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一種適用于低電源電壓域的上電復(fù)位電路的制作方法

文檔序號:12004541閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種適用于低電源電壓域的上電復(fù)位電路,包括電源電壓檢測電路、施密特觸發(fā)器和延時(shí)整形電路,其中,電源電壓檢測電路由電阻、電容和NMOS晶體管構(gòu)成,其特征在于,電阻一端接電源電壓VDD,電阻另一端接NMOS晶體管的漏端, NMOS晶體管的柵端接電源電壓VDD,其漏端接施密特觸發(fā)器,其源端接地;電容一端接NMOS晶體管的漏端,電容另一端接地;施密特觸發(fā)器的輸入端接NMOS晶體管的漏端,其輸出端接延時(shí)整形電路的輸入,延時(shí)整形電路輸出上電復(fù)位信號。

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