本發(fā)明涉及觸摸屏領(lǐng)域，具體涉及一種in-cell觸摸屏及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示科技的發(fā)展，電子通訊設(shè)備也隨之發(fā)生了翻天覆地的變化，觸摸體驗(yàn)真正走進(jìn)并改變了人們的生活。手機(jī)、平板電腦，甚至是電視機(jī)等電子產(chǎn)品均涉及觸摸技術(shù)。根據(jù)安裝觸摸方式的不同，一般分為電阻式、電容式、聲波式和紅外線式四種，其應(yīng)用的方式一般分為add-on、ogs、on-cell、in-cell等方式。其中，in-cell觸摸屏方式由于具有更輕更薄和對(duì)比度更高的顯示效果。因此，觸摸方式朝著in-cell的方式發(fā)展。

目前的觸摸屏技術(shù)需要額外增加貼合工藝，觸摸屏的厚度在100微米左右，嚴(yán)重影響柔性屏體的耐彎曲性。另外，由于傳統(tǒng)in-cell觸摸屏工藝是在tft段完成的，制作工藝復(fù)雜，將其應(yīng)用于amoled中會(huì)因?yàn)槭艿疥帢O屏蔽作用無(wú)法正常工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為此，本發(fā)明為了簡(jiǎn)化觸摸屏的制作工藝，提高制作效率，解決柔性觸摸屏生產(chǎn)工藝和結(jié)構(gòu)問(wèn)題，使屏體在不增加明顯厚度的情況下，具有觸摸的功能。本發(fā)明提供了一種in-cell觸摸屏及其制作方法。

所采用技術(shù)方案如下所述：

一方面，本發(fā)明提供了一種in-cell觸摸屏，其設(shè)置于oled顯示屏的發(fā)光區(qū)域，且與oled顯示屏上的驅(qū)動(dòng)芯片ic電性連接，所述oled顯示屏的發(fā)光區(qū)域設(shè)有多層封裝薄膜，所述封裝薄膜之間設(shè)有分別與所述驅(qū)動(dòng)芯片ic電性連接的圖形化的第一電極層和第二電極層，所述第一電極層與所述第二電極層之間通過(guò)封裝薄膜絕緣，所述第一電極層與所述第二電極層形成觸摸電極層。

所述多層封裝薄膜依次為疊加在所述oled顯示屏發(fā)光區(qū)域上的第一阻隔層、第一平坦化層、第二阻隔層和封裝蓋層，所述第一電極層設(shè)置于所述第一阻隔層和第一平坦化層之間，所述第二電極層設(shè)置于所述第二阻隔層和封裝蓋層之間。

所述封裝蓋層為一薄膜膠層。

所述封裝蓋層包括第二平坦化層和第三阻隔層，所述第二平坦化層疊加在所述第二電極層上。

所述第一阻隔層、第二阻隔層和第三阻隔層為厚度20nm～5μm的氧化鋁、氮化硅、氧化硅中的一種。

所述的第一平坦化層和第二平坦化層為厚度200μm～20μm的有機(jī)聚合物層、有機(jī)高分子材料層、有機(jī)小分子材料層和具備平坦化能力工藝成膜的無(wú)機(jī)材料層中的一種。

另一方面，本發(fā)明還提供了一種in-cell觸摸屏制作方法，所述方法包括如下步驟：

在oled顯示屏的發(fā)光區(qū)域進(jìn)行第一層封裝薄膜的封裝；在第一層封裝薄膜上形成圖形化的第一電極層，且使第一電極層與驅(qū)動(dòng)芯片ic電性連接；在第一電極層上進(jìn)行第二層封裝薄膜的封裝，然后在第二層封裝薄膜上制作圖形化的第二電極層，使第二電極層與驅(qū)動(dòng)芯片ic電性連接；在第二電極層上進(jìn)行第三層封裝薄膜的封裝，制得觸摸屏。

所述第一層封裝薄膜為第一阻隔層，所述第二層封裝薄膜依次為第一平坦化層和第二阻隔層，所述第三層封裝薄膜為第二平坦化層和第三阻隔層，其中第一平坦化層設(shè)置于第一電極層上，第二平坦化層設(shè)置于第二電極層上。

本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)具有如下有益效果：

本發(fā)明在對(duì)oled顯示屏的發(fā)光區(qū)域進(jìn)行多層封裝薄膜的封裝時(shí)，在所封裝的薄膜之間分別設(shè)置圖形化的第一電極層和第二電極層，兩電極層分別與oled顯示屏的驅(qū)動(dòng)芯片ic電性連接，第一電極層與第二電極層之間通過(guò)封裝薄膜絕緣，這樣在對(duì)oled顯示屏進(jìn)行薄膜封裝的同時(shí)即可實(shí)現(xiàn)了觸摸屏的制作，不額外增加工藝和大型設(shè)備；通過(guò)將觸摸屏的結(jié)構(gòu)與薄膜封裝穿插在一起，在制作oled顯示屏薄膜封裝的過(guò)程中即可完成觸摸屏的制作，顯著提高了觸摸屏的制作效率。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明所提供的oled顯示屏平面示意圖

圖2是在圖1上進(jìn)行薄膜封裝并形成觸摸屏的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是在圖1上進(jìn)行薄膜封裝并形成觸摸屏的截面示意圖。

圖中：1-oled顯示屏；2-發(fā)光區(qū)域；3-驅(qū)動(dòng)芯片ic；4-封裝薄膜，41-第一阻隔層，42-第一平坦化層，43-第二阻隔層，44-封裝蓋層，441-第二平坦化層，442-第三阻隔層；5-第一電極層；6-第二電極層。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

如圖1至圖3結(jié)構(gòu)所示，本發(fā)明提供了一種in-cell觸摸屏，其包括設(shè)置于oled顯示屏1一側(cè)的發(fā)光區(qū)域2，所述發(fā)光區(qū)域2與oled顯示屏1上另一側(cè)的驅(qū)動(dòng)芯片ic3電性連接，在oled顯示屏1的發(fā)光區(qū)域2設(shè)有多層封裝薄膜4，封裝薄膜4之間設(shè)有分別與驅(qū)動(dòng)芯片ic3電性連接的圖形化的第一電極層5和第二電極層6，第一電極層5與第二電極層6之間通過(guò)封裝薄膜絕緣，第一電極層5與第二電極層6形成觸摸電極層。這樣在對(duì)oled顯示屏1進(jìn)行薄膜封裝的同時(shí)即可實(shí)現(xiàn)了觸摸屏的制作，不需要額外增加工藝和大型設(shè)備；通過(guò)將觸摸屏的結(jié)構(gòu)與薄膜封裝穿插在一起，在制作oled顯示屏薄膜封裝的過(guò)程中即可完成觸摸屏的制作，顯著提高了觸摸屏的制作效率。

優(yōu)選地，多層封裝薄膜依次為疊加在oled顯示屏1發(fā)光區(qū)域2上的第一阻隔層41、第一平坦化層42、第二阻隔層43和封裝蓋層44，圖形化的第一電極層5設(shè)置于第一阻隔層41和第一平坦化層42之間，圖形化的第二電極層6設(shè)置于第二阻隔層43和封裝蓋層44之間。

當(dāng)然，這里的封裝蓋層44包括第二平坦化層441和第三阻隔層442，第二平坦化層441疊加在所述第二電極層6上，如圖3所示。

當(dāng)然，封裝蓋層44還可以為一層薄膜膠層。

本發(fā)明中的所有阻隔層厚度20nm～5μm之間，材料包含致密氧化物，如氧化鋁、氮化硅、氧化硅等，其成膜方式：pecvd或ald；所有平坦化層的厚度200μm～20μm之間，材料為有機(jī)聚合物、有機(jī)高分子材料、有機(jī)小分子材料、或具備平坦化能力工藝成膜的無(wú)機(jī)材料，如pecvd工藝制造的hmdso或teos。

另外，本發(fā)明還提供了一種in-cell觸摸屏制作方法，包括如下步驟：

在oled顯示屏的發(fā)光區(qū)域進(jìn)行第一層封裝薄膜的封裝；在第一層封裝薄膜上形成圖形化的第一電極層，且使第一電極層與驅(qū)動(dòng)芯片ic電性連接；在第一電極層上進(jìn)行第二層封裝薄膜的封裝，然后在第二層封裝薄膜上制作圖形化的第二電極層，使第二電極層與驅(qū)動(dòng)芯片ic電性連接；在第二電極層上進(jìn)行第三層封裝薄膜的封裝，制得觸摸屏。所制得的結(jié)構(gòu)如圖2和圖3所示。

其中的第一層封裝薄膜為第一阻隔層，第二層封裝薄膜依次為第一平坦化層和第二阻隔層，第三層封裝薄膜為第二平坦化層和第三阻隔層，其中第一平坦化層設(shè)置于第一電極層上，第二平坦化層設(shè)置于第二電極層上。

本發(fā)明在對(duì)顯示屏進(jìn)行封裝的過(guò)程中，不需要在制作過(guò)程中額外增加工藝和大型設(shè)備，只需要將觸摸屏的結(jié)構(gòu)與薄膜封裝穿插在一起，即可完成觸摸屏的制作，大大提高了觸摸屏的制作效率。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。