GF2結構觸摸屏及其制造工藝的制作方法

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本發(fā)明屬于觸摸屏技術領域，具體涉及一種GF2結構觸摸屏及其制造工藝。

背景技術：

在手機或者筆記本/平板電腦以及所有人機觸摸屏互動設備的設計和生產過程中，薄膜觸摸屏一般由雙面ITO技術制作。

而目前傳統(tǒng)的雙面ITO氧化銦錫技術獲得的觸摸屏結構如圖1所示：自PET基材1一表面向外依次疊設ITO層2、透明光學雙面膠層3、PET基材層2、ITO層2、透明光學雙面膠層3、蓋板玻璃層4。

現(xiàn)有的產品結構中，需要兩層ITO導電材料以及兩層透明光學雙面膠。這種觸摸屏結構厚且復雜，雙層ITO以及雙層透明光學雙面膠還造成生產成本的浪費，加工也十分繁瑣。

為此，有必要提出一種新的觸摸屏結構。

技術實現(xiàn)要素：

針對目前雙面ITO技術制造的薄膜觸摸屏結構厚且復雜、生產成本高、加工繁瑣等問題，本發(fā)明實施例提供了一種GF2結構觸摸屏及其制造工藝。

為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明實施例的技術方案如下：

一種GF2結構觸摸屏，包括，

具有A面、B面兩相對表面的基材層；

以及自所述A面向外，依次疊設的曝光銀膠層、透明光學雙面膠層、蓋板玻璃層；所述B面疊設有納米銀層；或，

自所述A面向外，依次疊設的納米銀層、透明光學雙面膠層、蓋板玻璃層；所述B面疊設有曝光銀膠層。

以及，如上所述的GF2結構觸摸屏的制造工藝，至少包括以下步驟：

對一表面疊設有納米銀層的基材進行縮水處理；

將干膜貼附于所述納米銀層表面，然后對所述基材進行片材切割處理；

對所述干膜進行曝光、顯影處理；

在所述基材的另一表面進行曝光銀膠的涂覆處理；

對所述曝光銀膠進行預烘烤處理，獲得曝光銀膠層；

對所述曝光銀膠層進行曝光、顯影處理；

對所述曝光銀膠層進行固烤處理。

上述實施例中的GF2結構觸摸屏，以納米銀層和曝光銀膠層取代了現(xiàn)有的ITO導電材料，線寬可以達到2微米及以下，在實現(xiàn)觸摸屏輕薄化的同時，還實現(xiàn)觸摸屏的低阻抗和高透過率，并保持觸摸屏的光學性能與現(xiàn)有雙面ITO觸摸屏相當。

上述實施例提供的GF2結構觸摸屏的制造工藝，只在需要圖形的位置印刷感光銀漿，并經過曝光、顯影保留所需要的圖案即可，而不需要的圖案則被清洗掉，減少了導電材料的浪費，提高了導電材料的利用率，能夠極大的降低透明導電膜的生產成本；與此同時，由于曝光銀漿Metal mesh是以感光導電銀物質替換ITO，可實現(xiàn)觸摸屏的低電阻和撓曲性，但不降低光學性能。

附圖說明

下面將結合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術中雙面ITO薄膜觸摸屏結構示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例GF2結構觸摸屏結構示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例GF2結構觸摸屏的另一結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如圖2所示，本發(fā)明實例提供了一種GF2結構觸摸屏，包括，

具有A面、B面兩相對表面的基材層1；

以及自所述A面向外，依次疊設的曝光銀膠層5、透明光學雙面膠層3、蓋板玻璃層4；所述B面疊設有納米銀層6；或，如圖3所示，

自所述A面向外，依次疊設的納米銀層6、透明光學雙面膠層3、蓋板玻璃層4；所述B面疊設有曝光銀膠層5。

其中，在優(yōu)選實施例中，基材層1由PET材料構成，所述PET材料構成的基材層1的厚度為50～125μm。

在任一實施例中，曝光銀膠層6由銀漿涂覆而成。

優(yōu)選地，構成所述曝光銀膠層6的銀漿的粘度為100～120dpa.s；將該粘度范圍內的銀漿涂覆于基材層1的表面時，銀漿既不成股流動，也不過于粘稠。

進一步優(yōu)選地，所述曝光銀膠層6的厚度為2～5μm，該厚度的曝光銀膠層6高度差低，更容易隱藏和脫泡、方便曝光和顯影。

在一優(yōu)選實施例中，納米銀層5厚度為25～75μm。

優(yōu)選地，所述蓋板玻璃4為為硅酸鹽玻璃中的任一種，硅酸鹽玻璃的材質為SiO₂，耐酸耐堿，能夠很好的保護觸摸屏內部結構。

進一步優(yōu)選地，所述蓋板玻璃4的厚度為0.5～0.7mm。采用較為輕薄的蓋板玻璃4，結合其他膜層，既能夠起到保護其他膜層的作用，又起到降低觸摸屏厚度的作用。

本發(fā)明實施例中的GF2結構觸摸屏，以納米銀層和曝光銀膠層取代了現(xiàn)有的ITO導電材料，線寬可以達到2微米及以下，在實現(xiàn)觸摸屏輕薄化的同時，還實現(xiàn)觸摸屏的低阻抗和高透過率，并保持觸摸屏的光學性能與現(xiàn)有雙面ITO觸摸屏相當。

與此同時，本發(fā)明實施例在提供上述GF2結構觸摸屏的基礎上，還進一步提供了該觸摸屏的一種制造工藝。

在一實施例中，所述GF2結構觸摸屏的制造工藝至少包括以下步驟：

對一表面疊設有納米銀層5的基材1進行縮水處理；

將干膜貼附于所述納米銀層4表面，然后對所述基材1進行片材切割處理；

對所述干膜進行曝光、顯影處理；

在所述基材1的另一表面進行銀漿的涂覆處理；

對所述銀膠進行預烘烤處理，獲得曝光銀膠層6；

對所述曝光銀膠層6進行曝光、顯影處理；

對所述曝光銀膠層6進行固烤處理。

其中，在優(yōu)選實施例中，所述縮水處理的溫度為145～155℃，具體是將疊設有納米銀層4的基材1，置于145～155℃的環(huán)境中，并以1.2～1.7m/min的速度將基材1通過該溫度的環(huán)境，確?？s水的效率，同時能夠除去基材1的水分，起到定型，且穩(wěn)定方阻的作用。進一步優(yōu)選地，縮水處理時，納米銀層4朝上。

將干膜貼附于納米銀層4表面，既可以避免納米銀層4在卷材裁切成片材過程中出現(xiàn)的劃傷等損害，又可以確保不曝光、不顯影部位的性能。

優(yōu)選地，在干膜曝光處理中，曝光的光能量為45～55mj/cm²。進一步優(yōu)選地，所述曝光的光是波長在315～400nm的UV光。

優(yōu)選地，銀漿的粘度為100～120dpa.s；將該粘度范圍內的銀漿涂覆于基材層1的表面時，銀漿既不成股流動，也不過于粘稠。

優(yōu)選地，預烘烤的溫度為100～120℃；所述基材1在預烘烤中通過100～120℃溫度空間的速度為3.0～4.0m/min。溫度過高而速度過慢、溫度過低而速度過快、均會出現(xiàn)顯影不干凈或顯影過度等不良，造成預烘烤失敗。

優(yōu)選地，用于曝光銀膠層6的光能量為350～4505mj/cm²。進一步優(yōu)選地，所述曝光的光為波長在315～400nm的UV光。

優(yōu)選地，顯影處理時，顯影液的濃度為0.120％～0.150％，所述顯影速度為3.0～5.0m/min。

優(yōu)選地，所述固烤溫度為135～145℃；所述固烤時間為50～70min。溫度和時間不夠會導致銀漿附著力差(即銀漿脫落)，溫度和時間過長會導致PET材料變形嚴重，銀漿也會因過分干燥導致附著力和硬度不達標。

此外，上述制造工藝還包括在曝光銀膠層6表面或者納米銀層5表面貼附透明光學雙面膠3；以及在所述透明光學雙面膠3表面貼附蓋板玻璃4的過程。

本發(fā)明實施例提供的GF2結構觸摸屏的制造工藝，只在需要圖形的位置印刷感光銀漿，并經過曝光、顯影保留所需要的圖案即可，而不需要的圖案則被清洗掉，減少了導電材料的浪費，提高了導電材料的利用率，能夠極大的降低透明導電膜的生產成本；與此同時，由于曝光銀漿Metal mesh是以感光導電銀物質替換ITO，可實現(xiàn)觸摸屏的低電阻和撓曲性，但不降低光學性能。

以下通過多個實施例來舉例說明本發(fā)明實施例GF2結構觸摸屏、作用以及達到的效果。

實施例1

一種GF2結構觸摸屏。其中，如圖2所示，包括具有A面、B面兩相對表面的PET基材層1；

以及自所述A面向外，依次疊設的曝光銀膠層6、透明光學雙面膠層3、蓋板玻璃層4；所述B面疊設有納米銀層5。

其中，PET基材層1的厚度為100μm；曝光銀膠層6的厚度為3.5μm；蓋板玻璃層4的厚度為0.5mm；納米銀層5的厚度為50μm。

所述GF2結構觸摸屏的制造工藝如下：

(1)取已經疊設有納米銀層5的潔凈PET基材1卷材在100℃的環(huán)境中以1.5m/min的速度進行縮水處理；

(2)在100℃環(huán)境中，按照2.0m/min的速度在納米銀層5表面貼附干膜，然后將卷材切割成片材；

(3)采用370nm的UV波，按照曝光能量為50mj/cm²對干膜進行曝光和顯影處理；

(4)將粘度為110dpa.s的銀漿涂覆于PET基材1的A面，涂覆時采用的網版為500目，涂覆的銀漿厚度為4.5μm；

(5)按照3.5m/min的移動速度將涂覆了銀漿的基材置于110℃的環(huán)境中進行預烘烤處理，獲得曝光銀膠層6；

(6)將(5)獲得的材料進行曝光處理，曝光能量為400mj/cm²；曝光的光波為波長370nm的UV光，光照46kw/cm²；經過曝光處理后，采用濃度為0.133％的顯影液進行顯影處理，顯影的速度為4.0m/min；