本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，并且具體涉及一種觸控基板及其制作方法、觸摸屏。

背景技術(shù)：

電容式觸摸屏具有定位精確靈敏、觸摸手感良好和使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，因此已經(jīng)在觸控顯示領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用。根據(jù)觸控基板在觸摸屏中的位置，觸摸屏通常分為一體化觸控(One Glass Solution, OGS)觸摸屏、外置式(On-Cell)觸摸屏和內(nèi)置式(In-Cell)觸摸屏。在OGS觸摸屏中，觸控基板集成在保護(hù)基板(Cover Plate)上，并且該保護(hù)基板與顯示面板貼合。在On-Cell觸摸屏中，觸控基板設(shè)置在液晶盒(Cell)的外表面，例如彩膜基板的遠(yuǎn)離陣列基板的表面。在In-Cell觸摸屏中，觸控基板設(shè)置在液晶盒內(nèi)部，例如彩膜基板與液晶層之間。

在觸控基板中，觸控圖案會(huì)引入段差(difference in height)，從而導(dǎo)致觸控圖案上方可能出現(xiàn)膜層和布線不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例旨在提供一種改進(jìn)的觸控基板及其制作方法、觸摸屏。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種觸控基板。該觸控基板包括襯底基板、絕緣層、第一觸控電極和第二觸控電極。所述絕緣層設(shè)置于所述襯底基板上。所述第一觸控電極和所述第二觸控電極設(shè)置在所述襯底基板上并且具有交疊區(qū)域。所述第一觸控電極和所述第二觸控電極在交疊區(qū)域通過所述絕緣層相互絕緣。所述襯底基板設(shè)有第一凹槽。所述第一觸控電極至少部分設(shè)置在所述第一凹槽。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第一觸控電極至少部分設(shè)置在第一凹槽。與襯底基板上不設(shè)置第一凹槽的情形相比，由該第一觸控電極引起的段差減小或者消除，并且該第一觸控電極之上的各膜層受到由段差引起的不良影響被減小或消除。例如，這有助于降低第一觸控電極之上的各膜層因?yàn)榇蠖尾疃鴶嗔?，降低了成膜工藝的難度和風(fēng)險(xiǎn)。這有助于減小布線由于爬坡引起的不良，例如布線的斷路或者位于不同層的布線之間的短路。此外，小的段差有助于避免劃傷以及與靜電放電(Electro Static Discharge, ESD)有關(guān)的不良，從而提高產(chǎn)品良率。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一觸控電極包括至少一個(gè)導(dǎo)電連接部和相互分離設(shè)置的多個(gè)子電極，相鄰兩個(gè)所述子電極通過一個(gè)所述導(dǎo)電連接部相互電連接，以及所述導(dǎo)電連接部設(shè)置在所述第一觸控電極和所述第二觸控電極交疊區(qū)域。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第一觸控電極中相鄰兩個(gè)子電極通過一個(gè)導(dǎo)電連接部相互電連接，由此形成橋式第一觸控電極，并且相應(yīng)地形成橋式觸控基板。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一觸控電極的所述子電極至少部分設(shè)置在所述第一凹槽。

在此實(shí)施例的觸控基板中，子電極至少部分設(shè)置在第一凹槽。與襯底基板上不設(shè)置第一凹槽的情形相比，由該第一觸控電極的子電極引起的段差被減小或者消除，并且該子電極之上的各膜層受到由段差引起的不良影響被減小或消除。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述襯底基板還設(shè)有第二凹槽，以及所述第二觸控電極至少部分設(shè)置在所述第二凹槽。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第二觸控電極至少部分設(shè)置在第二凹槽。與襯底基板上不設(shè)置第二凹槽的情形相比，由該第二觸控電極引起的段差被減小或者消除，并且該子電極之上的各膜層受到由段差引起的不良影響被減小或消除。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一觸控電極的所述多個(gè)子電極和所述第二觸控電極同層設(shè)置。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第一觸控電極的多個(gè)子電極和第二觸控電極同層設(shè)置。應(yīng)理解，此處的表述“所述第一觸控電極的所述多個(gè)子電極和所述第二觸控電極同層設(shè)置”是指所述第一觸控電極的所述多個(gè)子電極和所述第二觸控電極利用同一膜層形成，二者在層疊關(guān)系上處于同一個(gè)層中，但不表示二者與襯底基板的距離一定相同。這有助于簡化第一觸控電極的多個(gè)子電極和第二觸控電極的工藝。例如，子電極和第二觸控電極可以利用同一成膜工藝以及同一圖案化(Patterning)工藝形成。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一凹槽的深度大于或等于所述第一觸控電極的所述多個(gè)子電極的厚度。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第一凹槽的深度大于或等于子電極的厚度，使得第一凹槽消除了由子電極引起的段差，進(jìn)而消除該子電極之上各膜層由段差引起的不良影響。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第二凹槽的深度大于或等于所述第二觸控電極的厚度和所述絕緣層的厚度之和。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第二凹槽的深度大于或等于子電極的厚度和絕緣層的厚度之和，使得第二凹槽消除了由子電極和絕緣層引起的段差，進(jìn)而消除該子電極和絕緣層之上各膜層由段差引起的不良影響。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度相同。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第一凹槽和第二凹槽具有相同的深度，并且在同一工藝步驟中形成。這有助于簡化用于形成第一凹槽和第二凹槽的工藝。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一凹槽至少設(shè)置在所述第一觸控電極和所述第二觸控電極的交疊區(qū)域。在本發(fā)明另一實(shí)施例中，所述第二凹槽至少設(shè)置在所述第一觸控電極和所述第二觸控電極的交疊區(qū)域。

在這些實(shí)施例的觸控基板中，第一凹槽或第二凹槽至少設(shè)置在第一觸控電極和第二觸控電極的交疊區(qū)域。特別是在橋式觸控基板中，在觸控圖案、絕緣層以及金屬連接件的橋點(diǎn)處存在顯著段差。通過將第一凹槽或第二凹槽至少設(shè)置在第一觸控電極和第二觸控電極的交疊區(qū)域，即橋點(diǎn)，有助于顯著減小橋點(diǎn)處的段差，從而顯著減小或消除由于該段差引入不良的風(fēng)險(xiǎn)。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一觸控電極的所述導(dǎo)電連接部至少部分設(shè)置在所述第一凹槽。

在此實(shí)施例的觸控基板中，導(dǎo)電連接部至少部分設(shè)置在第一凹槽。與襯底基板上不設(shè)置第一凹槽的情形相比，由該導(dǎo)電連接部引起的段差被減小或者消除，并且該導(dǎo)電連接部之上的各膜層受到由段差引起的不良影響被減小或消除。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一凹槽的深度大于或等于所述第一觸控電極的所述導(dǎo)電連接部的厚度。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第一凹槽的深度大于或等于導(dǎo)電連接部的厚度，使得所述第一凹槽消除了由導(dǎo)電連接部引起的段差，進(jìn)而消除該導(dǎo)電連接部之上各膜層由段差引起的不良影響。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一凹槽的深度大于或等于所述第一觸控電極的所述導(dǎo)電連接部的厚度和所述絕緣層的厚度之和。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第一凹槽的深度大于或等于導(dǎo)電連接部的厚度和絕緣層的厚度之和，使得所述第一凹槽消除了由導(dǎo)電連接部和絕緣層引起的段差，進(jìn)而消除該導(dǎo)電連接部和絕緣層之上各膜層由段差引起的不良影響。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述第一觸控電極和所述第二觸控電極包括透明導(dǎo)電材料，以及所述絕緣層包括透明絕緣材料。

在此實(shí)施例的觸控基板中，第一觸控電極和第二觸控電極的材料為透明導(dǎo)電材料，例如金屬、金屬合金、金屬氧化物、碳納米管和石墨烯。絕緣層的材料為透明絕緣材料，例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)的無機(jī)材料，或者例如樹脂的有機(jī)材料。

本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種觸摸屏，包括第一顯示基板、第二顯示基板以及設(shè)置在所述第二顯示基板的遠(yuǎn)離所述第一顯示基板一側(cè)的保護(hù)基板。所述第二顯示基板和所述保護(hù)基板其中之一包括上文所述的觸控基板。

在此實(shí)施例的觸摸屏中，該第一顯示基板例如為陣列基板，并且該第二顯示基板為彩膜基板。在一實(shí)施例中，該第一顯示基板為陣列上彩膜(Color Filter on Array, COA)基板，并且該第二顯示基板為對置基板。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述觸控基板設(shè)置于所述保護(hù)基板的靠近所述第二顯示基板的一側(cè)。觸控基板集成在保護(hù)基板上，且保護(hù)基板設(shè)有觸控基板的一面朝向由第一顯示基板和第二顯示基板構(gòu)成的顯示模組。即，該觸摸屏為OGS觸摸屏。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述觸控基板設(shè)置于所述第二顯示基板的遠(yuǎn)離所述第一顯示基板的一側(cè)。觸控基板設(shè)置于第二顯示基板的遠(yuǎn)離第一顯示基板的一側(cè)。即，該觸摸屏為On-Cell觸摸屏。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，所述觸控基板設(shè)置于所述第二顯示基板的靠近所述第一顯示基板的一側(cè)。觸控基板設(shè)置于第二顯示基板的靠近第一顯示基板的一側(cè)。即，該觸摸屏為In-Cell觸摸屏。

本發(fā)明此實(shí)施例的觸摸屏具有與上文所述的觸控基板的各實(shí)施例相同或相似的益處，此處不再贅述。

本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種用于制作觸控基板的方法，包括下述步驟：在襯底基板中形成凹槽；在所述襯底基板上依次形成第一觸控電極和絕緣材料圖案，其中所述第一觸控電極至少部分設(shè)置在所述凹槽；以及在所述襯底基板上形成第二觸控電極，其中所述第一觸控電極和所述第二觸控電極具有交疊區(qū)域并且在所述交疊區(qū)域通過所述絕緣材料圖案相互絕緣。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，在所述襯底基板中形成所述凹槽的步驟包括下述步驟：在所述襯底基板上涂敷光致抗蝕劑，通過曝光和顯影形成光致抗蝕劑圖案；以及以所述光致抗蝕劑圖案為掩模，通過干法蝕刻在所述襯底基板中形成所述凹槽。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，在所述襯底基板上依次形成所述第一觸控電極和所述絕緣材料圖案的步驟包括下述步驟：在所述襯底基板上依次形成導(dǎo)電層和絕緣層；對所述絕緣層進(jìn)行圖案化工藝，以形成所述絕緣材料圖案；以及利用剝離液移除所述光致抗蝕劑圖案以及位于其上的所述導(dǎo)電層，以形成所述第一觸控電極。

在上述實(shí)施例的制作方法中，采用了離地剝離(lift-off)法，盡管在襯底基板中形成凹槽的工藝中增加了一道干法刻蝕工藝，但是在后續(xù)的光致抗蝕劑和導(dǎo)電層移除時(shí)可以簡化工藝。這種情況下，避免不同膜層使用不同刻蝕顯影液帶來的復(fù)雜工藝，降低成本，減小單件產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)間(Tact Time)。

本發(fā)明的實(shí)施例公開了一種觸控基板及其制作方法、觸摸屏。該觸控基板的襯底基板設(shè)有第一凹槽，并且第一觸控電極至少部分設(shè)置在第一凹槽。通過將第一觸控電極至少部分設(shè)置在第一凹槽，由該第一觸控電極引起的段差被減小或者消除，并且該第一觸控電極之上的各膜層受到由段差引起的不良影響被減小或消除。例如，這有助于降低第一觸控電極之上的各膜層因?yàn)榇蠖尾疃鴶嗔?，降低了成膜工藝的難度和風(fēng)險(xiǎn)。這有助于減小布線由于爬坡引起的不良，例如布線的斷路或者位于不同層的布線之間的短路。此外，小的段差有助于避免劃傷以及與靜電放電有關(guān)的不良，從而提高產(chǎn)品良率。

應(yīng)理解，以上的一般描述和下文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并非旨在以任何方式限制本發(fā)明。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例。

圖1A為一種橋式觸控基板的示意性俯視圖；

圖1B為沿圖1A中A-B線的示意性剖面圖；

圖2A為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸控基板的示意性俯視圖；

圖2B為沿圖2A中C-D線的一示意性剖面圖；

圖2C為沿圖2A中C-D線的另一示意性剖面圖；

圖3A為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸控基板的示意性俯視圖；

圖3B為沿圖3A中E-F線的示意性剖面圖；

圖4A為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸控基板的示意性俯視圖；

圖4B為沿圖4A中G-H線的示意性剖面圖；

圖5A為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸摸屏的示意性剖面圖；

圖5B為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸摸屏的示意性剖面圖；

圖5C為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸摸屏的示意性剖面圖；

圖6為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸控基板制作方法的示意性流程圖；以及

圖7A、7B、7C、7D、7E、7F和7G為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸控基板在其制作方法的各個(gè)階段的示意性剖面圖。

通過上述附圖，已示出本發(fā)明明確的實(shí)施例，后文中將有更詳細(xì)的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍，而是通過參考特定實(shí)施例為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員說明本發(fā)明的概念。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

附圖中示出的部件或元素標(biāo)注如下：100、200、300、700 襯底基板；110、210、310、410、710 第一觸控電極；112、212、312、712 第一觸控電極的子電極；114、214、314、714 第一觸控電極的導(dǎo)電連接部；120、220、320、420、720 第二觸控電極；130、230、330、430、730 絕緣層；140、240、340、440 保護(hù)層；204、304、404、704 第一凹槽；206、706 第二凹槽；510 第一顯示基板；515 液晶層；520 第二顯示基板；525 粘結(jié)劑；530 保護(hù)基板；702 光致抗蝕劑(Photoresist)；708 導(dǎo)電材料層。

在電容式觸控屏中，橋式觸控基板是一種常用的觸控基板。圖1A為一種橋式觸控基板的示意性俯視圖，并且圖1B為沿圖1A中A-B線的示意性剖面圖。如所示，該觸控基板包括布置在襯底基板100上橫縱交叉的多個(gè)第一觸控電極110(圖中僅示出其中之一)和多個(gè)第二觸控電極120。每個(gè)第一觸控電極110和每個(gè)第二觸控電極120通過引線電連接到觸控芯片(未圖示)。第一觸控電極110包括多個(gè)子電極112。相鄰的子電極112通過導(dǎo)電連接部114相互電連接以形成第一觸控電極110。第一觸控電極110和第二觸控電極120在交疊區(qū)域通過絕緣層130相互絕緣。該觸控基板還包括覆蓋第一觸控電極110和第二觸控電極120的保護(hù)層(Passivation Layer, PVX)140。

常規(guī)OGS觸控屏中的觸控基板通過下述方式實(shí)現(xiàn)。在例如玻璃的襯底基板上沉積導(dǎo)電材料層，通過光刻和刻蝕形成觸控圖案，隨后形成絕緣層、金屬連接件和保護(hù)層以形成觸控基板。發(fā)明人注意到，在觸控基板中存在觸控圖案、絕緣層、金屬連接件三個(gè)圖案化層的橋點(diǎn)，這些位置存在較大段差，容易導(dǎo)致位于橋點(diǎn)之上的膜層和布線的各種不良。特別是當(dāng)絕緣層厚度較大時(shí)，在制備金屬連接件的過程中，這些橋點(diǎn)之上的金屬層遭受工藝不良，極易導(dǎo)致劃傷和ESD類不良。因此，降低橋點(diǎn)處段差對于提高產(chǎn)品良率有著積極的意義。

在常規(guī)觸控屏的觸控基板中，觸控圖案通過下述實(shí)現(xiàn)。在襯底基板上沉積導(dǎo)電材料層，通過光刻顯影形成光致抗蝕劑圖案，利用該光致抗蝕劑圖案為掩模，通過濕法刻蝕移除裸露導(dǎo)電材料以形成觸控圖案，以及隨后在橋點(diǎn)形成絕緣層。發(fā)明人注意到，在絕緣層的這種制作方式中，增加了一道光刻顯影工藝，使得成本增大。

下面結(jié)合附圖具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控基板及其制作方法、觸摸屏的具體實(shí)施方式。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供了一種觸控基板。如圖2A所示，該觸控基板包括襯底基板200以及設(shè)置在襯底基板200上的絕緣層230、多個(gè)第一觸控電極210(圖中僅示出其中之一)和多個(gè)第二觸控電極220。第一觸控電極210和第二觸控電極220具有交疊區(qū)域，并且在交疊區(qū)域通過絕緣層230相互絕緣。

第一觸控電極210包括至少一個(gè)導(dǎo)電連接部214和相互分離設(shè)置的多個(gè)子電極212。兩個(gè)相鄰子電極212通過一個(gè)導(dǎo)電連接部214相互電連接以形成第一觸控電極210，由此形成橋式觸控基板。導(dǎo)電連接部214設(shè)置在第一觸控電極210和第二觸控電極220交疊區(qū)域。

圖2B為沿圖2A中C-D線的一示意性剖面圖。襯底基板200設(shè)有第一凹槽204。第一凹槽204的圖案與第一觸控電極210的圖案的至少一部分匹配。第一觸控電極210至少部分設(shè)置在第一凹槽204。此處的表述“第一觸控電極210至少部分設(shè)置在第一凹槽204”是指第一觸控電極210的部分或全部厚度被容納在第一凹槽204。

在示例性實(shí)施例中，第一凹槽204的圖案與第一觸控電極210的子電極212的圖案匹配。此處的措辭“匹配”是指第一凹槽204和子電極212在對應(yīng)深度處的水平截面形狀相同。如圖2B所示，第一觸控電極210的子電極212至少部分設(shè)置在第一凹槽204。此處的表述“第一觸控電極210的子電極212至少部分設(shè)置在第一凹槽204”是指子電極212的部分或全部厚度被容納在第一凹槽204。

在示例性實(shí)施例中，第一凹槽204的深度大于或等于第一觸控電極210的多個(gè)子電極212的厚度。藉此，第一凹槽204消除了由子電極212引起的段差，進(jìn)而消除子電極212之上各膜層由段差引起的不良影響。

如圖2B所示，襯底基板200還設(shè)有第二凹槽206。第二凹槽206的圖案與第二觸控電極220的圖案匹配。第二觸控電極220至少部分設(shè)置在第二凹槽206。在示例性實(shí)施例中，第二觸控電極220的部分或全部厚度被容納在第二凹槽206。應(yīng)指出，盡管圖2B所示第一凹槽204和第二凹槽206的深度相同，但在其它實(shí)施例中第一凹槽204和第二凹槽206的深度不同。當(dāng)?shù)谝话疾?04和第二凹槽206的深度相同時(shí)，二者在同一工藝步驟中形成，以利于簡化工藝步驟。

在圖2B所示觸控基板中，第一凹槽204的深度大于子電極212的厚度。此外，第二凹槽206的深度大于第二觸控電極220的厚度，但是小于第二觸控電極220的厚度和絕緣層230的厚度之和。

在示例性實(shí)施例中，第一觸控電極210的多個(gè)子電極212和第二觸控電極220同層設(shè)置。此處的措辭“同層設(shè)置”是指多個(gè)子電極212和第二觸控電極220由同一膜層形成。例如，通過首先形成導(dǎo)電材料層，然后對該導(dǎo)電材料層進(jìn)行圖案化工藝，同時(shí)形成子電極212和第二觸控電極220。

應(yīng)指出，圖案化工藝包括通過利用掩膜板形成預(yù)定圖案的工藝，例如包括涂布光致抗蝕劑、曝光、顯影、刻蝕、剝離光致抗蝕劑等過程。然而，圖案化工藝不限于此，還可以是其它能夠形成預(yù)定圖案的工藝。

在示例性實(shí)施例中，第二凹槽206的深度大于或等于第二觸控電極220的厚度和絕緣層230的厚度之和。藉此，第二凹槽206消除了由第二觸控電極220和絕緣層230引起的段差，進(jìn)而消除第二觸控電極220和絕緣層230之上各膜層由段差引起的不良影響。圖2C為沿圖2A中C-D線的另一示意性剖面圖。如圖2C所示，第二凹槽206的深度等于第二觸控電極220的厚度和絕緣層230的厚度之和。這種情況下，絕緣層230的表面與襯底基板200的表面齊平，使得絕緣層230之上的導(dǎo)電連接部214和保護(hù)層240不遭受由段差引起的不良影響。

在圖2A、圖2B和圖2C所示的示例性實(shí)施例中，第一觸控電極210的子電極212和第二觸控電極220設(shè)置在導(dǎo)電連接部214的靠近襯底基板200的一側(cè)。然而，本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在其它實(shí)施例中，第一觸控電極的子電極和第二觸控電極設(shè)置在導(dǎo)電連接部的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，如下文結(jié)合圖3A和圖3B所描述。

圖3A為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸控基板的示意性俯視圖，并且圖3B為沿圖3A中E-F線的示意性剖面圖。如所示，該觸控基板包括襯底基板300以及設(shè)置在襯底基板300上的絕緣層330、第一觸控電極310和第二觸控電極320。第一觸控電極310和第二觸控電極320具有交疊區(qū)域，并且在交疊區(qū)域通過絕緣層330相互絕緣。第一觸控電極310包括至少一個(gè)導(dǎo)電連接部314和相互分離設(shè)置的多個(gè)子電極312。任意兩個(gè)相鄰子電極312通過一個(gè)導(dǎo)電連接部314相互電連接以形成第一觸控電極310，由此形成橋式觸控基板。

與圖2A、圖2B和圖2C的實(shí)施例不同，在圖3A和圖3B所示的觸控基板中，第一觸控電極310的子電極312和第二觸控電極320設(shè)置在導(dǎo)電連接部314的遠(yuǎn)離襯底基板300的一側(cè)。

如圖3B所示，襯底基板300設(shè)有第一凹槽304。第一凹槽304的圖案與導(dǎo)電連接部314的圖案匹配。導(dǎo)電連接部314至少部分設(shè)置在第一凹槽304。在示例性實(shí)施例中，導(dǎo)電連接部314的部分或全部厚度被容納在第一凹槽304。

在示例性實(shí)施例中，第一凹槽304的深度大于或等于導(dǎo)電連接部314的厚度。藉此，第一凹槽304消除了由導(dǎo)電連接部314引起的段差，進(jìn)而消除導(dǎo)電連接部314之上各膜層由段差引起的不良影響。

在示例性實(shí)施例中，第一凹槽304的深度大于或等于導(dǎo)電連接部314的厚度和絕緣層330的厚度之和。藉此，第一凹槽304消除了由導(dǎo)電連接部314和絕緣層330引起的段差，進(jìn)而消除導(dǎo)電連接部314和絕緣層330之上各膜層由段差引起的不良影響。

如圖3B所示，第一凹槽304的深度等于導(dǎo)電連接部314的厚度和絕緣層330的厚度之和。這種情況下，絕緣層330的表面與襯底基板300的表面齊平，使得絕緣層330之上的子電極312和第二觸控電極320不遭受由段差引起的不良影響。

圖4A為本發(fā)明一實(shí)施例提供的觸控基板的示意性俯視圖，并且圖4B為沿圖4A中G-H線的示意性剖面圖。如所示，該觸控基板包括襯底基板400以及設(shè)置在襯底基板400上的絕緣層4300、第一觸控電極410和第二觸控電極420。第一觸控電極410和第二觸控電極420具有交疊區(qū)域，并且在交疊區(qū)域通過絕緣層430相互絕緣。如圖4B所示，襯底基板400設(shè)有第一凹槽404。第一凹槽404至少設(shè)置在第一觸控電極410和第二觸控電極420的交疊區(qū)域。第一凹槽404的圖案與第一觸控電極410的圖案匹配。第一觸控電極410至少部分設(shè)置在第一凹槽404。在示例性實(shí)施例中，第一觸控電極410的部分或全部厚度被容納在第一凹槽404。在此實(shí)施例中，第一觸控電極410和第二觸控電極420設(shè)置在不同層，并且通過絕緣層430相互絕緣。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，第二觸控電極420可采用橋式結(jié)構(gòu)，如參考圖2B、2C的第一觸控電極210所描述的橋式結(jié)構(gòu)。

在示例性實(shí)施例中，第一觸控電極210、310、410和第二觸控電極220、320、420包括透明導(dǎo)電材料，以及絕緣層230、330、430包括透明絕緣材料。

在示例性實(shí)施例中，第一觸控電極210、310、410和第二觸控電極220、320、420的材料為金屬、金屬合金、金屬氧化物、碳納米管或石墨烯。

在示例性實(shí)施例中，第一觸控電極210、310的子電極212、312和第二觸控電極220、320、420的材料為例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)的導(dǎo)電金屬氧化物。這些導(dǎo)電金屬氧化物的透光性優(yōu)于金屬或金屬合金，從而有助于提高觸控基板的透光率和消隱效果。

在示例性實(shí)施例中，第一觸控電極210、310的導(dǎo)電連接部214、314的材料為透明金屬或金屬合金。這些金屬或金屬合金的導(dǎo)電性優(yōu)于金屬氧化物，從而有助于減小第一觸控電極210、310的電阻并且提高第一觸控電極210、310的靈敏度。

在示例性實(shí)施例中，第一觸控電極210、310的導(dǎo)電連接部214、314的材料為鉬、鋁、鉬合金或鋁合金。這些金屬或金屬合金具有良好的穩(wěn)定性，不容易被氧化或腐蝕。這種情況下，導(dǎo)電連接部214、314具有良好的穩(wěn)定性，有助于提高觸控基板的性能和壽命。

在示例性實(shí)施例中，絕緣層230、330、430的材料為氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)的無機(jī)材料，或者例如樹脂的有機(jī)材料。

在示例性實(shí)施例中，如圖2B、圖2C、圖3B和圖4B所示，該觸控基板還包括覆蓋第一觸控電極和第二觸控電極的保護(hù)層240、340、440，以保護(hù)第一觸控電極和第二觸控電極免受外界影響。在示例性實(shí)施例中，保護(hù)層240、340、440由透明材料形成，且該透明材料與上述絕緣層230、330、430的材料相同。在示例性實(shí)施例中，保護(hù)層240、340、440的材料為例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)的無機(jī)材料，或者例如樹脂的有機(jī)材料。

應(yīng)指出，以上實(shí)施例以觸控基板采用橋式觸控基板為例進(jìn)行說明。然而，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控基板也可以采用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知曉的非導(dǎo)電橋式觸控基板，只要在第一觸控電極和第二觸控電極交疊區(qū)域處，絕緣層設(shè)置于第一觸控電極和第二觸控電極之間并且將二者絕緣即可。

應(yīng)指出，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控基板的第一觸控電極和第二觸控電極不限于圖2A、圖3A和圖4A所示的圖案，而可以采用本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知曉的其它圖案。

應(yīng)指出，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控基板可采用自電容原理，即第一觸控電極和第二觸控電極中的每個(gè)都是一個(gè)單獨(dú)的自電容電極。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控基板也可采用互電容原理，即，第一觸控電極和第二觸控電極其中之一為觸控感應(yīng)電極且另一個(gè)為觸控驅(qū)動(dòng)電極。

本發(fā)明的一實(shí)施例還提供了一種觸摸屏，其包括上述實(shí)施例提供的觸控基板。如圖5A、圖5B和圖5C所示，該觸摸屏包括第一顯示基板510、第二顯示基板520以及保護(hù)基板530。保護(hù)基板530設(shè)置在第二顯示基板520的遠(yuǎn)離第一顯示基板510一側(cè)。如圖5A所示，觸控基板設(shè)置于保護(hù)基板530的靠近第二顯示基板520的一側(cè)，并且該觸摸屏為OGS觸摸屏。如圖5B所示，觸控基板設(shè)置于第二顯示基板520的遠(yuǎn)離第一顯示基板510的一側(cè)，并且該觸摸屏為On-Cell觸摸屏。如圖5C所示，觸控基板設(shè)置于第二顯示基板520的靠近第一顯示基板510的一側(cè)，并且該觸摸屏為In-Cell觸摸屏。該觸控基板為任一上述實(shí)施例提供的觸控基板。

在示例性實(shí)施例中，第一顯示基板510為陣列基板，并且第二顯示基板520為彩膜基板。液晶層515夾置于第一顯示基板510和第二顯示基板520之間，由此形成液晶顯示模組。

保護(hù)基板530利用粘結(jié)劑525固定到第二顯示基板520。在示例性實(shí)施例中，保護(hù)基板530在外圍區(qū)域通過雙面膠固定到第二顯示基板520?？商鎿Q地，保護(hù)基板530利用水膠或光學(xué)膠而無縫貼合到第二顯示基板520。

應(yīng)指出，以上實(shí)施例以O(shè)GS、On-Cell和In-Cell觸摸屏為例進(jìn)行說明。然而，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏也可以為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知曉的其它類型的觸摸屏。例如，觸控基板設(shè)置在玻璃或樹脂上，該觸控基板貼合到液晶顯示模組的外表面，并且保護(hù)基板貼合到該觸控基板的遠(yuǎn)離液晶顯示模組的一側(cè)。

應(yīng)指出，以上實(shí)施例以液晶顯示模組為例進(jìn)行說明。然而，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏也可以采用本領(lǐng)域普技術(shù)人員知曉的其它顯示模組，例如有機(jī)電致發(fā)光顯示器件(OLED)。

應(yīng)指出，以上實(shí)施例以圖2B所示的觸控基板為例進(jìn)行說明本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏。然而，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸摸屏還可采用圖2C、圖3B和圖4B所示的觸控基板。

圖5A、圖5B和圖5C中各附圖標(biāo)記與以上觸控基板的實(shí)施例中的附圖標(biāo)記相同，在此不再贅述。

以上實(shí)施例提供的觸摸屏可應(yīng)用于各種顯示裝置，例如手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀、電子紙等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種用于制作觸控基板的方法。如圖6所示，該制作方法包括下述步驟：S61、在襯底基板中形成凹槽；S62、在所述襯底基板上依次形成第一觸控電極和絕緣材料圖案，其中所述第一觸控電極至少部分設(shè)置在所述凹槽；以及S63、在所述襯底基板上形成第二觸控電極，其中所述第一觸控電極和所述第二觸控電極具有交疊區(qū)域并且在所述交疊區(qū)域通過所述絕緣材料圖案相互絕緣。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述步驟S61包括下述步驟：在所述襯底基板上涂敷光致抗蝕劑，通過曝光和顯影形成光致抗蝕劑圖案；以及以所述光致抗蝕劑圖案為掩模，通過干法蝕刻在所述襯底基板中形成所述凹槽。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，上述步驟S62包括下述步驟：在所述襯底基板上依次形成導(dǎo)電層和絕緣層；對所述絕緣層進(jìn)行圖案化工藝，以形成所述絕緣材料圖案；以及利用剝離液移除所述光致抗蝕劑圖案以及位于其上的所述導(dǎo)電層，以形成所述第一觸控電極。

本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法不限于第一觸控電極、第二觸控電極和絕緣層的形成順序，只要可以實(shí)現(xiàn)第一觸控電極和第二觸控電極具有交疊區(qū)域并且通過該絕緣層絕緣即可。

例如，對于圖2A、圖2B和圖2C所示的觸控基板，本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法包括下述步驟S71、S72、S73、S74、S75、S76和S77。在下文中結(jié)合圖7A、7B、7C、7D、7E、7F和7G詳細(xì)解釋這些步驟。

步驟S71：在襯底基板700上涂敷光致抗蝕劑，通過曝光和顯影形成期望的光致抗蝕劑702圖案，如圖7A所示。

步驟S72：采用步驟S71中的光致抗蝕劑702圖案為掩模，通過刻蝕技術(shù)，在襯底基板700中刻蝕形成第一凹槽704和第二凹槽706，如圖7B所示。

在該步驟中，例如反應(yīng)離子刻蝕(Reactive Ion Etching, RIE)的干法刻蝕技術(shù)被用于刻蝕襯底基板700。通過優(yōu)化RIE的工藝參數(shù)以實(shí)現(xiàn)高的刻蝕選擇比，在部分消耗光致抗蝕劑702圖案的前提下，將第一凹槽704和第二凹槽706刻蝕至部分容納第一觸控電極的子電極和第二觸控電極所需要的深度。

應(yīng)理解，該步驟中的干法刻蝕技術(shù)不限于RIE。例如，該干法刻蝕技術(shù)可采用離子束銑蝕(Ion Beam Milling)、等離子刻蝕(Plasma Etching)、高壓等離子(High Pressure Plasma, HPP)刻蝕、高密度等離子體(High Density Plasma, HDP)刻蝕以及感應(yīng)耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma, ICP)刻蝕。

步驟S73：在步驟S72得到的結(jié)構(gòu)上，形成透明的導(dǎo)電材料層708，如圖7C所示。

在該步驟中，通過例如濺射、蒸鍍、沉積、涂敷等成膜技術(shù)，形成諸如ITO的導(dǎo)電材料層708。

步驟S74：在步驟S73得到的結(jié)構(gòu)上，形成透明的絕緣層730，如圖7D所示。

在該步驟中，通過例如濺射、蒸鍍、沉積、涂敷等成膜技術(shù)，形成絕緣層730。

在上述步驟S73和S74中，對導(dǎo)電材料層708和絕緣層730的成膜方向性進(jìn)行控制。在理想狀態(tài)中，膜層前驅(qū)體材料沿與襯底基板700垂直的方向沉積在襯底基板700上，從而避免沉積在光致抗蝕劑702圖案的側(cè)壁。

步驟S75：通過應(yīng)用光致抗蝕劑、曝光、顯影、刻蝕和剝離光致抗蝕劑等過程，移除第一凹槽704中和襯底基板700未被刻蝕區(qū)域處的絕緣層730，僅僅保留第二凹槽706中的絕緣層730，如圖7E所示。

步驟S76：對步驟S75得到的結(jié)構(gòu)實(shí)施離地剝離法，利用合適的剝離液移除光致抗蝕劑702圖案以及位于其上的導(dǎo)電材料層708，如圖7F所示。

在步驟S71-75中對光致抗蝕劑702圖案的厚度和絕緣層730的厚度進(jìn)行精確布局，以確保在步驟S76中光致抗蝕劑702圖案未被絕緣層730遮擋，從而順利地移除光致抗蝕劑702圖案。此外，在步驟S75的絕緣層730的刻蝕工藝中，刻蝕深度的波動(dòng)盡量小。

通過上述步驟S71-76，子電極712內(nèi)嵌于襯底基板700的第一凹槽704中，并且第二觸控電極720和絕緣層730內(nèi)嵌于襯底基板700的第二凹槽706中，由此實(shí)現(xiàn)了襯底基板中的內(nèi)嵌觸控圖案。

步驟S77：在步驟S76得到的結(jié)構(gòu)上，通過形成導(dǎo)電材料層、應(yīng)用光致抗蝕劑、曝光、顯影、刻蝕和剝離光致抗蝕劑等過程，形成導(dǎo)電連接部714以電連接相鄰兩個(gè)子電極712，由此形成第一觸控電極710，如圖7G所示。

在以上實(shí)施例提供的制作方法中，采用了離地剝離法。在依次形成例如ITO的導(dǎo)電材料層708和絕緣層730后，只需一次圖案化工藝，移除選定區(qū)域的絕緣層730，剝離光致抗蝕劑702及其上的導(dǎo)電材料層708。由此形成橋點(diǎn)位置的前兩層，即，第二觸控電極720以及位于其上的絕緣層730。隨后形成例如金屬的導(dǎo)電連接部714以及可選的保護(hù)層，完成觸控基板的制作。

在以上實(shí)施例提供的制作方法中，以第一觸控電極710的子電極712和第二觸控電極720由ITO形成為例進(jìn)行描述。然而，該制作方法不以此為限。在該制作方法中，通過離地剝離法，前期工藝中增加一道干法刻蝕工藝。但是在后續(xù)的光致抗蝕劑和ITO層移除時(shí)可以簡化工藝。這種情況下，避免不同膜層使用不同刻蝕顯影液帶來的復(fù)雜工藝，降低成本，減小單件產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)間(Tact Time)。

與襯底基板上不設(shè)置凹槽的情形相比，觸控基板較為平整，由觸控基板引起的段差減小或者消除，并且觸控基板之上的各膜層受到由段差引起的不良影響被減小或消除。例如，這有助于降低第一觸控電極之上的各膜層因?yàn)榇蠖尾疃鴶嗔?，降低了成膜工藝的難度和風(fēng)險(xiǎn)。這有助于減小布線由于爬坡引起的不良，例如布線的斷路或者位于不同層的布線之間的短路。此外，小的段差有助于避免劃傷以及與靜電放電有關(guān)的不良，從而提高產(chǎn)品良率。

對于圖3A-3B、4A-4B所示的觸控基板，其制作方法的各個(gè)步驟與結(jié)合圖7A-7G解釋的步驟相似，因而在此不再贅述。

本發(fā)明的實(shí)施例公開了一種觸控基板及其制作方法、觸摸屏。該觸控基板的襯底基板設(shè)有第一凹槽，并且第一觸控電極至少部分設(shè)置在第一凹槽。通過將第一觸控電極至少部分設(shè)置在第一凹槽，由該第一觸控電極引起的段差被減小或者消除，并且該第一觸控電極之上的各膜層受到由段差引起的不良影響被減小或消除。例如，這有助于降低第一觸控電極之上的各膜層因?yàn)榇蠖尾疃鴶嗔?，降低了成膜工藝的難度和風(fēng)險(xiǎn)。這有助于減小布線由于爬坡引起的不良，例如布線的斷路或者位于不同層的布線之間的短路。此外，小的段差有助于避免劃傷以及與靜電放電有關(guān)的不良，從而提高產(chǎn)品良率。

應(yīng)指出，在上述各實(shí)施例以及附圖結(jié)合橋式觸控基板闡述了本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思。然而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，上述發(fā)明構(gòu)思同樣適用于其它構(gòu)造的觸控基板。例如，在一示例性實(shí)施例中，觸控基板包括具有交疊區(qū)域的第一觸控電極和第二觸控電極，第一觸控電極包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電連接部和相互分離設(shè)置的多個(gè)第一子電極，并且第二觸控電極包括至少一個(gè)第二導(dǎo)電連接部和相互分離設(shè)置的多個(gè)第二子電極。在此實(shí)施例中，所述多個(gè)第一子電極和所述多個(gè)第二子電極同層布置，相鄰兩個(gè)第一子電極在交疊區(qū)域通過第一導(dǎo)電連接部相互電連接，并且相鄰兩個(gè)第二子電極在交疊區(qū)域通過第二導(dǎo)電連接部相互電連接。上文所述的關(guān)于觸控基板的發(fā)明構(gòu)思適用于這種實(shí)施例中的觸控基板。

除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。需要注意的是，在不沖突的前提下，上述實(shí)施例中的特征可以任意組合使用。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。