一種超高頻抗金屬電子標簽的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種超高頻抗金屬電子標簽，包括電子標簽（1）和吸波層（2），所述電子標簽（1）包括天線和芯片，所述吸波層（2）內(nèi)含有吸波材料，所述吸波材料和天線的阻抗與芯片的阻抗共軛匹配。本實用新型通過高磁導率、低損耗吸波材料作為阻抗匹配層，通過設計阻抗匹配層的阻抗和調(diào)整天線的阻抗，實現(xiàn)匹配層和天線的阻抗與芯片的阻抗共軛匹配，最終實現(xiàn)超高頻電子標簽的正常讀寫。本實用新型的超高頻抗金屬電子標簽通用性強，不僅可以用于金屬表面，而且也可以用于非金屬表面，具有較好的抗金屬性、性能優(yōu)良、方向性好、讀取距離遠等優(yōu)點。
【專利說明】一種超高頻抗金屬電子標簽

【技術領域】
[0001]本實用新型屬于電磁【技術領域】，涉及微波通信識別技術，尤其涉及一種通過設計電磁波吸收材料的應用于超高頻的電子標簽。

【背景技術】
[0002]無線射頻識別是一種利用射頻的非接觸式的自動識別技術，電子標簽(RFID)系統(tǒng)一般由讀寫器和電子標簽組成，讀寫器通過無線射頻讀取標簽上的信息。RFID系統(tǒng)主要工作在低頻、聞頻、超聞頻和微波等波段。超聞頻射頻識別技術具有較遠的讀取距尚，獲得現(xiàn)代物聯(lián)管理和交通管理的極大關注，在很多應用中不可避免的與金屬接觸，但是類偶極子無源超高RFID子標簽用到金屬表面時，其阻抗匹配、輻射效率和輻射方向都會發(fā)生改變，導致標簽不能被有效讀取。
[0003]針對以上情況，一些國內(nèi)RFID廠家設計了一些能用于金屬表面的抗金屬RFID標簽，江蘇富納電子的超高頻抗金屬標簽主要采用墊高電子標簽的方法降低金屬對標簽的影響，在電子標簽與金屬之間增加一個介電層，電子標簽遠離金屬表面，實現(xiàn)減少金屬環(huán)境對標簽的影響。
[0004]專利申請?zhí)枮?01320376139的實用新型公開了一種柔性超高頻抗金屬電子標簽，該專利介紹了一種柔性的超高頻電子標簽的結構設計，利用吸波材料的高損耗特性，降低金屬環(huán)境對電子標簽干擾。
[0005]以上方法設計的這些抗金屬電子標簽普遍存在只能用于金屬環(huán)境，難以滿足同種電子標簽多種環(huán)境的使用需求。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型目的在于提供一種用于超高頻抗金屬電子標簽，通過高磁導率吸波材料設計，完成高磁導率吸波材料與天線的阻抗與芯片的阻抗共軛匹配，該方法簡單直接，該方法設計的超高頻抗金屬電子標簽可適用多種環(huán)境。
[0007]本實用新型通過高磁導率、低損耗吸波材料作為阻抗匹配層，通過設計阻抗匹配層的阻抗和調(diào)整天線的阻抗，實現(xiàn)匹配層和天線的阻抗與芯片的阻抗共軛匹配，最終實現(xiàn)超聞頻電子標簽的正常讀與。
[0008]一種超高頻抗金屬電子標簽，包括電子標簽和高磁導率吸波層，所述電子標簽包括天線和芯片，所述高磁導率吸波層內(nèi)含有高磁導率、低損耗(復磁導率由磁導率實部和虛部組成，所謂高磁導率就是磁導率實部較高，低損耗就是磁導率虛部比較小)吸波材料，所述吸波材料和天線的阻抗與芯片的阻抗共軛匹配。
[0009]作為本實用新型的進一步改進，所述高磁導率吸波層雙面覆有雙面膠。
[0010]所述雙面膠的厚度與材質(zhì)可以彼此獨立。
[0011]所述的高磁導率吸波層的厚度介于0.5-3.0mm之間。
[0012]本實用新型采用高磁導率吸波材料作為阻抗匹配層，利用高磁導率吸波材料的阻抗特性，消除電磁波在金屬表面產(chǎn)生的電磁渦流，借助天線設計，完成吸波材料、天線和芯片的阻抗匹配，實現(xiàn)超高頻抗金屬標簽的正常讀寫。
[0013]本實用新型的有益效果是，該超高頻抗金屬電子標簽通用性強，不僅可以用于金屬表面，而且也可以用于非金屬表面，具有較好的抗金屬性、性能優(yōu)良、方向性好、讀取距離遠等優(yōu)點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1本實用新型的結構示意圖。
[0015]其中:1-電子標簽，2-高磁導率吸波層，3-雙面膠。

【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖對本實用新型涉及的技術方案作進一步詳細說明，但不作為對本實用新型涉及方案的限制，任何一種可以實現(xiàn)本實用新型目的的技術方案均構成本實用新型的一部分。
[0017]如圖1所示，本實施例設計一種帶吸波材料的超高頻抗金屬電子標簽(105X50X3.2mm)。
[0018]所述超高頻抗金屬電子標簽包括電子標簽I和高磁導率吸波層2，所述電子標簽包括天線和Alien H3芯片，所述高磁導率吸波層2雙面覆有雙面膠3，所述高磁導率吸波層2為JNZZ-CAB-30貼片，尺寸105X50X3.0mm ;雙面膠3為3M467 ;把高磁導率吸波層2兩側用雙面膠3粘貼在一起，再把電子標簽I通過雙面膠3貼在高磁導率吸波層2的表面。高磁導率吸波層2的阻抗為2.7+20j, Alien H3芯片的阻抗為27-199.8j，天線的阻抗為24.3+179.8 j0
[0019]該抗金屬電子標簽貼在金屬上最佳讀取距離7.5m，貼在塑料上最佳讀取距離為6.5m，適用于頻率范圍860?960MHz。
[0020]上述雖然結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】進行了描述，但并非對本實用新型保護范圍的限制，所屬領域技術人員應該明白，在本實用新型的技術方案的基礎上，本領域技術人員不需要付出創(chuàng)造性勞動即可做出的各種修改或變形仍在本實用新型的保護范圍以內(nèi)。
【權利要求】
1.一種超高頻抗金屬電子標簽，其特征是，包括電子標簽(I)和吸波層(2)，所述電子標簽(I)包括天線和芯片，所述吸波層(2)內(nèi)含有吸波材料，所述吸波材料和天線的阻抗與芯片的阻抗共軛匹配。
2.如權利要求1所述的超高頻抗金屬電子標簽，其特征是，所述吸波層(2)雙面覆有雙面膠(3)。
3.如權利要求2所述的超高頻抗金屬電子標簽，其特征是，所述雙面膠(3)的厚度與材質(zhì)彼此獨立。
4.如上述任一權利要求所述的超高頻抗金屬電子標簽，其特征是，所述吸波層(2)的厚度介于0.5-3.0mm之間。
【文檔編號】G06K19/07GK204087242SQ201420645276
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年11月3日 優(yōu)先權日:2014年11月3日
【發(fā)明者】李昌林 申請人:濟南中正新材料有限公司