技術(shù)特征：
1.一種用于形成濾波器的方法，包括：形成至少一個(gè)壓電濾波器結(jié)構(gòu)，其包括被形成為與至少一個(gè)壓電襯底接觸的多個(gè)電極；以及形成包括MEMS梁的微機(jī)電結(jié)構(gòu)MEMS，其中在致動(dòng)后，所述MEMS梁將通過(guò)交錯(cuò)與所述壓電襯底接觸的電極或者將所述至少一個(gè)壓電襯底夾在所述電極之間而開(kāi)啟所述至少一個(gè)壓電濾波器結(jié)構(gòu)；其中所述MEMS梁如下形成：在絕緣體層之上沉積犧牲材料；在所述犧牲材料上形成所述MEMS梁；在所述MEMS梁上形成所述至少一個(gè)壓電襯底；在所述至少一個(gè)壓電襯底和所述MEMS梁上形成附加的犧牲材料；在所述MEMS梁和所述至少一個(gè)壓電襯底上形成第二絕緣體層；通過(guò)至少一個(gè)排出孔排出所述犧牲材料和所述附加的犧牲材料，以形成在所述MEMS梁以及所述至少一個(gè)壓電襯底附近的上腔和下腔；以及用材料封閉所述至少一個(gè)排出孔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一個(gè)壓電濾波器結(jié)構(gòu)是聲表面波濾波器。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述聲表面波濾波器包括在所述壓電襯底的表面上形成包含交錯(cuò)的信號(hào)和接地電極的所述電極。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述聲表面波濾波器包括形成包含在所述至少一個(gè)壓電襯底之下的布線層上形成包括交錯(cuò)的信號(hào)和接地電極的所述電極，以及在所述MEMS梁的下側(cè)上形成所述至少一個(gè)壓電襯底。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述聲表面波濾波器包括在所述至少一個(gè)壓電襯底之下的布線層和所述至少一個(gè)壓電襯底中的一個(gè)的組合上形成包括交錯(cuò)的信號(hào)和接地電極的所述電極。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述聲表面波濾波器包括在下層上形成的壓電襯底上形成信號(hào)電極以及在所述下層之上的層上形成的另一壓電襯底的表面上形成接地電極，所述另一壓電襯底附接到所述MEMS梁。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述聲表面波濾波器包括在與所述MEMS梁相同的層上形成第一電極并且在所述MEMS梁結(jié)構(gòu)之下的層上形成第二電極。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中形成所述MEMS梁結(jié)構(gòu)以具有用于容納所述第一電極的開(kāi)口。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在所述MEMS梁的開(kāi)口中形成所述至少一個(gè)壓電襯底以及在所述至少一個(gè)壓電襯底的表面上形成所述電極中的至少一個(gè)。10.一種用于形成濾波器的方法，包括：形成至少一個(gè)壓電濾波器結(jié)構(gòu)，其包括被形成為與至少一個(gè)壓電襯底接觸的多個(gè)電極；以及形成包括MEMS梁的微機(jī)電結(jié)構(gòu)MEMS，其中在致動(dòng)后，所述MEMS梁將通過(guò)交錯(cuò)與所述壓電襯底接觸的電極或者將所述至少一個(gè)壓電襯底夾在所述電極之間而開(kāi)啟所述至少一個(gè)壓電濾波器結(jié)構(gòu)；其中，所述至少一個(gè)壓電濾波器結(jié)構(gòu)是聲表面波濾波器，形成所述聲表面波濾波器包括，在所述至少一個(gè)壓電襯底、在所述壓電襯底之下的絕緣體層及其組合中的一者上形成所述交錯(cuò)的電極，其中所述MEMS梁如下形成：在所述絕緣體層之上沉積犧牲材料；在所述犧牲材料上形成與所述至少一個(gè)壓電濾波器結(jié)構(gòu)的所述交錯(cuò)的電極對(duì)準(zhǔn)的梁結(jié)構(gòu)；在所述梁結(jié)構(gòu)上形成第二絕緣體層，并構(gòu)圖所述第二絕緣體層以暴露所述梁結(jié)構(gòu)的表面；在所述第二絕緣體層的圖形中并且在所述梁結(jié)構(gòu)之上形成附加的犧牲材料；在所述附加的犧牲材料之上形成帽蓋層；在所述帽蓋層中形成至少一個(gè)排出孔；通過(guò)所述至少一個(gè)排出孔排出所述犧牲材料和所述附加的犧牲材料，以形成在所述梁結(jié)構(gòu)附近的上腔和下腔；以及用材料封閉所述至少一個(gè)排出孔。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述壓電濾波器結(jié)構(gòu)是體聲波BAW濾波器。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中在所述至少一個(gè)壓電襯底之上或之下形成所述電極，其中所述電極中的至少一個(gè)是所述MEMS梁。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述至少一個(gè)壓電襯底是夾在所述MEMS梁和在絕緣體層上形成的固定電極之間的兩個(gè)襯底。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括在所述電極的下電極之下形成腔。15.一種用于開(kāi)啟濾波器的方法，包括：確定濾波器的頻率或者需要使所述濾波器被激活；以及響應(yīng)于所述確定，通過(guò)致動(dòng)MEMS梁以便交錯(cuò)與壓電襯底接觸的電極或者將至少一個(gè)壓電襯底夾在所述電極之間，來(lái)開(kāi)啟一個(gè)或多個(gè)濾波器；其中所述MEMS梁如下形成：在絕緣體層之上沉積犧牲材料；在所述犧牲材料上形成所述MEMS梁；在所述MEMS梁上形成所述至少一個(gè)壓電襯底；在所述至少一個(gè)壓電襯底和所述MEMS梁上形成附加的犧牲材料；在所述MEMS梁和所述至少一個(gè)壓電襯底上形成第二絕緣體層；通過(guò)至少一個(gè)排出孔排出所述犧牲材料和所述附加的犧牲材料，以形成在所述MEMS梁以及所述至少一個(gè)壓電襯底附近的上腔和下腔；以及用材料封閉所述至少一個(gè)排出孔。16.一種濾波器，包括：至少一個(gè)濾波器，包括形成為與至少一個(gè)壓電襯底接觸的多個(gè)電極；以及梁結(jié)構(gòu)，被設(shè)置為通過(guò)移動(dòng)MEMS梁以便與所述至少一個(gè)壓電襯底接觸的電極變?yōu)榻诲e(cuò)或者所述至少一個(gè)壓電襯底變?yōu)閵A在所述電極之間，來(lái)開(kāi)啟所述至少一個(gè)濾波器其中所述MEMS梁如下形成：在絕緣體層之上沉積犧牲材料；在所述犧牲材料上形成所述MEMS梁；在所述MEMS梁上形成所述至少一個(gè)壓電襯底；在所述至少一個(gè)壓電襯底和所述MEMS梁上形成附加的犧牲材料；在所述MEMS梁和所述至少一個(gè)壓電襯底上形成第二絕緣體層；通過(guò)至少一個(gè)排出孔排出所述犧牲材料和所述附加的犧牲材料，以形成在所述MEMS梁以及所述至少一個(gè)壓電襯底附近的上腔和下腔；以及用材料封閉所述至少一個(gè)排出孔。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的濾波器，其中所述梁結(jié)構(gòu)是MEMS梁，所述MEMS梁具有在所述MEMS梁的開(kāi)口內(nèi)并在與所述MEMS梁相同的層上形成的所述交錯(cuò)的電極。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的濾波器，其中所述梁結(jié)構(gòu)位于在下層絕緣體層上形成的所述交錯(cuò)的電極之上。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的濾波器，其中在與所述梁結(jié)構(gòu)和下層絕緣體層相同的層上形成部分的所述交錯(cuò)的電極。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的濾波器，其中在所述MEMS梁上提供所述至少一個(gè)壓電襯底，并且在所述至少一個(gè)壓電襯底和下層絕緣體層的表面上形成部分的所述交錯(cuò)的電極。21.一種計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)系統(tǒng)中的用于產(chǎn)生可調(diào)濾波器結(jié)構(gòu)的功能設(shè)計(jì)模塊的方法，所述方法包括：產(chǎn)生至少一個(gè)濾波器的功能表示，所述至少一個(gè)濾波器包括被形成為與至少一個(gè)壓電襯底接觸的多個(gè)電極；以及產(chǎn)生梁結(jié)構(gòu)的功能表示，所述梁結(jié)構(gòu)被設(shè)置為通過(guò)移動(dòng)MEMS梁以便與所述至少一個(gè)壓電襯底接觸的電極變?yōu)榻诲e(cuò)或者所述至少一個(gè)壓電襯底變?yōu)閵A在所述電極之間，來(lái)開(kāi)啟所述至少一個(gè)濾波器；其中所述MEMS梁如下形成：在絕緣體層之上沉積犧牲材料；在所述犧牲材料上形成所述MEMS梁；在所述MEMS梁上形成所述至少一個(gè)壓電襯底；在所述至少一個(gè)壓電襯底和所述MEMS梁上形成附加的犧牲材料；在所述MEMS梁和所述至少一個(gè)壓電襯底上形成第二絕緣體層；通過(guò)至少一個(gè)排出孔排出所述犧牲材料和所述附加的犧牲材料，以形成在所述MEMS梁以及所述至少一個(gè)壓電襯底附近的上腔和下腔；以及用材料封閉所述至少一個(gè)排出孔。