觸控顯示基板及其制備方法、觸控顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種觸控顯示基板及其制備方法、觸控顯示裝置，該觸控顯示基板包括：形成于襯底基板上的導(dǎo)電橋，導(dǎo)電橋的上方形成有觸控信號(hào)引出線，觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，觸控信號(hào)引出線的上方形成有鈍化層，鈍化層上對應(yīng)導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔，鈍化層上形成有觸控電極，觸控電極通過過孔與導(dǎo)電橋上未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域連接。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過在觸控信號(hào)引出線下方設(shè)置一導(dǎo)電橋，且觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，同時(shí)鈍化層上的過孔對應(yīng)于導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域，因此可有效的避免在鈍化層上刻蝕過孔時(shí)對觸控信號(hào)引出線造成刻蝕。
【專利說明】觸控顯示基板及其制備方法、觸控顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種觸控顯示基板及其制備方法、觸控顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]內(nèi)嵌式觸控(In-cell Touch)顯示裝置憑借著薄型化、輕量化等優(yōu)勢，已成為很多公司的主要產(chǎn)品。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中觸控顯示基板的截面示意圖，如圖1所示，該觸控顯示基板包括:襯底基板I和觸控結(jié)構(gòu)，觸控結(jié)構(gòu)包括:觸控信號(hào)引出線7和觸控電極8，觸控信號(hào)引出線7和觸控電極8之間形成有鈍化層2，鈍化層2上對應(yīng)觸控信號(hào)引出線7的區(qū)域形成有過孔3，觸控電極8通過過孔3與觸控信號(hào)引出線7電連接。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，為降低觸控信號(hào)引出線7的電阻，往往將觸控信號(hào)引出線設(shè)計(jì)為由下至上依次層疊的Mo膜4、A1膜5和Mo膜6的三層膜結(jié)構(gòu)。在實(shí)際生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)，在鈍化層2上刻蝕過孔3時(shí)，不可避免的會(huì)產(chǎn)生過刻蝕現(xiàn)象，即對觸控信號(hào)引出線也產(chǎn)生了部分刻蝕。當(dāng)觸控信號(hào)引出線7中最上方的Mo膜被刻4蝕掉之后，Al膜5因暴露在空氣中而被氧化，從而出現(xiàn)Al膜5斷裂的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致觸控信號(hào)引出線7無法正常傳輸信號(hào)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明提供一種觸控顯示基板及其制備方法、觸控顯示裝置，可有效解決在鈍化層上刻蝕過孔時(shí)對觸控信號(hào)引出線造成刻蝕的技術(shù)問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種觸控顯示基板，包括:襯底基板，所述襯底基板的上方形成有導(dǎo)電橋，所述導(dǎo)電橋的上方形成有觸控信號(hào)引出線，所述觸控信號(hào)引出線覆蓋所述導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，所述觸控信號(hào)引出線的上方形成有鈍化層，所述鈍化層上對應(yīng)所述導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋所述觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔，所述鈍化層上形成有觸控電極，所述觸控電極通過過孔與所述導(dǎo)電橋連接。
[0007]可選地，所述觸控信號(hào)引出線包括:由下至上依次層疊的第二金屬圖案和第三金屬圖案，所述第二金屬圖案由至少一種低電阻導(dǎo)電材料構(gòu)成，所述第三金屬圖案由至少一種耐氧化導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0008]可選地，所述觸控信號(hào)引出線還包括:位于所述第二金屬圖案下方的第一金屬圖案，所述第一金屬圖案由至少一種耐氧化導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0009]可選地，還包括:柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定出像素單元，所述薄膜晶體管和所述像素電極位于所述像素單元內(nèi)，所述像素電極位于所述薄膜晶體管的漏極的下方。
[0010]可選地，所述導(dǎo)電橋與所述像素電極同層設(shè)置。
[0011]可選地，所述觸控信號(hào)引出線與所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極和所述薄膜晶體管的漏極同層設(shè)置。
[0012]可選地，所述導(dǎo)電橋?yàn)闂l狀，所述導(dǎo)電橋與所述觸控信號(hào)引出線平行設(shè)置。
[0013]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種觸控顯示裝置，包括:觸控顯示基板，該觸控顯示基板采用上述的觸控顯示基板。
[0014]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種觸控顯示基板的制備方法，包括:
[0015]在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋；
[0016]在所述導(dǎo)電橋的上方形成觸控信號(hào)引出線，所述觸控信號(hào)引出線覆蓋所述導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域；
[0017]在所述觸控信號(hào)引出線的上方形成鈍化層，所述鈍化層上對應(yīng)所述導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋所述觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔；
[0018]在所述鈍化層上形成觸控電極，所述觸控電極通過過孔與所述導(dǎo)電橋連接。
[0019]可選地，所述觸控顯示基板還包括:柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定出像素單元，所述薄膜晶體管和所述像素電極位于所述像素單元內(nèi)，所述像素電極位于所述薄膜晶體管的漏極的下方；
[0020]所述在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋的步驟之前還包括:
[0021]通過構(gòu)圖工藝在所述襯底基板的上方形成柵線和柵極；
[0022]在所述柵線和所述柵極的上方形成絕緣層；
[0023]通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的上方形成有源層；
[0024]通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的上方形成所述像素電極；
[0025]所述在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋的步驟具體包括:
[0026]通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的上方形成所述導(dǎo)電橋；
[0027]所述在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋的步驟之后還包括:
[0028]通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的上方形成所述數(shù)據(jù)線，在所述有源層的上方形成源極和漏極，所述漏極連接所述有源層和所述像素電極。
[0029]可選地，形成所述像素電極的步驟與形成所述導(dǎo)電橋的步驟是在同一次構(gòu)圖工藝中進(jìn)行的；
[0030]可選地，形成所述觸控信號(hào)引出線的步驟與形成所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極的步驟是在同一次構(gòu)圖工藝中進(jìn)行的。
[0031]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0032]本發(fā)明提供了一種觸控顯示基板及其制備方法和觸控顯示裝置，其中該觸控顯示基板包括:襯底基板，襯底基板的上方形成有導(dǎo)電橋，導(dǎo)電橋的上方形成有觸控信號(hào)引出線，觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，觸控信號(hào)引出線的上方形成有鈍化層，鈍化層上對應(yīng)導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔，鈍化層上形成有觸控電極，觸控電極通過過孔與導(dǎo)電橋上未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域連接。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過在觸控信號(hào)引出線下方設(shè)置一導(dǎo)電橋，且觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，同時(shí)鈍化層上的過孔對應(yīng)于導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域，因此在通過刻蝕工藝形成該過孔時(shí)，即使出現(xiàn)過刻蝕現(xiàn)象，也不會(huì)刻蝕到觸控信號(hào)引出線。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0033]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中觸控顯不基板的截面不意圖；
[0034]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示基板的截面示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示基板的制備方法的流程圖；
[0036]圖4為本發(fā)明實(shí)施二提供的觸控顯示基板的俯視圖；
[0037]圖5為圖4中A-A向的截面示意圖；
[0038]圖6為本發(fā)明實(shí)施二提供的又一種觸控顯示基板的俯視圖；
[0039]圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控顯示基板的制備方法的流程圖；
[0040]圖8a?圖8e為制備圖4所不的觸控顯不基板的中間結(jié)構(gòu)不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的觸控顯示基板及其制備方法、觸控顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0042]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯不基板的截面不意圖，如圖2所不，該觸控顯示基板包括:襯底基板I，襯底基板I的上方形成有導(dǎo)電橋9，導(dǎo)電橋9的上方形成有觸控信號(hào)引出線7，觸控信號(hào)引出線7覆蓋導(dǎo)電橋9的上表面的部分區(qū)域，觸控信號(hào)引出線7的上方形成有鈍化層2，鈍化層2上對應(yīng)導(dǎo)電橋9的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線7的區(qū)域形成有過孔3，鈍化層2上形成有觸控電極8，觸控電極8通過過孔3與導(dǎo)電橋9連接。
[0043]本發(fā)明的技術(shù)方案，通過在觸控信號(hào)引出線7下方設(shè)置一導(dǎo)電橋9，且觸控信號(hào)引出線7覆蓋導(dǎo)電橋9的上表面的部分區(qū)域，同時(shí)鈍化層2上的過孔3對應(yīng)于導(dǎo)電橋9的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域，因此在通過刻蝕工藝形成該過孔3時(shí)，即使出現(xiàn)過刻蝕現(xiàn)象，也不會(huì)刻蝕到觸控信號(hào)引出線7。
[0044]可選地，觸控信號(hào)引出線7為雙層膜結(jié)構(gòu)，該觸控信號(hào)引出線具體包括由下至上依次層疊的第二金屬圖案25和第三金屬圖案26，第二金屬圖案25由至少一種低電阻導(dǎo)電材料構(gòu)成，該低電阻導(dǎo)電材料具體可為:Al、AlNd、Cu或Ag，第三金屬圖案26由至少一種耐氧化導(dǎo)電材料構(gòu)成，該耐氧化導(dǎo)電材料具體可為:Cr、T1、Mo或MoW。
[0045]本實(shí)施例中，觸控信號(hào)引出線7為三層膜結(jié)構(gòu)，該三層膜結(jié)構(gòu)的觸控信號(hào)引出線與上述雙層膜結(jié)構(gòu)的觸控信號(hào)引出線的區(qū)別在于，在第二金屬圖案25的下方還設(shè)置有第一金屬圖案24，其中第一金屬圖案24由至少一種耐氧化導(dǎo)電材料構(gòu)成，該耐氧化導(dǎo)電材料可為:Cr、T1、Mo 或 MoW。
[0046]本發(fā)明實(shí)施例一還提供了一種觸控顯示基板的制備方法，用于制備圖2所示的觸控顯示基板。圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控顯示基板的制備方法的流程圖，如圖3所示，該制備方法包括:
[0047]步驟101:在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋。
[0048]在步驟101中，首先在襯底基板I上形成一層導(dǎo)電材料薄膜，然后對該導(dǎo)電材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成導(dǎo)電橋9的圖形。
[0049]需要說明的是，本發(fā)明中的形成薄膜的過程可采用沉積、涂敷、濺射等多種方式。本發(fā)明中的構(gòu)圖工藝是指包括有光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。
[0050]步驟102:在導(dǎo)電橋的上方形成觸控信號(hào)引出線，觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域。
[0051]在步驟102中，以控信號(hào)引出線為Mo/Al/Mo的三層結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行描述。首先在整個(gè)基板上依次層疊形成Mo膜、Al膜和Mo膜，然后對該三層金屬膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形成觸控信號(hào)引出線7的圖形，其中觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋9的上表面的部分區(qū)域。
[0052]需要說明的是，本發(fā)明中觸控信號(hào)引出線7與導(dǎo)電橋9的形狀及位置關(guān)系不限于圖2所示情況，圖2所示的觸控信號(hào)引出線7與導(dǎo)電橋9形狀及位置關(guān)系僅起到示例性作用。本發(fā)明中的觸控信號(hào)引出線7與導(dǎo)電橋9僅需滿足觸控信號(hào)引出線7與導(dǎo)電橋9之間存在交疊區(qū)域，且導(dǎo)電橋9有露出部分(未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域)可以在其上方對應(yīng)位置做過孔即可。
[0053]步驟103:在觸控信號(hào)引出線的上方形成鈍化層，鈍化層上對應(yīng)導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔。
[0054]在步驟103中，首先在觸控信號(hào)引出線7的上方形成一層鈍化材料薄膜，然后通過構(gòu)圖工藝在鈍化材料薄膜上對應(yīng)導(dǎo)電橋9的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線7的區(qū)域以刻蝕出過孔3，此時(shí)剩余的鈍化材料薄膜所構(gòu)成的圖形即為鈍化層2。
[0055]步驟104:在鈍化層上形成觸控電極，觸控電極通過過孔與導(dǎo)電橋連接。
[0056]在步驟104中，首先在鈍化層2上形成一層觸控電極材料薄膜，然后對該觸控電極材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成觸控電極8的圖形，此時(shí)觸控電極8通過過孔3與導(dǎo)電橋連接。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種觸控顯示基板及其制備方法，其中該觸控顯示基板包括:襯底基板，襯底基板的上方形成有導(dǎo)電橋，導(dǎo)電橋的上方形成有觸控信號(hào)引出線，觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，觸控信號(hào)引出線的上方形成有鈍化層，鈍化層上對應(yīng)導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔，鈍化層上形成有觸控電極，觸控電極通過過孔與導(dǎo)電橋上未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域連接。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過在觸控信號(hào)引出線下方設(shè)置一導(dǎo)電橋，且觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，同時(shí)鈍化層上的過孔對應(yīng)于導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域，因此在通過刻蝕工藝形成該過孔時(shí)，即使出現(xiàn)過刻蝕現(xiàn)象，也不會(huì)刻蝕到觸控信號(hào)引出線。
[0058]實(shí)施例二
[0059]圖4為本發(fā)明實(shí)施二提供的觸控顯示基板的俯視圖，圖5為圖4中A-A向的截面示意圖，如圖4和圖5所示，該觸控顯示基板除了具備由觸控信號(hào)引出線7、導(dǎo)電橋和觸控電極8所構(gòu)成的觸控結(jié)構(gòu)之外，其還具備有顯示結(jié)構(gòu)，該顯示結(jié)構(gòu)包括:柵線10、數(shù)據(jù)線15、薄膜晶體管和像素電極14，柵線10和數(shù)據(jù)線15限定出像素單元，薄膜晶體管和像素電極14位于像素單元內(nèi)，薄膜晶體管包括:柵極11、有源層13、源極16和漏極17，其中柵極11與柵線10同層設(shè)置，柵線10和柵極11的上方形成有絕緣層12，數(shù)據(jù)線15、有源層13以及像素電極14均位于絕緣層12的上方，源極16和漏極17位于有源層13的上方，源極16和漏極17與數(shù)據(jù)線15同層設(shè)置，漏極17與像素電極14的上表面的部分區(qū)域直接連接，鈍化層2位于數(shù)據(jù)線15、源極16、漏極17以及像素電極14的上方。
[0060]需要說明的是，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電橋9位置和形態(tài)不限于圖4中所示。例如，圖6為本發(fā)明實(shí)施二提供的又一種觸控顯示基板的俯視圖，如圖6所示，在圖6中的導(dǎo)電橋?yàn)闂l狀，導(dǎo)電橋9還可以與觸控信號(hào)引出線7平行設(shè)置。相較于圖4所示的觸控顯示基板，圖6所示的觸控顯示基板中像素單元內(nèi)非顯示區(qū)域的面積會(huì)減小，從而可提供像素單元的開口率。
[0061]本發(fā)明中導(dǎo)電橋9用于電連接觸控電極8和觸控信號(hào)引出線7，該導(dǎo)電橋9處于其他位置或其他形態(tài)的技術(shù)方案，本實(shí)施例不再一一舉例描述。
[0062]作為本實(shí)施例的一種優(yōu)選實(shí)施方案，該觸控結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電橋9與顯示結(jié)構(gòu)中的像素電極14同層設(shè)置，即導(dǎo)電橋9與像素電極14可通過一次構(gòu)圖工藝得以制備，從而可簡化制備流程。
[0063]進(jìn)一步優(yōu)選地，觸控信號(hào)引出線7與數(shù)據(jù)線15、薄膜晶體管的源極16和薄膜晶體管的漏極17同層設(shè)置，即觸控信號(hào)引出線7與數(shù)據(jù)線15、源極16和漏極17可通過一次構(gòu)圖工藝得以制備。
[0064]此外，需要說明的是，本實(shí)施例提供的觸控顯示基板可以為ADS型自電容式觸控顯示基板，相應(yīng)地，觸控顯示基板上還具備有公共電極。本實(shí)施例中可將自電容式觸控結(jié)構(gòu)中的觸控電極8可復(fù)用為公共電極，具體地，觸控電極8在觸控階段時(shí)加載有觸控信號(hào)，觸控電極8在顯示階段時(shí)加載有公共電壓信號(hào)。此外，自電容式觸控的工作原理為本領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)，此處不再贅述。
[0065]本發(fā)明實(shí)施例二還提供了一種觸控顯示基板的制備方法，用于制備圖4所示的觸控顯示基板。圖7為本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控顯示基板的制備方法的流程圖，圖8a?圖8e為制備圖4所不的觸控顯不基板的中間結(jié)構(gòu)不意圖，如圖7和圖8a?圖8e所不，該制備方法包括:
[0066]步驟201:通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板的上方形成柵線和柵極。
[0067]參見圖8a，在步驟201中，首先在襯底基板I上形成一柵金屬材料薄膜，然后對該柵金屬材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成柵極11和柵線10的圖形。
[0068]步驟202:在柵線和柵極的上方形成絕緣層。
[0069]在步驟202中，通過氣象沉積技術(shù)在柵線10和柵極11的上方形成襯底一層絕緣材料，即構(gòu)成絕緣層12，此步驟未給出相應(yīng)的示意圖。
[0070]步驟203:通過一次構(gòu)圖工藝在絕緣層的上方形成有源層。
[0071 ] 參見圖Sb，在步驟203中，首先在絕緣層12上形成一有源層材料薄膜，然后對該有源層材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成有源層13的圖形。
[0072]步驟204:通過一次構(gòu)圖工藝在絕緣層的上方形成像素電極14和導(dǎo)電橋9。
[0073]參見圖8c，在步驟204中，首先在絕緣層12上形成一透明導(dǎo)電材料(例如:ITO)薄膜，然后對該透明導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成像素電極14和導(dǎo)電橋9的圖形。
[0074]需要說明的是，將像素電極14與導(dǎo)電橋9在同一次構(gòu)圖工藝中形成的技術(shù)手段，為本實(shí)施例的優(yōu)選方案，這并不會(huì)對本發(fā)明的技術(shù)方案產(chǎn)生限制。
[0075]步驟205:通過一次構(gòu)圖工藝在絕緣層的上方形成數(shù)據(jù)線，在有源層的上方形成源極和漏極，在導(dǎo)電橋的上方形成觸控信號(hào)引出線。
[0076]參見圖8d，在步驟205中，以數(shù)據(jù)線15、源極16、漏極17和觸控信號(hào)引出線7均為Mo/Al/Mo的三層結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行描述。首先在整個(gè)基板上依次層疊形成Mo膜、Al膜和Mo膜，然后對該三層金屬膜進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以在絕緣層12的上方形成數(shù)據(jù)線15、在有源層13的上方形成源極16和漏極17、在導(dǎo)電橋9的上方形成觸控信號(hào)引出線7，其中該漏極17與有源層13和像素電極14連接，觸控信號(hào)引出線7覆蓋導(dǎo)電橋9的上表面的部分區(qū)域。此時(shí)襯底基板I上方的柵極11、有源層13、源極16和漏極17以構(gòu)成薄膜晶體管。
[0077]需要說明的是，將觸控信號(hào)引出線7與數(shù)據(jù)線15、源極16和漏極17在同一次構(gòu)圖工藝中形成的技術(shù)手段，為本實(shí)施例的優(yōu)選方案，這并不會(huì)對本發(fā)明的技術(shù)方案產(chǎn)生限制。
[0078]步驟206:在數(shù)據(jù)線、源極、漏極和觸控信號(hào)引出線的上方形成鈍化層，鈍化層上對應(yīng)導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔。
[0079]參見圖8e，在步驟206中，首先在數(shù)據(jù)線15、源極16、漏極17和觸控信號(hào)引出線7的上方形成一層鈍化材料薄膜，然后通過構(gòu)圖工藝在鈍化材料薄膜上對應(yīng)導(dǎo)電橋9的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線7的區(qū)域以刻蝕出過孔3，此時(shí)剩余的鈍化材料薄膜所構(gòu)成的圖形即為鈍化層2。
[0080]步驟207:通過一次構(gòu)圖工藝在鈍化層2上形成觸控電極8。
[0081 ] 參見圖4，在步驟207中，首先在鈍化層2上形成一層觸控電極材料薄膜，然后對該觸控電極材料薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成觸控電極8的圖形，此時(shí)觸控電極8通過過孔3與導(dǎo)電橋9連接。流程結(jié)束。
[0082]需要說明的是，當(dāng)制備出的觸控顯示基板為ADS型自電容式觸控顯示基板時(shí)，在步驟207中制備出的觸控電極8可復(fù)用為公共電極。
[0083]本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種觸控顯示基板及其制備方法，其中該觸控顯示基板包括:襯底基板，襯底基板的上方形成有導(dǎo)電橋，導(dǎo)電橋與像素電極同層設(shè)置，導(dǎo)電橋的上方形成有觸控信號(hào)引出線，觸控信號(hào)引出線與數(shù)據(jù)線、源極和漏極同層設(shè)置，觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，觸控信號(hào)引出線的上方形成有鈍化層，鈍化層上對應(yīng)導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔，鈍化層上形成有觸控電極，觸控電極通過過孔與導(dǎo)電橋上未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域連接。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過在觸控信號(hào)引出線下方設(shè)置一導(dǎo)電橋，且觸控信號(hào)引出線覆蓋導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，同時(shí)鈍化層上的過孔對應(yīng)于導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋觸控信號(hào)引出線的區(qū)域，因此在通過刻蝕工藝形成該過孔時(shí)，即使出現(xiàn)過刻蝕現(xiàn)象，也不會(huì)刻蝕到觸控信號(hào)引出線。此外，由于該觸控顯示基板中的導(dǎo)電橋可與像素電極同層設(shè)置，觸控信號(hào)引出線與數(shù)據(jù)線、源極和漏極同層設(shè)置，因此可在制備像素電極的同時(shí)以制備出導(dǎo)電橋，在制備數(shù)據(jù)線、源極和漏極的同時(shí)以制備出觸控信號(hào)引出線，所以本發(fā)明的技術(shù)方案可有效簡化觸控顯示基板的制備流程。
[0084]實(shí)施例三
[0085]本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種觸控顯示裝置，該觸控顯示裝置包括:觸控顯示基板，該觸控顯示基板可采用上述實(shí)施例一或?qū)嵤├刑峁┑挠|控顯示基板，具體內(nèi)容可參見上述實(shí)施例一或?qū)嵤├械拿枋觥?br>
[0086]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種觸控顯示基板，其特征在于，包括:襯底基板，所述襯底基板的上方形成有導(dǎo)電橋，所述導(dǎo)電橋的上方形成有觸控信號(hào)引出線，所述觸控信號(hào)引出線覆蓋所述導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域，所述觸控信號(hào)引出線的上方形成有鈍化層，所述鈍化層上對應(yīng)所述導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋所述觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔，所述鈍化層上形成有觸控電極，所述觸控電極通過過孔與所述導(dǎo)電橋連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示基板，其特征在于，所述觸控信號(hào)引出線包括:由下至上依次層疊的第二金屬圖案和第三金屬圖案，所述第二金屬圖案由至少一種低電阻導(dǎo)電材料構(gòu)成，所述第三金屬圖案由至少一種耐氧化導(dǎo)電材料構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的觸控顯示基板，其特征在于，所述觸控信號(hào)引出線還包括--位于所述第二金屬圖案下方的第一金屬圖案，所述第一金屬圖案由至少一種耐氧化導(dǎo)電材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示基板，其特征在于，還包括:柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定出像素單元，所述薄膜晶體管和所述像素電極位于所述像素單元內(nèi)，所述像素電極位于所述薄膜晶體管的漏極的下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的觸控顯示基板，其特征在于，所述導(dǎo)電橋與所述像素電極同層設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的觸控顯示基板，其特征在于，所述觸控信號(hào)引出線與所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極和所述薄膜晶體管的漏極同層設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的觸控顯示基板，其特征在于，所述導(dǎo)電橋?yàn)闂l狀，所述導(dǎo)電橋與所述觸控信號(hào)引出線平行設(shè)置。
8.一種觸控顯示裝置，其特征在于，包括:如上述權(quán)利要求1-7中任一所述的觸控顯示基板。
9.一種觸控顯示基板的制備方法，其特征在于，包括: 在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋； 在所述導(dǎo)電橋的上方形成觸控信號(hào)引出線，所述觸控信號(hào)引出線覆蓋所述導(dǎo)電橋的上表面的部分區(qū)域； 在所述觸控信號(hào)引出線的上方形成鈍化層，所述鈍化層上對應(yīng)所述導(dǎo)電橋的上表面未覆蓋所述觸控信號(hào)引出線的區(qū)域形成有過孔； 在所述鈍化層上形成觸控電極，所述觸控電極通過過孔與所述導(dǎo)電橋連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的觸控顯示基板的制備方法，其特征在于，所述觸控顯示基板還包括:柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管和像素電極，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定出像素單元，所述薄膜晶體管和所述像素電極位于所述像素單元內(nèi)，所述像素電極位于所述薄膜晶體管的漏極的下方； 所述在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋的步驟之前還包括: 通過構(gòu)圖工藝在所述襯底基板的上方形成柵線和柵極； 在所述柵線和所述柵極的上方形成絕緣層； 通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的上方形成有源層； 通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的上方形成所述像素電極； 所述在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋的步驟具體包括: 通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的上方形成所述導(dǎo)電橋； 所述在襯底基板的上方形成導(dǎo)電橋的步驟之后還包括: 通過構(gòu)圖工藝在所述絕緣層的上方形成所述數(shù)據(jù)線，在所述有源層的上方形成源極和漏極，所述漏極連接所述有源層和所述像素電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控顯示基板的制備方法，其特征在于，形成所述像素電極的步驟與形成所述導(dǎo)電橋的步驟是在同一次構(gòu)圖工藝中進(jìn)行的。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的觸控顯示基板的制備方法，其特征在于，形成所述觸控信號(hào)引出線的步驟與形成所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極的步驟是在同一次構(gòu)圖工藝中進(jìn)行的。
【文檔編號(hào)】G06F3/041GK104461142SQ201410758636
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月10日
【發(fā)明者】李田生, 謝振宇 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司