本發(fā)明大體上涉及(例如)用于觸摸/位置感測的電容性觸摸感測。

背景技術(shù)：

電容性感測是用于人機(jī)接口裝置(HID)的常見技術(shù)。實(shí)例應(yīng)用為觸摸及位置感測。

針對位置感測，沿著界定的傳感器軌道(例如，沿著線性軌道的位置或圍繞圓形軌道的徑向位置)感測觸摸位置。HID電容性位置傳感器包含經(jīng)配置以界定傳感器軌道(例如，線性滑塊或圓形盤)的電容性傳感器。

一種電容性感測技術(shù)使用投射自電容，其中電容性傳感器(電極)被安置于具有背景圖案的襯底(例如PCB)上。傳感器電極經(jīng)配置以界定傳感器軌道，其中包含位置標(biāo)記/圖案化的疊加(涂層)對應(yīng)于界定的傳感器軌道。傳感器電極通過激發(fā)/獲取通道耦合到傳感器電子器件。

當(dāng)使用激發(fā)信號驅(qū)動傳感器電極時，其形成具有傳感器接地的寄生電容，從而通過疊加投射感測電場(“E場”)且在對應(yīng)于由傳感器電極所界定的傳感器軌道的疊加的表面上形成感測區(qū)域。電容性傳感器可配置有底層屏蔽，由傳感器電子器件驅(qū)動所述底層屏蔽以產(chǎn)生具有與傳感器E場相同的極性及相位的屏蔽E場，從而集中(聚焦)感測方向上的傳感器E場，且增加靈敏度。

當(dāng)手指(人體導(dǎo)體)沿著傳感器軌道觸摸感測區(qū)域時，觸摸/接觸區(qū)域中的投射E場改變，從而有效地將觸摸電容加入于與觸摸位置相關(guān)聯(lián)的投射電容(傳感器電極的寄生電容)。由傳感器電子器件所測量的觸摸位置處的總傳感器電容對應(yīng)于投射/寄生電容與觸摸電容的總和。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在所描述的實(shí)例中，一種電容性感測系統(tǒng)適于沿著界定的傳感器軌道基于觸摸電容感測觸摸位置，其中觸摸電容是基于觸摸位置及觸摸壓力。

所描述的實(shí)例包含用于電容性感測的方法，其適于沿著界定的傳感器軌道基于觸摸電容感測觸摸位置，其中觸摸電容是基于觸摸位置及觸摸壓力。所述方法可結(jié)合電容性傳感器操作，所述電容性傳感器包含第一及第二電容性傳感器電極，所述第一及第二電容性傳感器電極在互補(bǔ)配置中并置以界定具有一個端處的第一位置及另一端處的第二位置的傳感器軌道?；パa(bǔ)的第一及第二傳感器電極經(jīng)配置使得傳感器軌道的觸摸位置處的觸摸接觸區(qū)域在兩個傳感器電極之上延伸，且使得隨著觸摸位置(觸摸接觸區(qū)域)沿著傳感器軌道從所述第一位置移動到所述第二位置，第一傳感器電極的第一電極電容C_SA單調(diào)地減小，且第二傳感器電極的第二電極電容C_SB單調(diào)地增加，且所述觸摸電容對應(yīng)于C_SA與C_SB的組合。

在一些所描述的實(shí)例中，所述方法涉及：(a)從所述第一及第二互補(bǔ)電極獲取相應(yīng)的電容讀數(shù)C_SA及C_SB；(b)基于位置及壓力函數(shù)產(chǎn)生觸摸位置信息，其中所述位置函數(shù)基于C_SA及C_SB產(chǎn)生位置信息，且所述壓力函數(shù)基于C_SA及C_SB產(chǎn)生壓力信息；及(c)基于所述觸摸位置信息產(chǎn)生對應(yīng)于所述觸摸位置的壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)，其包含對觸摸電容中歸因于觸摸壓力的改變的補(bǔ)償。

附圖說明

圖1A說明電容性位置感測系統(tǒng)的實(shí)例功能實(shí)施例，例如，可將所述電容性位置感測系統(tǒng)調(diào)適為用于感測觸摸位置的HID(人機(jī)接口裝置)。

圖1B說明相對于觸摸電容的傳感器電容。

圖2A及2B說明使用具有雙互補(bǔ)傳感器電極的電容性傳感器的實(shí)例替代HID傳感器軌道配置。

圖3A及3B在功能上說明圖1A的實(shí)例電容性傳感器的實(shí)例傳感器配置，其中雙電容性電極具有互補(bǔ)三角輪廓。

圖4A/4B是說明相對于位置及壓力的傳感器電容C_SA及C_SB的實(shí)例繪圖。

圖5A/5B是表示使用雙互補(bǔ)電容測量C_SA及C_SB根據(jù)觸摸位置信息產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)的實(shí)例方法的實(shí)例繪圖。

圖6A/6B/6C是與(尤其是)通過產(chǎn)生觸摸壓力信息以基于(C_SA*C_SB)的指數(shù)函數(shù)(明確來說，(C_SA/C_SB)^(C_SA*C_SB)^-P)校正觸摸位置信息來產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的實(shí)例繪圖。

圖7A/7B是表示使用雙互補(bǔ)電容測量C_SA及C_SB根據(jù)觸摸位置信息產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)的實(shí)例方法的實(shí)例繪圖，其中根據(jù)位置及壓力函數(shù)產(chǎn)生觸摸位置信息，其中：(a)位置函數(shù)根據(jù)(C_SA-C_SB)產(chǎn)生位置信息；及(b)壓力函數(shù)根據(jù)(C_SA+C_SB)產(chǎn)生壓力信息。

具體實(shí)施方式

在所描述的實(shí)例中，設(shè)備/方法使用用于具有壓力補(bǔ)償?shù)碾娙菪晕恢酶袦y的雙電極電容性傳感器。

由具有壓力補(bǔ)償?shù)碾娙菪晕恢酶袦y所解決的一個問題是：基于電容性觸摸的位置的準(zhǔn)確檢測，其中觸摸電容歸因于觸摸壓力而改變。

在簡要概述中，用于電容性位置感測(其使用雙電極電容而具有壓力補(bǔ)償)的設(shè)備/方法適于沿著界定的傳感器軌道基于觸摸電容感測觸摸位置，其中觸摸電容是基于觸摸位置及觸摸壓力。在實(shí)例實(shí)施例中，電容性感測系統(tǒng)包含電容性傳感器，其包含：第一及第二電容性傳感器電極，其在互補(bǔ)配置中并置以界定具有一個端處的第一位置及另一端處的第二位置的傳感器軌道?；パa(bǔ)的第一及第二傳感器電極經(jīng)配置使得傳感器軌道的觸摸位置處的觸摸接觸區(qū)域在兩個傳感器電極之上延伸。隨著觸摸位置(觸摸接觸區(qū)域)沿著傳感器軌道從所述第一位置移動到所述第二位置：(a)第一傳感器電極的第一電極電容C_SA單調(diào)地減小；及(b)第二傳感器電極的第二電極電容C_SB單調(diào)地增加；使得(c)所述觸摸電容對應(yīng)于C_SA與C_SB的組合。

傳感器單元耦合到第一及第二傳感器電極，且經(jīng)配置以產(chǎn)生對應(yīng)于觸摸位置的壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)，其包含：(a)獲取電路，其經(jīng)配置以相應(yīng)地從第一及第二傳感器電極獲取電容讀數(shù)C_SA及C_SB；及(b)轉(zhuǎn)換電路，其經(jīng)配置以基于位置及壓力函數(shù)產(chǎn)生觸摸位置信息，其中位置函數(shù)基于C_SA及C_SB產(chǎn)生位置信息，且壓力函數(shù)基于C_SA及C_SB產(chǎn)生壓力信息。傳感器單元經(jīng)配置以基于觸摸位置信息產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)，其包含對觸摸電容中歸因于觸摸壓力的改變的補(bǔ)償。

在實(shí)例實(shí)施例中，位置函數(shù)根據(jù)(C_SA/C_SB)產(chǎn)生位置信息，且壓力函數(shù)根據(jù)(C_SA*C_SB)(例如，(C_SA*C_SB)的指數(shù)函數(shù))產(chǎn)生壓力信息。在其它實(shí)例實(shí)施例中，基于(C_SA/C_SB)^(C_SA*C_SB)^-P產(chǎn)生觸摸位置信息。

在實(shí)例實(shí)施例中，傳感器單元可實(shí)施有電容到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(CDC)及位置處理器。CDC可經(jīng)配置以驅(qū)動第一及第二傳感器電極，及獲取電容讀數(shù)C_SA及C_SB，及將其轉(zhuǎn)換成對應(yīng)觸摸位置信息。位置處理器可經(jīng)配置以根據(jù)基于位置及壓力函數(shù)的觸摸位置信息產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)。

圖1A說明電容性位置感測系統(tǒng)10的實(shí)例功能實(shí)施例，例如，可將電容性位置感測系統(tǒng)10調(diào)適為用于感測觸摸位置的HID(人機(jī)接口裝置)。電容性位置感測系統(tǒng)10包含具有雙傳感器電極11A/11B的電容性傳感器11及相關(guān)聯(lián)的傳感器電子器件13A/13B。

雙電極電容性傳感器11特征在于HID位置感測配置，其中雙傳感器電極11A/11B經(jīng)配置用于針對沿著所界定傳感器軌道的位置感測而布置的特定傳感器軌道布局。圖1A的實(shí)例HID電容性傳感器配置是位置1與位置2之間的線性傳感器軌道布局，例如，具有橫向位置感測的HID線性滑塊。

根據(jù)所選擇的電容性感測技術(shù)以協(xié)作方式配置雙電極電容性傳感器11(11A/11B)及相關(guān)聯(lián)的傳感器電子器件13A/13B。圖1A的實(shí)例電容性感測配置是基于投射自電容，例如通過來自雙傳感器電容器電極11A/11B的電容性電荷轉(zhuǎn)移。替代電容性感測配置是基于并入有相應(yīng)傳感器電極11A/11B(振蕩回路電容器)的相應(yīng)傳感器LC諧振器的諧振狀態(tài)。

可將傳感器電子器件(在功能上單獨(dú)地說明為13A/13B)實(shí)施為通過相應(yīng)激發(fā)/獲取通道耦合到相應(yīng)傳感器電容器電極11A/11B的單個電容到數(shù)字/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(CDC)單元。針對電容性感測(每一通道)基于多相位電容性電荷轉(zhuǎn)移，CDC可實(shí)施(例如)有包含電荷轉(zhuǎn)移(反饋)電容器的開關(guān)電容器放大器。舉例來說，CDC可選擇性地在激發(fā)/電荷相位(其中相應(yīng)傳感器電極開關(guān)耦合到激發(fā)源以投射傳感器E場)與轉(zhuǎn)移/放電相位(其中傳感器電極開關(guān)耦合到電荷轉(zhuǎn)移電容器)之間切換，其中在連續(xù)電荷轉(zhuǎn)移循環(huán)中測量傳感器電容C_SA/C_SB。

針對圖1A的實(shí)例HID位置感測配置，雙電容性電極11A/11B配置有互補(bǔ)三角輪廓，其并置成界定HID線性傳感器軌道布局的矩形布置。在圖1A的功能說明中未展示與基于投射自電容(例如，疊加)的電容性感測配置相關(guān)聯(lián)的其它常規(guī)元件(參見圖3A)。

手指21沿著HID傳感器軌道的觸摸位置對應(yīng)于觸摸/接觸區(qū)域25，其中手指21接觸電容性電極11A/11B。傳感器11經(jīng)配置使得觸摸/接觸區(qū)域25跨越兩個電容性電極11A/11B而延伸。圖1A中的功能說明并非按比例繪制的。舉例來說，針對大約10mm的手指接觸區(qū)域25，具有矩形配置(線性傳感器軌道)的線性傳感器11的典型寬度將為1mm，借此確保手指接觸區(qū)域25覆蓋兩個傳感器電極11A/11B的連續(xù)部分。

沿著HID傳感器軌道的觸摸位置是基于觸摸電容，其中觸摸電容是基于觸摸位置及觸摸壓力。

圖1B說明相對于觸摸電容的傳感器電容。傳感器11由具有疊加15的傳感器電極11A/11B表示。手指21接觸接觸區(qū)域25處的傳感器疊加15。

傳感器電容C_S是觸摸/接觸區(qū)域25處的觸摸電容C_T及人體電容C_B兩者的測量。人體電容也可(例如)通過固持系統(tǒng)/裝置(例如，移動手持機(jī))耦合到傳感器接地。

觸摸電容C_T及人體電容C_B有效地串聯(lián)，使得傳感器電容C_S為：

C_S＝C_T*C_B/(C_T+C_B)≈C_T

其中(C_B>>C_T)。舉例來說，人體電容C_B可為約nF，而觸摸電容將為約pF。

觸摸電容C_T受觸摸壓力的影響。壓力相關(guān)電容為觸摸區(qū)域25及皮膚層壓縮兩者的函數(shù)。壓力增加接觸區(qū)域，從而增加觸摸電容。此外，壓力通過壓縮較不導(dǎo)電的皮膚表皮而增加電容，使得更導(dǎo)電的皮膚表皮更接近于傳感器11的表面(借此接收更多的投射傳感器E場)。

參看圖1A，電容性感測系統(tǒng)10經(jīng)配置以沿著HID傳感器軌道(位置1與2之間)感測觸摸位置。實(shí)例HID傳感器軌道布局配置使用三角輪廓傳感器電極11A/11B，其在互補(bǔ)矩形布置中并置以界定線性HID傳感器軌道。

傳感器電極11A/11B經(jīng)配置使得：(a)傳感器軌道的觸摸位置處的觸摸接觸區(qū)域在兩個傳感器電極之上延伸；及(b)隨著觸摸位置(觸摸接觸區(qū)域)沿著傳感器軌道從位置1移動到位置2，與傳感器電極11A相關(guān)聯(lián)的電極電容C_SA單調(diào)地減小，且與傳感器電極11B相關(guān)聯(lián)的電極電容C_SB單調(diào)地增加。觸摸電容對應(yīng)于C_SA與C_SB的組合。

圖1A說明實(shí)例HID布局配置，其中傳感器電極11A/11B配置有互補(bǔ)三角輪廓，其在矩形布置中并置以界定線性HID傳感器軌道(例如，用于滑塊/橫向位置感測)。此實(shí)例HID布局配置并非用于使用根據(jù)所描述的實(shí)例的雙電極電容性傳感器的電容性位置感測的設(shè)計/配置要求或約束。傳感器的設(shè)計要求是：(a)布置于界定HID傳感器軌道布局的并置的互補(bǔ)配置中所布置的雙傳感器電極；(b)傳感器電極經(jīng)配置/布置使得：(1)觸摸/接觸區(qū)域跨越兩個傳感器電極而延伸；及(2)隨著觸摸位置(接觸區(qū)域)沿著傳感器軌道移動，與一個傳感器電極相關(guān)聯(lián)的電極電容(C_SA)單調(diào)地減小，且與另一以互補(bǔ)方式配置的傳感器電極相關(guān)聯(lián)的電極電容(C_SB)單調(diào)地增加，使得觸摸電容對應(yīng)于C_SA與C_SB的組合。

圖2A說明實(shí)例HID傳感器軌道配置，其中傳感器31配置有電容性電極31A及31B，將電容性電極31A及31B配置為界定線性傳感器軌道布局的互補(bǔ)交錯的片段。針對每一電極，電極片段耦合到相應(yīng)傳感器電子器件33A及33B。手指41在具有觸摸/接觸區(qū)域45的觸摸位置中跨越連續(xù)的傳感器電極片段而延伸。隨著觸摸位置(接觸區(qū)域)沿著HID傳感器軌道(位置1到位置2)移動，與傳感器電極片段31A相關(guān)聯(lián)的電極電容C_SA單調(diào)地減小，且與以互補(bǔ)方式配置的傳感器電極片段31B相關(guān)聯(lián)的電極電容C_SB單調(diào)地增加。

圖2B說明實(shí)例HID傳感器軌道布局配置，其中傳感器51配置有具有輪廓的電容性電極51A及51B，其布置于界定盤形(圓形)傳感器軌道布局的并置的互補(bǔ)配置中。隨著觸摸位置(接觸區(qū)域)圍繞傳感器軌道盤順時針移動，與具有輪廓的傳感器電極51A相關(guān)聯(lián)的電極電容C_SA單調(diào)地減小，且與具有互補(bǔ)輪廓的傳感器電極51B相關(guān)聯(lián)的電極電容C_SB單調(diào)地增加。

圖3A及3B在功能上說明圖1A的實(shí)例電容性傳感器的實(shí)例傳感器配置，其中雙電容性電極具有互補(bǔ)三角輪廓。可將相同傳感器配置調(diào)適成其它HID傳感器軌道配置(例如，圖2A/2B中所說明)。

圖3A說明具有雙三角輪廓的電極11A/11B且包含疊加15的電容性傳感器11。圖3B說明具有雙三角輪廓的電極11A/11B且具有疊加15的傳感器11，且其包含相應(yīng)驅(qū)動屏蔽17A/17B，其各自配置有與相關(guān)聯(lián)的傳感器電極11A/11B大體上相同的三角輪廓?；谕渡渥噪娙莸碾娙菪詡鞲衅骺墒褂抿?qū)動屏蔽配置以通過取消寄生電容而增加靈敏度，及(例如)通過驅(qū)動具有與傳感器投射E場相同的極性及相位的屏蔽17A/17B在優(yōu)選的感測方向上集中投射傳感器E場。傳感器電子器件(例如，CDC單元)可經(jīng)配置以提供屏蔽驅(qū)動。

參看圖1A/1B，沿著HID傳感器軌道的觸摸位置是基于觸摸電容的，其中觸摸電容是基于觸摸位置及觸摸壓力。包含具有雙互補(bǔ)傳感器電極11A/11B的傳感器11的電容性感測系統(tǒng)10實(shí)施具有壓力補(bǔ)償?shù)碾娙菪晕恢酶袦y以基于觸摸壓力校正觸摸位置。

傳感器電子器件13A/13B經(jīng)配置以獲取雙互補(bǔ)傳感器電容測量C_SA及C_SB。可基于以下各物將互補(bǔ)電容測量C_SA及C_SB轉(zhuǎn)換成觸摸位置信息：基于互補(bǔ)電容測量C_SA及C_SB所產(chǎn)生的位置及壓力信息。根據(jù)觸摸位置信息，傳感器電子器件13A/13B產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)，其包含針對觸摸壓力電容的改變校正觸摸位置電容。

如上文所描述，可將傳感器電子器件13A/13B實(shí)施為電容到數(shù)字/數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(CDC)單元。舉例來說，可將CDC單元實(shí)施為介接到位置處理器(例如，MCU)的CDC電路。可通過雙激發(fā)/獲取通道將CDC電路介接到雙(互補(bǔ))電極傳感器11(11A/11B)，且CDC電路經(jīng)配置以驅(qū)動雙互補(bǔ)傳感器電極11A/11B，且獲取互補(bǔ)電容讀數(shù)C_SA及C_SB，可基于位置及壓力函數(shù)(下文描述)將互補(bǔ)電容讀數(shù)C_SA及C_SB轉(zhuǎn)換為對應(yīng)觸摸位置信息/樣本。位置處理器可經(jīng)配置以接收觸摸位置信息/樣本，且產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)。如果傳感器經(jīng)配置以用于驅(qū)動屏蔽，那么CDC可提供與電極激發(fā)驅(qū)動同步的屏蔽驅(qū)動。

圖4A/4B是說明傳感器電容C_SA及C_SB相對于位置及壓力的關(guān)系的實(shí)例繪圖。圖4A是說明傳感器電容C_SA及C_SB隨著沿著HID傳感器軌道(x變化)的觸摸位置的互補(bǔ)變化的實(shí)例繪圖。圖4B是說明傳感器電容C_SA及C_SB隨著觸摸壓力(表示為正交于HID傳感器軌道的z變化)的變化的實(shí)例繪圖。壓力相關(guān)變化影響并聯(lián)(非互補(bǔ))的傳感器電容C_SA及C_SB。

特定來說，圖4A說明使用雙互補(bǔ)傳感器電極的電容性位置感測。隨著觸摸位置沿著HID傳感器軌道(x方向)移動：(a)一個傳感器電極的傳感器電容C_SA單調(diào)地減小；及(b)另一傳感器電極第二傳感器電極的傳感器電容C_SB單調(diào)地增加。觸摸電容對應(yīng)于C_SA與C_SB觸摸電容測量的組合。

還參看圖1A/1B，實(shí)例電容性感測系統(tǒng)10基于根據(jù)從雙電極電容性傳感器11所獲取的雙互補(bǔ)電容測量C_SA及C_SB產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)來實(shí)施具有壓力補(bǔ)償?shù)碾娙菪杂|摸位置感測。傳感器電子器件13A/13B包含轉(zhuǎn)換電路，其經(jīng)配置以基于位置及壓力函數(shù)產(chǎn)生觸摸位置信息，其中：(a)位置函數(shù)基于C_SA及C_SB產(chǎn)生位置信息；且(b)壓力函數(shù)基于C_SA及C_SB產(chǎn)生壓力信息。傳感器電子器件13A/13B可經(jīng)配置以基于觸摸位置信息產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)，其包含對觸摸電容中歸因于觸摸壓力的改變的補(bǔ)償。

圖5A/5B及6A/6B/6C是表示根據(jù)觸摸位置信息使用雙互補(bǔ)電容測量C_SA及C_SB產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)的實(shí)例方法的實(shí)例繪圖。根據(jù)位置及壓力函數(shù)產(chǎn)生觸摸位置信息，其中：(a)位置函數(shù)根據(jù)(C_SA/C_SB)產(chǎn)生位置信息；及(b)壓力函數(shù)根據(jù)(C_SA*C_SB)產(chǎn)生壓力信息。

圖5A是說明處于較低、中間及較高壓力下的互補(bǔ)傳感器電容C_SA及C_SB的實(shí)例繪圖。壓力變化可大于位置變化。圖5B是說明壓力函數(shù)(C_SA*C_SB)的實(shí)例繪圖。函數(shù)(C_SA*C_SB)將為壓力的單調(diào)函數(shù)。

根據(jù)位置及壓力兩者，C_SA及C_SB為非線性的，使得位置函數(shù)C_SA/C_SB及壓力函數(shù)C_SA*C_SB為非線性的?？苫趬毫瘮?shù)C_SA*C_SB校正從位置函數(shù)C_SA/C_SB導(dǎo)出的觸摸位置信息。舉例來說，可基于以下任一者產(chǎn)生觸摸位置信息：(a)基于從使用傳感器電容C_SA及C_SB所存取的查找表導(dǎo)出的壓力校正因子校正所述位置信息(C_SA/C_SB)；或(b)基于(C_SA*C_SB)的指數(shù)函數(shù)校正位置信息(C_SA/C_SB)。

圖6A/6B/6C是與(尤其是)通過產(chǎn)生觸摸壓力信息以基于(C_SA*C_SB)的指數(shù)函數(shù)(明確來說，(C_SA/C_SB)^(C_SA*C_SB)^-P)校正觸摸位置信息來產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的實(shí)例繪圖。

圖6A是說明不具有壓力補(bǔ)償?shù)奈恢眯畔⒌膶?shí)例繪圖。圖6B是說明根據(jù)位置信息產(chǎn)生的壓力補(bǔ)償位置數(shù)據(jù)的實(shí)例繪圖，所述位置信息是根據(jù)(C_SA*C_SB)^-P的指數(shù)函數(shù)產(chǎn)生的，使得壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)對應(yīng)于：(C_SA/C_SB)^(C_SA*C_SB)^-P。圖6C是說明壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)(規(guī)范化為(1,-1))的實(shí)例繪圖。

圖7A/7B是表示根據(jù)觸摸位置信息使用雙互補(bǔ)電容測量C_SA及C_SB產(chǎn)生壓力補(bǔ)償觸摸位置數(shù)據(jù)的實(shí)例方法的實(shí)例繪圖，其中根據(jù)位置及壓力函數(shù)產(chǎn)生觸摸位置信息，其中：(a)位置函數(shù)根據(jù)(C_SA-C_SB)產(chǎn)生位置信息；及(b)壓力函數(shù)根據(jù)(C_SA+C_SB)產(chǎn)生壓力信息。

圖7A是其中由位置函數(shù)(C_SA-C_SB)近似位置函數(shù)(C_SA/C_SB)的實(shí)例繪圖。圖7B是其中由(C_SA+C_SB)近似壓力函數(shù)(C_SA*C_SB)的實(shí)例繪圖。這些近似值可用于其中傳感器電容的相對變化較小(小范圍的運(yùn)動)的應(yīng)用或需要較低分辨率的應(yīng)用。此方法的一個優(yōu)點(diǎn)是：位置處理器(即使不具有乘法器)可處理位置信息。

在所描述的實(shí)施例中，修改為可能的，且在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，其它實(shí)施例為可能的。