本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中的存儲器裝置。

背景技術(shù)：

存儲器對于大多數(shù)現(xiàn)代電子裝備(例如計算機、個人數(shù)字助理、蜂窩式電話及數(shù)碼相機)來說是不可或缺的。存儲器裝置廣泛用于留存計算機程序或視頻/音頻數(shù)據(jù)。此外，許多應(yīng)用需要將數(shù)據(jù)存儲于非易失性媒體中以便滿足便攜性的目標(biāo)。非易失性存儲器裝置的一實例是快閃存儲器，快閃存儲器能夠在電力被關(guān)斷時留存數(shù)據(jù)?？扉W存儲器由于其輕重量、優(yōu)越記錄密度、小外觀尺寸及縮減的成本而比常規(guī)光盤或磁性類型的記錄媒體更具競爭力?？扉W存儲器在敏感數(shù)據(jù)存取領(lǐng)域(例如個人身份證、醫(yī)?？?、信用卡及電子錢包)中具有許多應(yīng)用，且已廣泛取代常規(guī)紙質(zhì)卡或磁卡。然而，在電子卡的數(shù)據(jù)保護方面仍存在擔(dān)憂。因此，加強用于此類非易失性存儲器的安全措施可為合意的。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一實施例提供一種存儲器裝置，其包括：

存儲器陣列；

第一置亂電路，其經(jīng)配置以響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)而以第一置亂模式提供第一經(jīng)置亂數(shù)據(jù)；及

第二置亂電路，其經(jīng)配置以響應(yīng)于所述第一經(jīng)置亂數(shù)據(jù)而以第二置亂模式提供第二經(jīng)置亂數(shù)據(jù)。

附圖說明

當(dāng)與附圖一起閱讀時，從以下詳細說明最佳地理解本揭露的各方面。應(yīng)注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各種構(gòu)件未按比例繪制。實際上，為論述清晰起見，可任意地增加或減小各種構(gòu)件的尺寸。

圖1是根據(jù)一些實施例的存儲器裝置的示意圖。

圖2A是根據(jù)一些實施例的圖1中的存儲器裝置的寫入置亂電路的示意圖。

圖2B是根據(jù)一些實施例的圖1中的存儲器裝置的讀取置亂電路的示意圖。

圖3是根據(jù)一些實施例的存儲器陣列的示意圖。

圖4是根據(jù)一些實施例的存儲器裝置的寫入操作的流程圖。

圖5是根據(jù)一些實施例的存儲器陣列的讀取操作的流程圖。

圖6是根據(jù)一些實施例的存儲器陣列的寫入操作的流程圖。

具體實施方式

以下揭露內(nèi)容提供用于實施所提供標(biāo)的物的不同構(gòu)件的許多不同實施例或?qū)嵗?。下文描述組件及布置的特定實例以簡化本揭露。當(dāng)然，這些組件及布置僅為實例且不打算為限制性的。舉例來說，在以下說明中在第二構(gòu)件上方或在其上形成第一構(gòu)件可包含其中以直接接觸方式形成第一構(gòu)件及第二構(gòu)件的實施例，且還可包含其中可在第一構(gòu)件與第二構(gòu)件之間形成額外構(gòu)件使得第一構(gòu)件與第二構(gòu)件可不直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各種實例中重復(fù)參考編號及/或字母。此重復(fù)是出于簡化及清晰的目的且自身不指示所論述的各種實施例及/或配置之間的關(guān)系。

此外，為易于說明，本文中可使用空間相對術(shù)語(例如“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”等等)來描述一個元件或構(gòu)件與另一(些)元件或構(gòu)件的關(guān)系，如各圖中所圖解說明。除各圖中所描繪的定向外，所述空間相對術(shù)語還打算涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設(shè)備可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它定向)，且可同樣相應(yīng)地解釋本文中所使用的空間相對描述符。

圖1是根據(jù)一些實施例的存儲器裝置100的示意圖。存儲器裝置100包含一或多個存儲器陣列，其中出于圖解說明目的而展示示范性存儲器陣列102。另外，存儲器裝置100包含地址解碼器112、字線(WL)驅(qū)動器114、多個寫入驅(qū)動器(WD)116、多個讀出放大器(SA)122、多個讀取多路復(fù)用器(MUX)120、數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130、地址模式產(chǎn)生電路132、寫入置亂電路124、讀取置亂電路126及地址置亂電路134。

存儲器陣列102包含布置成若干行及若干列的多個存儲器單元(未單獨展示)，其中每一行及每一列分別對應(yīng)于字線及位線。每一存儲器單元是通過其相應(yīng)字線及位線來尋址及存取。存取操作可指將數(shù)據(jù)寫入到存儲器陣列102中的寫入操作或指從存儲器陣列102讀取數(shù)據(jù)的讀取操作。另外，存儲器陣列102被分割成多個數(shù)據(jù)輸入/輸出群組DIG[1]到DIG[N]，每一數(shù)據(jù)輸入/輸出群組對應(yīng)于相應(yīng)寫入驅(qū)動器116，其中N是自然數(shù)。在操作期間，存儲器陣列102中的數(shù)據(jù)塊DIO是以存儲于存儲器群組DIG[1]到DIG[N]中的對應(yīng)一者的一個單元中的每一構(gòu)成位DIO[i]來存取，i是介于1與N之間的自然數(shù)。

地址解碼器112經(jīng)配置以響應(yīng)于來自地址置亂電路134或外部控制器(例如，存儲器控制器)的邏輯地址信號而提供物理字線地址信號。經(jīng)解碼字線地址由k個位表示，其中m個位用于通過字線驅(qū)動器114選擇字線中的對應(yīng)一者，且其余p(＝k-m)個位用于通過寫入驅(qū)動器116或讀取多路復(fù)用器120選擇存儲器陣列102中的位線中的對應(yīng)一者。字線驅(qū)動器114從地址解碼器112接收經(jīng)解碼字線地址，且經(jīng)配置而以一驅(qū)動電壓驅(qū)動與存儲器陣列102的一行相關(guān)聯(lián)的選定字線以啟用寫入或讀取操作。另外，字線驅(qū)動器114可包含經(jīng)配置以啟用或停用選定字線的晶體管。并且，字線驅(qū)動器114的每一行負責(zé)驅(qū)動同一行上的存儲器單元，且字線驅(qū)動器114的驅(qū)動能力確定一行中的存儲器單元的數(shù)目。

寫入驅(qū)動器116通過寫入置亂電路124接收串行輸入數(shù)據(jù)DIN。每一寫入驅(qū)動器116包括輸入端口及輸出端口以及由來自地址解碼器112的地址信號控制的p個位線。在一寫入循環(huán)內(nèi)的寫入操作期間，寫入具有長度N(等于寫入驅(qū)動器116的數(shù)目)的數(shù)據(jù)塊DIB(展示于圖2A中)。N個寫入驅(qū)動器116中的每一者在一寫入循環(huán)期間接收一位數(shù)據(jù)，且經(jīng)配置以啟用p個位線中的由地址解碼器112選擇的一個位線。接著，每一寫入驅(qū)動器116借助位線程序或擦除電壓將所接收一位數(shù)據(jù)寫入到對應(yīng)存儲器單元中。另外的p-1個未選定位線由寫入驅(qū)動器116停用以確保恰當(dāng)寫入操作。

多個讀取多路復(fù)用器120放置于存儲器陣列102與讀出放大器122之間。每一讀取多路復(fù)用器120經(jīng)配置以響應(yīng)于由地址解碼器112提供的經(jīng)解碼地址而選擇p個位線中的一者。類似于寫入操作，N個位的數(shù)據(jù)在讀取操作期間由對應(yīng)讀取多路復(fù)用器120讀取。即使所接收數(shù)據(jù)位尚未被讀出放大器122檢測，但經(jīng)讀出數(shù)據(jù)仍被提供到所述讀出放大器。

讀出放大器122接收讀取多路復(fù)用器120的輸出，且經(jīng)配置以檢測從存儲器單元讀取的數(shù)據(jù)的邏輯狀態(tài)。在操作中，將預(yù)定電壓施加到存儲器單元的控制柵極。隨后，相應(yīng)地產(chǎn)生對控制柵極處的電壓改變做出響應(yīng)的電流。為了檢測邏輯狀態(tài)，讀出放大器122經(jīng)配置以測量所述電流且接著將所測量電流與預(yù)定參考電流進行比較。當(dāng)所測量電流大于參考電流時，確定獲取到邏輯高數(shù)據(jù)。這意味著所檢測存儲器單元存儲邏輯高數(shù)據(jù)。另一方面，當(dāng)所測量電流小于參考電流時，讀出放大器122輸出邏輯低數(shù)據(jù)。

在一些實施例中，讀出放大器122經(jīng)配置以通過電壓比較而檢測數(shù)據(jù)位。在所述情形中，通過感測對存儲器單元的控制柵極處的電壓改變做出響應(yīng)的所感測電壓與預(yù)定參考電壓之間的電壓差而檢測每一位。

數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130經(jīng)配置以響應(yīng)于數(shù)據(jù)置亂配置Config_D而產(chǎn)生置亂模式。另外，數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130經(jīng)配置以提供由相應(yīng)數(shù)據(jù)置亂配置控制的多個置亂模式。數(shù)據(jù)置亂配置可包括用于進行置亂的置亂碼及(任選地)數(shù)據(jù)塊索引。例如，用于寫入操作的寫入置亂配置Sel_IN可包括對應(yīng)于寫入置亂模式的寫入置亂碼及待寫入的輸入數(shù)據(jù)DIN的一或多個塊索引。類似地，用于讀取操作的讀取置亂配置Sel_OUT可包括對應(yīng)于讀取置亂模式的讀取置亂碼及待讀出的存儲器數(shù)據(jù)DIO的一或多個塊索引。

在一實施例中，數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130包含用于原始數(shù)據(jù)與經(jīng)置亂數(shù)據(jù)之間的映射的含有查找表的置亂模式。在另一實施例中，數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130可由反饋電路中的線性反饋移位寄存器實施。線性反饋移位寄存器經(jīng)配置以串行地提供經(jīng)置亂輸出，使得根據(jù)反饋電路的配置確定置亂模式。如此，通過選擇對應(yīng)于反饋電路的連接到線性反饋移位寄存器的相應(yīng)位的選定分接頭的不同產(chǎn)生器多項式，確定置亂模式。

在一實施例中，數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130由讀取/寫入切換器131通過選擇控制SW來控制，且經(jīng)配置以分別響應(yīng)于相關(guān)聯(lián)讀取或?qū)懭胫脕y配置而產(chǎn)生讀取或?qū)懭胫脕y模式。由于讀取操作與寫入操作是在不同時間執(zhí)行，因此數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130可用于兩種操作。

地址模式產(chǎn)生電路132經(jīng)配置以響應(yīng)于地址置亂配置Config_A而產(chǎn)生用于地址信號的置亂模式。地址模式產(chǎn)生電路132在結(jié)構(gòu)上類似于數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130且以相同方式起作用。在一實施例中，地址模式產(chǎn)生電路132包含用于原始地址信號與經(jīng)置亂地址之間的映射的含有查找表的置亂模式。在另一實施例中，地址模式產(chǎn)生電路132可由反饋電路中的線性反饋移位寄存器實施。另外，地址模式產(chǎn)生電路132經(jīng)配置以提供由相應(yīng)地址置亂配置控制的多個置亂模式。用于寫入或讀取操作的地址置亂配置可包括用于進行置亂的置亂碼及例如地址范圍等任選信息。

寫入置亂電路124經(jīng)配置以響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)DIN而在塊基礎(chǔ)上提供用于存儲器陣列102的存儲器數(shù)據(jù)DIO。數(shù)據(jù)塊的大小N被設(shè)定為寫入置亂電路124的置亂大小。此外，寫入置亂電路124是以由數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130確定的置亂模式配置。類似地，讀取置亂電路126從數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130接收讀取置亂模式，且經(jīng)配置以對經(jīng)由讀出放大器122讀取的存儲器數(shù)據(jù)DIO進行置亂。

存儲器單元102中的存儲器數(shù)據(jù)DIO在讀出時由讀取置亂電路126在塊基礎(chǔ)上置亂，從而產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)DOUT，所述輸出數(shù)據(jù)接著被遞送到外部控制器。因此，讀取置亂電路126對由寫入置亂電路124置亂的數(shù)據(jù)提供額外置亂。另外，用于寫入操作的候選置亂模式不同于用于讀取操作的那些候選置亂模式。在此雙重置亂機制中，從輸入數(shù)據(jù)DIN解置亂及恢復(fù)需要關(guān)于由寫入置亂電路124提供的寫入置亂模式及由讀取置亂電路126提供的讀取置亂模式的信息。在具有讀取置亂電路126的情況下，即使寫入置亂配置Sel_IN被竊取或偷取，未經(jīng)授權(quán)第三方仍可能發(fā)現(xiàn)難以存取存儲器數(shù)據(jù)DIO。換句話說，恢復(fù)被偷取數(shù)據(jù)的嘗試將失敗，這是因為數(shù)據(jù)是由寫入置亂電路124及讀取置亂電路126兩者置亂。

在一實施例中，讀取置亂配置Sel_OUT與寫入置亂配置Sel_IN維持于不同位置處。因此，使兩種置亂配置受到任何惡意存取影響的風(fēng)險進一步降低。另外，可出于對輸入數(shù)據(jù)DIN進行解置亂的目的而單獨提供寫入置亂模式及讀取置亂模式的復(fù)合解置亂模式。在所述情形中，提供寫入置亂配置Sel_IN或讀取置亂配置Sel_OUT是不必要的。置亂配置的機密性因此得以維持。

地址置亂電路134經(jīng)配置以通過基于由地址模式產(chǎn)生電路132提供的地址置亂模式對順序邏輯地址信號進行置亂而提供邏輯地址信號。經(jīng)置亂邏輯地址用于在存取操作中提供存儲器陣列102的地址。因此，在地址解碼器112處接收的行索引可不沿循地址置亂電路134的輸入處的地址信號的原始序列。地址置亂電路134可在結(jié)構(gòu)上類似于數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生器電路130，且可以塊大小N的粒度提供置亂模式。輸入數(shù)據(jù)DIN因此在行(數(shù)據(jù)塊)基礎(chǔ)上被置亂。

置亂深度指的是就未置亂數(shù)據(jù)位的位置與其經(jīng)置亂對應(yīng)部分的位置之間的理論上最大距離來說的隨機性的程度。在本情形中，由寫入置亂電路124或讀取置亂電路126提供的置亂深度取決于數(shù)據(jù)塊DIB的塊大小N。特定來說，置亂深度隨塊大小N增加而增加。另外，通過在地址置亂電路134中并入地址置亂而置亂的數(shù)據(jù)可具有作為整個存儲器陣列102的大小的有效置亂深度。因此，經(jīng)置亂位可出現(xiàn)于存儲器陣列102中的另一行中。因此，合并由寫入置亂電路124或讀取置亂電路126執(zhí)行的地址置亂與數(shù)據(jù)置亂在輸入數(shù)據(jù)DIN中添加更大隨機性程度。

因此，包含數(shù)據(jù)置亂配置Config_D及地址置亂配置Config_A的置亂配置的多重性促進降低使置亂模式受到其它情況影響的風(fēng)險。特定來說，盡管關(guān)于置亂電路的信息不可避免地透漏給制造或測試存儲器裝置100的置亂電路的參與方，但借助可配置置亂模式，存儲器裝置100的管理員或用戶可使用置亂配置中的一者且隨后針對不同應(yīng)用將其改變?yōu)榱硪环N置亂配置。數(shù)據(jù)安全性相應(yīng)地得以增強。

寫入置亂電路124、讀取置亂電路126及地址置亂電路134中的每一者經(jīng)配置以提供對應(yīng)于置亂配置的置亂模式。另外，用于寫入置亂電路124、讀取置亂電路126及地址置亂電路134的置亂模式可彼此不同。此外，置亂電路124、126及134可組合地產(chǎn)生各種可能置亂結(jié)果。在一些實施例中，寫入置亂電路124、讀取置亂電路126及地址置亂電路134中的至少一者但不是全部被停用，且因此對于數(shù)據(jù)或地址信號為透明的。置亂電路124、126及134與針對具有固定有線置亂連接的整個存儲器陣列102提供一種置亂模式的一些現(xiàn)有置亂電路不同。根據(jù)本揭露的實施例，置亂電路124、126及134根據(jù)所接收置亂配置而提供可變置亂結(jié)果。

存儲單元136放置于讀取置亂電路126的輸出處。在存取操作開始時，從存儲器陣列102的經(jīng)保留存儲器位置提取包括用于寫入置亂、讀取置亂或地址置亂的置亂配置的置亂信息，且將其發(fā)送到存儲單元136。隨后，寫入置亂電路124、讀取置亂電路126或地址置亂電路134響應(yīng)于由存儲單元136提供的對應(yīng)置亂配置而產(chǎn)生置亂模式。如上文所論述，置亂配置對于寫入置亂電路124、讀取置亂電路126及地址置亂電路134正常操作來說是必要的。合格用戶可通過傳遞置亂配置而成功地存取存儲器陣列102。在一些實施例中，置亂配置是從存儲器裝置100外部的其它裝置獲得且接著在存取操作之后存儲于存儲器陣列102的經(jīng)保留存儲器位置中以供稍后使用。在一些實施例中，可調(diào)整用于存儲置亂配置的位置，且通知存儲器位置的所述位置的任何適合發(fā)信號機構(gòu)均在本揭露的預(yù)期范圍內(nèi)。

另外，置亂配置的小心放置可進一步加強置亂機制。如先前所論述，在一些實施例中，置亂配置可存儲于(舉例來說)存儲器陣列102的經(jīng)保留存儲器位置中。在一些實施例中，置亂配置保持于存儲器裝置100外部且維持于外部控制器中。在存取操作被激活時，置亂配置將從外部控制器加載到存儲單元136。或者，即使置亂配置經(jīng)存儲以供由存取操作使用，其仍可在存取操作完成后立刻從經(jīng)保留存儲器位置擦除。因此，用戶可需要在執(zhí)行下一存取操作時通過外部控制器獲取置亂配置。在所述情形中，對于未經(jīng)授權(quán)方來說通過猜測置亂模式而收集存儲器陣列102中的存儲器數(shù)據(jù)是更困難的。因此，數(shù)據(jù)安全性得以進一步增強。

圖2A是根據(jù)一些實施例的存儲器裝置100的寫入置亂電路124的示意圖。寫入置亂電路124經(jīng)配置以響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)DIN而提供經(jīng)置亂數(shù)據(jù)。參考圖2A，寫入置亂電路124包括數(shù)據(jù)緩沖器230及多個多路復(fù)用器202。數(shù)據(jù)緩沖器230經(jīng)配置以通過收集串行輸入數(shù)據(jù)DIN的輸入數(shù)據(jù)位而形成具有N個位的塊大小的數(shù)據(jù)塊DIB。此外，多路復(fù)用器202是按寫入置亂配置Sel_IN配置以對數(shù)據(jù)塊DIB進行置亂。每一多路復(fù)用器202包含連接到數(shù)據(jù)緩沖器230的輸入端口及經(jīng)配置以基于寫入置亂配置Sel_IN而選擇數(shù)據(jù)塊DIB中的N個數(shù)據(jù)位中的一者的選擇端口Sel-i。當(dāng)所有多路復(fù)用器202均完成位選擇時，產(chǎn)生呈序列DIO＝{DIO[1],DIO[2],…,DIO[N]}的經(jīng)置亂數(shù)據(jù)，所述經(jīng)置亂數(shù)據(jù)被發(fā)送到寫入驅(qū)動器116且接著分別寫入到存儲器陣列102的存儲器群組{DIG[1],DIG[2],…,DIG[N]}。

圖2B是根據(jù)一些實施例的存儲器裝置100的讀取置亂電路126的示意圖。讀取置亂電路124在結(jié)構(gòu)上類似于寫入置亂電路124，且經(jīng)配置以在讀取操作中對存儲器數(shù)據(jù)DIO進行置亂。參考圖2B，讀取置亂電路126包括多個多路復(fù)用器204及數(shù)據(jù)緩沖器232。多路復(fù)用器204是按讀取置亂配置Sel_OUT配置。每一多路復(fù)用器204包含連接到N個讀出放大器122的輸出的輸入端口及經(jīng)配置以基于讀取置亂配置Sel_OUT而選擇N個數(shù)據(jù)位中的一者的選擇端口Sel-i。當(dāng)所有多路復(fù)用器204均完成位選擇時，產(chǎn)生呈序列DID＝{DID[1],DID[2],…,DID[N]}的經(jīng)置亂數(shù)據(jù)，所述經(jīng)置亂數(shù)據(jù)被發(fā)送到數(shù)據(jù)緩沖器232且接著變換為串行輸出數(shù)據(jù)DOUT。

圖3是根據(jù)一些實施例的存儲器陣列102的圖式。參考圖3，存儲器102以每一行由地址解碼器112尋址的方式被分割。另外，存儲器陣列102經(jīng)配置以將數(shù)據(jù)塊存儲于兩個不同區(qū)中。稱作規(guī)則區(qū)的第一區(qū)經(jīng)配置以存儲呈其原始序列的未對其執(zhí)行數(shù)據(jù)置亂的數(shù)據(jù)塊。稱作置亂區(qū)的第二區(qū)經(jīng)配置以存儲經(jīng)置亂數(shù)據(jù)。此外，規(guī)則區(qū)或置亂區(qū)均可進一步分割成若干非連續(xù)部分。舉例來說，規(guī)則區(qū)被分割成第一部分及第二部分。類似地，置亂區(qū)被分段成第一部分、第二部分及第三部分。

當(dāng)停用地址置亂電路134時，所述情況意味著存儲于存儲器陣列102中的相繼數(shù)據(jù)塊DIB的次序保持為與輸入數(shù)據(jù)DIN相同。如圖3中所展示，置亂區(qū)的第一部分放置于規(guī)則區(qū)的第一部分與規(guī)則區(qū)的第二部分之間。此外，置亂區(qū)的第二部分放置于規(guī)則區(qū)的第二部分與規(guī)則區(qū)的第三部分之間。另外，置亂區(qū)的每一部分中的數(shù)據(jù)可以不同置亂碼置亂。此外，置亂區(qū)的第一部分包括輸入數(shù)據(jù)DIN的第一置亂數(shù)據(jù)集。類似地，置亂區(qū)的第二部分包括第二置亂數(shù)據(jù)集。雖然第一置亂數(shù)據(jù)集及第二置亂數(shù)據(jù)集的每一數(shù)據(jù)塊DIB內(nèi)的位是在塊基礎(chǔ)上置亂，但置亂區(qū)的每一部分中的數(shù)據(jù)既不與置亂區(qū)中的另一部分混雜又不與規(guī)則區(qū)中的任一部分混雜。在此部分寫入置亂機制的情況下，未經(jīng)授權(quán)方可在分辨真實置亂模式時遇到更多障礙。

另外，仍參考圖3，當(dāng)并入地址置亂電路134時，每一數(shù)據(jù)塊DIB的物理行進一步按地址置亂模式重新布置，如先前所論述。圖3中在行置亂下圖解說明的區(qū)分割因此僅為邏輯呈現(xiàn)。在所述情形中，規(guī)則區(qū)的任一部分可與置亂區(qū)的任一部分逐塊(逐行)混雜。

在一實施例中，當(dāng)待經(jīng)置亂并存儲于存儲器陣列102中的數(shù)據(jù)為統(tǒng)一置亂碼時，可省略關(guān)于特定數(shù)據(jù)塊的索引的信息。在另一實施例中，當(dāng)規(guī)則區(qū)在寫入操作中配置或置亂區(qū)進一步包括多個部分時，置亂配置可包括具有相應(yīng)置亂碼的塊索引。舉例來說，參考圖3，寫入置亂配置可針對輸入數(shù)據(jù)DIN的第一數(shù)據(jù)集及第二數(shù)據(jù)集單獨布置。因此，第一寫入置亂配置Sel_IN1針對置亂區(qū)的第一部分包括第一數(shù)據(jù)集的第一置亂碼及第一范圍(或一組塊索引)。類似地，第二寫入置亂配置Sel_IN2針對置亂區(qū)的第二部分包括第二數(shù)據(jù)集的第二置亂碼及第二范圍。對應(yīng)于第一置亂數(shù)據(jù)集或第二置亂數(shù)據(jù)集的行地址是單獨確定的。

圖4是根據(jù)一些實施例的存儲器裝置100的寫入操作的流程圖。在操作402中，針對存儲器裝置100接收輸入數(shù)據(jù)。在操作404中，接收寫入置亂配置。在一實施例中，針對寫入操作從存儲單元136讀出且存取寫入置亂配置。在另一實施例中，寫入置亂配置已存儲于經(jīng)保留存儲器位置中以供稍后使用。在又一實施例中，寫入置亂配置由外部處理器提供。

隨后，在操作406中，產(chǎn)生基于寫入置亂配置的寫入置亂模式。寫入置亂模式由數(shù)據(jù)模式產(chǎn)生電路130產(chǎn)生。接著，在操作410中，響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)，基于寫入置亂模式而提供經(jīng)寫入置亂數(shù)據(jù)。

在操作412中，接收地址置亂配置。在操作414中，基于地址置亂配置，由地址模式產(chǎn)生電路132產(chǎn)生地址置亂模式。此外，在操作416中，響應(yīng)于地址信號而基于地址置亂模式產(chǎn)生經(jīng)置亂地址信號。

在操作418中，在經(jīng)置亂地址處將經(jīng)寫入置亂數(shù)據(jù)寫入到存儲器陣列102。

在操作420中，確定是否保存置亂配置。如果是肯定的，那么在操作422中，將包含寫入置亂配置及地址置亂配置的置亂配置存儲于存儲器陣列102的經(jīng)保留存儲器位置中。

如果確定不保存置亂配置，那么在操作424中，將置亂配置從存儲器陣列102擦除或?qū)⒅脕y配置復(fù)位。

圖5是根據(jù)一些實施例的存儲器陣列102的讀取操作的流程圖。在操作501中，將存儲器數(shù)據(jù)寫入到存儲器陣列102。操作501類似于圖4中所圖解說明的操作418，其中執(zhí)行寫入操作。在操作502中，接收第一地址信號及地址置亂配置。

在操作504中，產(chǎn)生基于地址置亂配置的地址置亂模式。接著，在操作506中，響應(yīng)于地址信號而基于地址置亂配置產(chǎn)生經(jīng)置亂地址。

在操作508中，在讀取地址處讀出存儲器陣列102的存儲器數(shù)據(jù)。在一實施例中，所述讀取地址是不含置亂的第一地址。在另一實施例中，讀取地址是在操作506中產(chǎn)生的經(jīng)置亂地址。接著，在操作510中，接收讀取置亂配置。在一實施例中，讀取置亂配置是從存儲器102的經(jīng)保留存儲器位置讀出且通過存儲單元136存取。在另一實施例中，讀取置亂配置由外部處理器提供。

在操作512中，產(chǎn)生基于讀取置亂配置的讀取置亂模式。接著，在操作516中，響應(yīng)于存儲器數(shù)據(jù)而基于讀取置亂模式提供經(jīng)讀取置亂數(shù)據(jù)。

在操作518中，確定是否保存包含讀取置亂配置及地址置亂配置的置亂配置。如果是肯定的，那么在操作520中，將置亂配置存儲于存儲器陣列中。

如果確定不保存置亂信息，那么在操作522中，將讀取置亂配置及地址置亂配置從存儲器陣列擦除。

在操作524中，接收與寫入置亂模式相關(guān)聯(lián)的寫入置亂配置。寫入置亂配置用于提供存在于存儲器陣列102中的存儲器數(shù)據(jù)。接著，在操作526中，基于關(guān)于讀取置亂配置及寫入置亂配置的信息而對經(jīng)讀取置亂數(shù)據(jù)進行解置亂。因此，輸入數(shù)據(jù)經(jīng)由與相應(yīng)讀取置亂模式及寫入置亂模式互逆的操作而恢復(fù)為其原始序列。

圖6是根據(jù)一些實施例的存儲器陣列102的寫入操作的流程圖。在操作602中，接收具有第一部分及第二部分的輸入數(shù)據(jù)。

在操作604中，接收第一寫入置亂配置。在一實施例中，第一寫入置亂配置可從存儲單元136存取。在另一實施例中，第一寫入置亂配置由外部處理器提供。接著，在操作606中，接收第一地址。

在操作608中，產(chǎn)生基于第一寫入置亂配置的第一置亂模式。接著，在操作612中，響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)的第一部分而基于第一置亂模式提供第一經(jīng)寫入置亂數(shù)據(jù)。

在操作614中，在第一地址處將第一經(jīng)寫入置亂數(shù)據(jù)寫入到存儲器陣列102。

在一實施例中，第一地址是經(jīng)置亂地址。在所述情形中，接收包括地址置亂配置的置亂配置。接著，產(chǎn)生基于地址置亂配置的地址置亂模式。因此，響應(yīng)于第一地址而基于地址置亂模式產(chǎn)生經(jīng)置亂地址。

在操作616中，從存儲器陣列102接收第二寫入置亂配置。接著，在操作618中，接收存儲器陣列102的第二地址。并且，在操作620中，產(chǎn)生基于第二寫入置亂配置的第二置亂模式。

在操作624中，響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)的第二部分而基于第二置亂模式提供第二經(jīng)寫入置亂數(shù)據(jù)。在操作626中，在第二地址處將第二經(jīng)寫入置亂數(shù)據(jù)寫入到存儲器陣列102。

接著，可以操作518、520及522中所圖解說明的類似方式處理例如第一寫入置亂配置及第二置亂配置等置亂配置。舉例來說，在寫入第一經(jīng)置亂數(shù)據(jù)及第二經(jīng)置亂數(shù)據(jù)之后將第一置亂配置及第二置亂配置存儲于存儲器陣列中?；蛘?，將第一置亂配置及第二置亂配置從存儲器陣列擦除。

總之，提出可配置數(shù)據(jù)及地址置亂結(jié)構(gòu)，其中可對數(shù)據(jù)或地址信號進行置亂。此外，不僅在存儲數(shù)據(jù)之前而且還在讀出數(shù)據(jù)之后對存儲器數(shù)據(jù)進行置亂。因此，置亂機制提供數(shù)個優(yōu)點。舉例來說，用于制造或測試存儲器裝置的任一參與方不可存取他/她的客戶所使用的實際置亂模式，這是因為存儲器裝置嵌入可用于使用的各種置亂模式。另外，通過并入讀取置亂電路借助更動態(tài)且靈活設(shè)計提高了數(shù)據(jù)安全性。并且，可相對于輸入數(shù)據(jù)的數(shù)個部分以不同置亂模式及數(shù)據(jù)范圍對存儲器數(shù)據(jù)進行置亂。此外，從存儲器制造商的角度來看存儲器裝置的電路優(yōu)化及定制的負擔(dān)在很大程度上緩解，同時對客戶來說置亂模式多樣性及機密性的需要增加。

在一些實施例中，提供包括存儲器陣列、第一置亂電路及第二置亂電路的存儲器裝置。所述第一置亂電路經(jīng)配置以響應(yīng)于輸入數(shù)據(jù)而以第一置亂模式提供第一經(jīng)置亂數(shù)據(jù)。所述第二置亂電路經(jīng)配置以響應(yīng)于所述第一經(jīng)置亂數(shù)據(jù)而以第二置亂模式提供第二經(jīng)置亂數(shù)據(jù)。

在一些實施例中，在用于操作存儲器陣列的方法中，接收來自存儲器裝置的存儲器陣列的第一數(shù)據(jù)。接收第一置亂配置。產(chǎn)生基于所述第一置亂配置的第一置亂模式。響應(yīng)于所述第一數(shù)據(jù)而基于所述第一置亂模式提供第一經(jīng)置亂數(shù)據(jù)。

在一些實施例中，在用于存取存儲器陣列的方法中，接收具有第一部分及第二部分的輸入數(shù)據(jù)。針對所述第一部分從存儲器陣列接收第一置亂配置。接收所述存儲器陣列的第一地址?；谒龅谝恢脕y配置而產(chǎn)生第一置亂模式。響應(yīng)于所述第一部分而基于所述第一置亂模式產(chǎn)生第一經(jīng)置亂數(shù)據(jù)。在所述第一地址處將所述第一經(jīng)置亂數(shù)據(jù)寫入到所述存儲器陣列中。

前述內(nèi)容概述數(shù)個實施例的構(gòu)件，使得所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可更好地理解本揭露的各方面。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，其可容易地使用本揭露作為用于設(shè)計或修改其它工藝及結(jié)構(gòu)以執(zhí)行與本文中所引入的實施例相同的目的及/或?qū)崿F(xiàn)與本文中所引入的實施例相同的優(yōu)點的基礎(chǔ)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還應(yīng)認識到，此類等效構(gòu)造不背離本揭露的精神及范圍，且其可在不背離本揭露的精神及范圍的情況下在本文中做出各種改變、替代及更改。