本發(fā)明涉及一種導電性基板、層疊導電性基板、導電性基板的制造方法、層疊導電性基板的制造方法。

背景技術：

電容式觸摸面板，通過檢測接近面板表面的物體所引起的電容變化，而將該接近的物體在面板表面上的位置信息轉換成電信號。用于電容式觸摸面板的導電性基板被設置在顯示器的表面，因此導電性基板的配線材料被要求反射率低、不易視覺識別。

由此，作為用于電容式觸摸面板的配線材料，使用反射率低、不易識別的材料，在透明基板或透明薄膜上形成配線。例如，專利文獻1公開了一種在高分子薄膜上作為透明導電膜形成ITO(氧化銦錫)膜的觸摸面板用透明導電性薄膜。

近年，具備觸摸面板的顯示器向著大屏幕化發(fā)展，隨之，觸摸面板用透明導電性薄膜等導電性基板也被要求大面積化。然而，ITO電阻值高、發(fā)生信號劣化，因此存在不適于大型面板的問題。

為此，例如專利文獻2、3公開了以銅等的金屬箔代替ITO膜的技術探討。然而，例如在金屬層使用銅的情況下，由于銅具有金屬光澤，因反射而會造成顯示器的視覺識別性降低的問題。

因此，在研究以銅等的金屬箔構成金屬層并在金屬層的上面形成由黑色材料構成的黑化層的導電性基板。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-151358號公報

專利文獻2：日本特開2011-018194號公報

專利文獻3：日本特開2013-069261號公報

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的問題

然而，以往的黑化層均采用干式法進行成膜，為了形成膜厚能夠充分抑制由金屬箔構成的金屬層的金屬光澤的黑化層，費時且造成生產(chǎn)性低的問題。

鑒于上述以往的技術問題，本發(fā)明的目的在于提供一種電阻值小、能夠抑制光反射并且能以良好的生產(chǎn)性進行制造的導電性基板。

用于解決問題的方案

為了解決上述問題，本發(fā)明的一個方面提供一種導電性基板，其包括：透明基材；形成在所述透明基材的至少一個面上的金屬層；以及以濕式法形成在所述金屬層上且包含鎳與鋅的黑化層。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，能夠提供一種電阻值小、能夠抑制光反射并且能以良好的生產(chǎn)性進行制造的導電性基板。

附圖說明

圖1A是本發(fā)明的實施方式的導電性基板的剖面圖。

圖1B是本發(fā)明的實施方式的導電性基板的剖面圖。

圖2A是本發(fā)明的實施方式的圖案化導電性基板的結構說明圖。

圖2B是本發(fā)明的實施方式的圖案化導電性基板的結構說明圖。

圖3A是本發(fā)明的實施方式的具備網(wǎng)狀配線的層疊導電性基板的結構說明圖。

圖3B是本發(fā)明的實施方式的具備網(wǎng)狀配線的層疊導電性基板的結構說明圖。

圖4是本發(fā)明的實施方式的具備網(wǎng)狀配線的導電性基板的剖面圖。

圖5是本發(fā)明的實施方式的輥對輥濺射裝置的說明圖。

圖6是對實施例及比較例中制作的導電性基板的黑化層表面進行測定的表面電阻。

圖7是實施例及比較例中制作的導電性基板的黑化層表面的鏡面反射率。

圖8是實施例及比較例中制作的導電性基板的黑化層表面的亮度。

具體實施方式

以下，對本發(fā)明的導電性基板、層疊導電性基板、導電性基板的制造方法及層疊導電性基板的制造方法的一個實施方式進行說明。

(導電性基板)

本實施方式的導電性基板可具有透明基材、形成在透明基材的至少一個面上的金屬層、以濕式法形成在金屬層上且包含鎳與鋅的黑化層。

需要說明的是，本實施方式中的導電性基板包括：對金屬層等進行圖案化之前的、在透明基材的表面具有金屬層及黑化層的基板；對金屬層等進行了圖案化的基板，即，配線基板。另外，對金屬層及黑化層進行圖案化之后的導電性基板，由于其中包含透明基材未被金屬層等覆蓋的區(qū)域，因此可使光透過，而構成透明導電性基板。

在此，首先對導電性基板所包含的各構件進行說明。

對于透明基材并無特別限定，可以優(yōu)選使用可見光可透過的樹脂基板(樹脂薄膜)、或玻璃基板等。

作為可見光可透過的樹脂基板的材料，例如可優(yōu)選使用聚酰胺類樹脂、聚乙烯對苯二甲酯類樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯類樹脂、環(huán)烯類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚碳酸酯類樹脂等樹脂。尤其是，作為可見光可透過的樹脂基板的材料，可優(yōu)選使用PET(聚乙烯對苯二甲酯)、COP(環(huán)烯聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚酰亞胺、聚碳酸酯等。

關于透明基材的厚度并無特別限定，可根據(jù)導電性基板所被要求的強度及電容、光透過率等，任意選擇。透明基材的厚度例如可以是10μm以上200μm以下。尤其用于觸摸面板用途的情況下，透明基材的厚度優(yōu)選為20μm以上120μm以下，更優(yōu)選為20μm以上100μm以下。在用于觸摸面板用途的情況下，例如尤其要求顯示器整體厚度較薄的用途中，透明基材的厚度優(yōu)選為20μm以上50μm以下。

優(yōu)選透明基材的全光線透過率較高，例如，優(yōu)選全光線透過率為30％以上，更優(yōu)選為60％以上。通過使透明基材的全光線透過率在上述范圍內(nèi)，例如在用于觸摸面板用途的情況下，能夠確保顯示器具有充分的視覺識別性。

在此，可根據(jù)JIS K 7361-1規(guī)定的方法來評價透明基材的全光線透過率。

透明基材具有第1主平面與第2主平面，在此所說的主平面指透明基材所包含的面中面積最大的平面部。并且，第1主平面與第2主平面是指1個透明基材中相對配置的面。

其次，對金屬層進行說明。

關于構成金屬層的材料并無特別限定，可選擇導電率符合用途的材料，例如，優(yōu)選由Cu以及從Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W中選擇的至少1種以上的金屬構成的銅合金或含銅材料。另外，金屬層可為由銅構成的銅層。

關于在透明基材上形成金屬層的方法并無特別限定，為了不使光透過率降低，透明基材與金屬層之間不配置粘合劑為佳。即，優(yōu)選將金屬層直接形成于透明基材的上面。另外，在如下所述的透明基材與金屬層之間配置粘著層的情況下，優(yōu)選在粘著層的上面直接形成。

為了在透明基材的上面直接形成金屬層，優(yōu)選金屬層具有金屬薄膜層。另外，金屬層也可具有金屬薄膜層與金屬鍍層。

例如，在透明基材上，可通過干式鍍法形成金屬薄膜層，并將該金屬薄膜層作為金屬層。由此，不使用粘合劑也能夠在透明基材上直接形成金屬層。關于干式鍍法后面將詳細敘述，例如可優(yōu)選使用濺射法或蒸鍍法等。

另外，為使金屬層的膜厚增厚，能以金屬薄膜層作為供電層，通過作為濕式鍍法之一種的電鍍法來形成金屬鍍層，從而構成具有金屬薄膜層與金屬鍍層的金屬層。通過金屬層具有金屬薄膜層與金屬鍍層，在此情況下也能夠在透明基材上直接形成金屬層，而不用粘合劑。

對金屬層的厚度并無特別限定，將金屬層用為配線的情況下，可根據(jù)供給該配線的電流的大小及配線寬度等來任意選擇。為了能夠提供充分的電流，金屬層的厚度優(yōu)選為50nm以上，更優(yōu)選為60nm以上，進一步優(yōu)選為150nm以上。對于金屬層的厚度的上限值并無特別限定，但金屬層增厚時，為形成配線圖案而進行蝕刻的蝕刻時間拖長，而會發(fā)生側蝕，從而易發(fā)生電阻層在蝕刻中途剝離等的問題。因此，金屬層的厚度優(yōu)選為8μm以下，更優(yōu)選為5μm以下，進一步優(yōu)選為3μm以下。

另外，在金屬層具有如上所述的金屬薄膜層與金屬鍍層的情況下，優(yōu)選金屬薄膜層厚度與金屬鍍層厚度之總和在上述范圍內(nèi)。

在金屬層由金屬薄膜層構成的情況下，或由金屬薄膜層與金屬鍍層構成的情況下，對金屬薄膜層的厚度均無特別限定，但優(yōu)選例如50nm以上500nm以下。

如下所述，例如通過對金屬層進行圖案化而形成所希望的配線圖案，從而可用為配線。并且，金屬層與以往用于透明導電膜的ITO相比更能降低電阻值，因此，通過設置金屬層，可減小導電性基板的電阻值。

以下，對黑化層進行說明。

可將黑化層形成于金屬層的上面。

黑化層可由濕式法形成，并且可包含鎳與鋅。

在上述以往的導電性基板中，黑化層均由干式鍍法形成。相對于此，本實施方式的導電性基板中，通過濕式法形成黑化層，能夠在比干式鍍法更短的時間內(nèi)進行黑化層的成膜，從而能夠提高生產(chǎn)性。另外，通過設置黑化層，能夠抑制金屬層上面的光反射。

形成黑化層的方法是濕式法即可，對此并無特別限定，例如可舉出在金屬層上以濕式鍍法重新形成黑化層并進行層疊的方法。在此情況下，作為濕式鍍法例如可適宜使用電鍍法。

對于黑化層所包含的鎳與鋅的比率并無特別限定，但優(yōu)選黑化層所包含的鎳及鋅中的鎳所占比率為重量比的40wt％以上99wt％以下。

另外，在此所說的黑化層所包含的鎳及鋅中的鎳所占的比率是指，將黑化層所包含的鎳與鋅的合計量作為100wt％時鎳所占的比率，其余部分為鋅的比率。因此，以黑化層中的鎳：鋅的重量比率來表示上述范圍時，意味著優(yōu)選為40：60以上99：1以下。

通過使黑化層所包含的鎳及鋅中的鎳所占的比率成為40wt％以上，能夠抑制黑化層表面的色斑。通過抑制黑化層表面的色斑，例如在形成對金屬層及黑化層進行了圖案化的導電性基板的情況下，能夠使金屬層及黑化層被圖案化的配線部變得更不顯眼，從而能夠提高美觀，因此優(yōu)選此方式。

另外，黑化層包含鎳及鋅時，無論其比率如何，均成為可抑制金屬層的光反射的顏色，但黑化層所包含的鎳及鋅中的鎳所占的比率為99wt％以下時尤其能夠抑制金屬層的光反射，因此優(yōu)選此方式。

尤其是，黑化層所包含的鎳及鋅中的鎳所占的比率更優(yōu)選為重量比的70wt％以上99wt％以下，進而優(yōu)選為75wt％以上99wt％以下。

黑化層也可包含鎳及鋅之外的任意成分，對其組成物并無特別限定，但優(yōu)選以鎳及鋅為主成分，更優(yōu)選由鎳及鋅構成。在此，以鎳及鋅為主成分是指黑化層中包含的鎳及鋅大于50wt％。黑化層由鎳及鋅構成的情況下，也并不排除包含不純成分或不可避免成分，通過濕式鍍法進行黑化層成膜的情況下，除了鎳及鋅以外，黑化層也可包含源自鍍液的成分。

對黑化層的厚度并無特別限定，可根據(jù)導電性基板被要求的反射率的程度等來任意選擇。為了能夠充分抑制金屬層表面的光反射，黑化層的厚度優(yōu)選為5nm以上，更優(yōu)選為15nm以上。

對黑化層的厚度的上限值也無特別限定，但考慮到形成配線圖案時的生產(chǎn)性，黑化層的厚度優(yōu)選為1μm以下。尤其從提高生產(chǎn)性的觀點而言，更優(yōu)選為500nm以下。

另外，導電性基板中除了上述的透明基材、金屬層、黑化層之外，也可設置任意的層。例如，可設置粘著層。

以下關于粘著層的結構例進行說明。

如上所述，可在透明基材上形成金屬層，但在透明基材上直接形成金屬層的情況下，透明基材與金屬層的粘著性有時不夠充分。因此，在透明基材的上面直接形成金屬層的情況下，在制造過程或使用中，金屬層有時會從透明基材剝離。

對此，本實施方式的導電性基板中，為了提高透明基材與金屬層的粘著性，可在透明基材上配置粘著層。

通過在透明基材與金屬層之間配置粘著層，可提高透明基材與金屬層的粘著性，抑制金屬層從透明基材剝離。

另外，粘著層也可發(fā)揮作為黑化層的作用。因此，還能夠抑制來自金屬層的下面?zhèn)?，即透明基材側的光所致的金屬層的光反射?/p>

對構成粘著層的材料并無特別限定，可根據(jù)與透明基材及金屬層的粘著力、所要求的金屬層表面的光反射的抑制程度、或對于使用導電性基板的環(huán)境(例如濕度、溫度)的穩(wěn)定性程度等來任意選擇。

作為構成粘著層的材料，例如優(yōu)選包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬。另外，粘著層也可包含從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。

另外，粘著層也可包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少2種以上的金屬的金屬合金。在此情況下，還可以包含從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。在此，作為包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少2種以上金屬的金屬合金，可優(yōu)選使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。

關于粘著層的成膜方法并無特別限定，但優(yōu)選以干式鍍法成膜。作為干式鍍法例如可優(yōu)選使用濺射法、離子電鍍法、蒸鍍法等。以干式法對粘著層進行成膜的情況下，考慮到容易控制膜厚，因此更優(yōu)選使用濺射法。另外，如上所述，在粘著層還可以添加從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素，該情況下更優(yōu)選使用反応性濺射法。

另外，為使粘著層包含從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素，可通過在對粘著層進行成膜時的氣氛中添加包含從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體，從而能夠添加于粘著層中。例如，進行干式鍍層時，在向粘著層添加碳的情況下可選擇一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體、添加氧的情況下可選擇氧氣、添加氫的情況下可選擇氫氣及/或水、添加氮的情況下可選擇氮氣，預先添加到氣氛中。

優(yōu)選將包含從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體，添加于惰性氣體，在進行干式鍍層時作為氣氛氣體。關于惰性氣體并無特別限定，例如可優(yōu)選使用氬。

通過如上所述的干式鍍法進行粘著層的成膜，能夠提高透明基材與粘著層的粘著性。并且，粘著層例如作為主成分可包含金屬，因此與金屬層的粘著性高。由此，通過在透明基材與金屬層之間配置粘著層，能夠抑制金屬層的剝離。

對粘著層的厚度并無特別限定，例如優(yōu)選3nm以上50nm以下，更優(yōu)選3nm以上35nm以下，進一步優(yōu)選3nm以上33nm。

關于粘著層，使其發(fā)揮作為黑化層的作用的情況下，即，抑制金屬層的光反射的情況下，粘著層的厚度如上所述，優(yōu)選為3nm以上。

對粘著層的厚度的上限值并無特別限定，但沒必要的增厚會使成膜所需時間以及形成配線時的蝕刻所需時間拖長、成本提高。因此，粘著層的厚度如上所述優(yōu)選為50nm以下、更優(yōu)選為35nm以下、進一步優(yōu)選33nm以下。

接下來，關于導電性基板的結構例進行說明。

如上所述，本實施方式的導電性基板具備透明基材、金屬層及黑化層，可以是一個在透明基材上依次層疊金屬層、黑化層而成的結構。

關于具體的結構例，以下參照圖1A、圖1B進行說明。圖1A、圖1B是沿著與透明基材、金屬層、黑化層的層疊方向平行的面表示本實施方式的導電性基板的剖面圖的例子。

例如，如圖1A所示的導電性基板10A，可以構成在透明基材11的第1主平面11a側依次層疊金屬層12與黑化層13各一層的結構。另外，如圖1B所示的導電性基板10B，也可構成在透明基材11的第1主平面11a側及第2主平面11b側分別依次層疊金屬層12A、12B及黑化層13A、13B各一層的結構。

本實施方式的導電性基板可用于例如觸摸面板等各種用途。并且，用于各種用途時，優(yōu)選對本實施方式的導電性基板所包含的金屬層及黑化層進行圖案化。例如可根據(jù)所希望的配線圖案，對金屬層及黑化層進行圖案化，優(yōu)選將金屬層及黑化層圖案化為相同形狀。

在本實施方式的導電性基板中，如上所述，在金屬層12(12A、12B)的上面配置有黑化層13(13A、13B)。因此，能夠抑制來自金屬層12(12A、12B)的上面?zhèn)鹊墓夥瓷洹?/p>

另外，如上所述，例如可在透明基材11與金屬層12之間設置未圖示的粘著層。在此，若是圖1B所示的導電性基板10B的情況，可在透明基材11與金屬層12A之間及/或透明基材11與金屬層12B之間設置粘著層。通過設置粘著層，可提高透明基材11與金屬層12(12A、12B)的粘著性，從而可抑制金屬層12(12A、12B)從透明基材11剝離。另外，通過設置粘著層，還能夠抑制金屬層12(12A、12B)的未設置黑化層的面的光反射，因此優(yōu)選此方式。

需要說明的是，對金屬層及黑化層進行圖案化時，還可以例如根據(jù)所希望的配線圖案來對粘著層進行圖案化，優(yōu)選將粘著層、金屬層及黑化層圖案化為相同形狀。

對本實施方式的導電性基板的光反射程度并無特別限定，例如優(yōu)選為波長400nm以上700nm以下的光反射率(鏡面反射率)為35％以下，更優(yōu)選為30％以下。在波長400nm以上700nm以下的光反射率為35％以下的情況下，例如用于觸摸面板用導電性基板的情況下，也幾乎不會引起顯示器的視覺識別性降低，因此優(yōu)選此方式。

反射率的測定，可通過向黑化層13(13A、13B)照射光來進行測定。

具體而言，例如像圖1A所示，在透明基材11的第1主平面11a側依次層疊有金屬層12、黑化層13的情況下，以向黑化層13照射光的方式，從黑化層13的表面13a側照射光，并進行測定。測定時，可將波長400nm以上700nm以下的光例如以波長1nm的間隔，如上所述對導電性基板的黑化層13進行照射，并將測定的值的平均值作為該導電性基板的反射率。

另外，關于本實施方式的導電性基板的黑化層13(13A、13B)的表面，L*a*b*色彩系統(tǒng)的亮度(L*)的數(shù)值小為佳。其理由在于，亮度(L*)的數(shù)值越小，黑化層13(13A、13B)及金屬層12(12A、12B)越不顯眼，黑化層13(13A、13B)的表面亮度(L*)優(yōu)選為60以下。

另外，由于本實施方式的導電性基板上設有如上所述的金屬層，因此能夠減小導電性基板的表面電阻。表面電阻優(yōu)選為小于0.2Ω/□，更優(yōu)選為小于0.15Ω/□，進而優(yōu)選為小于0.06Ω/□。對表面電阻的測定方法并無特別限定，例如可利用4探針法進行測定，優(yōu)選使探針接觸導電性基板的黑化層的方式進行測定。

至此關于本實施方式的導電性基板進行了說明，還可以將本實施方式的多片導電性基板層疊為層疊導電性基板。對導電性基板進行層疊時，優(yōu)選對導電性基板所包含的金屬層、黑化層進行如上所述的圖案化。另外，設置粘著層的情況，優(yōu)選對粘著層也進行圖案化。

尤其用于觸摸面板用途的情況下，優(yōu)選導電性基板或層疊導電性基板具備如下網(wǎng)狀配線。

在此，以對2片導電性基板進行層疊而形成具備網(wǎng)狀配線的層疊導電性基板的情況為例，并參照圖2A、圖2B來說明層疊前的導電性基板上形成的金屬層以及金屬層的圖案形狀的結構例。在此，圖案化的金屬層發(fā)揮作為配線的作用，粘著層及/或黑化層也可根據(jù)其電阻值構成配線的一部分。

圖2A是對構成具備網(wǎng)狀配線的層疊導電性基板的2片導電性基板中的一方導電性基板，從導電性基板20的上面?zhèn)龋?，與透明基材11的主平面垂直的方向進行觀察時的圖。另外，圖2B表示沿著圖2A中的A-A’線的剖面圖。

在如圖2A、圖2B所示的導電性基板20，透明基材11上的圖案化的金屬層22及黑化層23具有相同形狀。例如，圖案化的黑化層23具有圖2A所示的直線形狀的多個圖案(黑化層圖案23A～23G)，該多個直線形狀的圖案在圖中Y軸上平行且在圖中X軸方向上彼此分離而配置。在此，如圖2A所示，透明基材11具有四角形狀的情況下，優(yōu)選使黑化層的圖案(黑化層圖案23A～23G)與透明基材11的一邊平行配置。

需要說明的是，如上所述，圖案化的金屬層22與圖案化的黑化層23同樣被圖案化，也具有直線形狀的多個圖案(金屬層圖案)，該多個圖案可相平行且分離配置。另外，在設置未圖示的粘著層的情況下，粘著層也可具有相同圖案。因此，圖案間將會露出透明基材11的第1主平面11a。

對圖2A、圖2B所示的圖案化的金屬層22及黑化層23的圖案形成方法并無特別限定。例如，在圖1A所示的導電性基板上，形成黑化層13之后，在黑化層13的表面13a上配置形狀與欲要形成的圖案相對應的掩膜，并進行蝕刻，從而可形成圖案。對使用的蝕刻液并無特別限定，可根據(jù)構成被蝕刻層的材料任意選擇。例如，可按每一層變更蝕刻液，或可使用同一蝕刻液同時對金屬層及黑化層，根據(jù)情況還對粘著層進行蝕刻。

并且，通過對金屬層及黑化層被圖案化的2片導電性基板進行層疊，可形成層疊導電性基板。關于層疊導電性基板，參照圖3A、圖3B進行說明。圖3A表示從上面?zhèn)?，即，沿?片導電性基板的層疊方向從上面?zhèn)扔^察層疊導電性基板30時的圖，圖3B表示沿著圖3A的B-B’線的剖面圖。

層疊導電性基板30，如圖3B所示，其為導電性基板201與導電性基板202層疊而成的結構。需要說明的是，導電性基板201、202均在透明基材111(112)的第1主平面111a(112a)上層疊有圖案化的金屬層221(222)及黑化層231(232)。導電性基板201、202的圖案化的金屬層221(222)及黑化層231(232)均與上述導電性基板20同樣，被圖案化為具有直線形狀的多個圖案。

并且，使一方的導電性基板201的透明基材111的第1主平面111a與另一方的導電性基板202的透明基材112的第2主平面112b以相對層疊。

需要說明的是，也可使一方的導電性基板201上下顛倒，從而使一方的導電性基板201的透明基材111的第2主平面111b與另一方的導電性基板202的透明基材112的第2主平面112b相對層疊。在此情況下，成為與如下所述的圖4相同的配置。

2片導電性基板層疊時，如圖3A、圖3B所示，可以使一方的導電性基板201的圖案化的金屬層221與另一方的導電性基板202的圖案化的金屬層222交叉的方式層疊。具體而言，例如在圖3A、圖3B中，可將一方的導電性基板201配置成其圖案化的金屬層221的圖案的長度方向與圖中X軸方向平行的方式。而將另一方的導電性基板202配置成其圖案化的金屬層222的圖案的長度方向與圖中Y軸方向平行的方式。

需要說明的是，圖3A是如上所述沿著層疊導電性基板30的層疊方向觀察時的圖，因此表示了被配置在各導電性基板201、202的最上部的圖案化的黑化層231、232。圖案化的金屬層221、222也具有與圖案化的黑化層231、232相同的圖案，因此圖案化的金屬層221、222也成為與圖案化的黑化層231、232相同的網(wǎng)狀。另外，設置粘著層的情況，圖案化的粘著層也成為與圖案化的黑化層231、232相同的網(wǎng)狀。

對層疊的2片導電性基板的粘合方法并無特別限定，例如可使用粘合劑等進行粘合、固定。

如上所述，通過使一方的導電性基板201與另一方的導電性基板202層疊，可獲得如圖3A所示的具備網(wǎng)狀配線的層疊導電性基板30。

需要說明的是，在圖3A、圖3B中表示了組合直線形狀的配線而形成網(wǎng)狀配線(配線圖案)的例子，但不限定該形態(tài)，構成配線圖案的配線可為任意形狀。例如，為避免顯示器圖像之間產(chǎn)生波紋(干擾紋)，構成網(wǎng)狀配線圖案的配線的形狀可分別是鋸齒狀彎曲線(鋸齒直線)等各種形狀。

在此說明了將2片導電性基板層疊而構成具備網(wǎng)狀配線的層疊導電性基板的例子，但構成具備網(wǎng)狀配線(層疊)的導電性基板的方法并不限定于該形態(tài)。例如像圖1B所示，也可由在透明基材11的第1主平面11a、第2主平面11b上層疊金屬層12A、12B、黑化層13A、13B而成的導電性基板10B形成具備網(wǎng)狀配線的導電性基板。

在此情況下，對層疊于透明基材11的第1主平面11a側的金屬層12A及黑化層13A進行圖案化，構成沿著圖1B中的Y軸方向，即，與垂直于紙面的方向平行的多個直線形狀的圖案。另外，對層疊于透明基材11的第2主平面11b側的金屬層12B及黑化層13B進行圖案化，構成與圖1B中的X軸方向平行的多個直線形狀的圖案。如上所述例如可通過蝕刻實施圖案化。由此，如圖4所示，由夾著透明基材11形成于透明基材的第1主平面11a側的圖案化的金屬層42A與形成于第2主平面11b側的圖案化的金屬層42B，構成具備網(wǎng)狀配線的導電性基板40。另外，在此情況下，在圖案化的金屬層42A、42B的上面將配置被同樣圖案化的黑化層43A、43B。

根據(jù)以上說明的(層疊)導電性基板，在圖案化的金屬層的上面配置有圖案化的黑化層。由此，能夠抑制圖案化的金屬層表面的光反射。另外，由于配置有金屬層，因此能夠減小電阻值。并且，如上所述，以濕式法形成黑化層，因此制造時的生產(chǎn)性良好。

(導電性基板的制造方法、層疊導電性基板的制造方法)

以下，對本實施方式的導電性基板的制造方法及層疊導電性基板的制造方法的結構例進行說明。

本實施方式的導電性基板的制造方法可包括以下步驟。在透明基材的至少一個面上形成金屬層的金屬層形成步驟。通過濕式法在金屬層上形成包含鎳與鋅的黑化層的黑化層形成步驟。

以下，對本實施方式的導電性基板的制造方法及層疊導電性基板的制造方法進行說明，除了以下將說明的內(nèi)容之外，可采用與上述導電性基板、層疊導電性基板相同的結構，因此省略說明。

可預先準備用于金屬層形成步驟的透明基材。對于所使用的透明基材的種類并無特別限定，可優(yōu)選使用如上所述的可見光可透過的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等?？筛鶕?jù)需要將透明基材預先切斷成任意尺寸等。

并且，金屬層如上所述，優(yōu)選具有金屬薄膜層。另外，金屬層可具有金屬薄膜層與金屬鍍層。因此，金屬層形成步驟可包括例如以干式鍍法形成金屬薄膜層的步驟。另外，金屬層形成步驟也可包括以干式鍍法形成金屬薄膜層的步驟，以及以該金屬薄膜層作為供電層，通過作為濕式鍍法的一種的電鍍法形成金屬鍍層的步驟。

對于形成金屬薄膜層的步驟采用的干式鍍法并無特別限定，例如可采用蒸鍍法、濺射法或離子電鍍法等。在此，作為蒸鍍法可優(yōu)選使用真空蒸鍍法。作為在形成金屬薄膜層的步驟采用的干式鍍法，尤其考慮到易于控制膜厚，因此優(yōu)選使用濺射法。

通過濺射法進行金屬薄膜層的成膜時，例如可使用輥對輥濺射(roll to roll sputtering)裝置適宜進行成膜。

以使用輥對輥濺射裝置50的情況為例，說明金屬薄膜層的形成方法。

圖5表示輥對輥濺射裝置50的一結構例。

輥對輥濺射裝置50具有可容納其幾乎所有的結構部件的殼體51。

圖5中殼體51的形狀為長方體形狀，對殼體51的形狀并無特別限定，可根據(jù)內(nèi)部收容的裝置、設置位置、耐壓性能等，采用任意的形狀。例如，殼體51的形狀可以是圓筒形狀。

在此，成膜開始時為了去除與成膜無關的殘留氣體，優(yōu)選可將殼體51內(nèi)部減壓至10^-3Pa以下，更優(yōu)選為減壓至10^-4Pa以下。另外，無需使殼體51內(nèi)部全都減壓至上述壓力，可以是僅使進行濺射的、配置有后述滾筒53的圖中下側的區(qū)域降壓至上述壓力的結構。

殼體51內(nèi)可配置用于提供金屬薄膜層的成膜基材的卷出輥52、滾筒53、濺射陰極54a～54d、前供料輥55a、后供料輥55b、張力輥56a、56b、卷取輥57。另外，在金屬薄膜層的成膜基材的搬送路徑上，除了上述各輥之外，還可以設置任意的導向輥58a～58h，或加熱器61等。

卷出輥52、滾筒53、前供料輥55a、卷取輥57可由伺服電動機提供動力。卷出輥52、卷取輥57是根據(jù)粉粒離合器等的扭矩控制，可保持金屬薄膜層的成膜基材的張力平衡的結構。

關于滾筒53的結構也無特別限定，例如優(yōu)選其表面為硬質(zhì)鉻鍍層加工，其內(nèi)部有來自殼體51外部的冷媒或熱媒循環(huán)，可調(diào)整為大致穩(wěn)定的溫度的結構。

張力輥56a、56b例如優(yōu)選表面為硬質(zhì)鉻鍍層加工，并具有張力感應器。

另外，前供料輥55a、后供料輥55b及導向輥58a～58h的表面也優(yōu)選為硬質(zhì)鉻鍍層加工。

優(yōu)選濺射陰極54a～54d以磁電管陰極式與滾筒53相對而配置。對濺射陰極54a～54d的尺寸并無特別限定，優(yōu)選濺射陰極54a～54d的金屬薄膜層的成膜基材的寬方向的尺寸大于金屬薄膜層的成膜基材的寬度。

金屬薄膜層的成膜基材在作為輥對輥真空成膜裝置的輥對輥濺射裝置50內(nèi)被搬送，并在與滾筒53相對的濺射陰極54a～54d被進行成膜形成金屬薄膜層。

在使用輥對輥濺射裝置50進行金屬薄膜層的成膜時，將規(guī)定的目標物安裝在濺射陰極54a～54d，并對金屬薄膜層的成膜基材被設在卷出輥52上的裝置內(nèi)，用真空泵60a、60b進行真空排氣。然后，由氣體供給單元59向殼體51內(nèi)導入濺射氣體。此時，優(yōu)選通過對濺射氣體的流量、設在真空泵60b與殼體51之間的壓力調(diào)整泵的開度進行調(diào)整，而使裝置內(nèi)保持例如0.13Pa以上13Pa以下，并實施成膜。

另外，氣體供給單元59例如可按其提供的濺射氣體的每個氣體種類具備未圖示的泵。并且，可在泵與殼體51之間例如按每個氣體種類設置如圖所示的流量控制器(MFC)或閥等，以構成能夠調(diào)整所提供的濺射氣體流量的結構。

另外，可在殼體51設置例如真空計62a、62b，以構成在對殼體51內(nèi)進行真空吸引時、向框體51內(nèi)提供濺射氣體時對殼體51內(nèi)的真空度進行調(diào)整的結構。

在此狀態(tài)下，例如以每分鐘1m以上20m以下的速度從卷出輥52搬送基材，并由連接于濺射陰極54a～54d的濺射用直流電源提供電力，進行濺射放電。由此，能夠在基材上進行所希望的金屬薄膜層的連續(xù)成膜。

以下，對形成金屬鍍層的步驟進行說明。對通過濕式鍍法形成金屬鍍層的步驟的條件，即，電鍍處理的條件并無特別限定，采用常用方法之諸條件即可。例如，向裝有金屬鍍液的鍍槽提供形成有金屬薄膜層的基材，通過對電流密度及基材的搬送速度進行控制，可形成金屬鍍層。

以下，對形成黑化層的步驟進行說明。

形成黑化層的步驟中，可通過濕式法形成黑化層。通過濕式法形成黑化層，與以往僅用干式法形成黑化層的情況相比，能以良好的生產(chǎn)性制造導電性基板。

另外，以以往的干式法進行黑化層的成膜時，例如，以濕式法進行金屬鍍層的成膜之后，從濕式法的成膜裝置中取出被成膜體，必須使被成膜體干燥之后將其設置在干式法的裝置上，從而造成生產(chǎn)性降低。相對于此，本實施方式的導電性基板的制造方法中，以濕式法形成黑化層，因此能在濕式法的裝置中連續(xù)形成金屬鍍層與黑化層，能夠顯著提高生產(chǎn)性。

形成黑化層方法是濕式法即可，對此并無特別限定，例如可舉出在金屬層上以濕式鍍法重新形成黑化層并層疊的方法。在此情況下，作為濕式鍍法例如可優(yōu)選使用電鍍法。

另外，作為以濕式法形成黑化層的具體方法，可舉出使用含鎳及鋅的鍍液，以電鍍法形成黑化層的方法。對此時使用的鍍液的種類并無特別限定，例如可優(yōu)選使用含鎳及鋅的黑鎳鍍液。在此，優(yōu)選預先對鍍液的組成物與欲將成膜的黑化層的組成物的關系進行預備試驗，選擇鍍液的組成物，以獲得包含所希望的組成物的黑化層。

另外，還可以實施任意的步驟。例如，在透明基材與金屬層之間形成粘著層的情況下，可實施在透明基材的形成金屬層的面上形成粘著層的粘著層形成步驟。在實施粘著層形成步驟的情況下，可在粘著層形成步驟之后實施金屬層形成步驟，金屬層形成步驟中說明的金屬薄膜層的成膜基材在本步驟中成為用于在透明基材上形成粘著層的基材。

例如像圖1A所示，可在作為透明基材11的一方的主平面的第1主平面11a上形成粘著層。另外，如圖1B所示的導電性基板10B，也可在透明基材11的第1主平面11a及第2主平面11b的兩者形成粘著層。在透明基材11的第1主平面11a及第2主平面11b的兩者形成粘著層的情況下，可在兩個主平面同時形成粘著層。另外，也可在任一個主平面形成粘著層之后在另一個主平面形成粘著層。

對構成粘著層的材料并無特別限定，可根據(jù)透明基材及金屬層的粘著力、金屬層表面的光反射的抑制程度或相對于使用導電性基板的環(huán)境(例如，濕度或溫度)的穩(wěn)定性程度等來任意選擇。關于適合用于構成粘著層的材料，以上已作說明，在此省略贅述。

對粘著層的成膜方法并無特別限定，例如，如上所述可以用干式鍍法成膜。作為干式鍍法，例如可優(yōu)選使用濺射法、離子電鍍法、蒸鍍法等。如上所述，可向粘著層添加從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素，在此情況下更優(yōu)選使用反応性濺射法。

需要說明的是，為使粘著層包含從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素，可預先向粘著層成膜時的氣氛中添加包含從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體，從而能夠添加到粘著層中。例如，向粘著層添加碳的情況下將一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體、添加氧的情況下將氧氣、添加氫的情況下將氫氣及/或水、添加氮的情況下將氮氣，可預先添加到進行干式鍍時的氣氛中。

優(yōu)選將包含從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體添加到惰性氣體中，以此作為干式鍍層時的氣氛。對惰性氣體并無特別限定，例如可優(yōu)選使用氬。

以濺射法進行粘著層的成膜的情況下，作為目標物，可使用包含構成粘著層的金屬種類的目標物。在粘著層包含合金的情況下，可根據(jù)粘著層所包含的每個金屬種類使用目標物，在透明基材等的被成膜體表面形成合金，也可使用預先對粘著層所包含的金屬進行合金化的目標物。

可使用例如圖5所示的輥對輥濺射裝置50，適宜進行粘著層的成膜。

關于輥對輥濺射裝置的結構已作說明，在此省略贅述。

使用輥對輥濺射裝置50進行粘著層的成膜時，將構成粘著層的金屬目標物安裝在濺射陰極54a～54d，將形成粘著層的基材，例如透明基材設置在卷出輥52。然后，對裝置內(nèi)，例如殼體51內(nèi)以真空泵60a、60b進行真空排氣。然后，由氣體供給單元59向殼體51內(nèi)導入氬氣等濺射氣體。此時，優(yōu)選通過對濺射氣體流量、設在真空泵60b與殼體51之間的壓力調(diào)整閥的開度進行調(diào)整，而使裝置內(nèi)保持例如0.13Pa以上13Pa以下，并實施成膜。

在此狀態(tài)下，由卷出輥52例如以毎分0.5m以上10m以下的速度搬送基材，并由連接于濺射陰極54a～54d的濺射用直流電源提供電力，進行濺射放電。從而，能夠在基材上連續(xù)形成所希望的粘著層。

通過以上述干式鍍法進行粘著層的成膜，能夠提高透明基材與粘著層的粘著性。并且，粘著層例如可作為主成分包含金屬，因此與金屬層的粘著性高。從而，通過在透明基材與金屬層之間配置粘著層，能夠抑制金屬層的剝離。

對粘著層的厚度并無特別限定，例如優(yōu)選為3nm以上50nm以下，更優(yōu)選為3nm以上35nm以下，進一步優(yōu)選為3nm以上33nm以下。

通過本實施方式的導電性基板的制造方法所獲得的導電性基板，例如可用于觸摸面板等各種用途。并且，用于各種用途時，優(yōu)選對本實施方式的導電性基板所包含的金屬層及黑化層進行圖案化。另外，設置粘著層的情況下，優(yōu)選對粘著層也進行圖案化。對金屬層及黑化層，根據(jù)情況進而對粘著層，例如可根據(jù)所希望的配線圖案進行圖案化，優(yōu)選對金屬層及黑化層，根據(jù)情況進而對粘著層進行相同形狀的圖案化。

由此，本實施方式的導電性基板的制造方法可包括對金屬層及黑化層進行圖案化的圖案化步驟。在此，形成粘著層時，圖案化步驟可以是對粘著層、金屬層及黑化層進行圖案化的步驟。

對圖案化步驟的具體順序并無特別限定，可按任意的順序實施。例如圖1A所示的透明基材11上層疊了金屬層12、黑化層13的導電性基板10A的情況下，首先可實施在黑化層13上配置具有所希望的圖案的掩膜的掩膜配置步驟。其次，實施向黑化層13的上面，即，配置了掩膜的面?zhèn)忍峁┪g刻液的蝕刻步驟。

對蝕刻步驟中使用的蝕刻液并無特別限定，可根據(jù)構成被蝕刻層的材料來任意選擇。例如，可按每層變換蝕刻液，或者也可用相同的蝕刻液同時對金屬層及黑化層，根據(jù)情況進而對粘著層進行蝕刻。

對蝕刻步驟中形成的圖案并無特別限定。例如可對金屬層及黑化層進行圖案化形成直線形狀的多個圖案。在進行圖案化而形成直線形狀的多個圖案的情況下，如圖2A、圖2B所示、圖案化的金屬層22及黑化層23成為相互平行且分離的圖案。

另外，對如圖1B所示在透明基材11的第1主平面11a、第2主平面11b上層疊了金屬層12A、12B、黑化層13A、13B的導電性基板10B，也能夠實施進行圖案化的圖案化步驟。在此情況下，例如可實施在黑化層13A、13B上配置具有所希望的圖案的掩膜的掩膜配置步驟。其次，可實施向黑化層13A、13B的上面，即，配置掩膜的面?zhèn)忍峁┪g刻液的蝕刻步驟。

在蝕刻步驟中，例如，可對透明基材11的第1主平面11a側層疊的金屬層12A及黑化層13A進行圖案化，形成與圖1B中的Y軸方向，即，與垂直于紙面的方向平行的多個直線形狀的圖案。另外，可對透明基材11的第2主平面11b側層疊的金屬層12B及黑化層13B進行圖案化，形成與圖1B中的X軸方向平行的多個直線形狀的圖案。由此，如圖4所示，由夾著透明基材11形成于透明基材的第1主平面11a側的圖案化的金屬層42A以及、形成與第2主平面11b側的圖案化的金屬層42B，構成具有網(wǎng)狀配線的導電性基板。

另外,還可以對以上說明的多片導電性基板進行層疊而制造層疊導電性基板。層疊導電性基板的制造方法可包括，對通過上述導電性基板的制造方法獲得的多片導電性基板進行層疊的層疊步驟。

層疊步驟中，例如可對多片圖2A、圖2B所示的圖案化導電性基板進行層疊。具體而言，如圖3A、圖3B所示，可采用使一方的導電性基板201的透明基材111的第1主平面111a與另一方的導電性基板202的透明基材112的第2主平面112b相對層疊的方式實施。

層疊后，例如可用粘合劑等固定2片導電性基板201、202。

需要說明的是，還可以使一方的導電性基板201上下顛倒，并使一方的導電性基板201的透明基材111的第2主平面111b與另一方的導電性基板202的透明基材112的第2主平面112b相對而層疊。

構成具備網(wǎng)狀配線的層疊導電性基板的情況下，在層疊步驟中，如圖3A、圖3B所示，可使一方的導電性基板201上預先形成的圖案化的金屬層221與另一方的導電性基板202上預先形成的圖案化的金屬層222交差而層疊。

在圖3A、圖3B中，表示了組合被圖案化為直線形狀的金屬層而形成網(wǎng)狀配線(配線圖案)的例子，但并不限定于該形態(tài)。構成配線圖案的配線，即，圖案化的金屬層的形狀可為任意形狀。例如，為避免顯示器圖像之間產(chǎn)生波紋(干擾紋)，構成網(wǎng)狀配線圖案的配線的形狀可分別是鋸齒狀彎曲線(鋸齒直線)等各種形狀。另外，如上所述，圖案化的金屬層發(fā)揮作為配線的作用，粘著層及/或黑化層也可根據(jù)其電阻值構成配線的一部分。

通過以上的本實施方式的導電性基板的制造方法及層疊導電性基板的制造方法所獲得的導電性基板及層疊導電性基板，由于設有金屬層，因此可減小電阻值。另外，由于金屬層上配置有黑化層，因此能夠抑制光反射。另外，可以用濕式法形成黑化層，因此能以良好的生產(chǎn)性進行制造。

<實施例>

以下舉出具體的實施例、比較例進行說明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例。

(評價方法)

首先，關于所獲得的導電性基板的評價方法進行說明。

(黑化層的組成物)

使用EPMA(Electron Probe MicroAnalyser日本電子株式會社制型號：JXA-8900R)對所獲得的導電性基板的表面上形成的黑化層的組成物進行了分析。根據(jù)測定結果，算出了黑化層所包含的Ni及Zn的重量之和為100時的Ni及Zn的重量％。

(表面電阻)

使用低電阻率計(株式會社Daia Instruments制型號：Loresta-EP MCP-T360)，對以下實施例、比較例中制作的導電性基板的表面電阻進行了測定。采用4探針法，以探針接觸黑化層的方式進行了測定。

(外觀評價)

對黑化層的表面進行觀察，進行了外觀評價。評價中，對黑化層的表面顏色均勻無色斑的情況評為“〇”，對可見少量色斑的情況評為“△”、對黑化層的表面整體可見色斑的情況評為“×”。

(鏡面反射率)

在紫外可視光光度計(株式會社島津制作所制型號：UV-2600)設置反射率測定單元，進行了測定。

對以下實施例、比較例中制作的導電性基板的黑化層表面，以入射角5°、受光角5，并以波長1nm的間隔照射了波長400nm以上700nm以下的光，測定鏡面反射率，并以其平均值作為該導電性基板的鏡面反射率。

需要說明的是，以下的實施例、比較例中，與導電性基板的各層的層疊方向平行的面的剖面中，在透明基材11與金屬層12之間還形成了粘著層，除此之外按照與圖1A相同的結構，制作了導電性基板。因此，對黑化層13的表面13a，通過照射光，測定了鏡面反射率。另外，以下的亮度也同樣，通過對表面13a照射光，進行了測定。

(亮度)

對以下的實施例、比較例中制作的導電性基板的黑化層表面，用紫外可視分光光度計(株式會社島津制作所制型號：UV-2600)以波長1nm的間隔照射了波長400nm以上700nm以下的光，并測定了亮度。

(試料的制作條件)

作為實施例、比較例，按以下說明的條件制作了導電性基板，并以上述評價方法進行了評價。

[實施例1]

(粘著層形成步驟)

將寬500mm、厚100μm的乙烯對苯二甲酸酯樹脂(PET)制的透明基材設置在圖5所示的輥對輥濺射裝置50中。

并且，對作為透明基材而使用的乙烯對苯二甲酸酯樹脂制的透明基材，通過JIS K 7361-1規(guī)定的方法評價了全光線透過率，結果為97％。

另外，通過輥對輥濺射裝置50，在透明基材的一方的主平面進行了粘著層的成膜。作為粘著層形成了含氧Ni-Cr合金層。

對粘著層的成膜條件進行說明。

如圖5所示，在輥對輥濺射裝置50的濺射陰極54a～54d連結了Ni-17重量％Cr合金的目標物。

使輥對輥濺射裝置50的加熱器61加熱到60℃，對透明基材進行加熱，去除了透明基材中包含的水分。

接下來，對殼體51內(nèi)進行排氣至1×10^-3Pa，然后導入氬氣與氧氣，將殼體51內(nèi)的壓力調(diào)整為1.3Pa。此時，通過調(diào)整氬氣與氧氣的給量，使殼體51內(nèi)氣氛體積比成為30％為氧，其余為氬。

并且，由卷出輥52搬送透明基材的同時，通過連接于濺射陰極54a～54d的濺射用直流電源提供電力，進行了濺射放電，在透明基材上連續(xù)形成了所希望的粘著層。通過該操作在透明基材的一方的主平面上形成了厚度20nm的粘著層。

(金屬層形成步驟)

在金屬層形成步驟中，實施了金屬薄膜層形成步驟與金屬鍍層形成步驟。

首先，關于金屬薄膜層形成步驟進行說明。

由輥對輥濺射裝置50在粘著層上進行金屬薄膜層的成膜。作為金屬薄膜層形成了銅薄膜層。

在金屬薄膜層形成步驟中，在圖5所示的輥對輥濺射裝置50的濺射陰極54A～54d連接銅的目標物進行了成膜，并作為基材使用了通過粘著層形成步驟在透明基材上成膜有粘著層的基材。

作為金屬薄膜層成膜時的條件，除了以下2點以及上述目標物有變更之外，按照與粘著層形成步驟相同的條件實施了成膜。

其中一點為，通過排氣使殼體51內(nèi)成為1×10^-3Pa之后，導入氬氣，并將殼體51內(nèi)的壓力調(diào)整為1.3Pa。

另一點為，對作為金屬薄膜層的銅薄膜層進行成膜時使其膜厚成為150nm。

然后，在金屬鍍層形成步驟中，作為金屬鍍層形成了銅鍍層。通過電鍍法進行成膜，使銅鍍層的厚度成為2.0μm。

(黑化層形成步驟)

使用黑色鎳浴黑鎳GT溶液(株式會社JCU制)，其為鍍液中的Ni與Zn的重量被調(diào)制成94：6的黑鎳鍍液，通過電鍍法進行成膜，在金屬層表面形成了厚度為0.4μm的黑化層。

如上所述，在金屬層的上面，即，在金屬層的與粘著層相對的面的反側面上形成黑化層，而獲得了在透明基材上依次重疊了粘著層、金屬層、黑化層的導電性基板。

對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成物、表面電阻、外觀、鏡面反射率、亮度的評價。結果如表1所示。

在此，表1中記載為“黑化層組成物(Ni：Zn)”的項目表示，根據(jù)對制作的黑化層進行如上所述的EPMA分析的值算出的黑化層內(nèi)的Ni與Zn的重量比率。另外，記載為“黑化層形成時的鍍液組成(Ni：Zn)”的項目表示制作黑化層時的鍍液中的Ni與Zn的重量比率。

另外，關于本實施例及以下的實施例、比較例的表面電阻，對測定值進行圖表化的結果如圖6所示，對鏡面反射率的測定值進行圖表化的結果如圖7所示，對亮度的測定值進行圖表化的結果如圖8所示。

關于在本實驗例獲得的導電性基板，在實施形成與黑化層表面上形成的圖案對應的掩膜的掩膜配置步驟之后，實施了蝕刻步驟。蝕刻步驟中通過用蝕刻液(二氯化銅水溶液)對粘著層、金屬層及黑化層進行蝕刻，而獲得了粘著層、金屬層及黑化層被圖案化為圖2A、圖2B所示的直線形狀的多個圖案的導電性基板。在此，圖2A、圖2B表示了未配置粘著層的例子，而本實施例中，在透明基材11與金屬層22之間配置有粘著層，且該粘著層經(jīng)圖案化而具有與金屬層及黑化層相同的形狀。

另外，按照與以上說明的方法相同的順序，又制作了粘著層、金屬層及黑化層被圖案化而具有與上述相同形狀的一片導電性基板。

然后，將制作的2片導電性基板按圖3A、圖3B所示的方式層疊，并用粘合劑固定2片導電性基板，制作了層疊導電性基板。在此，圖3A、圖3B表示了未設置粘著層的例子，而本實施例中，在透明基材111與金屬層221之間，以及透明基材112與金屬層222之間配置有粘著層，該粘著層經(jīng)圖案化而具有與金屬層221、金屬層222相同的形狀。

[實施例2]

在黑化層形成步驟中，所使用的黑色鎳浴黑鎳GT溶液(株式會社JCU制)為鍍液中的Ni與Zn的重量比被調(diào)制成88：12的黑鎳鍍液，除此之外按照與實施例1相同的方式制作了導電性基板。

對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成物、表面電阻、外觀、鏡面反射率、亮度的評價。結果如表1所示。

另外，關于獲得的導電性基板，與實施例1同樣，對粘著層、金屬層及黑化層進行了圖案化。并且，又制作了同樣對粘著層、金屬層及黑化層進行了圖案化的1片導電性基板。然后，與實施例1同樣，對2片導電性基板進行層疊、固定，制作了層疊導電性基板。

[實施例3]

在黑化層形成步驟中，所使用的黑色鎳浴黑鎳GT溶液(株式會社JCU制)為鍍液中的Ni與Zn的重量比被調(diào)制為44：56的黑鎳鍍液，除此之外按照與實施例1相同方式制作了導電性基板。

對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成物、表面電阻、外觀、鏡面反射率、亮度的評價。結果如表1所示。

另外，關于獲得的導電性基板，與實施例1同樣，對粘著層、金屬層及黑化層進行了圖案化。另外，又制作了同樣對粘著層、金屬層及黑化層進行了圖案化的1片導電性基板。然后，與實施例1同樣，對2片導電性基板進行了層疊、固定、制作了層疊導電性基板。

[比較例1]

在黑化層形成步驟中，使用了鍍液中的Ni與Zn的重量比被調(diào)制為100：0的鎳鍍液(株式會社JCU制)，除此之外按照與實施例1相同的方式制作了導電性基板。

對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成物、表面電阻、外觀、鏡面反射率、亮度的評價。結果如表1所示。

另外，關于獲得的導電性基板，與實施例1同樣，進行了粘著層、金屬層及黑化層的圖案化。并且，又制作了同樣對粘著層、金屬層及黑化層進行了圖案化的1片導電性基板。然后，與實施例1同樣，將2片導電性基板層疊、固定，制作了層疊導電性基板。

[比較例2]

在黑化層形成步驟中，使用了鍍液中的Ni與Zn的重量比被調(diào)整為0：100的鋅鍍液(株式會社JCU制)，除此之外按照與實施例1相同的方式制作了導電性基板。

對獲得的導電性基板，進行了上述黑化層的組成物、表面電阻、外觀、鏡面反射率、亮度等的評價。結果如表1所示。

另外，關于獲得的導電性基板，與實施例1同樣，進行了粘著層、金屬層及黑化層的圖案化。并且，又制作了同樣對粘著層、金屬層及黑化層進行了圖案化的1片導電性基板。然后，與實施例1同樣，將2片導電性基板層疊、固定，制作了層疊導電性基板。

[表1]

從表1及圖6～圖8所示的結果確認到，具有含鎳與鋅的黑化層的實施例1～實施例3的導電性基板，其黑化層表面的反射率(鏡面反射率)為35％以下、表面電阻小于0.06Ω/□、亮度(L*)為60以下。根據(jù)該結果，確認到在實施例1～實施例3獲得的導電性基板可抑制金屬層表面的反射，且電阻值小。另外，亮度為60以下，由此可知對粘著層、金屬層及黑化層進行圖案化的情況下，圖案化的粘著層、金屬層及黑化層的層疊體變得不顯眼。并且，確認到實施例1～實施例3的導電性基板的外觀評價為“〇”或“△”，黑化層表面的色斑也能夠被充分抑制。

相對于此，關于黑化層不含鋅的比較例1、黑化層不含鎳的比較例2的導電性基板，確認到反射率分別高達35.20％、66.50％，無法充分抑制金屬層表面的反射。另外，尤其是比較例2的外觀評價為“×”，確認到黑化層表面的色斑加重。

另外，關于實施例1～實施例3的層疊導電性基板，也確認到能夠抑制金屬層表面的光反射，粘著層、金屬層及黑化層的層疊體不顯眼。

根據(jù)以上結果確認到，透明基材上具備金屬層、及通過濕式法形成且包含鎳與鋅的黑化層的導電性基板中，電阻值小且能夠充分抑制光反射。另外還確認到，由于是以濕式法形成黑化層，因此能以良好的生產(chǎn)性進行制造。

以上通過實施方式以及實施例等對導電性基板、層疊導電性基板、導電性基板的制造方法、以及層疊導電性基板制造方法進行了說明，但本發(fā)明并不限定于上述實施方式以及實施例等?？稍跈嗬髸涊d的本發(fā)明的主旨范圍內(nèi)進行各種變形、變更。

本申請以2014年6月30日向日本專利局申請的日本專利申請第2014-135123號作為要求優(yōu)先權的基礎，本申請援引日本專利申請第2014-135123號的全部內(nèi)容。

符號說明

10A、10B、20、201、202、40 導電性基板

11、111、112 透明基材

12、12A、12B、22、221、222、42A、42B 金屬層

13、13A、13B、23、231、232、43A、43B 黑化層

30 層疊導電性基板

權利要求書(按照條約第19條的修改)

1.(修改后)一種導電性基板，其包括：

透明基材；

形成在所述透明基材的至少一個面上、且包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬的粘著層；

形成在所述粘著層上的金屬層；以及

以濕式法形成在所述金屬層上且包含鎳與鋅的黑化層。

2.根據(jù)權利要求1所述的導電性基板，其中，所述黑化層所包含的鎳及鋅中，鎳所占比率按重量比為40wt％以上99wt％以下。

3.(修改后)根據(jù)權利要求1或2所述的導電性基板，其中，所述粘著層、所述金屬層及所述黑化層被圖案化。

4.一種層疊導電性基板，其層疊了多片根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的導電性基板。

5.(修改后)一種導電性基板的制造方法，其包括：

在透明基材的至少一個面上形成包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬的粘著層的粘著層形成步驟；

在所述粘著層上形成金屬層的金屬層形成步驟；以及

以濕式法在所述金屬層上形成包含鎳與鋅的黑化層的黑化層形成步驟。

6.(修改后)根據(jù)權利要求5所述的導電性基板的制造方法，其包括對所述粘著層、所述金屬層及所述黑化層進行圖案化的圖案化步驟。

7.一種層疊導電性基板的制造方法，其包括對多片通過根據(jù)權利要求5或6所述的導電性基板的制造方法所獲得的導電性基板進行層疊的層疊步驟。

說明或聲明(按照條約第19條的修改)

1.修改的內(nèi)容

(1)權利要求1中，追加限定具有形成在所述透明基材的至少一個面上、且包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬的粘著層，以及金屬層在粘著層上形成。

(2)權利要求3中，追加限定粘著層也被圖案化。

(3)權利要求5中，追加限定具有在透明基材的至少一個面上形成包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬的粘著層的粘著層形成步驟，以及金屬層形成步驟是在粘著層上形成金屬層的步驟。

(4)權利要求6中，追加限定圖案化步驟中對粘著層也進行圖案化。

2.說明

關于在透明基材的至少一個面上形成包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬的粘著層，文獻1(JP2010-21480A)和文獻2(JP2012-79238A)中既沒有記載也沒有啟示。

此外，關于在透明基材的至少一個面上形成包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬的粘著層的粘著層形成步驟，上述文獻1、2中也是既沒有記載也沒有啟示。