一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法、裝置以及存儲(chǔ)芯片的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法、裝置以及存儲(chǔ)芯片，在存儲(chǔ)芯片內(nèi)設(shè)置有相互獨(dú)立的第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊，第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，第二存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)，該方法包括：檢測(cè)第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率，并根據(jù)誤碼率計(jì)算第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間；判斷第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)；如果是，在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值；根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。該方法實(shí)現(xiàn)了在超過標(biāo)準(zhǔn)擦寫次數(shù)后，用戶仍然可以從存儲(chǔ)芯片內(nèi)讀取到符合糾錯(cuò)碼ECC要求的數(shù)據(jù)，延長了存儲(chǔ)芯片的使用壽命。
【專利說明】—種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法、裝置以及存儲(chǔ)芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法、裝置以及存儲(chǔ)芯片。

【背景技術(shù)】
[0002]TLC (Triple-Level Cell，三階儲(chǔ)存單元)可以在每個(gè)儲(chǔ)存單元內(nèi)儲(chǔ)存3個(gè)信息比特，并且由于其儲(chǔ)存容量變大，成本低廉許多，廣泛用于低階的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。
[0003]通過對(duì)現(xiàn)有技術(shù)研究， 申請(qǐng)人:發(fā)現(xiàn):TLC在一次編程以后，會(huì)隨著時(shí)間流逝發(fā)生數(shù)據(jù)保留(data retent1n),即會(huì)出現(xiàn)存儲(chǔ)電荷泄露造成電壓漂移,從而導(dǎo)致BER (Bit ErroRate，誤碼率)上升。這個(gè)特性成為影響TLC壽命的重要原因，舉例來說，TLC的標(biāo)稱P/Ecycle即擦寫次數(shù)為500次，那么小于這個(gè)閾值的話其放置一年后由于數(shù)據(jù)保留造成的BER可以在ECC (Error Correct1n Code,糾錯(cuò)碼)的校驗(yàn)范圍內(nèi)，而大于這個(gè)閾值就則會(huì)超出ECC的校驗(yàn)范圍，從而限制了 TLC的使用壽命。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法、裝置以及存儲(chǔ)芯片，以實(shí)現(xiàn)提聞存儲(chǔ)芯片的使用壽命。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:
[0006]一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法，在存儲(chǔ)芯片內(nèi)設(shè)置有相互獨(dú)立的第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊，所述第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，所述第二存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)，該方法包括:
[0007]檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率，并根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間；
[0008]判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)；
[0009]如果是，在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值；
[0010]根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
[0011]優(yōu)選地，所述根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，包括:
[0012]判斷所述誤碼率是否小于等于預(yù)設(shè)閾值，所述預(yù)設(shè)閾值小于所述第一存儲(chǔ)塊的最大誤碼率；
[0013]如果是，在預(yù)先設(shè)置的誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找與所述誤碼率相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0014]優(yōu)選地，其特征在于，所述根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，包括:
[0015]判斷所述誤碼率是否大于等于所述最大誤碼率；
[0016]如果是，按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述誤碼率最大值；
[0017]記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率；
[0018]在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0019]優(yōu)選地，所述根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，包括:
[0020]判斷所述誤碼率是否位于所述預(yù)設(shè)閾值與所述最大誤碼率之間；
[0021]如果是，按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述預(yù)設(shè)閾值；
[0022]記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率；
[0023]在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0024]優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)方式包括:
[0025]按照固定的幅度將所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)小。
[0026]一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置，在存儲(chǔ)芯片內(nèi)設(shè)置有相互獨(dú)立的第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊，所述第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，所述第二存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)，該裝置包括:
[0027]誤碼率檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率；
[0028]數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元，用于根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間；
[0029]擦寫次數(shù)判斷單元，用于判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)；
[0030]門限電壓查找單元，用于當(dāng)所述擦寫次數(shù)判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值；
[0031]第二存儲(chǔ)塊門限電壓調(diào)節(jié)單元，用于根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
[0032]優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元包括:
[0033]第一誤碼率判斷單元，用于判斷所述誤碼率是否小于等于預(yù)設(shè)閾值，所述預(yù)設(shè)閾值小于所述第一存儲(chǔ)塊的最大誤碼率；
[0034]查找單元，用于當(dāng)所述第一誤碼率判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，在預(yù)先設(shè)置的誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找與所述誤碼率相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0035]優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元還包括:
[0036]第二誤碼率判斷單元，用于判斷所述誤碼率是否大于等于所述最大誤碼率；
[0037]第一門限調(diào)節(jié)單元，用于當(dāng)所述第二誤碼率判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述誤碼率最大值，所述預(yù)設(shè)方式包括:按照固定的幅度將所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)??；
[0038]記錄單元，用于記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率；
[0039]所述查找單元在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0040]優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元還包括:
[0041]第三誤碼率判斷單元，用于判斷所述誤碼率是否位于所述預(yù)設(shè)閾值與所述最大誤碼率之間；
[0042]第二門限電壓調(diào)節(jié)單元，用于當(dāng)所述第三誤碼率判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述預(yù)設(shè)閾值，所述預(yù)設(shè)方式包括:按照固定的幅度將所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)??；
[0043]所述記錄單元記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率；
[0044]所述查找單元在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0045]優(yōu)選地，進(jìn)一步包括:與所述查找單元相連接的關(guān)系表存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表、門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中的一個(gè)或多個(gè)。
[0046]—種存儲(chǔ)芯片，所述存儲(chǔ)芯片包括:第一存儲(chǔ)塊、第二存儲(chǔ)塊和存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置，其中，
[0047]所述第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊相互獨(dú)立，并且所述第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，所述第二存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)；
[0048]所述存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置包括:
[0049]誤碼率檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率；
[0050]數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元，用于根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間；
[0051]擦寫次數(shù)判斷單元，用于判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)；
[0052]門限電壓查找單元，用于當(dāng)所述擦寫次數(shù)判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值；
[0053]第二存儲(chǔ)塊門限電壓調(diào)節(jié)單元，用于根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
[0054]由以上技術(shù)方案可見，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的該存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法、裝置以及存儲(chǔ)芯片，通過檢測(cè)第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率，就可以計(jì)算出第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，進(jìn)而利用該數(shù)據(jù)保留時(shí)間，對(duì)超過擦寫次數(shù)的第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得第二存儲(chǔ)塊的誤碼率位于糾錯(cuò)碼ECC的校驗(yàn)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了在超過標(biāo)準(zhǔn)擦寫次數(shù)后，用戶仍然可以從存儲(chǔ)芯片內(nèi)讀取到符合糾錯(cuò)碼ECC要求的數(shù)據(jù)，延長了存儲(chǔ)芯片的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0055]為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0056]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法的流程示意圖；
[0057]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法的流程示意圖；
[0058]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法的流程示意圖；
[0059]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法的流程示意圖；
[0060]圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖8為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元的又一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖9為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)不意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0065]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。
[0066]在本申請(qǐng)實(shí)施例中，存儲(chǔ)芯片以TLC為例進(jìn)行說明，通常，TLC在一次編程以后，會(huì)隨著時(shí)間流逝發(fā)生數(shù)據(jù)保留(data retent1n)，即會(huì)出現(xiàn)存儲(chǔ)電荷泄露造成電壓漂移，導(dǎo)致BER (Bit Erro Rate,誤碼率)上升,進(jìn)而導(dǎo)致TLC壽命較短。而 申請(qǐng)人:通過實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)，在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí)，調(diào)節(jié)門限電壓，即存儲(chǔ)塊的電荷解碼時(shí)的比較電壓，可以將超過擦寫次數(shù)存儲(chǔ)塊由于數(shù)據(jù)保留時(shí)間而帶來的誤碼率降低到糾錯(cuò)碼范圍內(nèi)，進(jìn)而可以延長TLC的壽命。但由于通常存儲(chǔ)塊中不配置有電源，所以當(dāng)?shù)綦姾缶蜔o法獲知數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0067]本申請(qǐng)中，將存儲(chǔ)芯片分成相互獨(dú)立的兩部分:第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊,其中:第一存儲(chǔ)塊設(shè)置為只讀模式，即只能在初始化時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而第二存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)，即用戶只能在第二存儲(chǔ)塊內(nèi)讀寫數(shù)據(jù)。通過上述設(shè)計(jì)，僅需對(duì)第一存儲(chǔ)塊內(nèi)數(shù)據(jù)的誤碼率判斷就可以確定第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，使得第一存儲(chǔ)塊作為一個(gè)參考標(biāo)尺。
[0068]下面結(jié)合詳細(xì)實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0069]實(shí)施例一:
[0070]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法的流程示意圖。
[0071]如圖1所示，該方法可以包括以下步驟:
[0072]SlOl:檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率。
[0073]S102:根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0074]S103:判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)。
[0075]當(dāng)判斷結(jié)果為是時(shí)，進(jìn)行S104。
[0076]S104:在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值。
[0077]S105:根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
[0078]從上述方案可見，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的該存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法，通過檢測(cè)第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率，就可以計(jì)算出第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，進(jìn)而利用該數(shù)據(jù)保留時(shí)間，對(duì)超過擦寫次數(shù)的第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得第二存儲(chǔ)塊的誤碼率位于糾錯(cuò)碼ECC的校驗(yàn)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了在超過標(biāo)準(zhǔn)擦寫次數(shù)后，用戶仍然可以從存儲(chǔ)芯片內(nèi)讀取到符合糾錯(cuò)碼ECC要求的數(shù)據(jù)，延長了存儲(chǔ)芯片的使用壽命。
[0079]實(shí)施例二:
[0080]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法的流程示意圖。
[0081]如圖2所示，該方法可以包括以下步驟:
[0082]S201:檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率。
[0083]在前一個(gè)實(shí)施例中，已經(jīng)描述到第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，其內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)為初始化時(shí)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0084]所以，當(dāng)存儲(chǔ)芯片開機(jī)后，首先讀取第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，將讀取到的數(shù)據(jù)與第一存儲(chǔ)塊初始存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，即可檢測(cè)到第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率。
[0085]S202:判斷所述誤碼率是否小于等于預(yù)設(shè)閾值。
[0086]這里對(duì)于存儲(chǔ)塊而言，超過其最大誤碼率即認(rèn)為數(shù)據(jù)無法識(shí)別，但在實(shí)際應(yīng)用中，通常為存儲(chǔ)塊設(shè)置一個(gè)安全的預(yù)設(shè)閾值，并且該預(yù)設(shè)閾值通常小于最大誤碼率，這樣就可以避免誤碼率接近最大誤碼率。
[0087]當(dāng)檢測(cè)到的誤碼率小于等于預(yù)設(shè)閾值時(shí)，進(jìn)行S203。
[0088]S203:在預(yù)先設(shè)置的誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找與所述誤碼率相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0089]在本申請(qǐng)實(shí)施例中，可以事先通過多次實(shí)驗(yàn)的方式，多次記錄誤碼率和與之對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，進(jìn)而得到誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系表。
[0090]這樣，當(dāng)檢測(cè)得到誤碼率后，可以通過查表的方式查找到與之對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。該數(shù)據(jù)保留時(shí)間是第一存儲(chǔ)塊斷電后的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，另外，由于第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊均位于存儲(chǔ)芯片內(nèi)，所以兩者基本上同時(shí)通電，且同時(shí)斷電，即在第一存儲(chǔ)塊斷電后的數(shù)據(jù)保留時(shí)間與第二存儲(chǔ)塊斷電后的數(shù)據(jù)保留時(shí)間大致相同。
[0091]S204:判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)。
[0092]當(dāng)判斷結(jié)果為是時(shí)，進(jìn)行S205。
[0093]S205:在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值。
[0094]前已述及，在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí)，調(diào)節(jié)門限電壓，即存儲(chǔ)塊的電荷解碼時(shí)的比較電壓，可以將超過擦寫次數(shù)存儲(chǔ)塊由于數(shù)據(jù)保留時(shí)間而帶來的誤碼率降低到糾錯(cuò)碼范圍內(nèi)，進(jìn)而可以延長存儲(chǔ)芯片的壽命。
[0095]在本申請(qǐng)實(shí)施例中，可以事先通過多次實(shí)驗(yàn)的方式，預(yù)先記錄得到數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值的關(guān)系表。
[0096]S206:根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
[0097]將第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)的門限電壓調(diào)節(jié)到查找到的門限電壓值，這樣就使得第二存儲(chǔ)塊的誤碼率降低，以滿足ECC的要求。
[0098]實(shí)施例三:
[0099]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法的流程示意圖。
[0100]如圖3所示，該方法可以包括以下步驟:
[0101]S301:檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率。
[0102]在前一個(gè)實(shí)施例中，已經(jīng)描述到第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，其內(nèi)的數(shù)據(jù)進(jìn)為初始化時(shí)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
[0103]所以，當(dāng)存儲(chǔ)芯片開機(jī)后，首先讀取第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，將讀取到的數(shù)據(jù)與第一存儲(chǔ)塊初始存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，即可檢測(cè)到第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率。
[0104]S302:判斷所述誤碼率是否大于等于最大誤碼率。
[0105]這里對(duì)于存儲(chǔ)塊而言，超過其最大誤碼率即認(rèn)為數(shù)據(jù)無法識(shí)別，但在實(shí)際應(yīng)用中，通常為存儲(chǔ)塊設(shè)置一個(gè)安全的預(yù)設(shè)閾值，并且該預(yù)設(shè)閾值通常小于最大誤碼率，這樣就可以避免誤碼率接近最大誤碼率。
[0106]而如果存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間較長時(shí)，會(huì)出現(xiàn)誤碼率超過最大誤碼率的情況。所以，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，需要將誤碼率與最大誤碼率進(jìn)行比較。
[0107]當(dāng)檢測(cè)到的誤碼率大于等于最大誤碼率時(shí)，進(jìn)行S303。
[0108]S303:按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓。
[0109]為了獲知第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，需要將第一存儲(chǔ)塊的誤碼率降低到最大誤碼率范圍內(nèi)，所以需要對(duì)第一存儲(chǔ)塊的門限電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0110]在本申請(qǐng)實(shí)施例中，預(yù)設(shè)方式可以為按照固定的幅度將第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)小，即將第一存儲(chǔ)塊的門限電壓以不同檔位的方式，向下調(diào)節(jié)。
[0111]另外，當(dāng)調(diào)節(jié)第一存儲(chǔ)塊的門限電壓后，需要返回到步驟S302，并且直至所述誤碼率小于所述誤碼率最大值后，進(jìn)行步驟S304:
[0112]S304:記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率。
[0113]S305:在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0114]同樣，門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表可以事先通過多次實(shí)驗(yàn)的方式獲取。
[0115]S306:判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)。
[0116]當(dāng)判斷結(jié)果為是時(shí)，進(jìn)行S307。
[0117]S307:在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值。
[0118]前已述及，在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí)，調(diào)節(jié)門限電壓，即存儲(chǔ)塊的電荷解碼時(shí)的比較電壓，可以將超過擦寫次數(shù)存儲(chǔ)塊由于數(shù)據(jù)保留時(shí)間而帶來的誤碼率降低到糾錯(cuò)碼范圍內(nèi)，進(jìn)而可以延長存儲(chǔ)芯片的壽命。
[0119]在本申請(qǐng)實(shí)施例中，可以事先通過多次實(shí)驗(yàn)的方式，預(yù)先記錄得到數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值的關(guān)系表。
[0120]S308:根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
[0121 ] 將第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)的門限電壓調(diào)節(jié)到查找到的門限電壓值，這樣就使得第二存儲(chǔ)塊的誤碼率降低，以滿足ECC的要求。
[0122]實(shí)施例四:
[0123]在上一實(shí)施例中，當(dāng)誤碼率大于等于最大誤碼率時(shí)，通過調(diào)節(jié)第一存儲(chǔ)塊的門限電壓以使得第一存儲(chǔ)塊的誤碼率降低到最大誤碼率范圍內(nèi)，而對(duì)于要求較高的存儲(chǔ)塊，誤碼率需要要求降低到預(yù)設(shè)閾值內(nèi)，所以當(dāng)判斷誤碼率小于最大誤碼率或者將誤碼率降低到最大誤碼率范圍內(nèi)之后，還需要進(jìn)一步將誤碼率降低到預(yù)設(shè)閾值范圍內(nèi)。
[0124]為此，如圖4所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的又一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法的流程示意圖。
[0125]圖中，該方法可以包括以下步驟:
[0126]S401:檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率。
[0127]S402:判斷所述誤碼率是否位于預(yù)設(shè)閾值與最大誤碼率之間。
[0128]當(dāng)檢測(cè)到的誤碼率位于預(yù)設(shè)閾值與最大誤碼率之間時(shí)，進(jìn)行S403。
[0129]S403:按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓。
[0130]為了獲知第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，需要將第一存儲(chǔ)塊的誤碼率降低到最大誤碼率范圍內(nèi)，所以需要對(duì)第一存儲(chǔ)塊的門限電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0131]在本申請(qǐng)實(shí)施例中，預(yù)設(shè)方式可以為按照固定的幅度將第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)小，即將第一存儲(chǔ)塊的門限電壓以不同檔位的方式，向下調(diào)節(jié)。
[0132]另外，當(dāng)調(diào)節(jié)第一存儲(chǔ)塊的門限電壓后，需要返回到步驟S402，并且直至所述誤碼率小于所述預(yù)設(shè)閾值后，進(jìn)行步驟S404:
[0133]S404:記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率。
[0134]S405:在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0135]同樣，門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表可以事先通過多次實(shí)驗(yàn)的方式獲取。
[0136]S406:判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)。
[0137]當(dāng)判斷結(jié)果為是時(shí)，進(jìn)行S407。
[0138]S407:在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值。
[0139]前已述及，在進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取時(shí)，調(diào)節(jié)門限電壓，即存儲(chǔ)塊的電荷解碼時(shí)的比較電壓，可以將超過擦寫次數(shù)存儲(chǔ)塊由于數(shù)據(jù)保留時(shí)間而帶來的誤碼率降低到糾錯(cuò)碼范圍內(nèi)，進(jìn)而可以延長存儲(chǔ)芯片的壽命。
[0140]在本申請(qǐng)實(shí)施例中，可以事先通過多次實(shí)驗(yàn)的方式，預(yù)先記錄得到數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值的關(guān)系表。
[0141]S408:根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
[0142]將第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)的門限電壓調(diào)節(jié)到查找到的門限電壓值，這樣就使得第二存儲(chǔ)塊的誤碼率降低，以滿足ECC的要求。
[0143]實(shí)施例五:
[0144]圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0145]如圖5所示，圖中，10為第一存儲(chǔ)塊，20為第二存儲(chǔ)塊，該存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置包括:誤碼率檢測(cè)單元51、數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元52、擦寫次數(shù)判斷單元53、門限電壓查找單元54和第二存儲(chǔ)塊門限電壓調(diào)節(jié)單元55，其中，誤碼率檢測(cè)單元51與第一存儲(chǔ)塊10相連接，擦寫次數(shù)判斷單元53、第二存儲(chǔ)塊門限電壓調(diào)節(jié)單元55分別與第二存儲(chǔ)塊20相連接。
[0146]誤碼率檢測(cè)單元51與第一存儲(chǔ)塊10相連接，用于檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率。誤碼率檢測(cè)單元51在存儲(chǔ)芯片開機(jī)后，首先讀取第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，將讀取到的數(shù)據(jù)與第一存儲(chǔ)塊初始存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，即可檢測(cè)到第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率。
[0147]數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元52，用于根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0148]擦寫次數(shù)判斷單元53與第二存儲(chǔ)塊20相連接，用于判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)。
[0149]當(dāng)擦寫次數(shù)判斷單元53的判斷結(jié)果為是時(shí)，門限電壓查找單元54，用于在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值。
[0150]第二存儲(chǔ)塊門限電壓調(diào)節(jié)單元55與第二存儲(chǔ)塊20相連接，用于根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
[0151]由以上技術(shù)方案可見，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的該存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置，通過檢測(cè)第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率，就可以計(jì)算出第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，進(jìn)而利用該數(shù)據(jù)保留時(shí)間，對(duì)超過擦寫次數(shù)的第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得第二存儲(chǔ)塊的誤碼率位于糾錯(cuò)碼ECC的校驗(yàn)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了在超過標(biāo)準(zhǔn)擦寫次數(shù)后，用戶仍然可以從存儲(chǔ)芯片內(nèi)讀取到符合糾錯(cuò)碼ECC要求的數(shù)據(jù)，延長了存儲(chǔ)芯片的使用壽命。
[0152]實(shí)施例六:
[0153]圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖。
[0154]如圖6所示，在本申請(qǐng)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元52可以包括:第一誤碼率判斷單元521和查找單元522，其中，
[0155]第一誤碼率判斷單元521接收誤碼率檢測(cè)單元51檢測(cè)第一存儲(chǔ)塊10得到的誤碼率，并且判斷該誤碼率是否小于等于預(yù)設(shè)閾值。這里預(yù)設(shè)閾值小于第一存儲(chǔ)塊的最大誤碼率。
[0156]當(dāng)?shù)谝徽`碼率判斷單元521的判斷結(jié)果為是時(shí)，說明第一存儲(chǔ)塊10的誤碼率仍然滿足ECC的要求。另外，在第一存儲(chǔ)塊10的誤碼率滿足ECC的要求的情況下，可以預(yù)先設(shè)置誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系表。在本申請(qǐng)實(shí)施例中，可以事先通過多次實(shí)驗(yàn)的方式，多次記錄誤碼率和與之對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，進(jìn)而得到誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系表。
[0157]查找單元522根據(jù)第一誤碼率判斷單元521的判斷結(jié)果，可以直接在預(yù)先設(shè)置的誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系表中查找與第一存儲(chǔ)塊的誤碼率相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0158]從上述描述可以看到，當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)塊10的斷電時(shí)間較短時(shí)，此時(shí)第一存儲(chǔ)塊10的誤碼率仍未超出ECC的校驗(yàn)范圍，那么利用上述查表的方法即可直接獲取得到第一存儲(chǔ)塊10的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，進(jìn)而可以以該數(shù)據(jù)保留時(shí)間為依據(jù)，對(duì)第二存儲(chǔ)塊的讀取門限電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0159]實(shí)施例七:
[0160]在上述實(shí)施例中，由于第一存儲(chǔ)塊10的斷電時(shí)間較短時(shí)，第一存儲(chǔ)塊10的誤碼率仍未超出ECC的校驗(yàn)范圍。而對(duì)于第一存儲(chǔ)塊10的斷電時(shí)間較長時(shí)，此時(shí)第一存儲(chǔ)塊10的誤碼率將會(huì)超出ECC的校驗(yàn)范圍，即誤碼率將超過第一存儲(chǔ)塊10的最大誤碼率，但從數(shù)據(jù)上看，誤碼率等于最大誤碼率，那么就無法通過查表法得到第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0161]為此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了另外一種數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元，如圖7所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元52還包括:第二誤碼率判斷單元523、第一門限調(diào)節(jié)單元524和記錄單元525，其中，
[0162]第二誤碼率判斷單元523用于判斷所述誤碼率是否大于等于所述最大誤碼率。通常情況下，當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)塊的誤碼率大于最大誤碼率，此時(shí)將第一存儲(chǔ)塊的誤碼率統(tǒng)一記錄為最大誤碼率。
[0163]當(dāng)?shù)诙`碼率判斷單元523的判斷結(jié)果為是時(shí)，第一門限調(diào)節(jié)單元524用于按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述誤碼率最大值。
[0164]這里所說的預(yù)設(shè)方式可以包括:按照固定的幅度將所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)小，即按照相同的檔位調(diào)小第一存儲(chǔ)塊的門限電壓。
[0165]記錄單元525用于記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率。
[0166]當(dāng)記錄得到調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓以及小于最大誤碼率的誤碼率后，查找單元522在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0167]實(shí)施例八:
[0168]從上述實(shí)施例六和實(shí)施例七來看，當(dāng)?shù)谝淮鎯?chǔ)塊10的誤碼率小于預(yù)設(shè)閾值時(shí)，或者，誤碼率大于等于最大誤碼率時(shí)，均有相對(duì)應(yīng)的方式獲取數(shù)據(jù)保留時(shí)間，而對(duì)應(yīng)誤碼率位于預(yù)設(shè)閾值與最大誤碼率之間時(shí)，并未有相關(guān)記載。
[0169]為此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了又一種數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元，如圖8所示，為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元52還包括:第三誤碼率判斷單元526和第二門限調(diào)節(jié)單元527，其中，
[0170]第三誤碼率判斷單元526用于判斷所述誤碼率是否位于所述預(yù)設(shè)閾值與所述最大誤碼率之間。
[0171]當(dāng)?shù)谌`碼率判斷單元526的判斷結(jié)果為是時(shí)，第二門限調(diào)節(jié)單元527用于按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述誤碼率最大值。
[0172]這里所說的預(yù)設(shè)方式可以包括:按照固定的幅度將所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)小，即按照相同的檔位調(diào)小第一存儲(chǔ)塊的門限電壓。
[0173]記錄單元525記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率。并且，查找單元522在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
[0174]此外，在本申請(qǐng)其他實(shí)施例中，如圖8所示，該數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元52還可以包括:關(guān)系表存儲(chǔ)單兀528。
[0175]關(guān)系表存儲(chǔ)單元528與查找單元522相連接，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表、門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中的一個(gè)或多個(gè)，以方便查找單元522進(jìn)行查找。
[0176]關(guān)系表存儲(chǔ)單元528可以為數(shù)據(jù)庫或表格等方式，也可以為具有物理結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)翌坐-nfr ο
[0177]實(shí)施例九:
[0178]圖9為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0179]如圖9所示，該存儲(chǔ)芯片包括:第一存儲(chǔ)塊10、第二存儲(chǔ)塊20和存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置30，其中，
[0180]第一存儲(chǔ)塊10和第二存儲(chǔ)塊20為存儲(chǔ)芯片劃分成的相互獨(dú)立的兩部分，第一存儲(chǔ)塊10和第二存儲(chǔ)塊20的存儲(chǔ)區(qū)域小于等存儲(chǔ)芯片的存儲(chǔ)區(qū)域，即第一存儲(chǔ)塊10和第二存儲(chǔ)塊20可以是存儲(chǔ)芯片的全部存儲(chǔ)區(qū)域，也可以為存儲(chǔ)芯片的部分存儲(chǔ)區(qū)域。
[0181]另外，第一存儲(chǔ)塊設(shè)置10為只讀模式，即只能在初始化時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而第二存儲(chǔ)塊20用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)，即用戶只能在第二存儲(chǔ)塊內(nèi)讀寫數(shù)據(jù)。
[0182]通過上述設(shè)計(jì)，僅需對(duì)第一存儲(chǔ)塊10內(nèi)數(shù)據(jù)的誤碼率判斷就可以確定第一存儲(chǔ)塊20的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，使得第一存儲(chǔ)塊10作為一個(gè)參考標(biāo)尺。
[0183]存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置30包括:誤碼率檢測(cè)單元51、數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元52、擦寫次數(shù)判斷單元53、門限電壓查找單元54和第二存儲(chǔ)塊門限電壓調(diào)節(jié)單元55。
[0184]在本申請(qǐng)實(shí)施例中，關(guān)于存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置30的各組成部分之間的連接關(guān)系，以及各組成部分的詳細(xì)功能，可以參見上述實(shí)施例五至實(shí)施例八的詳細(xì)描述，在此不再贅述。
[0185]通過以上的實(shí)施方式的描述可知，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到本申請(qǐng)可借助軟件加必需的通用硬件平臺(tái)的方式來實(shí)現(xiàn)?；谶@樣的理解，本申請(qǐng)的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)中，如R0M/RAM、磁碟、光盤等，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本申請(qǐng)各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。
[0186]本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于裝置實(shí)施例而言，由于其基本相似于方法實(shí)施例，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。以上所描述的裝置可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上。可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上。可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下，即可以理解并實(shí)施。
[0187]本申請(qǐng)可用于眾多通用或?qū)Ｓ玫挠?jì)算系統(tǒng)環(huán)境或配置中。例如:個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器計(jì)算機(jī)、手持設(shè)備或便攜式設(shè)備、平板型設(shè)備、多處理器系統(tǒng)、基于微處理器的系統(tǒng)、置頂盒、可編程的消費(fèi)電子設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)PC、小型計(jì)算機(jī)、大型計(jì)算機(jī)、包括以上任何系統(tǒng)或設(shè)備的分布式計(jì)算環(huán)境等等。
[0188]本申請(qǐng)可以在由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的一般上下文中描述，例如程序模塊。一般地，程序模塊包括執(zhí)行特定任務(wù)或?qū)崿F(xiàn)特定抽象數(shù)據(jù)類型的例程、程序、對(duì)象、組件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)等等。也可以在分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí)踐本申請(qǐng)，在這些分布式計(jì)算環(huán)境中，由通過通信網(wǎng)絡(luò)而被連接的遠(yuǎn)程處理設(shè)備來執(zhí)行任務(wù)。在分布式計(jì)算環(huán)境中，程序模塊可以位于包括存儲(chǔ)設(shè)備在內(nèi)的本地和遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)中。
[0189] 以上所述僅是本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施方式，使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解或?qū)崿F(xiàn)本申請(qǐng)。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本申請(qǐng)的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本申請(qǐng)將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)方法，其特征在于，在存儲(chǔ)芯片內(nèi)設(shè)置有相互獨(dú)立的第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊，所述第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，所述第二存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)，該方法包括: 檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率，并根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間； 判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)； 如果是，在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值； 根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，包括: 判斷所述誤碼率是否小于等于預(yù)設(shè)閾值，所述預(yù)設(shè)閾值小于所述第一存儲(chǔ)塊的最大誤碼率； 如果是，在預(yù)先設(shè)置的誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找與所述誤碼率相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，包括: 判斷所述誤碼率是否大于等于所述最大誤碼率； 如果是，按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述誤碼率最大值； 記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率； 在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間，包括: 判斷所述誤碼率是否位于所述預(yù)設(shè)閾值與所述最大誤碼率之間； 如果是，按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述預(yù)設(shè)閾值； 記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率； 在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)方式包括: 按照固定的幅度將所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)小。
6.一種存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，在存儲(chǔ)芯片內(nèi)設(shè)置有相互獨(dú)立的第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊，所述第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，所述第二存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)，該裝置包括: 誤碼率檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率； 數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元，用于根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間； 擦寫次數(shù)判斷單元，用于判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)； 門限電壓查找單元，用于當(dāng)所述擦寫次數(shù)判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值； 第二存儲(chǔ)塊門限電壓調(diào)節(jié)單元，用于根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元包括: 第一誤碼率判斷單元，用于判斷所述誤碼率是否小于等于預(yù)設(shè)閾值，所述預(yù)設(shè)閾值小于所述第一存儲(chǔ)塊的最大誤碼率； 查找單元，用于當(dāng)所述第一誤碼率判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，在預(yù)先設(shè)置的誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找與所述誤碼率相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元還包括: 第二誤碼率判斷單元，用于判斷所述誤碼率是否大于等于所述最大誤碼率； 第一門限調(diào)節(jié)單元，用于當(dāng)所述第二誤碼率判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述誤碼率最大值，所述預(yù)設(shè)方式包括:按照固定的幅度將所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)小； 記錄單元，用于記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率； 所述查找單元在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元還包括: 第三誤碼率判斷單元，用于判斷所述誤碼率是否位于所述預(yù)設(shè)閾值與所述最大誤碼率之間； 第二門限電壓調(diào)節(jié)單元，用于當(dāng)所述第三誤碼率判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，按照預(yù)設(shè)方式調(diào)節(jié)所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓直至所述誤碼率小于所述預(yù)設(shè)閾值，所述預(yù)設(shè)方式包括:按照固定的幅度將所述第一存儲(chǔ)塊的門限電壓調(diào)??； 所述記錄單元記錄調(diào)節(jié)后第一存儲(chǔ)塊的門限電壓值和誤碼率； 所述查找單元在預(yù)先設(shè)置的門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中查找第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括:與所述查找單元相連接的關(guān)系表存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表、門限電壓值、誤碼率和數(shù)據(jù)保留時(shí)間的關(guān)系表中的一個(gè)或多個(gè)。
11.一種存儲(chǔ)芯片，其特征在于，所述存儲(chǔ)芯片包括:第一存儲(chǔ)塊、第二存儲(chǔ)塊和存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置，其中， 所述第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊相互獨(dú)立，并且所述第一存儲(chǔ)塊為只讀模式，所述第二存儲(chǔ)塊用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)； 所述存儲(chǔ)芯片門限電壓調(diào)節(jié)裝置包括: 誤碼率檢測(cè)單元，用于檢測(cè)所述第一存儲(chǔ)塊內(nèi)的誤碼率； 數(shù)據(jù)保留時(shí)間計(jì)算單元，用于根據(jù)所述誤碼率計(jì)算所述第一存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)保留時(shí)間；擦寫次數(shù)判斷單元，用于判斷所述第二存儲(chǔ)塊的擦寫次數(shù)是否等于預(yù)設(shè)擦寫次數(shù)；門限電壓查找單元，用于當(dāng)所述擦寫次數(shù)判斷單元的判斷結(jié)果為是時(shí)，在預(yù)先設(shè)置的數(shù)據(jù)保留時(shí)間和門限電壓值關(guān)系表中查找與所述數(shù)據(jù)保留時(shí)間相對(duì)應(yīng)的門限電壓值； 第二存儲(chǔ)塊門限電壓調(diào)節(jié)單元，用于根據(jù)查找到的門限電壓值調(diào)節(jié)所述第二存儲(chǔ)塊讀取數(shù)據(jù)時(shí)的門限電壓。
【文檔編號(hào)】G06F11/00GK104346230SQ201310322945
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年7月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】高長磊, 楊碧波, 管慧娟 申請(qǐng)人:聯(lián)想(北京)有限公司