非接觸式集成電路讀取器、檢測(cè)方法、檢測(cè)電路及其系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種非接觸式集成電路讀取器、檢測(cè)方法、檢測(cè)電路及其系統(tǒng)。非接觸式集成電路（IC）卡讀取器的檢測(cè)方法包括：計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的至少一個(gè)第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間；計(jì)算在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間。在校準(zhǔn)階段中計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間，并且在檢測(cè)階段中計(jì)算第二轉(zhuǎn)變時(shí)間?；诘谝晦D(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來確定非接觸式IC卡在讀取器的通信范圍之內(nèi)。
【專利說明】非接觸式集成電路讀取器、檢測(cè)方法、檢測(cè)電路及其系統(tǒng)
[0001]2013 年 3 月 13 日提交的第 10-2013-0026722 號(hào)、名稱為 “Method Of OperatingContactless IC Card Reader, Detect1n Circuit Of Contactless IC CardReader, Contactless IC Card Reader and Card System Including The Same，，的韓國(guó)專利申請(qǐng)通過引用全部合并于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例涉及非接觸式IC卡讀取器。

【背景技術(shù)】
[0003]各種類型的集成電路(IC)卡已經(jīng)被提出。一種類型的IC卡包括附著有薄半導(dǎo)體裝置的塑料卡。卡可具有與信用卡相似的尺寸和厚度。通常，IC卡提供比磁條卡高的安全水平，并且不容易喪失存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0004]IC卡可被分類為接觸式IC卡或非接觸式IC卡。非接觸式IC卡可被分類為非接觸式IC卡(CICC)或遠(yuǎn)程耦合通信卡(RCCC)。對(duì)于CICC IC卡，通信范圍在4.9157MHz的載波頻率時(shí)為O至2mm。對(duì)于RCCC卡，通信范圍在13.56MHz的載波頻率時(shí)為O至10cm。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]根據(jù)一實(shí)施例，一種操作非接觸式集成電路(IC)卡讀取器的方法包括:在校準(zhǔn)階段中，計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的至少一個(gè)第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間，所述至少一個(gè)第一磁脈沖在第一轉(zhuǎn)變間隔期間具有第一電平和參考電平；在檢測(cè)階段中，計(jì)算在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間，第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變間隔中具有第二電平和參考電平；基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)。
[0006]計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的步驟可包括:在第一轉(zhuǎn)變間隔的第一開始點(diǎn)處觸發(fā)計(jì)數(shù)操作；在第一轉(zhuǎn)變間隔達(dá)到參考電平的第二結(jié)束點(diǎn)處將第一計(jì)數(shù)值鎖存為第一數(shù)字代碼；將第一數(shù)字代碼存儲(chǔ)在寄存器中。
[0007]計(jì)算第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的步驟可包括:在第二轉(zhuǎn)變間隔的第二開始點(diǎn)處觸發(fā)計(jì)數(shù)操作；在第二轉(zhuǎn)變間隔達(dá)到參考電平的第二結(jié)束點(diǎn)處將第二計(jì)數(shù)值鎖存為第二數(shù)字代碼。
[0008]確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)的步驟可包括:將第一數(shù)字代碼與第二數(shù)字代碼進(jìn)行比較；基于第一數(shù)字代碼和第二數(shù)字代碼的比較來提供檢測(cè)信號(hào)，檢測(cè)信號(hào)指示非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)。第一數(shù)字代碼和第二數(shù)字代碼可分別對(duì)應(yīng)于在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間期間的計(jì)數(shù)脈沖的數(shù)量。所述方法還可包括調(diào)整計(jì)數(shù)脈沖的周期。
[0009]非接觸式IC卡讀取器的操作模式可基于非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)的確定來被確定。所述方法還可包括當(dāng)確定非接觸式IC卡在通信范圍之內(nèi)時(shí)將非接觸式IC卡讀取器的操作模式從待機(jī)模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ健?br> [0010]所述至少一個(gè)第一磁脈沖包括多個(gè)第一磁脈沖，并且，計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的步驟包括:計(jì)算多個(gè)第一磁脈沖中的每一個(gè)的從第一電平到參考電平的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間；對(duì)第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間進(jìn)行平均，以提供與第一轉(zhuǎn)變時(shí)間對(duì)應(yīng)的平均值。所述方法還可包括:基于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的平均值來確定偏移，所述偏移與第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的誤差范圍相應(yīng)。
[0011]所述至少一個(gè)第一磁脈沖可包括多個(gè)第一磁脈沖。計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的步驟可包括:計(jì)算多個(gè)第一磁脈沖中的每一個(gè)的從第一正常電平到參考電平的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間；基于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的分布來提供第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的范圍。
[0012]確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)的步驟可包括:確定第二轉(zhuǎn)變時(shí)間是否在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的范圍之內(nèi)。
[0013]所述方法可包括:在校準(zhǔn)階段中，基于通過天線發(fā)送的至少一個(gè)第一原始磁脈沖來產(chǎn)生至少一個(gè)第一磁脈沖；在檢測(cè)階段中，基于通過天線發(fā)送的至少一個(gè)第二原始磁脈沖來產(chǎn)生第二磁脈沖，其中，第一電平對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的峰值電平，并且第二電平對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的峰值電平。
[0014]所述方法可包括:在校準(zhǔn)階段中，轉(zhuǎn)換第一原始磁脈沖的電平；對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖進(jìn)行濾波，以提供第一磁脈沖。
[0015]所述方法可包括:在校準(zhǔn)階段中基于通過天線發(fā)送的至少一個(gè)第一原始磁脈沖來產(chǎn)生至少一個(gè)第一磁脈沖；在檢測(cè)階段中，基于通過天線發(fā)送的至少一個(gè)第二原始磁脈沖來產(chǎn)生第二磁脈沖，其中，第一電平對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的谷底(bottom)電平，并且第二電平對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的谷底電平。
[0016]所述方法可包括:在校準(zhǔn)階段中，轉(zhuǎn)換第二原始磁脈沖的電平；對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖進(jìn)行濾波，以提供第二磁脈沖。
[0017]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，一種非接觸式集成電路(IC)卡讀取器的檢測(cè)電路包括第一計(jì)算單元和確定單元。第一計(jì)算單元被構(gòu)造為:計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的至少一個(gè)第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間，所述至少一個(gè)第一磁脈沖在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間中具有第一電平和參考電平，第一計(jì)算單元在校準(zhǔn)階段中鎖存與第一轉(zhuǎn)變時(shí)間對(duì)應(yīng)的第一數(shù)字代碼；計(jì)算在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間，第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間期間具有第二電平和參考電平，第一計(jì)算單元在檢測(cè)階段中鎖存與第二轉(zhuǎn)變時(shí)間相應(yīng)的第二數(shù)字代碼。確定單元被構(gòu)造為基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來輸出檢測(cè)信號(hào)。檢測(cè)信號(hào)指示非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)。
[0018]第一計(jì)算單元可包括:電平檢測(cè)器，被構(gòu)造為在第一磁脈沖和第二磁脈沖的電平轉(zhuǎn)變的點(diǎn)處激活觸發(fā)信號(hào)；比較器，被構(gòu)造為將參考電平與第一磁脈沖和第二磁脈沖中的每一個(gè)進(jìn)行比較來輸出比較信號(hào)；計(jì)數(shù)器，被構(gòu)造為在第一轉(zhuǎn)變間隔和第二轉(zhuǎn)變間隔期間執(zhí)行計(jì)數(shù)操作，以分別提供第一計(jì)數(shù)值和第二計(jì)數(shù)值；鎖存器，被構(gòu)造為響應(yīng)于比較信號(hào)的轉(zhuǎn)變來將第一計(jì)數(shù)值和第二計(jì)數(shù)值分別鎖存為第一數(shù)字代碼和第二數(shù)字代碼。
[0019]確定單元可包括:第二計(jì)算單元，被構(gòu)造為基于與多個(gè)第一磁脈沖的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間相應(yīng)的第一子數(shù)字代碼來計(jì)算第一子數(shù)字代碼的平均值、偏移和范圍；寄存器單元，被構(gòu)造為存儲(chǔ)第一數(shù)字代碼，第一子數(shù)字代碼的平均值、偏移和范圍；數(shù)字比較器，被構(gòu)造為將第二數(shù)字代碼與第一數(shù)字代碼、第一子數(shù)字代碼的平均值或范圍中的至少一個(gè)進(jìn)行比較，以提供檢測(cè)信號(hào)。
[0020]檢測(cè)電路可包括再生塊，該再生塊被構(gòu)造為在校準(zhǔn)階段中轉(zhuǎn)換第一原始磁脈沖的電平，并且被構(gòu)造為對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖進(jìn)行濾波，以提供第一磁脈沖，其中，再生塊還被構(gòu)造為在檢測(cè)階段中轉(zhuǎn)換第二原始磁脈沖的電平，并且被構(gòu)造為對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖進(jìn)行濾波，以提供第二磁脈沖，并且，第一原始磁脈沖通過天線被周期性地發(fā)送，并且，第二原始磁脈沖通過天線發(fā)送。
[0021]第一電平可對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的峰值電平，并且，第二電平可對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的峰值電平。
[0022]第一電平可對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的谷底電平，并且，第二電平可對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的谷底電平。
[0023]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，一種非接觸式集成電路(IC)卡讀取器包括:檢測(cè)電路，被構(gòu)造為基于在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)；處理器，被構(gòu)造為確定非接觸式IC卡讀取器的操作模式，所述操作模式對(duì)應(yīng)于代碼模式和激活模式中的一種。第一磁脈沖在校準(zhǔn)階段中在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間期間具有第一電平和參考電平。第二磁脈沖在檢測(cè)階段中在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間期間具有第二電平和參考電平。檢測(cè)信號(hào)指示非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)。第二磁脈沖具有根據(jù)非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)而變化的振幅。處理器可調(diào)整參考電平。
[0024]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，一種非接觸式集成電路(IC)卡系統(tǒng)包括:非接觸式IC卡非接觸式IC卡讀取器，被構(gòu)造為與在通信范圍之內(nèi)的非接觸式IC卡交換數(shù)據(jù)，非接觸式IC卡讀取器包括:檢測(cè)電路，被構(gòu)造為基于在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)；處理器，被構(gòu)造為確定非接觸式IC卡讀取器的操作模式，所述操作模式對(duì)應(yīng)于待機(jī)模式和激活模式中的一種。
[0025]在校準(zhǔn)階段中，第一磁脈沖在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間期間具有第一電平和參考電平。在檢測(cè)階段中，第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間期間具有第二電平和參考電平。檢測(cè)信號(hào)指示非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)。第二磁脈沖具有根據(jù)非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)而變化的振幅。
[0026]根據(jù)另一實(shí)施例，一種用于對(duì)信息執(zhí)行非接觸式檢測(cè)的方法包括:確定至少一個(gè)第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間；確定第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間；基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間來確定信息載體是否在非接觸式讀取器的通信范圍之內(nèi)。信息載體可包括耦合到卡的集成電路。
[0027]至少一個(gè)第一磁脈沖可在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間內(nèi)從第一電平改變?yōu)榈诙娖?，并且，第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間內(nèi)從第一電平改變?yōu)榈谌娖?，基于第二電平和第三電平的差來確定信息載體在非接觸式讀取器的通信范圍之內(nèi)。
[0028]在校準(zhǔn)階段中可確定第一轉(zhuǎn)變時(shí)間，并且，在檢測(cè)階段中可確定第二轉(zhuǎn)變時(shí)間。此夕卜，所述方法可包括當(dāng)信息載體在非接觸式讀取器的通信范圍內(nèi)時(shí)改變非接觸式讀取器的操作的模式。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例，特征對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將變得明顯，在附圖中:
[0030]圖1示出非接觸式IC卡系統(tǒng)的實(shí)施例；
[0031]圖2示出用于非接觸式卡讀取器的方法的實(shí)施例；
[0032]圖3示出圖2中的計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的操作；
[0033]圖4示出圖2中的計(jì)算第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的操作；
[0034]圖5示出確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)的操作；
[0035]圖6示出圖2中的計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的操作；
[0036]圖7示出圖2中的用于計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的另一操作；
[0037]圖8示出確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)的另一操作；
[0038]圖9示出操作非接觸式IC卡讀取器的另一實(shí)施例；
[0039]圖10示出用于非接觸式卡讀取器的方法的另一實(shí)施例；
[0040]圖1lA示出第一原始磁脈沖和第一磁脈沖的示例，并且，圖1lB示出第二原始磁脈沖和第二磁脈沖的示例；
[0041]圖12A示出第一磁脈沖和在檢測(cè)階段中的第二磁脈沖的示例，并且，圖12B示出第一磁脈沖和在檢測(cè)階段中的第二磁脈沖的示例；
[0042]圖13A示出第一原始磁脈沖和第一磁脈沖的示例，并且，圖13B示出第二原始磁脈沖和第二磁脈沖的示例；
[0043]圖14A示出第一磁脈沖和在檢測(cè)階段中的第二磁脈沖的示例，并且，圖14B示出第一磁脈沖和在檢測(cè)階段中的第二磁脈沖的示例；
[0044]圖15示出非接觸式IC卡讀取器使用多個(gè)第一磁脈沖來計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的一種方法；
[0045]圖16示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的圖1中的非接觸式IC卡讀取器的示例的框圖。
[0046]圖17示出圖16中的檢測(cè)電路的示例；
[0047]圖18示出圖17中的再生塊的示例；
[0048]圖19示出圖17中的再生塊的另一示例；
[0049]圖20示出圖17中的第一計(jì)算單元的示例；
[0050]圖21是圖20的第一計(jì)算單元的時(shí)序圖；
[0051]圖22示出圖17中的確定單元的示例；
[0052]圖23示出圖1中的非接觸式IC卡的示例；
[0053]圖24示出圖20中的調(diào)節(jié)單元的示例；以及
[0054]圖25示出移動(dòng)系統(tǒng)的實(shí)施例。

【具體實(shí)施方式】
[0055]在下文中參照附圖更加全面地描述示例性實(shí)施例，但是，這些示例性實(shí)施例可以以各種形式來實(shí)施，并不應(yīng)該被解釋為局限于本文中闡述的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例，使得本公開將是徹底的、完整的，并將示例性實(shí)施方式完全傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在全文中，相似的參考標(biāo)號(hào)表示相似的元件。
[0056]圖1示出包括非接觸式IC卡讀取器100和非接觸式IC卡500的非接觸式IC卡系統(tǒng)10的實(shí)施例。非接觸式IC卡讀取器100包括讀取器芯片101和第一天線102。非接觸式IC卡500包括卡芯片501和第二天線502。非接觸式IC卡讀取器100和非接觸式IC卡500通過第一天線102和第二天線502交換數(shù)據(jù)。非接觸式IC卡500可通過第二天線502從第一天線102接受接收電壓。
[0057]非接觸式IC卡讀取器100使用短磁脈沖來確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)(或范圍)之內(nèi)，并且基于該確定來改變非接觸式IC卡讀取器100的操作模式。當(dāng)非接觸式IC卡500被確定為在通信覆蓋區(qū)之外時(shí)，非接觸式IC卡讀取器100以待機(jī)模式操作。因此，非接觸式IC卡讀取器100可最小化電流消耗。當(dāng)非接觸式IC卡500被確定為在通信覆蓋區(qū)(或范圍)之內(nèi)時(shí)，非接觸式IC卡讀取器100改變到激活模式以與非接觸式IC卡500交換數(shù)據(jù)。
[0058]圖2示出圖1中的非接觸式IC卡讀取器100的操作方法的實(shí)施例。參考圖1和圖2，在校準(zhǔn)階段中，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的至少一個(gè)第一磁脈沖的從第一正常電平到參考電平的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間(S110)。該校準(zhǔn)階段可對(duì)應(yīng)于確定非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外的間隔。
[0059]在檢測(cè)階段中，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的從第二正常電平到參考電平的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間(S130)。該檢測(cè)階段可對(duì)應(yīng)于非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外是不確定的間隔期間。第二磁脈沖的幅度可根據(jù)非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)而變化。非接觸式IC卡讀取器100基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較，確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)(S150)。
[0060]圖3示出圖2中的用于計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的操作的示例。參考圖3，在第一轉(zhuǎn)變間隔開始的第一開始點(diǎn)處觸發(fā)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)操作(S111)。為了觸發(fā)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)操作，非接觸式IC卡讀取器100可使用電平檢測(cè)器來檢測(cè)第一磁脈沖的轉(zhuǎn)變，以觸發(fā)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)操作。在一個(gè)實(shí)施例中，在第一磁脈沖的電平達(dá)到參考電平的第一轉(zhuǎn)變間隔的第一結(jié)束點(diǎn)處，將第一計(jì)數(shù)值鎖存為第一數(shù)字代碼(S113)。為了將第一計(jì)數(shù)值鎖存為第一數(shù)字代碼，非接觸式IC卡讀取器100可使用例如比較器來將第一磁脈沖的電平與參考電平進(jìn)行比較。非接觸式IC卡讀取器可在從比較器輸出的比較信號(hào)的轉(zhuǎn)變點(diǎn)處將第一計(jì)數(shù)值鎖存為第一數(shù)字代碼。第一數(shù)字代碼可被存儲(chǔ)在寄存器單元中(S115)。
[0061]圖4示出圖2中的用于計(jì)算第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的操作的示例。參考圖4，計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)操作在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間間隔開始的第二開始點(diǎn)處被觸發(fā)(S131)。為了執(zhí)行觸發(fā)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)操作，非接觸式IC卡讀取器100可例如使用電平檢測(cè)器來檢測(cè)第二磁脈沖的轉(zhuǎn)變，以觸發(fā)計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)操作。在第二磁脈沖的電平達(dá)到參考電平的第二轉(zhuǎn)變間隔的第二結(jié)束點(diǎn)處，將第二計(jì)數(shù)值鎖存為第二數(shù)字代碼(S133)。為了將第二計(jì)數(shù)值鎖存為第二數(shù)字代碼，非接觸式IC卡讀取器100可使用比較器來將第二磁脈沖的電平與參考電平進(jìn)行比較。然后，卡讀取器可在從比較器輸出的比較信號(hào)的轉(zhuǎn)變點(diǎn)處將第二計(jì)數(shù)值鎖存為第二數(shù)字代碼。
[0062]圖5示出圖2中的用于確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信覆蓋區(qū)(或范圍)之內(nèi)的操作的示例。
[0063]參考圖5，為了確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)，非接觸式IC卡讀取器100可使用數(shù)字比較器來比較第一數(shù)字代碼和第二數(shù)字代碼(S151)?；诒容^，可將檢測(cè)信號(hào)提供給非接觸式IC卡100的中央處理單元(CPU)。該檢測(cè)信號(hào)可指示非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)(S153)。
[0064]例如，當(dāng)基于比較結(jié)果第二數(shù)字代碼不小于第一數(shù)字代碼時(shí)，非接觸式IC卡讀取器100可確定非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外。由此，非接觸式IC卡讀取器100可向CPU提供具有第一邏輯電平(邏輯低電平)的檢測(cè)信號(hào)。CPU可響應(yīng)于具有第一邏輯電平的檢測(cè)信號(hào)，而將非接觸式IC卡讀取器100的操作模式保持為待機(jī)模式。
[0065]當(dāng)基于比較結(jié)果第二數(shù)字代碼小于第一數(shù)字代碼時(shí)，非接觸式IC卡500可被確定為在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)以內(nèi)。因此，非接觸式IC卡讀取器100可向(PU提供具有第二邏輯電平(邏輯高電平)的檢測(cè)信號(hào)。CPU響應(yīng)于具有第二邏輯電平的檢測(cè)信號(hào)，將非接觸式IC卡讀取器100的操作模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ?，并初始化與非接觸式IC卡500的通信。第一數(shù)字代碼和第二數(shù)字代碼可分別對(duì)應(yīng)于在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間期間的計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖的數(shù)量。計(jì)數(shù)脈沖的周期可由CPU來調(diào)整。
[0066]圖6示出圖2中用于計(jì)算的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的操作的示例。在圖6中，假定至少一個(gè)第一磁脈沖包括多個(gè)第一磁脈沖。
[0067]參考圖6，為了計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算多個(gè)第一磁脈沖中的每一個(gè)的從第一正常電平到參考電平的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間(S121a)。非接觸式IC卡讀取器100對(duì)第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間進(jìn)行平均，以將平均值提供為第一轉(zhuǎn)變時(shí)間(S123a)。非接觸式IC卡讀取器100基于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的平均值來確定與第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的誤差范圍對(duì)應(yīng)的偏移(S125a)。當(dāng)非接觸式IC卡讀取器100使用多個(gè)第一磁脈沖時(shí)，非接觸式IC卡讀取器100可通過確定第二數(shù)字代碼是否在第一數(shù)字代碼的偏移的范圍之內(nèi)，來確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)。
[0068]圖7示出圖2中的用于計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的操作的示例。在圖7中，與圖6相同，假定至少一個(gè)第一磁脈沖包括多個(gè)第一磁脈沖。
[0069]參考圖7，為了計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算多個(gè)第一磁脈沖中的每一個(gè)的從第一正常電平到參考電平的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間(S121b)。非接觸式IC卡讀取器100基于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的分布來提供第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的范圍(S121c)。
[0070]圖8示出圖2中的用于確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)的操作的示例。在圖8中，假定步驟(SllO)包括步驟(S12 Ib和S123b )。
[0071]參考圖7和圖8，在計(jì)算多個(gè)第一磁脈沖中的每一個(gè)的從第一正常電平到參考電平的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間之后，非接觸式IC卡讀取器100可確定第二轉(zhuǎn)變時(shí)間是否在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的范圍之內(nèi)(S150a)。然后，非接觸式IC卡讀取器100可基于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的分布來提供第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的范圍。也就是說，非接觸式IC卡讀取器100使用多個(gè)第一磁脈沖來計(jì)算第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的分布，并且當(dāng)確定第二轉(zhuǎn)變時(shí)間在第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的分布(第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的范圍)之內(nèi)時(shí)，初始化與非接觸式IC卡500的通信。
[0072]圖9示出操作圖1中的非接觸式IC卡讀取器100的方法的實(shí)施例。在圖9中，非接觸式IC卡讀取器100通過測(cè)量第一磁脈沖和第二磁脈沖的下降轉(zhuǎn)變時(shí)間，來確定非接觸式IC卡500是否在通信覆蓋區(qū)之內(nèi)。
[0073]參考圖1和圖9，在校準(zhǔn)階段中，非接觸式IC卡讀取器100轉(zhuǎn)換至少一個(gè)第一原始磁脈沖的電平(SlOla)。在校準(zhǔn)階段中，非接觸式IC卡讀取器100對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖進(jìn)行低通濾波，以提供第一磁脈沖(S103a)。在校準(zhǔn)階段中，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間間隔期間的第一磁脈沖的從第一正常電平到參考電平的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間(SI 1a)。該校準(zhǔn)階段可對(duì)應(yīng)于這樣的間隔，在該間隔期間，非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外是確定的。
[0074]在檢測(cè)階段，非接觸式IC卡讀取器100中轉(zhuǎn)換第二原始磁脈沖的電平(S125a)。在檢測(cè)階段中，非接觸式IC卡讀取器100對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖進(jìn)行低通濾波，以提供第二磁脈沖(S127a)。在檢測(cè)階段中，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的從第二正常電平到參考電平的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間(S130)。該檢測(cè)階段可對(duì)應(yīng)于這樣的間隔，在該間隔期間，非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外是不確定的。第二磁脈沖的振幅可根據(jù)非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)而變化。
[0075]非接觸式IC卡讀取器100基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較，確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)內(nèi)(S150)。也就是說，在校準(zhǔn)階段中，可從至少一個(gè)第一原始磁脈沖產(chǎn)生至少一個(gè)第一磁脈沖，并且在檢測(cè)階段中，可從至少一個(gè)第二原始磁脈沖產(chǎn)生第二磁脈沖。由于非接觸式IC卡讀取器100通過測(cè)量第一磁脈沖和第二磁脈沖的下降轉(zhuǎn)變時(shí)間，來確定非接觸式IC卡500是否在通信覆蓋區(qū)之內(nèi)，因此第一正常電平可對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的峰值電平，并且第二正常電平可對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的峰值電平。
[0076]圖10示出用于操作例如諸如在圖1中示出的非接觸式IC卡的方法的另一個(gè)實(shí)施例。在圖10中，非接觸式IC卡讀取器100通過測(cè)量第一磁脈沖和第二磁脈沖的上升轉(zhuǎn)變時(shí)間，來確定非接觸式IC卡500是否在通信覆蓋區(qū)(或范圍)內(nèi)。
[0077]更具體地說，參考圖1和圖10，在校準(zhǔn)階段中，非接觸式IC卡讀取器100轉(zhuǎn)換至少一個(gè)第一原始磁脈沖的電平(SlOlb)。在校準(zhǔn)階段中，非接觸式IC卡讀取器100對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖進(jìn)行高通濾波，以提供第一磁脈沖(S103b)。在校準(zhǔn)階段中，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的第一磁脈沖的從第一正常電平到參考電平的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間(上升轉(zhuǎn)變時(shí)間)(SllOa)。該校準(zhǔn)階段可對(duì)應(yīng)于這樣的間隔，在該間隔期間，非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外是確定的。
[0078]非接觸式IC卡讀取器100在檢測(cè)階段中轉(zhuǎn)換第二原始磁脈沖的電平(S125b)。在檢測(cè)階段中，非接觸式IC卡讀取器100對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖進(jìn)行高通濾波，以提供第二磁脈沖(S127b)。在檢測(cè)階段中，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的從第二正常電平到參考電平的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間(上升轉(zhuǎn)變時(shí)間)(S130)。該檢測(cè)階段可對(duì)應(yīng)于這樣的間隔，在該間隔期間，非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外是不確定。第二磁脈沖的幅度可根據(jù)非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)(或范圍)之內(nèi)而變化。
[0079]此外，非接觸式IC卡讀取器100可基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較，確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)(S150)。例如，在校準(zhǔn)階段中，可從至少一個(gè)第一原始磁脈沖產(chǎn)生至少一個(gè)第一磁脈沖。在檢測(cè)階段中，可從至少一個(gè)第二原始磁脈沖產(chǎn)生第二磁脈沖。由于非接觸式IC卡讀取器100通過測(cè)量第一磁脈沖和第二磁脈沖的上升轉(zhuǎn)變時(shí)間來確定非接觸式IC卡500是否在通信覆蓋區(qū)之內(nèi)，因此第一正常電平可對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的谷底電平，并且第二正常電平可對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的谷底電平。
[0080]更具體地說，基于由非接觸式IC卡讀取器100執(zhí)行的針對(duì)參考電的在待機(jī)模式的校準(zhǔn)階段和檢測(cè)階段中的短磁脈沖的上升轉(zhuǎn)變時(shí)間或下降轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較，非接觸式IC卡500可被確定為在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)內(nèi)。基于該比較，非接觸式IC卡讀取器100可將非接觸式IC卡讀取器100的操作模式保持在待機(jī)模式中，或者將操作模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ健?br> [0081]因此，當(dāng)與比較在校準(zhǔn)階段與檢測(cè)階段中的磁脈沖的其它的提出的方法進(jìn)行比較時(shí)，不要求非接觸式IC卡讀取器100包括模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器和邏輯電路。因此，可簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)非接觸式IC卡讀取器100的結(jié)構(gòu)，并且可減小所占區(qū)域和可顯著減小功耗。
[0082]圖1lA示出第一原始磁脈沖和第一磁脈沖的示例，并且，圖1lB示出第二原始磁脈沖和第二磁脈沖的示例。
[0083]參考圖11A，第一原始磁脈沖OMPl可具有作為峰值電平的第一正常電平LEV_01。第一磁脈沖MPll可從第一原始磁脈沖OMPl產(chǎn)生，并且可具有作為峰值電平的第一正常電平LEV1。在第一磁脈沖MPll的第一轉(zhuǎn)變間隔期間，從第一正常電平LEVl到正常電平RLEV的轉(zhuǎn)變時(shí)間可對(duì)應(yīng)于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT11。例如，第一磁脈沖MPll可通過圖9中的操作SlOla和S103a從第一原始磁脈沖OMPl產(chǎn)生。
[0084]參考圖11B，第二原始磁脈沖0MP2可具有作為峰值電平的第二正常電平LEV_02。第二磁脈沖MP21可從第二原始磁脈沖0MP2產(chǎn)生，并且可具有作為峰值電平的第二正常電平LEV2。在第二磁脈沖MP21的第二轉(zhuǎn)變間隔期間，從第二正常電平LEV2到正常電平RLEV的轉(zhuǎn)變時(shí)間可對(duì)應(yīng)于第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT21。例如，第二磁脈沖MP21可通過圖9中的操作S125a和S127a從第二原始磁脈沖0MP2產(chǎn)生。
[0085]圖12A示出在檢測(cè)階段中的第一磁脈沖和第二磁脈沖的示例，并且，圖12B示出在檢測(cè)階段中的第一磁脈沖和第二磁脈沖的示例。更具體地講，圖12A示出當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)(或范圍)之外時(shí)的第一磁脈沖MPll和第二磁脈沖MP21。圖12B示出當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)時(shí)的第一磁脈沖MPll和第二磁脈沖MP21。
[0086]參考圖12A，當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外時(shí)，第一磁脈沖MPll的第一電平LEVl與第二磁脈沖MP21的第二電平LEV2基本上相同。這是由于，第二磁脈沖MP21未被相互耦合到非接觸式IC卡500的天線502。因此，第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRTll基本上與第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT21相同。在這些情形下，非接觸式IC卡500被確定為在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外。
[0087]參考圖12B，當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)時(shí)，與第二磁脈沖MP21的第二電平LEV2相比，第一磁脈沖MPll的第一電平LEVl增加。這是由于，第二磁脈沖MP21相互地耦合到非接觸式IC卡500的天線502。因此，第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRTll大于第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT21。在這些情形下，非接觸式IC卡500被確定為在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)。在這種情況中，非接觸式IC卡讀取器100將操作模式從待機(jī)模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ?，并初始化與非接觸式IC卡500的通信。
[0088]圖1lA到圖12B示出非接觸式IC卡讀取器100使用第一磁脈沖MPll和第二磁脈沖MP21的下降轉(zhuǎn)變時(shí)間來確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)。如下所述，在其它實(shí)施例中，非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)可按不同的方式來確定。
[0089]圖13A示出第一原始磁脈沖和第一磁脈沖的示例，并且，圖13B示出第二原始磁脈沖和第二磁脈沖的示例。
[0090]參考圖13A，第一原始磁脈沖OMPl可具有作為峰值電平的第一正常電平LEV_01。第一磁脈沖MP12可從第一原始磁脈沖OMPl產(chǎn)生，并且可具有作為峰值電平的電平LEVl和作為谷底電平的第一正常電平LEV11。在第一磁脈沖MP12的第一轉(zhuǎn)變間隔期間，從谷底電平LEVll到第一正常電平RLEV的轉(zhuǎn)變時(shí)間可對(duì)應(yīng)于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT12。例如，第一磁脈沖MP12可通過圖10中的操作SlOlb和S103b從第一原始磁脈沖OMPl產(chǎn)生。
[0091]參考圖13B，第二原始磁脈沖0MP2可具有作為峰值電平的第二正常電平LEV_02。第二磁脈沖MP22可從第二原始磁脈沖0MP2產(chǎn)生，并且可具有作為峰值電平的電平LEV2和作為谷底電平的第二正常電平LEV21。在第二磁脈沖MP22的第二轉(zhuǎn)變間隔期間，從谷底電平LEV21到正常電平RLEV的轉(zhuǎn)變時(shí)間可對(duì)應(yīng)于第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT22。例如，第二磁脈沖MP22可通過圖10中的操作S125b和S127b從第二原始磁脈沖0MP2產(chǎn)生。
[0092]圖14A示出在檢測(cè)階段中的第一磁脈沖和第二磁脈沖的示例，并且，圖14B示出在檢測(cè)階段中的第一磁脈沖和第二磁脈沖的示例。更具體地說，圖14A示出當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)(或范圍)之外時(shí)的第一磁脈沖MP12和第二磁脈沖MP22。圖14B示出當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)時(shí)的第一磁脈沖MP12和第二磁脈沖MP22。
[0093]參考圖14A，當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外時(shí)，第一磁脈沖MP12的峰值電平LEVl與第二磁脈沖MP22的峰值電平LEV2基本上相同。這是因?yàn)榈诙琶}沖MP21未相互耦合到非接觸式IC卡500的天線502。因此，第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT12基本上與第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT22相同。在這些情形下，非接觸式IC卡500被確定為在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外。
[0094]參考圖14B，當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)時(shí)，第一磁脈沖MP12的峰值電平LEVl增加，并且與第二磁脈沖MP22的峰值電平LEV2不同。這是由于，第二磁脈沖MP22相互耦合到非接觸式IC卡500的天線502。因此，第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT12大于第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT22。在這些情形下，非接觸式IC卡500被確定為在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)。在這種情況中，非接觸式IC卡讀取器100將操作模式從待機(jī)模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ剑⒊跏蓟c非接觸式IC卡500的通信。
[0095]圖13A到圖14B的實(shí)施例使用第一磁脈沖MP12和第二磁脈沖MP22的上升轉(zhuǎn)變時(shí)間來確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)。其它實(shí)施例可按不同的方式來作出該確定。
[0096]圖15示出非接觸式IC卡讀取器使用多個(gè)第一磁脈沖來計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的實(shí)施例。參考圖15，非接觸式IC卡讀取器100計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間周期性地發(fā)送的多個(gè)第一磁脈沖MP11_S1、MP11_S2和MP11_S3的每個(gè)第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間TRTl 1_S1、TRTl 1_S2和TRT11_S3。非接觸式IC卡讀取器100基于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3，確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信范圍之內(nèi)。
[0097]另外，然后，非接觸式IC卡讀取器100對(duì)第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT11_S1、TRTl 1_S2和TRTl 1_S3進(jìn)行平均，并計(jì)算平均值和基于平均值的偏移。當(dāng)?shù)诙D(zhuǎn)變時(shí)間在相對(duì)于平均值的偏移范圍之內(nèi)時(shí)，非接觸式IC卡讀取器100確定非接觸式IC卡在非接觸式IC卡讀取器100的范圍之內(nèi)。非接觸式IC卡讀取器100可通過圖6中的操作來使用第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT11_S1、TRT11_S2 和 TRTl 1_S3 的平均值。
[0098]另外，非接觸式IC卡讀取器100可計(jì)算第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT11_S1、TRT11_S2和TRTl 1_S3的分布。當(dāng)?shù)诙D(zhuǎn)變時(shí)間在第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT11_S1、TRT11_S2和TRT11_S3的分布的范圍內(nèi)時(shí)，非接觸式IC卡讀取器100確定非接觸式IC卡在非接觸式IC卡讀取器100的范圍內(nèi)。非接觸式IC卡讀取器100可通過圖7和圖8中的操作來使用第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間 TRT11_S1、TRT11_S2 和 TRTl 1_S3 的分布。
[0099]圖16示出圖1中的包括非接觸式IC卡讀取器芯片101和諧振單元102a的非接觸式IC卡讀取器100的實(shí)施例。通過第一發(fā)送端子TXl和第二發(fā)送端子TX2以及接收端子RX，非接觸式IC卡讀取器芯片101連接到諧振單元102a。
[0100]諧振單元102a可包括:諧振電路，具有天線L和第一電容器Cl ;第一濾波器，包括第四電容器C4，其中，諧振電路通過第四電容器C4連接到接收端子RX ；匹配單元，包括包含第二電容器C2和第三電容器C3的第二濾波器且執(zhí)行阻抗匹配，諧振電路通過第二電容器C2和第三電容器C3連接到第一發(fā)送端子TXl和第二發(fā)送端子TX2。
[0101]非接觸式IC卡讀取器芯片101可通過第一發(fā)送端子TXl和第二發(fā)送端子TX2執(zhí)行發(fā)送操作，并且可通過接收端子RX來執(zhí)行接收操作。
[0102]非接觸式IC卡讀取器芯片101可包括:CPU(或處理器110)、存儲(chǔ)器120、包括解調(diào)器131的接收塊130、包括調(diào)制器141、振蕩器142、混頻器143、發(fā)送單元144的發(fā)送塊140、磁脈沖生成器150和檢測(cè)電路200。CPUllO可控制非接觸式IC卡讀取器芯片101的整體操作。CPUllO可通過從諸如電池的電源單元接收電源電壓VDD來被操作。
[0103]當(dāng)在激活模式中執(zhí)行發(fā)送操作時(shí)，CPUllO可從存儲(chǔ)器120將輸出數(shù)據(jù)讀出到調(diào)制器141。調(diào)制器141可對(duì)輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)制以產(chǎn)生調(diào)制信號(hào)。另外，振動(dòng)器142可產(chǎn)生具有與載波頻率(例如，13.56MHz)對(duì)應(yīng)的頻率的載波信號(hào)CW?；祛l器143可將載波信號(hào)CW與調(diào)制信號(hào)組合以產(chǎn)生發(fā)送信號(hào)。
[0104]發(fā)送單元144可通過第一發(fā)送端子TXl和第二發(fā)送端子TX2向諧振單元102a提供發(fā)送信號(hào)。諧振單元102a可輻射與發(fā)送信號(hào)對(duì)應(yīng)的電磁波。例如，發(fā)送單元144可連接在電源電壓VDD與地電壓GND之間?；诎l(fā)送信號(hào)，發(fā)送單元144可允許第一發(fā)送端子TXl和第二發(fā)送端子TX2通過上拉負(fù)載(pull-up load)連接到電源電壓VDD或通過下拉負(fù)載(pull-down load)連接到地電壓GND。當(dāng)以這種方式連接時(shí),發(fā)送信號(hào)可通過第一發(fā)送端子TXl和第二發(fā)送端子TX2提供到諧振單元102a。
[0105]當(dāng)在激活模式中執(zhí)行接收操作時(shí)，解調(diào)器131可對(duì)從諧振單元102a通過接收端子RX提供的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)，以產(chǎn)生輸入數(shù)據(jù)，并且可將該輸入數(shù)據(jù)提供到CPU110。CPUllO可將該輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器120中。
[0106]在待機(jī)模式的校準(zhǔn)階段中，磁脈沖生成器150可響應(yīng)于來自CPUllO的第一控制信號(hào)CONl，而產(chǎn)生將通過發(fā)送單元144和諧振單元102a發(fā)送的第一原始磁脈沖OMPl。集成電路200可計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的基于通過諧振單元102a發(fā)送的第一原始磁脈沖OMPl的第一磁脈沖MPll和第二磁脈沖MP12的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間。計(jì)算的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間可存儲(chǔ)為第一數(shù)字代碼。
[0107]在待機(jī)模式的檢測(cè)階段中，磁脈沖生成器150可產(chǎn)生用于確定非接觸式IC卡500是否在通信覆蓋區(qū)之內(nèi)的第二原始磁脈沖0MP2。響應(yīng)于來自CPUllO的第一控制信號(hào)CONl，第二原始磁脈沖0MP2可通過發(fā)送單元144和諧振單元102a發(fā)送。檢測(cè)電路200可計(jì)算第二轉(zhuǎn)變間隔期間的基于通過諧振單元102a發(fā)送的第二原始磁脈沖0MP2的第二磁脈沖MP21或MP22的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間，可將第一數(shù)字代碼與對(duì)應(yīng)于第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的第二數(shù)字代碼進(jìn)行比較，并且可確定非接觸式IC卡500是否在通信覆蓋區(qū)之內(nèi)。
[0108]檢測(cè)電路200可確定非接觸式IC卡500是否在通信覆蓋區(qū)之內(nèi)，并且可產(chǎn)生指示非接觸式IC卡500是否在通信覆蓋區(qū)之內(nèi)的檢測(cè)信號(hào)DS并將該檢測(cè)信號(hào)DS提供給CPUl 10。CPUllO可接收檢測(cè)信號(hào)DS，并且可根據(jù)檢測(cè)信號(hào)DS的邏輯電平來確定非接觸式IC卡讀取器100的操作模式。
[0109]例如，當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外并且檢測(cè)信號(hào)DS是邏輯低電平時(shí)，CPUl 10可將非接觸式IC卡讀取器100的操作模式保持為待機(jī)模式。當(dāng)非接觸式IC卡500在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)并且檢測(cè)信號(hào)DS是邏輯高電平時(shí)，CPUllO可將非接觸式IC卡讀取器100的操作模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ健?br> [0110]在激活模式中，CPUllO提供第二控制信號(hào)C0N2以啟用(enable)發(fā)送塊140并通過發(fā)送塊140發(fā)送請(qǐng)求命令。CPUllO提供第三控制信號(hào)C0N3以啟用接收塊130，并且在預(yù)定時(shí)間間隔期間，接收塊130可等待來自非接觸式IC卡500的響應(yīng)于請(qǐng)求命令的響應(yīng)。當(dāng)在預(yù)定時(shí)間間隔期間接收到響應(yīng)于請(qǐng)求命令的響應(yīng)時(shí)，非接觸式IC卡讀取器100初始化與非接觸式IC卡500的數(shù)據(jù)發(fā)送/接收。
[0111]當(dāng)在預(yù)定時(shí)間間隔期間未接收到響應(yīng)于請(qǐng)求命令的響應(yīng)時(shí)，CPUllO提供第二控制信號(hào)C0N2和第三控制信號(hào)C0N3以分別停用(disable)發(fā)送塊140和接收塊130。此外，CPUllO將第一控制信號(hào)CONl提供給檢測(cè)電路200以執(zhí)行上述檢測(cè)操作。盡管CPUllO通過第二控制信號(hào)C0N2來停用了發(fā)送塊140，但是發(fā)送單元144被啟用以通過諧振單元102來發(fā)送磁脈沖。
[0112]第一控制信號(hào)到第三控制信號(hào)CONl?C0N3可包括兩位或更多位。例如，在待機(jī)模式中，第二控制信號(hào)C0N2的一些位可被用于停用調(diào)制器141、振蕩器142和混頻器143。第二控制信號(hào)C0N2的其它位可被用于啟用發(fā)送單元144以發(fā)送磁脈沖。另外，第一控制信號(hào)CONl的一些位可被用于調(diào)整檢測(cè)電路200中的時(shí)鐘脈沖的周期或者用于重新設(shè)置計(jì)數(shù)器。第一控制信號(hào)CONl的其它位可被用于調(diào)整檢測(cè)電路200中的參考電壓生成器的參考電平RLEV。
[0113]圖17示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的圖16中的檢測(cè)電路的示例。參考圖17,檢測(cè)電路200包括:再生塊210、第一計(jì)算單元230和確定單元250。
[0114]在待機(jī)模式的校準(zhǔn)階段中，再生塊210可通過對(duì)諧振單元102發(fā)送的第一原始磁脈沖OMPl進(jìn)行再生，來提供第一磁脈沖MPl。待機(jī)模式的檢測(cè)階段中，再生塊210可通過對(duì)諧振單元102發(fā)送的第二原始磁脈沖0MP2進(jìn)行再生，來提供第二磁脈沖MP2。在待機(jī)模式的校準(zhǔn)階段中，第一計(jì)算單元230接收第一磁脈沖MPl，使用計(jì)數(shù)器計(jì)算第一磁脈沖MPl的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRTll或TRT12，鎖存與第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRTll或TRT12對(duì)應(yīng)的第一數(shù)字代碼D⑶I，并且將第一數(shù)字代碼D⑶I提供給確定單元250。
[0115]另外，在待機(jī)模式的檢測(cè)階段中，第一計(jì)算單元230接收第二磁脈沖MP2，使用計(jì)數(shù)器計(jì)算第二磁脈沖MP2的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT21或TRT22，鎖存與第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT21或TRT22對(duì)應(yīng)的第二數(shù)字代碼DCD2，并且將第二數(shù)字代碼DCD2提供給確定單元250。
[0116]確定單元250存儲(chǔ)在校準(zhǔn)階段中的第一數(shù)字代碼Drai，比較第一數(shù)字代碼Drai與第二數(shù)字代碼DCD2，并且根據(jù)檢測(cè)階段中的比較結(jié)果來提供檢測(cè)信號(hào)DS。例如，當(dāng)?shù)诙?shù)字代碼DCD2不小于第一數(shù)字代碼DCDl時(shí)，非接觸式IC卡500可被確定為在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之外。因此，確定單元250可輸出具有第一邏輯電平(邏輯低電平)的檢測(cè)信號(hào)DS。當(dāng)?shù)诙?shù)字代碼D⑶2小于第一數(shù)字代碼D⑶I時(shí)，非接觸式IC卡500可被確定為在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)。因此，確定單元250可輸出具有第二邏輯電平(邏輯高電平)的檢測(cè)信號(hào)DS。
[0117]圖18示出根據(jù)一些示例性實(shí)施例的圖17中的再生塊的示例。圖18示出，圖17中的檢測(cè)電路200使用如圖1lA和圖1lB所示的第一磁脈沖MPl的下降轉(zhuǎn)變時(shí)間來確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)的情況。
[0118]參考圖18，再生塊210a可包括電平轉(zhuǎn)換器211和低通濾波器213。在校準(zhǔn)階段中，電平轉(zhuǎn)換器211轉(zhuǎn)換(例如，降低)第一原始磁脈沖OMPl的電平，以輸出電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖C0MP1。在檢測(cè)階段中，電平轉(zhuǎn)換器211還可轉(zhuǎn)換(例如，降低)第二原始磁脈沖0MP2的電平，以輸出電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖C0MP2。
[0119]低通濾波器213在校準(zhǔn)階段中對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖COMPl進(jìn)行低通濾波以輸出第一磁脈沖MP1，并且在檢測(cè)階段中對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖C0MP2進(jìn)行低通濾波以輸出第二磁脈沖MP2。在一個(gè)實(shí)施例中，電平轉(zhuǎn)換器211可將天線電平電壓轉(zhuǎn)換為檢測(cè)電路200可感知并操作的電平。低通濾波器213可加強(qiáng)第一磁脈沖MPl和第二磁脈沖MP2的下降轉(zhuǎn)變。
[0120]圖19示出圖17中的再生塊的示例。更具體地說，圖19示出，圖17中的檢測(cè)電路200使用如圖13A和圖13B所示的第一磁脈沖MPl的上升轉(zhuǎn)變時(shí)間來確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)的情況。
[0121]參考圖19，再生塊210b可包括電平轉(zhuǎn)換器221和高通濾波器223。在校準(zhǔn)階段中，電平轉(zhuǎn)換器221轉(zhuǎn)換(例如，降低)第一原始磁脈沖OMPl的電平，以輸出電平轉(zhuǎn)換第一原始磁脈沖C0MP1。在檢測(cè)階段中，電平轉(zhuǎn)換器221還可轉(zhuǎn)換(例如，降低)第二原始磁脈沖0MP2的電平，以輸出電平轉(zhuǎn)換第二原始磁脈沖C0MP2。
[0122]在校準(zhǔn)階段中，高通濾波器223對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖COMPl進(jìn)行濾波以輸出第一磁脈沖MP1。在檢測(cè)階段中，高通濾波器223也對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖C0MP2進(jìn)行濾波以輸出第二磁脈沖MP2。電平轉(zhuǎn)換器221將天線電平電壓轉(zhuǎn)換為檢測(cè)電路200可感知并操作的電平。高通濾波器223可加強(qiáng)第一磁脈沖MPl和第二磁脈沖MP2的上升轉(zhuǎn)變。
[0123]圖20示出如圖17所示的第一計(jì)算單元230的示例。參考圖20，第一計(jì)算單元230可包括:電平檢測(cè)器231、比較器232、計(jì)數(shù)器233、鎖存器234和參考電壓生成器235。
[0124]當(dāng)在校準(zhǔn)階段中第一磁脈沖MPl開始從第一正常電平上升或下降時(shí)，電平檢測(cè)器231激活對(duì)計(jì)數(shù)器233的觸發(fā)信號(hào)TGS。當(dāng)在檢測(cè)階段中第二磁脈沖MP2開始從第二正常電平上升或下降時(shí)，電平檢測(cè)器231激活對(duì)計(jì)數(shù)器233的觸發(fā)信號(hào)TGS。響應(yīng)于來自CPUllO的重置信號(hào)RST，計(jì)數(shù)器233可被重置。響應(yīng)于觸發(fā)信號(hào)TRG，計(jì)數(shù)器233執(zhí)行累加計(jì)數(shù)(counting-up)操作。
[0125]比較器232將第一磁脈沖MPl與參考電平RLEV進(jìn)行比較并向鎖存器234輸出比較信號(hào)CS，其中，在校準(zhǔn)階段中，比較信號(hào)CS在第一磁脈沖MPl到達(dá)參考電平RLEV時(shí)的時(shí)刻處轉(zhuǎn)變。比較器232還將第二磁脈沖MP2與參考電平RLEV進(jìn)行比較并向鎖存器234輸出比較信號(hào)CS，其中，在檢測(cè)階段中，比較信號(hào)CS在第二磁脈沖MP2到達(dá)參考電平RLEV時(shí)的時(shí)刻處轉(zhuǎn)變。
[0126]在校準(zhǔn)階段中，響應(yīng)于比較信號(hào)CS，鎖存器234將與第一磁脈沖MPl的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間對(duì)應(yīng)的第一計(jì)數(shù)值CNTl鎖存為第一數(shù)字代碼DCDl。在檢測(cè)階段中，響應(yīng)于比較信號(hào)CS，鎖存器234將與第二磁脈沖MP2的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間對(duì)應(yīng)的第二計(jì)數(shù)值CNT2鎖存為第二數(shù)字代碼D⑶2。第一計(jì)數(shù)值CNTl可對(duì)應(yīng)于圖1lA中的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRTll期間的計(jì)數(shù)器233的計(jì)數(shù)脈沖的數(shù)量。第二計(jì)數(shù)值CNT2可對(duì)應(yīng)于圖1lB中的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT21期間的計(jì)數(shù)器233的計(jì)數(shù)脈沖的數(shù)量。
[0127]檢測(cè)電路200使用如圖15所示的多個(gè)第一磁脈沖MP11_S1、MP11_S2和MP11_S3來確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信范圍之內(nèi)。計(jì)數(shù)器233分別對(duì)第一磁脈沖MP11_S1、MP11_S2和MP11_S3的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT11_S1、TRT11_S2和TRTl 1_S3的第一子計(jì)數(shù)值CNT1_S進(jìn)行計(jì)數(shù)。在校準(zhǔn)階段中，鎖存器(或數(shù)字鎖存器)234可分別鎖存與第一子計(jì)數(shù)值CNT1_S對(duì)應(yīng)的第一子數(shù)字代碼DCD1_S。
[0128]參考電壓生成器235可產(chǎn)生具有參考電平RLEV的參考電壓并將其提供給比較器232。響應(yīng)于第一控制信號(hào)CONl，參考電壓生成器235可調(diào)整參考電平RLEV。
[0129]圖21示出與圖20的第一計(jì)算單元的操作對(duì)應(yīng)的時(shí)序圖的示例。參考圖20和圖21，在校準(zhǔn)階段中的時(shí)刻Tl處，第一磁脈沖MPl開始下降轉(zhuǎn)變，觸發(fā)信號(hào)TGS被激活，并且計(jì)數(shù)器233開始累加計(jì)數(shù)操作。計(jì)數(shù)器233執(zhí)行累加計(jì)數(shù)操作直到第一磁脈沖MPl到達(dá)參考電平RLEV時(shí)的時(shí)刻T3。也就是說，由于比較信號(hào)CS在第一磁脈沖MPl到達(dá)參考電平RLEV的時(shí)刻T3處轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖?，因此?jì)數(shù)器233輸出在時(shí)刻T3的計(jì)數(shù)值作為第一計(jì)數(shù)值CNTl。鎖存器234將與第一轉(zhuǎn)變時(shí)間TRTl期間的計(jì)數(shù)脈沖的數(shù)量對(duì)應(yīng)的第一計(jì)數(shù)值CNTl鎖定為第一數(shù)字代碼DCDl。
[0130]在檢測(cè)階段中的時(shí)刻Tl處，第二磁脈沖MP2開始下降轉(zhuǎn)變，觸發(fā)信號(hào)TGS被激活，并且計(jì)數(shù)器233開始累加計(jì)數(shù)操作。計(jì)數(shù)器233執(zhí)行累加計(jì)數(shù)操作直到第二磁脈沖MP2到達(dá)參考電平RLEV時(shí)的時(shí)刻T2。也就是說，由于比較信號(hào)CS在第二磁脈沖MP2到達(dá)參考電平RLEV時(shí)時(shí)刻T2處轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娖?，因此?jì)數(shù)器233輸出在時(shí)刻T2的計(jì)數(shù)值作為第二計(jì)數(shù)值CNT2。鎖存器234將與第二轉(zhuǎn)變時(shí)間TRT2期間的計(jì)數(shù)脈沖的數(shù)量對(duì)應(yīng)的第二計(jì)數(shù)值CNT2鎖定為第二數(shù)字代碼DCD2。
[0131]圖22示出圖17中的確定單元的示例。參考圖22，確定單元250可包括:寄存器單元251、第二計(jì)算單元253和數(shù)字比較器255。寄存器單元251存儲(chǔ)在校準(zhǔn)階段的第一數(shù)字編碼ECDI。
[0132]當(dāng)如圖15所示，檢測(cè)電路200使用多個(gè)第一磁脈沖MP11_S1、MP11_S2和MP11_S3來確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信范圍之內(nèi)時(shí)，第二計(jì)算單元253接收與第一子計(jì)數(shù)值CNT1_S對(duì)應(yīng)的第一子數(shù)字代碼D⑶1_S。第二計(jì)算單元253對(duì)第一子數(shù)字代碼D⑶1_S進(jìn)行平均以計(jì)算平均值D⑶1_A和偏移D⑶1_A_0FS，并且可將平均值DCD1_A和偏移DCD1_A_0FS提供給寄存器單元253。另外，第二計(jì)算單元253接收與第一子計(jì)數(shù)值CNT1_S對(duì)應(yīng)的第一子數(shù)字代碼D⑶1_S，并計(jì)算第一數(shù)字代碼的范圍D⑶1_R。然后，第一數(shù)字代碼的范圍DCD1_R被提供給寄存器單元253。
[0133]數(shù)字比較器255可將第二數(shù)字代碼D⑶2與第一數(shù)字代碼D⑶1、第一子數(shù)字代碼D⑶1_S的平均值D⑶1_A或第一數(shù)字代碼的范圍D⑶1_R中的一個(gè)進(jìn)行比較。數(shù)字比較器255根據(jù)比較結(jié)果輸出檢測(cè)信號(hào)DS。
[0134]如參考圖16到圖22所述，為了確定非接觸式IC卡500是否在非接觸式IC卡讀取器100的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)，非接觸式IC卡讀取器100將針對(duì)參考電平的在待機(jī)模式的校準(zhǔn)階段和檢測(cè)階段中的短磁脈沖的上升轉(zhuǎn)變時(shí)間或下降轉(zhuǎn)變時(shí)間進(jìn)行比較?；谠摫容^，非接觸式IC卡讀取器100可將非接觸式IC卡讀取器100的操作模式保持在待機(jī)模式中，或者將操作模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ?。因此，非接觸式IC卡讀取器100不需要模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器和邏輯電路，因此可被簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)。因此，可減小所占區(qū)域面積并且可大大地降低功耗。
[0135]圖23示出圖1中的非接觸式IC卡的示例。參考圖23，非接觸式IC卡500可包括諧振單元502a和非接觸式IC卡芯片501。非接觸式IC卡芯片501可通過第一電源端子LI和第二電源端子L2連接到諧振單元502a。
[0136]諧振單元502a可包括:諧振電路，包括天線LI I和第一電容器Cl I ;第二電容器C12和第三電容器C13，響應(yīng)于電磁波EMW而感應(yīng)出的感應(yīng)電壓通過所述第二電容器C12和第三電容器C13傳輸?shù)降谝浑娫炊俗覮I和第二電源端子L2 ；濾波器，包括第三電容器C13。諧振單元502a可將響應(yīng)于電磁波EMW的感應(yīng)電壓作為第一電壓Vl傳輸?shù)椒墙佑|式IC卡芯片501。
[0137]如圖23所示的諧振單元502的構(gòu)造僅僅是諧振單元可怎樣被構(gòu)造的一個(gè)示例。在其它實(shí)施例中，諧振單元可具有不同的構(gòu)造。
[0138]非接觸式IC卡芯片501可通過第一電源端子LI和第二電源端子L2從諧振單元502a接收第一電壓VI。非接觸式IC卡芯片501可包括:整流器510、調(diào)節(jié)單元520、CPU530、存儲(chǔ)器540、解調(diào)器550和調(diào)制器560。
[0139]整流器510對(duì)第一電壓Vl進(jìn)行整流以產(chǎn)生作為直流(DC)電壓的第二電壓。
[0140]調(diào)節(jié)單元520可產(chǎn)生用于非接觸式IC卡芯片501中的具有正常電平的內(nèi)部電壓Vint,并將該電壓提供給CPU530、解調(diào)器550和調(diào)制器560。
[0141]CPU530可控制非接觸式IC卡芯片501的整體操作。當(dāng)接收操作被執(zhí)行時(shí)，解調(diào)器550可對(duì)從諧振單元502a通過第一電源端子LI和第二電源端子L2提供的信號(hào)進(jìn)行解調(diào)，以產(chǎn)生輸入數(shù)據(jù)。輸入數(shù)據(jù)可被輸入到CPU530，CPU530將該輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器540中。
[0142]當(dāng)發(fā)送操作被執(zhí)行時(shí)，CPU530可從存儲(chǔ)器540讀出輸出數(shù)據(jù)并將該輸出數(shù)據(jù)提供給調(diào)制器560。調(diào)制器560可對(duì)該輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行調(diào)制并將調(diào)制的信號(hào)提供給第一電源端子LI和第二電源端子L2。例如，調(diào)制器560可對(duì)該輸出數(shù)據(jù)執(zhí)行負(fù)載調(diào)制，以產(chǎn)生調(diào)制的信號(hào)。
[0143]圖24示出圖20中的調(diào)節(jié)單元的示例。參考圖24,調(diào)節(jié)單元520可包括:串聯(lián)調(diào)節(jié)器521、并聯(lián)調(diào)節(jié)器523和電流鏡524。
[0144]串聯(lián)調(diào)節(jié)器521可從整流器521接收第二電壓V2，并且并聯(lián)調(diào)節(jié)器523可連接在串聯(lián)調(diào)節(jié)器292的輸出端子與地電壓GND之間。由此，串聯(lián)調(diào)節(jié)器521和并聯(lián)調(diào)節(jié)器523可產(chǎn)生具有正常電平的內(nèi)部電壓Vint，該內(nèi)部電壓Vint可用于使用第二電壓V2的非接觸式IC卡芯片501中。電流鏡522可產(chǎn)生內(nèi)部電流lint，該內(nèi)部電流Iint具有與流經(jīng)串聯(lián)調(diào)節(jié)器521的電流的強(qiáng)度成比例的強(qiáng)度。
[0145]圖25示出移動(dòng)系統(tǒng)1000的實(shí)施例，該移動(dòng)系統(tǒng)1000包括應(yīng)用處理器1100、非接觸式IC卡1200、存儲(chǔ)器1310、用戶接口 1320、連接單元1330和電源1340。根據(jù)各種實(shí)施例，移動(dòng)系統(tǒng)1000可以是任何移動(dòng)系統(tǒng)，諸如但并不限于，移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、數(shù)碼相機(jī)、便攜式游戲機(jī)、音樂播放器、攝像機(jī)、視頻播放器、導(dǎo)航系統(tǒng)等。
[0146]非接觸式IC卡1200可與非接觸式IC卡讀取器1210交換數(shù)據(jù)。非接觸式IC卡讀取器1210可采用圖16的非接觸式IC卡讀取器100，以用于確定非接觸式IC卡1200是否在非接觸式IC卡讀取器1210的通信覆蓋區(qū)之內(nèi)?？ㄗx取器還可將針對(duì)參考電平的在待機(jī)模式的校準(zhǔn)階段和檢測(cè)階段中的一個(gè)或多個(gè)短磁脈沖的上升轉(zhuǎn)變時(shí)間和下降轉(zhuǎn)變時(shí)間進(jìn)行比較。
[0147]基于該比較，非接觸式IC卡讀取器1210可將非接觸式IC卡讀取器1210的操作模式保持在待機(jī)模式中，或者可將操作模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ?。因此，非接觸式IC卡讀取器1210可不需要模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器和邏輯電路來保持或改變操作模式。由此，非接觸式IC卡讀取器1210可比其它的讀取器類型具有更少的部件。此外，可顯著減小讀取器所占區(qū)域并且可大大降低功耗。
[0148]應(yīng)用處理器1100可執(zhí)行應(yīng)用，諸如但并不限于，網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、游戲應(yīng)用、視頻播放器等。在一些實(shí)施例中，應(yīng)用處理器1100可包括單核或多核。例如，應(yīng)用處理器1100可以是多核處理器，諸如，雙核處理器、四核處理器、六核處理器等。根據(jù)各種實(shí)施例，應(yīng)用處理器1100可耦合到內(nèi)部/外部高速緩存存儲(chǔ)器。
[0149]存儲(chǔ)器裝置1310可以存儲(chǔ)用于啟動(dòng)移動(dòng)系統(tǒng)1000的啟動(dòng)圖像，將被發(fā)送到外部裝置的數(shù)據(jù)輸出以及來自外部裝置的輸入數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)裝置1310可以是電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPR0M)、閃速存儲(chǔ)器、相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、納米浮柵存儲(chǔ)器(NFGM)、聚合物隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PoRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)等。
[0150]用戶接口 1130可包括至少一個(gè)輸入裝置(諸如小鍵盤、觸摸屏等)和至少一個(gè)輸出裝置(諸如揚(yáng)聲器、顯示裝置等)。電源1340可為移動(dòng)系統(tǒng)1000提供電源電壓。
[0151]連接單元1330可與外部裝置進(jìn)行有線通信或無線通信。例如，連接單元1330可執(zhí)行以太網(wǎng)通信、近場(chǎng)通信(NFC)、無線射頻識(shí)別(RFID)通信、移動(dòng)通信、存儲(chǔ)卡通信、通用串行總線(USB)通信等。在一些實(shí)施例中，連接單元1330可包括基頻芯片組，其支持諸如全球移動(dòng)通訊系統(tǒng)(GSM)、通用分組無線業(yè)務(wù)(GPRS )、寬帶碼分多址(WCDMA)、高速下行鏈路/上行鏈路分組接入(HSxPA)等的通信。
[0152]在一些實(shí)施例中，移動(dòng)系統(tǒng)1000還可包括相機(jī)圖像處理器(CIS)和/或存儲(chǔ)裝置(諸如存儲(chǔ)器卡、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD )、硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD )、⑶-ROM等)。
[0153]在一些實(shí)施例中，移動(dòng)系統(tǒng)1000和/或移動(dòng)系統(tǒng)1000的部件可按各種形式封裝，所述形式諸如為，封裝上封裝(PoP)、球柵陣列(BGA)、芯片級(jí)封裝(CSP)、塑料引線芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插式封裝(PDIP)、窩伏爾封裝件中芯片(Die in Waffle Pack)、晶片形式中的芯片(Die in Wafer Form)、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插式封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQPF)、薄四方扁平封裝(TQFP)、小外型IC(SOIC)、縮小外型封裝(SSOP)、薄小外型封裝(TSOP)、封裝件中系統(tǒng)(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級(jí)制造封裝(WFP)或晶片級(jí)處理堆疊封裝(WSP)。
[0154]根據(jù)一些示例性實(shí)施例，通過使用短磁脈沖的轉(zhuǎn)變時(shí)間來檢測(cè)非接觸式IC卡，非接觸式IC卡讀取器可大大地減小所占區(qū)域和功耗。各種示例性實(shí)施例可被廣泛地應(yīng)用于各種非接觸式IC卡和卡系統(tǒng)。
[0155]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，提供一種用于操作占用減小的區(qū)域并且具有低功耗的非接觸式集成電路(IC)卡讀取器的方法。在這些或其它實(shí)施例中，提供了具有減小的電路復(fù)雜性的非接觸式IC卡的檢測(cè)電路。在這些或其它實(shí)施例中，非接觸式IC卡讀取器包括檢測(cè)電路。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，提供了包括非接觸式IC卡讀取器的非接觸式IC卡系統(tǒng)。
[0156]本文中所描述的許多實(shí)施例涵蓋卡本身的非接觸式檢測(cè)，并且更具體地涵蓋裝備有集成電路的卡。但是，在其它實(shí)施例中，非接觸式檢測(cè)可以針對(duì)任何類型的信息載體(例如，除信用卡大小的載體以外的載體)被執(zhí)行。這些信息載體的示例包括耦合到商店中的產(chǎn)品的磁條或其它承載信息的介質(zhì)、存儲(chǔ)信息文件的壓縮盤(CD)以及其它介質(zhì)。
[0157]此外，雖然上面討論的某些實(shí)施例涵蓋對(duì)磁脈沖的檢測(cè)，但是其它實(shí)施例可檢測(cè)基于承載有信號(hào)和/或其它信息的光學(xué)介質(zhì)是否在非接觸式讀取器的通信范圍內(nèi)產(chǎn)生的脈沖。
[0158]在本文中已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，并且，盡管采用了特定術(shù)語，但是它們僅僅在一般的、描述性的意義上被使用和將被解釋，而不是出于限制的目的。在某些情形中，對(duì)于本申請(qǐng)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將顯而易見的是，結(jié)合特定實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件可被單獨(dú)地使用或者與結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合地使用，除非另有特定的說明。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)理解，在不脫離在下面的權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對(duì)形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種非接觸式集成電路IC卡讀取器的檢測(cè)方法，所述方法包括: 在校準(zhǔn)階段中，計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的至少一個(gè)第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間，所述至少一個(gè)第一磁脈沖在第一轉(zhuǎn)變間隔期間從第一電平至參考電平之間變化； 在檢測(cè)階段中，計(jì)算在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間，其中，第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變間隔期間從第二電平至參考電平之間變化；以及 基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)， 其中，校準(zhǔn)階段對(duì)應(yīng)于確定非接觸式IC卡在非接觸式IC卡讀取器的通信覆蓋范圍之外的間隔。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其中計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的步驟包括: 在所述第一磁脈沖的電平開始變化的第一轉(zhuǎn)變間隔的第一開始點(diǎn)處觸發(fā)計(jì)數(shù)操作；在所述至少一個(gè)磁脈沖的電平達(dá)到參考電平的第一轉(zhuǎn)變間隔的第一結(jié)束點(diǎn)處將第一計(jì)數(shù)值鎖存為第一數(shù)字代碼；以及存儲(chǔ)第一數(shù)字代碼。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其中計(jì)算第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的步驟包括: 在第二磁脈沖的電平開始變化的第二轉(zhuǎn)變間隔的第二開始點(diǎn)處觸發(fā)計(jì)數(shù)操作；以及在第二磁脈沖的電平達(dá)到參考電平的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間間隔的第二結(jié)束點(diǎn)處將第二計(jì)數(shù)值鎖存為第二數(shù)字代碼。
4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)方法，其中，確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)的步驟包括: 將第一數(shù)字代碼與第二數(shù)字代碼進(jìn)行比較；以及 基于第一數(shù)字代碼和第二數(shù)字代碼的比較來提供檢測(cè)信號(hào)，其中，檢測(cè)信號(hào)指示非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)。
5.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)方法，其中，第一數(shù)字代碼和第二數(shù)字代碼分別對(duì)應(yīng)于在第一轉(zhuǎn)變間隔和第二轉(zhuǎn)變間隔期間的計(jì)數(shù)脈沖的數(shù)量。
6.如權(quán)利要求5所述的檢測(cè)方法，還包括: 調(diào)整計(jì)數(shù)脈沖的周期。
7.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其中，基于非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)的確定，來被確定非接觸式IC卡讀取器的操作模式。
8.如權(quán)利要求7所述的檢測(cè)方法，還包括: 當(dāng)非接觸式IC卡被確定為在通信范圍之內(nèi)時(shí)，將非接觸式IC卡讀取器的操作模式從待機(jī)模式改變?yōu)榧せ钅Ｊ健?br> 9.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其中: 所述至少一個(gè)第一磁脈沖包括多個(gè)第一磁脈沖，并且 計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的步驟包括: 計(jì)算所述多個(gè)第一磁脈沖中的每一個(gè)的從第一電平到參考電平的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間；以及 對(duì)第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間進(jìn)行平均，以提供與第一轉(zhuǎn)變時(shí)間對(duì)應(yīng)的平均值并基于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的平均值確定確定偏移，所述偏移對(duì)應(yīng)于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的誤差范圍。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)方法，其中，確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC讀取器的通信范圍之內(nèi)的步驟包括: 確定第二轉(zhuǎn)變時(shí)間是否在偏移之內(nèi)。
11.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其中: 所述至少一個(gè)第一磁脈沖包括多個(gè)第一磁脈沖，并且 計(jì)算第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的步驟包括: 計(jì)算所述多個(gè)第一磁脈沖中的每一個(gè)的從第一正常電平到參考電平的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間；以及 基于第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間的分布來提供第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的范圍。
12.如權(quán)利要求11所述的檢測(cè)方法，其中，確定非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)的步驟包括:確定第二轉(zhuǎn)變時(shí)間是否在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間的范圍之內(nèi)。
13.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，還包括: 在校準(zhǔn)階段中，基于通過天線發(fā)送的至少一個(gè)第一原始磁脈沖來產(chǎn)生至少一個(gè)第一磁脈沖；以及 在檢測(cè)階段中， 基于通過天線發(fā)送的至少一個(gè)第二原始磁脈沖來產(chǎn)生第二磁脈沖， 其中，第一電平對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的峰值電平，并且，第二電平對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的峰值電平。
14.如權(quán)利要求13所述的檢測(cè)方法，還包括: 在校準(zhǔn)階段中，轉(zhuǎn)換第一原始磁脈沖的電平；以及 對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖進(jìn)行低通濾波，以提供第一磁脈沖。
15.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，還包括: 在校準(zhǔn)階段中，基于通過天線發(fā)送的至少一個(gè)第一原始磁脈沖來產(chǎn)生至少一個(gè)第一磁脈沖；以及 在檢測(cè)階段中，基于通過天線發(fā)送的至少一個(gè)第二原始磁脈沖來產(chǎn)生第二磁脈沖，其中，第一電平對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的谷底電平，并且，第二電平對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的谷底電平。
16.如權(quán)利要求15所述的檢測(cè)方法，還包括: 在校準(zhǔn)階段中，轉(zhuǎn)換第二原始磁脈沖的電平；以及 對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖進(jìn)行高通濾波，以提供第二磁脈沖。
17.一種非接觸式集成電路IC卡讀取器的檢測(cè)電路，所述檢測(cè)電路包括: 第一計(jì)算單元，被構(gòu)造為: (a)在校準(zhǔn)階段中，計(jì)算在第一轉(zhuǎn)變間隔期間的至少一個(gè)第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間，并鎖存與第一轉(zhuǎn)變時(shí)間對(duì)應(yīng)的第一數(shù)字代碼，其中，所述至少一個(gè)第一磁脈沖在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間期間從第一電平變化值參考電平；以及 (b)在檢查階段中，計(jì)算在第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間并存與第二轉(zhuǎn)變時(shí)間對(duì)應(yīng)的第二數(shù)字代碼，其中，第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間期間從第二電平變化至參考電平；以及 確定單元，被構(gòu)造為基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來輸出檢測(cè)信號(hào)，檢測(cè)信號(hào)指示非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)，其中，校準(zhǔn)階段對(duì)應(yīng)于確定非接觸式IC卡在非接觸式IC卡讀取器的通信覆蓋范圍之外的間隔。
18.如權(quán)利要求17所述的檢測(cè)電路，其中，第一計(jì)算單元包括: 電平檢測(cè)器，被構(gòu)造為在第一磁脈沖和第二磁脈沖的電平轉(zhuǎn)變的時(shí)間點(diǎn)處激活觸發(fā)信號(hào); 比較器，被構(gòu)造為將參考電平與第一磁脈沖和第二磁脈沖中的每一個(gè)進(jìn)行比較來輸出比較信號(hào)； 計(jì)數(shù)器，被構(gòu)造為在第一轉(zhuǎn)變間隔和第二轉(zhuǎn)變間隔期間執(zhí)行計(jì)數(shù)操作，以分別提供第一計(jì)數(shù)值和第二計(jì)數(shù)值；以及 鎖存器，被構(gòu)造為響應(yīng)于比較信號(hào)的轉(zhuǎn)變來將第一計(jì)數(shù)值和第二計(jì)數(shù)值分別鎖存為第一數(shù)字代碼和第二數(shù)字代碼。
19.如權(quán)利要求17所述的檢測(cè)電路，其中，確定單元包括: 第二計(jì)算單元，被構(gòu)造為基于與多個(gè)第一磁脈沖的第一子轉(zhuǎn)變時(shí)間對(duì)應(yīng)的第一子數(shù)字代碼來計(jì)算第一子數(shù)字代碼的平均值、偏移和范圍； 寄存器單元，被構(gòu)造為存儲(chǔ)第一數(shù)字代碼，第一子數(shù)字代碼的平均值、偏移和范圍；以及 數(shù)字比較器，被構(gòu)造為將第二數(shù)字代碼與第一數(shù)字代碼、第一子數(shù)字代碼的平均值或范圍中的至少一個(gè)進(jìn)行比較，以提供檢測(cè)信號(hào)。
20.如權(quán)利要求17所述的檢測(cè)電路，還包括: 再生塊，被構(gòu)造為在校準(zhǔn)階段中轉(zhuǎn)換第一原始磁脈沖的電平，并且被構(gòu)造為對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第一原始磁脈沖進(jìn)行濾波，以提供第一磁脈沖， 其中，再生塊還被構(gòu)造為在檢測(cè)階段中轉(zhuǎn)換第二原始磁脈沖的電平，并且被構(gòu)造為對(duì)電平轉(zhuǎn)換的第二原始磁脈沖進(jìn)行濾波，以提供第二磁脈沖， 其中，第一原始磁脈沖通過天線被周期性地發(fā)送，并且，第二原始磁脈沖通過天線發(fā)送。
21.如權(quán)利要求17所述的檢測(cè)電路，其中: 第一電平對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的峰值電平，并且 第二電平對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的峰值電平。
22.如權(quán)利要求17所述的檢測(cè)電路，其中: 第一電平對(duì)應(yīng)于第一磁脈沖的谷底電平，并且 第二電平對(duì)應(yīng)于第二磁脈沖的谷底電平。
23.一種非接觸式集成電路IC卡讀取器，包括: 檢測(cè)電路，被構(gòu)造為基于在校準(zhǔn)階段的第一轉(zhuǎn)變間隔期間的第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和在檢測(cè)階段的第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)；以及 處理器，被構(gòu)造為確定非接觸式IC卡讀取器的操作模式，所述操作模式對(duì)應(yīng)于待機(jī)模式或激活模式中的一種模式，其中: 在校準(zhǔn)階段中，第一磁脈沖在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間期間從第一電平變化至參考電平， 在檢測(cè)階段中，第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間期間從第二電平變化至參考電平，檢測(cè)信號(hào)指示非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)，并且第二磁脈沖具有根據(jù)非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)而變化的幅度， 其中，校準(zhǔn)階段對(duì)應(yīng)于確定非接觸式IC卡在非接觸式IC卡讀取器的通信覆蓋范圍之外的間隔。
24.如權(quán)利要求23所述的非接觸式IC卡讀取器，其中，處理器調(diào)整參考電平。
25.一種非接觸式集成電路IC卡系統(tǒng)，包括: 非接觸式IC卡；以及 非接觸式IC卡讀取器，被構(gòu)造為與在通信范圍之內(nèi)的非接觸式IC卡交換數(shù)據(jù)，所述非接觸式IC卡讀取器包括: 檢測(cè)電路，被構(gòu)造為基于在校準(zhǔn)階段的第一轉(zhuǎn)變間隔期間的第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和在檢測(cè)階段的第二轉(zhuǎn)變間隔期間的第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間的比較來產(chǎn)生檢測(cè)信號(hào)；以及 處理器，被構(gòu)造為確定非接觸式IC卡讀取器的操作模式，所述操作模式對(duì)應(yīng)于待機(jī)模式和激活模式中的一種模式，其中: 在校準(zhǔn)階段中，第一磁脈沖在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間期間從第一電平變化至參考電平， 在檢測(cè)階段中，第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間期間從第二電平變化至參考電平， 檢測(cè)信號(hào)指示非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍之內(nèi)， 第二磁脈沖具有根據(jù)非接觸式IC卡是否在非接觸式IC卡讀取器的通信范圍內(nèi)而變化的幅度， 其中，校準(zhǔn)階段對(duì)應(yīng)于確定非接觸式IC卡在非接觸式IC卡讀取器的通信覆蓋范圍之外的間隔。
26.一種用于對(duì)信息執(zhí)行非接觸式檢測(cè)的方法，所述方法包括: 確定至少一個(gè)第一磁脈沖的第一轉(zhuǎn)變時(shí)間； 確定第二磁脈沖的第二轉(zhuǎn)變時(shí)間；以及 基于第一轉(zhuǎn)變時(shí)間和第二轉(zhuǎn)變時(shí)間來確定信息載體是否在非接觸式讀取器的通信范圍之內(nèi)。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中，信息載體包括耦合到卡的集成電路。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其中: 所述至少一個(gè)第一磁脈沖在第一轉(zhuǎn)變時(shí)間內(nèi)從第一電平改變?yōu)榈诙娖?，并且第二磁脈沖在第二轉(zhuǎn)變時(shí)間內(nèi)從第一電平改變?yōu)榈谌娖剑诘诙娖胶偷谌娖街g的差來確定信息載體在非接觸式讀取器的通信范圍之內(nèi)。
29.如權(quán)利要求26所述的方法，其中: 第一轉(zhuǎn)變時(shí)間在校準(zhǔn)階段期間被確定，并且 第二轉(zhuǎn)變時(shí)間在檢測(cè)階段期間被確定。
30.如權(quán)利要求26所述的方法，還包括: 當(dāng)信息載體在非接觸式讀取器的通信范圍之內(nèi)時(shí)，改變非接觸式讀取器的操作的模式。
【文檔編號(hào)】G06K7/00GK104050432SQ201410093062
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月13日
【發(fā)明者】金俊鎬, 盧衡煥, 宋壹種 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社