本發(fā)明涉及觸控技術領域，特別涉及一種觸控面板及其制備方法、觸控裝置。

背景技術：

液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產品。

靜電擊穿是電子行業(yè)中非常常見的一種破壞模式，它是由大量靜電集中到器件的某一部位靜電放電產生的現(xiàn)象。靜電擊穿會對TFT-LCD器件產生非常嚴重的損害，在TFT-LCD器件的制造過程中需要盡量避免其發(fā)生。

電容式觸控面板的布線包括多條間隔并且平行排列的感應電極層，被感應電極層間隔開的多個驅動電極層，以及導通并列排布在同一條感應電極層兩側的兩個驅動電極層的金屬橋導線，由于金屬橋導線阻抗較高，故該處的抗靜電能力較弱，容易產生靜電擊穿現(xiàn)象，影響產品的良品率。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種觸控面板及其制備方法、觸控裝置，用以減少靜電擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，提高觸控顯示裝置的良品率。

為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術方案：

本發(fā)明提供了一種觸控面板，包括：位于觸控區(qū)域內的同層且相互交叉設置的第一電極和第二電極，位于非觸控區(qū)域內的接地走線，其中：所述第一電極包括多個沿第一方向排列的第一子電極塊，所述第二電極包括多個沿第二方向排列的第二子電極塊，且沿所述第二方向上、任意相鄰兩個所述第二子電極塊之間相互連接，沿所述第一方向上、任意相鄰兩個所述第一子電極塊之間通過連接橋橋接，所述第一方向和所述第二方向垂直；還包括：

至少一組與所述第一電極和所述第二電極之間相互絕緣的靜電導出線；其中，每組所述靜電導出線在所述觸控區(qū)域內沿相鄰兩個所述第一子電極塊和所述第二子電極塊之間的間隙走線且經過至少一個橋接區(qū)域，在所述非觸控區(qū)域內與所述接地走線導通。

本發(fā)明提供的觸控面板，通過設置至少一組與第一電極和第二電極之間相互絕緣的靜電導出線，可以將靜電導通至接地走線，防止靜電擊穿連接橋現(xiàn)象的發(fā)生，另外通過將靜電導出線設置為在觸控區(qū)域內沿相鄰兩個第一子電極塊和第二子電極塊之間的間隙走線，可以不影響觸控面板的信號傳輸。

故，本發(fā)明提供的觸控面板，可以減少靜電擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，提高觸控顯示裝置的良品率。

在一些可選的實施方式中，每組所述靜電導出線與所述第一電極、所述第二電極同層或異層設置。將靜電導出線與第一電極和第二電極同層設置，可以減少制備工序，節(jié)省成本。

在一些可選的實施方式中，所述接地走線為金屬接地走線。

在一些可選的實施方式中，每組所述靜電導出線是以各所述第一子電極塊為網孔的網格狀結構。網格狀分布的靜電導出線可以將觸控區(qū)域內的靜電都導向接地走線，提高觸控面板整體抗靜電能力。

在一些可選的實施方式中，所述靜電導出線為兩組，且兩組所述靜電導出線中的走線平行設置。當然不限于兩組，多組的靜電導出線的設置更有利于靜電的導出。

在一些可選的實施方式中，每組所述靜電導出線與所述接地走線通過過孔連接。

在一些可選的實施方式中，所述連接橋為金屬材料的連接橋或氧化銦錫材料的連接橋。

本發(fā)明還提供了一種觸控裝置，包括：上述任一項所述的觸控面板。由于上述觸控面板可以減少靜電擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，故本發(fā)明提供的觸控裝置具有較好的良品率。

本發(fā)明還提供了一種觸控面板的制備方法，包括：在襯底基板上形成位于觸控區(qū)域內的同層且相互交叉設置的第一電極和第二電極，位于非觸控區(qū)域內的接地走線，其中：所述第一電極包括多個沿第一方向排列的第一子電極塊，所述第二電極包括多個沿第二方向排列的第二子電極塊，且沿所述第二方向上、任意相鄰兩個所述第二子電極塊之間相互連接，沿所述第一方向上、任意相鄰兩個所述第一子電極塊之間通過連接橋橋接，所述第一方向和所述第二方向垂直；還包括：

形成至少一組與所述第一電極和所述第二電極之間相互絕緣的靜電導出線；其中，每組所述靜電導出線在所述觸控區(qū)域內沿相鄰兩個所述第一子電極塊和所述第二子電極塊之間的間隙走線且經過至少一個橋接區(qū)域，在所述非觸控區(qū)域內與所述接地走線導通。

在一些可選的實施方式中，所述第一電極、所述第二電極和每組所述靜電導出線同步形成。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的觸控面板的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的觸控面板的橋接處的放大結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的觸控面板的懸浮區(qū)域放大結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的觸控面板的接地走線區(qū)域的放大結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的觸控面板的制備方法流程圖。

圖中：

1-第一子電極塊 2-第二子電極塊

3-連接橋 4-靜電導出線

5-接地走線

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

實施例一

如圖1所示，圖1為本發(fā)明實施例提供的觸控面板的結構示意圖；本發(fā)明提供了一種觸控面板，包括：位于觸控區(qū)域內的同層且相互交叉設置的第一電極和第二電極，位于非觸控區(qū)域內的接地走線，其中：第一電極包括多個沿第一方向排列的第一子電極塊1，第二電極包括多個沿第二方向排列的第二子電極塊2，且沿第二方向上、任意相鄰兩個第二子電極塊2之間相互連接，沿第一方向上、任意相鄰兩個第一子電極塊1之間通過連接橋3橋接，第一方向和第二方向垂直；還包括：

至少一組與第一電極和第二電極之間相互絕緣的靜電導出線4；其中，每組靜電導出線4在觸控區(qū)域內沿相鄰兩個第一子電極塊1和第二子電極塊2之間的間隙走線且經過至少一個橋接區(qū)域，在非觸控區(qū)域內與接地走線導通。

本發(fā)明提供的觸控面板，通過設置至少一組與第一電極和第二電極之間相互絕緣的靜電導出線4，可以將靜電導通至接地走線5，防止靜電擊穿連接橋3現(xiàn)象的發(fā)生，另外通過將靜電導出線4設置為在觸控區(qū)域內沿相鄰兩個第一子電極塊1和第二子電極塊2之間的間隙走線，可以不影響觸控面板的信號傳輸。

故，本發(fā)明提供的觸控面板，可以減少靜電擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，提高觸控顯示裝置的良品率。

上述每組靜電導出線4與第一電極、第二電極同層或異層設置。優(yōu)選的，將靜電導出線4與第一電極和第二電極同層設置，可以減少制備工序，節(jié)省成本。

可選的，上述接地走線5為金屬接地走線。

可選的，連接橋3為金屬材料的連接橋3或氧化銦錫材料的連接橋3。當連接橋3和接地走線5均為金屬材料時，可以將連接橋3和接地走線5同步形成，可以節(jié)省工序。

如圖1所示，每組靜電導出線4是以各第一子電極塊1為網孔的網格狀結構。網格狀分布的靜電導出線4可以將觸控區(qū)域內的靜電都導向接地走線，提高觸控面板整體抗靜電能力。

可選的，靜電導出線4為兩組，且兩組靜電導出線4中的走線平行設置。當然不限于兩組，多組的靜電導出線4的設置更有利于靜電的導出。

具體的，靜電導出線4在觸控區(qū)域的橋接處和非橋接處、非觸控區(qū)域的具體分布結構如圖2和圖3、圖4所示，圖2為圖1所示的觸控面板的A處局部放大圖；圖3為圖1所示的觸控面板的B處局部放大圖；圖4為圖1所示的觸控面板的C處局部放大圖。

具體的，上述每組靜電導出線4與接地走線5通過保護層過孔連接。

具體的，上述每組靜電導出線4與其他金屬走線之間有保護層絕緣信號干擾。

實施例二

本發(fā)明還提供了一種觸控裝置，包括：上述任一項所述的觸控面板。由于上述觸控面板可以減少靜電擊穿現(xiàn)象的發(fā)生，故本發(fā)明提供的觸控裝置具有較好的良品率。

實施例三

如圖5所示，圖5為本發(fā)明實施例提供的觸控面板的制備方法流程圖，本本發(fā)明還提供了一種觸控面板的制備方法，包括：

步驟S501：在襯底基板上形成位于觸控區(qū)域內的同層且相互交叉設置的第一電極和第二電極，位于非觸控區(qū)域內的接地走線，其中：第一電極包括多個沿第一方向排列的第一子電極塊，第二電極包括多個沿第二方向排列的第二子電極塊，且沿第二方向上、任意相鄰兩個第二子電極塊之間相互連接，沿第一方向上、任意相鄰兩個第一子電極塊之間通過連接橋橋接，第一方向和第二方向垂直；還包括：

步驟S502：形成至少一組與第一電極和第二電極之間相互絕緣的靜電導出線；其中，每組靜電導出線在觸控區(qū)域內沿相鄰兩個第一子電極塊和第二子電極塊之間的間隙走線且經過至少一個橋接區(qū)域，在非觸控區(qū)域內與接地走線導通。

可選的，第一電極、第二電極和每組靜電導出線同步形成。

本發(fā)明實施例提供給的一種可選的實施方式中，上述觸控面板通過下述步驟形成：

步驟一：在襯底基板上通過黃光工藝：曝光、顯影、刻蝕制備黑色矩陣層；

步驟二：沉積透明電極薄膜，通過黃光工藝，形成第一電極、第二電極以及靜電導出線，形成的第一電極包括多個沿第一方向排列的第一子電極塊，第二電極包括多個沿第二方向排列的第二子電極塊，且沿第二方向上、任意相鄰兩個第二子電極塊之間相互連接，形成的靜電導出線在觸控區(qū)域內沿相鄰兩個第一子電極塊和第二子電極塊之間的間隙走線且經過至少一個橋接區(qū)域，在非觸控區(qū)域內與接地走線導通，其中：第一方向和第二方向垂直；

步驟三：采用涂覆工藝制備第一絕緣層，并在非觸控區(qū)域與靜電導出線重合的部分形成通孔；

步驟四：沉積金屬薄膜，形成沿第一方向上、任意相鄰兩個第一子電極塊之間連通的金屬連接橋、位于非觸控區(qū)域內的金屬接地走線，金屬接地走線通過通孔與靜電導出線連通；

步驟五：采用涂覆工藝制備第二絕緣層，用以覆蓋和保護金屬連接橋和金屬接地走線。

本發(fā)明實施例提供給的另一種可選的實施方式中，上述觸控面板通過下述步驟形成：

步驟一：在襯底基板上通過黃光工藝：曝光、顯影、刻蝕制備黑色矩陣層；

步驟二：沉積第一透明電極薄膜，通過黃光工藝，形成連接橋；

步驟四：沉積金屬薄膜，形成位于非觸控區(qū)域內的金屬接地走線；

步驟五：采用涂覆工藝制備第一絕緣層，并在非觸控區(qū)域上形成通孔；

步驟六：沉積第二透明電極薄膜，通過黃光工藝，形成第一電極、第二電極以及靜電導出線，形成的第一電極包括多個沿第一方向排列的第一子電極塊，第二電極包括多個沿第二方向排列的第二子電極塊，且沿第二方向上、任意相鄰兩個第二子電極塊之間相互連接，形成的靜電導出線在觸控區(qū)域內沿相鄰兩個第一子電極塊和第二子電極塊之間的間隙走線且經過至少一個橋接區(qū)域，在非觸控區(qū)域內通過通孔與金屬接地走線導通，其中：第一方向和第二方向垂直；

步驟七：采用涂覆工藝制備第二絕緣層，用以覆蓋和保護連接橋和金屬接地走線。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。