方形成第二絕緣材料膜層。

步驟S205、對(duì)第二絕緣材料膜層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形成第二絕緣層圖形和增透圖形。

其中，第二絕緣層圖形8覆蓋觸控區(qū)域10，增透圖形4覆蓋功能孔區(qū)域9內(nèi)的預(yù)設(shè)位置，以覆蓋功能孔區(qū)域9內(nèi)部分區(qū)域。

需要說(shuō)明的是，上述步驟S201～步驟S205均是在大尺寸襯底基板1上進(jìn)行的。在步驟S205結(jié)束后，對(duì)整個(gè)大尺寸基板進(jìn)行切割、裂片處理(未給出相應(yīng)附圖)，形成若干個(gè)小尺寸基板，并在各小尺寸基板上執(zhí)行下述步驟S206。

步驟S206、對(duì)消影材料膜層進(jìn)行網(wǎng)印刻蝕以形成第一消影圖形和第二消影圖形。

其中，第一消影圖形71覆蓋觸控單元所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，第二消影圖形72與增透圖形4對(duì)應(yīng)，覆蓋功能孔區(qū)域9內(nèi)部分區(qū)域。

本實(shí)施例中采用網(wǎng)印刻蝕工藝來(lái)形成第二消影圖形72，可有效保證第二消影圖形72與增透圖形4精準(zhǔn)對(duì)位。

當(dāng)然，本實(shí)施例中也可先在大尺寸基板上對(duì)消影材料膜層7進(jìn)行曝光刻蝕工藝以形成第一消影圖形71和第二消影圖形72，然后在大尺寸基板上沉積一層第二絕緣材料膜層，并將位于功能孔區(qū)域9內(nèi)且未設(shè)置第二消影圖形72的區(qū)域的第二絕緣材料去除，位于第二消影圖形72正上方的第二絕緣材料得到保留以構(gòu)成增透圖形4，最后再進(jìn)行切割、裂片處理，此種情況未給出相應(yīng)的附圖。

優(yōu)選地，第二消影圖形72包括：若干個(gè)彼此獨(dú)立的第二消影子圖形，全部第二消影子圖形在功能孔區(qū)域9內(nèi)均勻分布，從而可保證功能孔區(qū)域9內(nèi)各位置的色度、透光率的均勻性。

可選地，第二消影圖形72的面積與功能孔區(qū)域9的面積的比為：80％～90％。

本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)在功能孔區(qū)域內(nèi)部分區(qū)域設(shè)置消影圖形和增透圖形，以使得功能孔區(qū)域內(nèi)設(shè)置有消影圖形和增透圖形的區(qū)域具有相對(duì)較高的透光率和色度，而未設(shè)置有消影圖形和增透圖形的區(qū)域具有相對(duì)較低的透光率和高色度，此時(shí)可使得功能孔區(qū)域的整體透光率相對(duì)較高，整體色度相對(duì)較低。

實(shí)施例五

本發(fā)明實(shí)施例五提供了一種觸摸屏，包括：觸控基板，該觸控基板為全貼合式(One Glass Solution，簡(jiǎn)稱OGS)觸控基板，該觸控基板采用上述實(shí)施例一或?qū)嵤├刑峁┑挠|控基板，具體內(nèi)容可參見(jiàn)上述實(shí)施例一和實(shí)施例二的內(nèi)容，此處不再贅述。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。