一種gip電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平面顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(ActiveMatrix Organic Light Emitting D1de，簡(jiǎn)稱(chēng)AMOLED)顯示是一種應(yīng)用于電視和移動(dòng)設(shè)備中的顯示技術(shù)，以其低功耗、低成本、大尺寸的特點(diǎn)在對(duì)功耗敏感的便攜式電子設(shè)備中有著廣闊的應(yīng)用前景。
[0003]目前，為了降低AMOLED的制造成本并借以實(shí)現(xiàn)窄邊框的目的，AMOLED在制造過(guò)程中通常采用GIP(gate in panel，門(mén)面板)技術(shù)，直接將柵極驅(qū)動(dòng)電路集成于有機(jī)發(fā)光顯示面板上。有機(jī)發(fā)光顯示面板通常包括顯示圖像的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路一般設(shè)置于非顯示區(qū)域中。
[0004]圖1為AMOLED顯示器的顯示原理圖。如圖1所示，AMOLED的圖像顯示，除外界提供的ELVDD和ELVSS兩個(gè)主電源外，還需驅(qū)動(dòng)芯片1能夠向GIP電路2提供穩(wěn)定的GIP信號(hào)和穩(wěn)定的GIP電源電壓，所述GIP電源電壓例如是VGH(GIP電路的高電源電壓)和VGL(GIP電路的低電源電壓)，GIP電路主要用于產(chǎn)生控制像素電路3中晶體管開(kāi)關(guān)的控制信號(hào)。
[0005]相較于IXD(liquid crystal display，液晶顯示器)顯示技術(shù)，AMOLED驅(qū)動(dòng)電路對(duì)GIP電源電壓的要求更加嚴(yán)苛，尤其是對(duì)于GIP電路的高電源電壓要求非常高，當(dāng)其電平值由于外部環(huán)境的影響而出現(xiàn)向下波動(dòng)時(shí)，可造成GIP電路2或像素電路3的誤動(dòng)作，最終影響AMOLED數(shù)據(jù)信號(hào)的正常傳輸和寫(xiě)入像素，使顯示畫(huà)面出現(xiàn)不同程度的畫(huà)面閃爍、波動(dòng)或其他畫(huà)面異常現(xiàn)象。
[0006]實(shí)驗(yàn)也發(fā)現(xiàn)，由于外界干擾、顯示畫(huà)面不同、屏體溫度變化等原因，使VGH被不同程度的拉低時(shí)，GIP電路將可能出現(xiàn)不按照設(shè)計(jì)值動(dòng)作，造成顯示畫(huà)面質(zhì)量嚴(yán)重下降的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路，對(duì)來(lái)自驅(qū)動(dòng)芯片的高電源電壓VGH進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和校正，保證高電源電壓VGH時(shí)刻保持在合理的設(shè)計(jì)值內(nèi)，從而提高AMOLED顯示屏體的畫(huà)面顯示質(zhì)量。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路，設(shè)置于AMOLED顯示面板上，所述AMOLED顯示面板上還設(shè)置有驅(qū)動(dòng)芯片、GIP電路以及像素電路，所述GIP電路與像素電路中均設(shè)置有TFT，其特征在于，所述GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路包括信號(hào)發(fā)生模塊、信號(hào)采樣模塊、邏輯判斷模塊、信號(hào)處理模塊以及高電源電壓調(diào)整模塊，其中，
[0009]所述信號(hào)發(fā)生模塊，用于在低電源電壓VGL保持恒定且高電源電壓VGH逐步降低的情況下，針對(duì)所對(duì)應(yīng)的GIP電路和像素電路進(jìn)行模擬，確認(rèn)GIP電路或像素電路中最先進(jìn)入可變電阻區(qū)的目標(biāo)TFT ;
[0010]所述信號(hào)采樣模塊，用于采集所述目標(biāo)TFT的柵極電壓、源極電壓以及漏極電壓；
[0011]所述邏輯判斷模塊，用于根據(jù)所述信號(hào)采樣模塊采集的柵極電壓、源極電壓以及漏極電壓判定所述目標(biāo)TFT是否工作在飽和區(qū)；
[0012]所述信號(hào)處理模塊，用于根據(jù)所述目標(biāo)TFT是否工作在飽和區(qū)確定是否需要對(duì)高電源電壓VGH進(jìn)行調(diào)整；在飽和區(qū)則無(wú)需調(diào)整高電源電壓VGH，在非飽和區(qū)則需要調(diào)整高電源電壓VGH ；
[0013]所述高電源電壓調(diào)整模塊用于調(diào)整所述高電源電壓VGH。
[0014]可選的，在所述信號(hào)發(fā)生模塊處輸入GIP電路的高電源電壓VGH和低電源電壓VGL，在所述邏輯判斷模塊處輸入略低于目標(biāo)TFT正常閾值電壓的電壓常數(shù)VT。
[0015]可選的，所述信號(hào)發(fā)生模塊由晶體管組成，其結(jié)構(gòu)由具體的GIP電路和像素電路決定。
[0016]可選的，所述信號(hào)采樣模塊分為三個(gè)通道，各通道分別對(duì)應(yīng)柵極電壓VG、源極電壓VS和漏極電壓VD，每個(gè)通道分別由一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管和一個(gè)穩(wěn)壓電容組成。
[0017]可選的，所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極輸入一外部時(shí)鐘信號(hào)CLK。
[0018]可選的，所述外部時(shí)鐘信號(hào)CLK可由驅(qū)動(dòng)芯片單獨(dú)提供，也可采用GIP電路的某個(gè)輸入時(shí)鐘信號(hào)。
[0019]可選的，所述每個(gè)通道的穩(wěn)壓電容的一端相連接，并接地。
[0020]可選的，所述邏輯判斷模塊的判定依據(jù)為:
[0021](1)若VGS>VT，則說(shuō)明目標(biāo)TFT已工作在非飽和區(qū)；
[0022](2)若VGS ( VT，則進(jìn)一步判斷來(lái)自信號(hào)采樣模塊的電壓是否滿(mǎn)足VDS ( VGS-VT，若滿(mǎn)足，則說(shuō)明目標(biāo)TFT已工作在飽和區(qū)；
[0023]其中，VGS代表目標(biāo)TFT柵極和源極電壓差，VDS代表目標(biāo)TFT漏極和源極電壓差。
[0024]可選的，若滿(mǎn)足(2)，則高電源電壓VGH正常，所述高電源電壓調(diào)整模塊無(wú)需對(duì)高電源電壓VGH進(jìn)行調(diào)整；若滿(mǎn)足(1)，則高電源電壓VGH偏低，所述高電源電壓調(diào)整模塊提升高電源電壓VGH。
[0025]可選的，所述信號(hào)發(fā)生模塊與信號(hào)采樣模塊設(shè)置于AMOLED屏體內(nèi)部，所述邏輯判斷模塊、信號(hào)處理模塊以及VGH電壓調(diào)整模塊集成在驅(qū)動(dòng)芯片內(nèi)部。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路，包括信號(hào)發(fā)生模塊、信號(hào)采樣模塊、邏輯判斷模塊、信號(hào)處理模塊以及高電源電壓調(diào)整模塊，通過(guò)信號(hào)發(fā)生模塊確定目標(biāo)TFT，信號(hào)采樣模塊采集目標(biāo)TFT的柵極電壓、源極電壓及漏極電壓，邏輯判斷模塊根據(jù)采集的電壓判定目標(biāo)TFT是否工作在飽和區(qū)，信號(hào)處理模塊確定是否需要對(duì)高電源電壓進(jìn)行調(diào)整，然后通過(guò)高電源電壓調(diào)整模塊對(duì)高電源電壓進(jìn)行調(diào)整，實(shí)現(xiàn)對(duì)高電源電壓的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和校正，保證高電源電壓時(shí)刻保持在合理的設(shè)計(jì)值內(nèi)，減小了畫(huà)面閃爍、波動(dòng)等畫(huà)面異常現(xiàn)象，從而提高AMOLED顯示屏體的畫(huà)面顯示質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中AMOLED顯示器的顯示原理圖；
[0028]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的信號(hào)發(fā)生模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的信號(hào)采樣模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容做進(jìn)一步說(shuō)明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0032]其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的表述，在詳述本發(fā)明實(shí)例時(shí)，為了便于說(shuō)明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)對(duì)此作為本發(fā)明的限定。
[0033]本發(fā)明的核心思想在于，通過(guò)信號(hào)發(fā)生模塊確定目標(biāo)TFT，信號(hào)采樣模塊采集目標(biāo)TFT的柵極電壓、源極電壓及漏極電壓，邏輯判斷模塊根據(jù)采集的電壓判定目標(biāo)TFT是否工作在飽和區(qū)，信號(hào)處理模塊確定是否需要對(duì)高電源電壓進(jìn)行調(diào)整，然后通過(guò)高電源電壓調(diào)整模塊對(duì)高電源電壓進(jìn)行調(diào)整，實(shí)現(xiàn)對(duì)高電源電壓的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和校正，保證高電源電壓時(shí)刻保持在合理的設(shè)計(jì)值內(nèi)，減小了畫(huà)面閃爍、波動(dòng)等畫(huà)面異?，F(xiàn)象，從而提高AMOLED顯示屏體的畫(huà)面顯示質(zhì)量。
[0034]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本實(shí)施例提出的GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路，包括信號(hào)發(fā)生模塊10、信號(hào)采樣模塊20、邏輯判斷模塊30、信號(hào)處理模塊40以及高電源電壓調(diào)整模塊50。GIP電路高電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)調(diào)整電路設(shè)置于AMOLED顯示面板上，所述AMOLED顯示面板上還設(shè)置有位于非顯示區(qū)的驅(qū)動(dòng)芯片和GIP電路以及位于顯示區(qū)的像素電路，所述GIP電路與像素電路中均設(shè)置有TFT。
[0035]所述信號(hào)發(fā)生模塊10，用于在GIP電路的低電源電壓VGL保持恒定，且GIP電路的高電源電壓VGH逐步降低的情況下，針對(duì)所對(duì)應(yīng)的GIP電路和像素電路進(jìn)行模擬，確認(rèn)GIP電路或像素電路中最先進(jìn)入可變電阻區(qū)的目標(biāo)TFT。所述信號(hào)采樣模塊20，用于采集所述目標(biāo)TFT的柵極電壓、源極電壓以及漏極電壓。所述邏輯判斷模塊30，用于根據(jù)所述信號(hào)采樣模塊20采集的柵極電壓、源極電壓以及漏極電壓判定所述目標(biāo)TFT是否工作在飽和區(qū)。所述信號(hào)處理模塊40，用于根據(jù)所述目標(biāo)TFT是否工作在飽和區(qū)確定是否需要對(duì)高電源電壓進(jìn)行調(diào)整；在飽和區(qū)則無(wú)需調(diào)整高電源電壓，在非飽和區(qū)則需要調(diào)整高電源電壓。所述高電源電壓調(diào)整模塊50，用于調(diào)整所述高電源電壓VGH。
[0036]本實(shí)施例中，在所述信號(hào)發(fā)生模塊10處輸入GIP電路的高電源電壓VGH和低電源電壓VGL，在所述邏輯判斷模塊30處輸入略低于目標(biāo)TFT正常閾值電壓的電壓常數(shù)VT。
[0037]所述信號(hào)發(fā)生模塊10由晶體管組成，其結(jié)構(gòu)由具體的GIP電路和像素電路決定。如最簡(jiǎn)單的情況下，若模擬時(shí)發(fā)現(xiàn)只有像素電路中的TFT的漏極連接ELVDD (AMOLED正電源電壓)、源極接VDATA