Ogs觸摸屏基板及其制造方法和相關(guān)設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種觸摸屏基板及其制作方法,所述基板包括蓋板(1)以及形成在蓋板上的遮光層(2)和平坦層(3),在平坦層(3)上形成電容層(4)、第一覆蓋層(5)和導(dǎo)電搭橋(6),該觸摸屏基板還包括電連接線(7),該電連接線的材料與所述導(dǎo)電搭橋的材料不同,使得在刻所述電連接線(7)的材料層時(shí)不會(huì)腐蝕影響位于下方的所述導(dǎo)電搭橋(6)的材料層。在形成所述導(dǎo)電搭橋(6)和電連接線(7)時(shí),依次在所述第一覆蓋層(5)上形成導(dǎo)電搭橋(6)的材料層和電連接線(7)的材料層,并通過(guò)一個(gè)刻蝕步驟同時(shí)形成所述導(dǎo)電搭橋(6)和電連接線(7)。本發(fā)明利用銅和納米銀、ITO材料的不同特性,利用一次曝光工藝,提升了產(chǎn)能和良率。
【專利說(shuō)明】OGS觸摸屏基板及其制造方法和相關(guān)設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于觸摸屏【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及0GS觸摸屏基板的制造技術(shù),尤其涉及使 用納米銀線制備電容層及用銅制作搭橋的工藝過(guò)程。
【背景技術(shù)】
[0002] 觸摸屏作為一種智能化的人機(jī)交互界面產(chǎn)品,已經(jīng)在社會(huì)生產(chǎn)和生活中的很多領(lǐng) 域得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,尤其在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域(如智能手機(jī)、平板電腦等領(lǐng)域)中 發(fā)展最為迅速。
[0003] 觸摸屏主要包括電阻式、電容式、紅外式和表面聲波式等。電容式觸摸屏不僅反應(yīng) 靈敏、支持多點(diǎn)觸控,而且壽命長(zhǎng),因此目前已成為市場(chǎng)上的主流技術(shù)。
[0004] 0GS(0ne Glass Solution)技術(shù)是電容式觸摸屏的新的發(fā)展方向,較之G/G(雙玻 璃)觸控技術(shù)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,輕、薄、透光性好的優(yōu)勢(shì),并且,由于0GS技術(shù)可以節(jié)約一片玻 璃基板以及貼合工序,由此可以降低生產(chǎn)成本并提高產(chǎn)品合格率。
[0005] 傳統(tǒng)的0GS觸摸屏基板的結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖1是沿觸摸屏基板的一個(gè)方向側(cè)面 剖視圖。如圖1所示。其包括玻璃蓋板1 (Cover Lens),在玻璃蓋板1上形成有遮光層2, 遮光層2在玻璃蓋板1上圖案化為矩陣形狀,故也稱為黑矩陣(BM,Black Matrix)。在玻 璃蓋板1及遮光層2上覆蓋一層平坦層3,以使得玻璃蓋板1在形成遮光層2后保持平坦。 在有的0GS觸摸屏基板中,也可能不設(shè)置平坦層3,以增加光的透過(guò)性并節(jié)約工序成本。在 平坦層3上形成有透明電容層4,在透明電容層4上覆蓋第一覆蓋層(Over Coat Layer) 5, 在第一覆蓋層(Over Coat Layer) 5上形成導(dǎo)電搭橋6,導(dǎo)電搭橋6通過(guò)形成于第一覆蓋層 5中的過(guò)孔中的導(dǎo)電連接線與透明電容層4連接,從而使一個(gè)方向上排列的透明電容層4電 性連接。此外,在第一覆蓋層5與平坦層2的側(cè)面還形成有電連接線7,其用于連接觸摸檢 測(cè)電路。
[0006] 圖2A?圖2F是制作傳統(tǒng)的觸摸屏基板的工藝流程側(cè)面剖視圖。
[0007] 首先,如圖2A所示,在玻璃蓋板1上形成遮光層2。遮光層2可采用油墨或黑色金 層材料,利用絲印或真空磁控涵射方向形成。
[0008] 接著,如圖2B所示,在玻璃蓋板1及遮光層2上形成平坦層3,平坦層3采用透明 絕緣材料,例如Si02。形成方式例如是真空磁控濺射。
[0009] 接著,如圖2C所示,在平坦層3上形成圖案化的透明電容層4,其通常由ΙΤ0等透 明導(dǎo)電材料制作而成,需經(jīng)過(guò)涂膠、曝光、顯影、堅(jiān)膜、刻蝕和去膜等工藝。
[0010]接著,如圖2D所示,在形成有透明電容層4的平坦層3上形成第一覆蓋層5。然 后,通過(guò)刻蝕,在第一覆蓋層5中形成與所述透明電容層4相連接的過(guò)孔51。
[0011]接著,如圖2E所示,在過(guò)孔51中使用ΙΤ0材料填充以形成導(dǎo)電連接線,使導(dǎo)電搭 橋6搭接兩個(gè)相鄰的電容電極。該步驟與圖2C的情況一樣,需經(jīng)過(guò)涂膠、曝光、顯影、堅(jiān)膜、 刻蝕和去膜等工藝。
[0012]然后,如圖2F所示,在第一覆蓋層5與平坦層2的側(cè)面形成電連接線7。電連接線 也可以使用ITO材料。
[0013]最后,在第一覆蓋層5上形成第二覆蓋層8,得到如圖1所示的0GS觸摸屏基板。 _4]由上可知,當(dāng)使用ΙΤ0薄膜作為透明電容層4和導(dǎo)電搭橋6時(shí),需要兩個(gè)形成Π0 的工序,每個(gè)形成ΙΤ0的工序均需要涂膠、曝光、顯影、堅(jiān)膜、刻蝕和去膜等工藝,并且,在形 成電連接線7時(shí)也需要上述工序,因此工藝復(fù)雜,良品率低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0015](一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0016]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是改進(jìn)0GS觸摸屏基板的制造工藝,解決工藝復(fù)雜, 良品率低的問(wèn)題。
[0017](二)技術(shù)方案
[0018]為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提出一種觸摸屏基板,包括蓋板以及形成在蓋板上的遮 光層和平坦層,在平坦層上形成電容層、第一覆蓋層和導(dǎo)電搭橋,該觸摸屏基板還包括用于 連接觸摸檢測(cè)電路的電連接線,該電連接線的材料與所述導(dǎo)電搭橋的材料不同,使得在刻 所述電連接線的材料層時(shí)不會(huì)腐蝕影響位于下方的所述導(dǎo)電搭橋的材料層。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】,所述導(dǎo)電搭橋的材料為ΙΤ0或納米銀,所述電連接 線的材料為銅。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】,所述電容層的材料為納米銀。
[0021]本發(fā)明還提出一種制作上述觸摸屏基板的方法,在形成所述導(dǎo)電搭橋和電連接線 時(shí),依次在所述第一覆蓋層上形成導(dǎo)電搭橋的材料層和電連接線的材料層,并通過(guò)一個(gè)刻 蝕步驟同時(shí)形成所述導(dǎo)電搭橋和電連接線。
[0022]本發(fā)明還提出包括上述的觸摸屏基板的觸摸屏和電子設(shè)備,以及其制作方法。 [0023](三)有益效果 ' °
[0024]本發(fā)明在現(xiàn)有的0GS技術(shù)基礎(chǔ)上通過(guò)利用銅和納米銀、ΙΤ0材料的不同特性,利用 一次曝光工藝,提升了產(chǎn)能和良率。此外,由于納米銀的電阻比ΙΤ0低很多,本發(fā)明還有利 于用在大尺寸觸控0GS面板上。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0025] 圖1是傳統(tǒng)的觸摸屏基板的側(cè)面剖視圖;
[0026]圖2Α?圖2F是制作傳統(tǒng)的觸摸屏基板的工藝流程側(cè)面剖視圖;
[0027]圖3是本發(fā)明的第一實(shí)施例的觸摸屏其板的側(cè)面剖視圖; '
[0028]圖4Α?圖4F是制作本發(fā)明的第一實(shí)施例的觸摸屏基板的工藝流程側(cè)面剖視圖. [0029]圖5是本發(fā)明的第二實(shí)施例的觸摸屏其板的側(cè)面剖視圖。 '
【具體實(shí)施方式】
[0030]本發(fā)明提出使用納米銀制作電容層,并使用納米銀或ΙΤ0形成過(guò)孔和導(dǎo);電ρ橋 并采用銅作為電連接線。由于導(dǎo)電搭橋與電連接線采用不同的材料,因此,在制作時(shí)可ρ以采 用灰化刻蝕工藝,使得工藝更加簡(jiǎn)單。 ^
[0031]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合具體實(shí)施例,并參照 附圖,對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0032] 第一實(shí)施例
[0033] 圖3是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的觸摸屏基板的側(cè)面剖視圖。如圖3所示,與現(xiàn)有技 術(shù)不同的是,在平坦層3上通過(guò)納米銀來(lái)制作電容層4,使用ΙΤ0材料填充過(guò)孔51并形成導(dǎo) 電搭橋6,以及采用銅作為電連接線7。
[0034] 圖4A?圖4F是制作本發(fā)明的觸摸屏基板的工藝流程側(cè)面剖視圖。
[0035] 如圖4A、4B所示,首先在玻璃蓋板1上形成遮光層2。接著,在玻璃蓋板1及遮光 層2上形成平坦層3。上述步驟與現(xiàn)有技術(shù)相同,故不再贅述。
[0036] 接著,如圖4C所示,在平坦層3上使用納米銀形成電容層4。形成納米銀時(shí)也需 進(jìn)行涂膠、曝光、顯影、堅(jiān)膜、刻蝕和去膜等工藝。納米銀的刻蝕液主要成分是hno 3*h3po4 等。
[0037] 接著,如圖4D所示,在電容層上4形成第一覆蓋層5,并在覆蓋層5上開(kāi)成過(guò)孔51。 第一覆蓋層5用于保護(hù)納米銀形成的電容層。該步驟與現(xiàn)有技術(shù)相同。
[0038] 接著,如圖4E所示,使用ΙΤ0材料填充過(guò)孔并形成導(dǎo)電搭橋6,并在導(dǎo)電搭橋 上方具有一個(gè)銅層。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是,該步驟在第一覆蓋層5上依次通過(guò)真空濺射形 成ΙΤ0層和銅層,其中ΙΤ0填充過(guò)孔51,約200?1000A;銅層直接形成于ΙΤ0上,厚度約 為2500?5000人。
[0039] 然后,如圖4F所示,通過(guò)灰階掩膜等方式將像素區(qū)的銅層去掉而保留過(guò)孔搭接的 ΙΤ0層6,由于ΙΤ0和銅具有不同的化學(xué)性質(zhì),在刻蝕銅層時(shí)不會(huì)腐蝕影響下層的ΙΤ0層6, 即通過(guò)一次構(gòu)圖工藝可以形成0GS的外圍引線和搭橋的電路。銅的刻蝕液可以是H 202為主 要成分的刻蝕液,ΙΤ0的刻蝕液可以是H2S04和Η 3Ρ04等。
[0040] 最后,在第一覆蓋層5上形成第二覆蓋層8,得到如圖3所示的0GS觸摸屏基板
[0041] 第二實(shí)施例
[0042] 圖5是本發(fā)明的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示,與第一實(shí)施例不同的是, 該實(shí)施例采用納米銀作為導(dǎo)電搭橋6的材料。
[0043]考慮到銅和銀的不同化學(xué)性質(zhì),該實(shí)施例的制作步驟與第一實(shí)施例也是相似的, 即在第一覆蓋層5依次濺射形成納米銀層和銅層,通過(guò)選擇對(duì)于銅和納米銀的不同的刻蝕 液,可以采用一個(gè)刻蝕步驟完成導(dǎo)電搭橋6和電連接線7的制作。
[0044]以上通過(guò)兩個(gè)實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明的觸摸屏基板及其制作方法。但本發(fā)明還可以 通過(guò)其他方式實(shí)施,例如第一實(shí)施例和第二實(shí)施例中的電容層4也可以由除了納米銀的其 他材料制作,例如IT0等。
[0045]此外,本發(fā)明還提出利用上述觸摸屏基板制作的觸摸屏,以及顯示設(shè)備,以及包括 上述制作觸摸屏基板的方法的觸摸屏制作方法及顯示設(shè)備的制作方法。
[0046]以上所述的具體實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳 細(xì)說(shuō)明,應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在 本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種觸摸屏基板,包括蓋板(1)以及形成在蓋板上的遮光層(2)和平坦層(3),在平 坦層(3)上形成電容層(4)、第一覆蓋層(5)和導(dǎo)電搭橋¢),其特征在于,該觸摸屏基板還 包括用于連接觸摸檢測(cè)電路的電連接線(7),該電連接線的材料與所述導(dǎo)電搭橋的材料不 同,使得在刻所述電連接線(7)的材料層時(shí)不會(huì)腐蝕影響位于下方的所述導(dǎo)電搭橋(6)的 材料層。
2. 如權(quán)利要求1所述的觸摸屏基板,其特征在于,所述導(dǎo)電搭橋(6)的材料為ITO或納 米銀,所述電連接線(7)的材料為銅。
3. 如權(quán)利要求2所述的觸摸屏基板,其特征在于,所述電容層(4)的材料為納米銀。
4. 一種制作觸摸屏基板的方法,其特征在于,所述觸摸屏基板為權(quán)利要求1所述的觸 摸屏基板,在形成所述導(dǎo)電搭橋(6)和電連接線(7)時(shí),依次在所述第一覆蓋層(5)上形成 導(dǎo)電搭橋(6)的材料層和電連接線(7)的材料層,并通過(guò)一個(gè)刻蝕步驟同時(shí)形成所述導(dǎo)電 搭橋(6)和電連接線(7)。
5. 如權(quán)利要求4所述的制作觸摸屏基板的方法,其特征在于,所述導(dǎo)電搭橋(6)的材料 為ITO或納米銀,所述電連接線(7)的材料為銅。
6. 如權(quán)利要求5所述的制作觸摸屏基板的方法,其特征在于,所述電容層(4)的材料為 納米銀。
7. -種觸摸屏,包括如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的觸摸屏基板。
8. -種顯示設(shè)備,包括如權(quán)利要求7所述的觸摸屏。
9. 一種制作觸摸屏的方法,包括如權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)所述的制作觸摸屏基板的方 法所包含的步驟。
10. -種制作顯示設(shè)備的方法,包括如9所述的制作觸摸屏的方法所包含的步驟。
【文檔編號(hào)】G06F3/044GK104252278SQ201410490434
【公開(kāi)日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月23日
【發(fā)明者】姚琪, 張鋒, 曹占鋒, 劉震, 何曉龍 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司