本發(fā)明涉及半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法，更具體地，涉及可切換和/或可調(diào)濾波器、制造方法以及設計結(jié)構(gòu)。

背景技術：
SAW(聲表面波)濾波器在通信中起關鍵作用。例如，SAW濾波器廣泛用作移動和無線應用中的帶通和頻譜整形濾波器。SAW濾波器的其它應用包括廣域網(wǎng)(WAN)、無線局域網(wǎng)(WLAN)通信、無繩電話、尋呼機以及衛(wèi)星通信。SAW濾波器優(yōu)于傳統(tǒng)LC濾波器，因為它們更小、更便宜并且更通用，使得它們對于電信應用是理想的。在SAW濾波器中，在由壓電晶體或陶瓷構(gòu)成的器件結(jié)構(gòu)中電信號轉(zhuǎn)換為機械波。當其穿過器件傳送時，在通過其它電極被轉(zhuǎn)換回電信號之前，波被延遲。更具體地，通過叉指(交錯)換能器(IDT)獲得表面波和電信號之間的耦合。IDT的簡單形式包括平行指，其交替連接到向其提供信號的相對的電極。例如，當AC電壓施加到輸入換能器(電極)，因為壓電性，換能器產(chǎn)生壓電襯底表面的機械變形。依次，導致聲表面波在壓電襯底的表面上傳播知道達到輸出IDT，在此處其被轉(zhuǎn)換回電信號。當此波達到輸出IDT時，電場引起相鄰電極之間的電勢差以便輸出IDT將機械振動轉(zhuǎn)化為輸出電壓。SAW濾波器可以設計為在單封裝中提供相當復雜的信號處理功能，單封裝僅包含具有附加薄金屬膜輸入和輸出叉指換能器(IDT)的壓電襯底?？梢允褂冒雽w微制造技術大量制造SAW濾波器，這使得SAW濾波器能夠容易地再現(xiàn)。然而，發(fā)現(xiàn)很難獲得SAW濾波器的編程和調(diào)整。BAW(體聲波)濾波器是電機械器件，其典型地在從約2GHz到約16GHz的頻率下操作并且可以比等價的SAW濾波器更小更薄。BAW濾波器可以是薄膜體聲波共振器(FBAR或者TFBAR)，其為由夾在兩個電極之間并與周圍介質(zhì)聲學隔離的壓電材料組成的器件。使用壓電膜的FBAR器件可以用作在手機和其它無線應用中使用的射頻(RF)濾波器。FBAR還可以用在各種其它應用中，如微波振蕩器和傳感器應用。FBAR利用壓電材料的聲波共振特性，非常像SAW濾波器，來除去在器件傳送的不希望的頻率，而允許其它特定頻率被接收并傳送。為了調(diào)節(jié)FBAR的聲波共振特性，可以調(diào)節(jié)壓電膜的厚度?？蛇x地或者附加地，F(xiàn)BAR可以放在機械負載下以便其共振頻率可以移動。這公知為質(zhì)量加載效應。質(zhì)量加載效應可以通過在共振器上沉積或者生長一定質(zhì)量的膜完成以引起FBAR的共振頻率的向下移動。通過在共振器的一個電極上非均勻分布地生長和沉積薄膜材料，覆蓋器件的活性表面進行質(zhì)量加載。薄膜可以是介電材料或者金屬材料，這依賴于設計準則。然而，與SAW應用非常類似，發(fā)現(xiàn)難以獲得SAW濾波器的編程和調(diào)整。因此，在本領域存在對克服上述缺點和限制的需要。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的第一方面，一種方法包括至少一個壓電濾波器結(jié)構(gòu)，其包括被形成為與至少一個壓電襯底接觸的多個電極。該方法還包括形成包括MEMS梁的微機電結(jié)構(gòu)(MEMS)，其中在致動后，MEMS梁將通過交錯與壓電襯底接觸的電極或者將所述至少一個壓電襯底夾在兩個電極之間而開啟所述至少一個壓電濾波器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的另一個方面中，一種方法包括確定濾波器的頻率或者需要使濾波器激活。該方法還包括，響應于所述確定，通過致動MEMS梁，通過交錯與所述壓電襯底接觸的電極或者將所述至少一個壓電襯底夾在所述電極之間，來開啟一個或多個濾波器。本發(fā)明的另一個方面，一種濾波器包括至少一個濾波器，所述至少一個濾波器包括形成為與至少一個壓電襯底接觸的多個電極。所述濾波器還包括梁結(jié)構(gòu)，其被設置為通過移動所述MEMS梁以便與所述至少一個壓電襯底接觸的電極變?yōu)榻诲e或者所述至少一個壓電襯底變?yōu)閵A在所述電極之間，來開啟所述至少一個濾波器。在本發(fā)明的另一個方面，提供了用于設計、制造或者測試集成電路的，明顯體現(xiàn)在機器可讀存儲介質(zhì)中設計結(jié)構(gòu)。設計結(jié)構(gòu)包括本發(fā)明的結(jié)構(gòu)。在另一個實施例中，在機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)上編碼的硬件描述語言(HDL)設計結(jié)構(gòu)包括元件，當在計算機輔助設計系統(tǒng)中處理時產(chǎn)生包括本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的可切換濾波器結(jié)構(gòu)的機器可執(zhí)行表示。仍在另一個實施例中，提供了一種在計算機輔助設計系統(tǒng)中用于產(chǎn)生可切換濾波器結(jié)構(gòu)的功能設計模塊的方法。該方法包括產(chǎn)生可切換濾波器結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)元件的功能表示。更具體地，在實施例中，提供了一種用于產(chǎn)生可切換濾波器結(jié)構(gòu)的功能設計模塊的計算機輔助設計系統(tǒng)中的方法。該方法包括產(chǎn)生至少一個濾波器的功能表示，所述至少一個濾波器包括被形成為與至少一個壓電襯底接觸的多個電極；以及產(chǎn)生梁結(jié)構(gòu)的功能表示，所述梁結(jié)構(gòu)被設置為通過移動所述MEMS梁以便與所述至少一個壓電襯底接觸的電極變?yōu)榻诲e或者所述至少一個壓電襯底變?yōu)閵A在所述電極之間，來開啟所述至少一個濾波器。附圖說明通過本發(fā)明的示范性實施例的非限制實例，參考提及的多個附圖，在下面的詳細說明中描述本發(fā)明。除非在本文中另有說明，否則附圖沒有按比例。圖1-4示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的用于制造SAW濾波器結(jié)構(gòu)的制造工藝和各自的結(jié)構(gòu)；圖5a-5d示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的圖4的SAW濾波器結(jié)構(gòu)的備選配置的分解圖；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的備選SAW濾波器結(jié)構(gòu)和各制造工藝。圖7a和7b根據(jù)本發(fā)明的方面的圖6的SAW濾波器結(jié)構(gòu)的備選配置的分解圖；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的備選SAW濾波器結(jié)構(gòu)和各制造工藝；圖9a和9b示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的圖8的SAW濾波器結(jié)構(gòu)的配置的分解圖；圖10和11示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的用于制造備選SAW濾波器結(jié)構(gòu)的制造工藝和各結(jié)構(gòu)；圖12和13示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的用于制造備選SAW濾波器結(jié)構(gòu)的制造工藝和各結(jié)構(gòu)；圖14a和14b示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的圖13的SAW濾波器結(jié)構(gòu)的分解圖；圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的BAR濾波器結(jié)構(gòu)和各制造工藝；圖16a-16c示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的圖15的BAR濾波器結(jié)構(gòu)的備選配置的分解圖；圖17-21示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的各種BAW濾波器結(jié)構(gòu)和各制造工藝；以及圖22是在半導體設計、制造和/或測試中使用的設計過程的流程圖。具體實施方式本發(fā)明涉及半導體結(jié)構(gòu)及其制造方法，更具體地，涉及可切換和/或可調(diào)濾波器，制造方法并設計結(jié)構(gòu)。在實施例中本發(fā)明的可切換和/或可調(diào)濾波器結(jié)構(gòu)包括例如聲表面波(SAW)濾波器和體聲波(BAW)濾波器。在實施例中，本發(fā)明的濾波器結(jié)構(gòu)設計為使用例如微機電系統(tǒng)(MEMS)結(jié)構(gòu)在“開”狀態(tài)和“關”狀態(tài)之間切換。更具體地，本發(fā)明的SAW濾波器結(jié)構(gòu)包括在一個或多個壓電襯底或者面向壓電襯底的絕緣體層或其組合上形成的交指或者交錯電極(也稱為布線層)。在實施例中，SAW濾波器的交錯電極包括與Vin信號電極或者Vout信號電極交錯的接地電極以分別形成輸入和輸出IDT。另一方面，BAW濾波器包括夾在上電極和下電極之間的一個或多個壓電襯底。在實施例中，可以使用MEMS梁結(jié)構(gòu)調(diào)整本發(fā)明的SAW濾波器(或者任意多個SAW濾波器)或者BAW濾波器到“開”和“關”。例如，在SAW濾波器結(jié)構(gòu)中，可以在MEMS梁結(jié)構(gòu)上提供信號電極并且可以在固定片提供接地電極(或者反之亦然)。同樣，在實施例中，可以在壓電襯底或者絕緣體襯底或其組合上以許多不同的配置的形成信號電極和固定板。在激活MEMS梁結(jié)構(gòu)后，信號電極將變?yōu)榕c接地電極交錯以為SAW濾波器結(jié)構(gòu)提供“開”狀態(tài)。在串列SAW濾波器配置中，MEMS梁結(jié)構(gòu)可以通過開啟或關閉選擇的SAW濾波器結(jié)構(gòu)而調(diào)整濾波器。在BAW結(jié)構(gòu)中，MEMS梁結(jié)構(gòu)可以例如是許多不同的配置的金屬板(電極)或者在金屬板上形成的壓電襯底。在激活MEMS梁結(jié)構(gòu)后，壓電襯底將變?yōu)閵A在兩個金屬板(電極)之間。以該方式，BAW濾波器可以調(diào)整到“開”。另外，多個濾波器可以串聯(lián)設置以用于帶寬切換/調(diào)整。在這樣的實施方式中，選擇的濾波器可以通過激活MEMS梁結(jié)構(gòu)而調(diào)整為開或關。MEMS梁結(jié)構(gòu)還可以與加載質(zhì)量(例如，加載條)結(jié)合使用，例如，在BAW濾波器結(jié)構(gòu)上施加機械負載，從而移動其共振頻率。如在任意實施例中，MEMS梁結(jié)構(gòu)可以擴展到不同電壓、高度、懸臂梁幾何形狀、布局、遲滯點(stictionpoint)等，以開啟或關閉濾波器結(jié)構(gòu)(例如，SAW或者BAW濾波器結(jié)構(gòu))。同樣，可以使用常規(guī)CMOS工藝制造MEMS梁結(jié)構(gòu)。一般地，MEMS梁結(jié)構(gòu)利用通常形成具有在微米尺度內(nèi)的尺寸(具有約5μm厚、100μm寬和400μm長的尺寸)的小結(jié)構(gòu)的方法和工具，雖然其他尺寸也包括在這里討論的本發(fā)明中。例如，MEMS梁結(jié)構(gòu)可以在通過光刻工藝構(gòu)圖的薄膜材料中實現(xiàn)并且在一個端部處固定到絕緣體材料并在腔中懸浮。具體地，MEMS梁結(jié)構(gòu)的制造可以如下執(zhí)行：(i)在襯底上沉積薄膜材料(例如，絕緣體層)，(ii)在通過光刻成像在膜頂部施加構(gòu)圖掩模以及(iii)相對于掩模選擇性蝕刻該膜。圖1-4示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的用于制造SAW濾波器結(jié)構(gòu)的制造工藝和各自的結(jié)構(gòu)。更具體地，圖1示出了結(jié)構(gòu)5,其包括襯底10。在實施例中，襯底10可以是任意絕緣體材料或者其它類型的器件襯底。穿過襯底10提供互連12?；ミB12可以是例如在常規(guī)形成的過孔中形成的鎢或者銅柱(stud)。例如，可以使用本領域的技術人員公知的用于形成柱的、如鑲嵌方法的任意常規(guī)光刻、蝕刻和沉積工藝形成互連12。互連12可以接觸技術上公知的其它布線級、CNOS晶體管或者其它有源器件、無源器件等。仍參考圖1，沉積并構(gòu)圖布線層以形成多個布線14。更具體地，布線14可以通過加法或者減法工藝形成。例如，在減少工藝中，可以通過在襯底10上沉積金屬層并且使用常規(guī)光刻和蝕刻(例如，反應離子蝕刻(RIE))工藝構(gòu)圖金屬層形成布線14。金屬層可以是任意導電金屬或者其合金。例如，金屬層可以是，如，鋁、金或者銅，雖然其他金屬也包含在本發(fā)明中。在實施例中，布線14可以具有約1微米到約3微米的厚度；雖然其它尺寸也包含在本發(fā)明中。在實施例中，形成與互連12接觸的布線14a。在圖1中，絕緣體層16沉積在布線14之上。絕緣體層16可以是任意絕緣體層，例如，如氧化物基材料(SiO2)或者本領域的技術人員公知的其它層間介質(zhì)材料。可以使用任何常規(guī)沉積工藝，例如，化學氣相沉積(CVD)沉積絕緣體層16。例如，用于絕緣體層16(或關于本發(fā)明的任意絕緣體層)的沉積選擇包括與結(jié)構(gòu)的其它材料溫度相容的等離子體增強CVD(PECVD)，亞大氣壓CVD(SACVD)、大氣壓CVD(APCVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、物理氣相沉積(PVD)或者原子層沉積(ALD)中的一種或多種。在實施例中，絕緣體層16在與金屬布線，例如鋁布線相容的溫度下沉積，例如，在約420℃以下并且優(yōu)選在約400℃以下。在實施例中，沉積絕緣體層16到約80nm的深度；雖然其它尺寸也包含在本發(fā)明中。在實施例中，可以使用常規(guī)光刻和蝕刻工藝構(gòu)圖絕緣體層16以形成圖形(例如，開口)。在實施例中，開口與下層布線14對準。然后在開口中沉積金屬材料以形成柱接觸18。金屬材料可以是與布線14相容的任意金屬材料。使用如這里描述的，如沉積和構(gòu)圖的常規(guī)加法或者減法工藝在絕緣體層16上形成金屬布線層，即，布線20a、20b。在實施例中，布線20a可以是與SAW濾波器結(jié)構(gòu)的接地電極交錯的信號電極；然而，布線20b可以是用于MEMS梁結(jié)構(gòu)的固定致動電極。本發(fā)明旨在可以使用這里描述的工藝形成任意布線層(布線層20a、20b，等)到約0.05到4μm的深度并且優(yōu)選到0.25μm的深度；雖然其它尺寸也包括在本發(fā)明中。在實施例中，本發(fā)明的所有方面的布線層可以是除了其他布線材料之外的難熔金屬，如Ti、TiN、TiN、Ta、TaN和W等等、或者AlCu、或者貴金屬例如，如Au、Pt、Ru、Ir。例如，在實施例中，布線層可以由純難熔金屬或者鋁或者如AlCu、AlSi或者AlCuSi的鋁合金形成。在圖2中，在布線層20a、20b之上沉積如PMGI(聚二甲基戊二酰亞胺聚合物)或者硅(或者可以在后面的處理步驟中選擇移除的任意其它材料)的犧牲材料22?？梢允褂贸Ｒ?guī)光刻和蝕刻(RIE)工藝構(gòu)圖犧牲材料22。在實施例中，犧牲材料22具有約2微米的厚度，雖然其它尺寸也包含在本發(fā)明中。在結(jié)構(gòu)上沉積絕緣體層24，并且平坦化以暴露犧牲材料22?？梢砸赃@里描述的方式沉積絕緣體層24，例如類似于對絕緣體層16使用的。在可選的實施例中，可以沉積和構(gòu)圖絕緣體層24以形成開口，其中可以在其內(nèi)沉積犧牲材料22。在任一制造事件中，本發(fā)明預期可以平坦化犧牲材料22?？梢酝ㄟ^本領域的技術人員公知的化學機械工藝(CMP)進行平坦化。在一個非限制性實例中，構(gòu)圖絕緣體層24以形成開口。在開口中形成與柱接觸18接觸的金屬柱18a。在實施例中，可以使用與柱接觸18相同類型的材料和工藝以相同方式制造柱18a。仍參考圖2，形成與柱18電接觸并且在絕緣體材料24和犧牲材料22之上的布線層28。在實施例中，將布線層構(gòu)圖為MEMS梁結(jié)構(gòu)28，其可以是金屬層或者復合梁結(jié)構(gòu)，通過沉積金屬、氧化物、金屬或者可選地氧化物、金屬、氧化物形成。在實施例中，MEMS梁結(jié)構(gòu)28可以是任意合適的材料，例如TiN、TaN、Al等。在實施例中，布線20b將用作致動器以拉近MEMS梁結(jié)構(gòu)28，如這里將進一步詳細描述的。使用常規(guī)沉積和構(gòu)圖工藝在MEMS梁結(jié)構(gòu)28上沉積并且構(gòu)圖壓電層32。在實施例中，壓電層32可以包括任意公知的壓電材料。例如，壓電層32可以是AlN、ZnO、石英、LiNbo3、LiTiO3、Pb(ZrxTi1x)O3、PbTiO3、壓電聚合物材料例如PVD-[Ch2-CF2]n或者復合材料如PVDF和PZT材料。本領域的技術人員應該明白，可以使用常規(guī)沉積和構(gòu)圖工藝在壓電層32下側(cè)形成信號電極和/或接地電極(布線層20a)。在這樣的配置中，可以在犧牲材料22上形成布線層20a，具有在布線層20a之上沉積和構(gòu)圖的壓電層32。在圖3中，在壓電層32上沉積犧牲層22a，直接與犧牲材料22接觸。在實施例中，犧牲材料22a是以這里已經(jīng)描述的方式形成的PMGI或者硅(或者其它可以在后面的工藝步驟中選擇除去的任意其它選擇性材料)，以便不需進一步解釋。在實施例中，犧牲材料22a具有約2微米的深度；雖然其它尺寸也包含在本發(fā)明中。在犧牲材料22a和如壓電層32和布線層28以及絕緣體層24的任意其它暴露表面上形成絕緣體層34。絕緣體層34可以由如這里已經(jīng)描述的方式沉積的氧化物材料形成。使用常規(guī)光刻和蝕刻工藝在絕緣體層34中形成一個或多個排出孔(venthole)36。在實施例中，在絕緣體層34中構(gòu)圖并開口一個或多個排出孔36，暴露犧牲材料22a的一部分。一個或多個排出孔36的寬度和高度確定在排出后為修剪一個或多個排出孔36而應該沉積的材料的量。一個或多個排出孔36可以是圓形或者接近圓形以最小化隨后需要修剪掉的材料的量。在圖4中，如本發(fā)明的所有方面，使用通過排出孔36選擇性除去犧牲材料的蝕刻劑(如XeF2)排出或者清除掉犧牲材料。在實施例中，此蝕刻將形成上腔或者室38a，下腔或者室38b以及連接過孔38c。可以用如介電材料或者金屬的材料40密封排出孔36。為了避免密封材料進入腔并且在MEMS梁結(jié)構(gòu)上沉積的問題，在實施例中，排出孔36可以策略上遠離MEMS梁結(jié)構(gòu)放置(例如，梁結(jié)構(gòu)28和在梁結(jié)構(gòu)上形成的壓電層32)，以便在釋放梁上沒有沉積排出孔密封材料。圖5a-5d示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的圖4的SAW濾波器結(jié)構(gòu)備選結(jié)構(gòu)的實施例。更具體地，圖5a示出了壓電層32和MEMS梁結(jié)構(gòu)28的下側(cè)。如在本發(fā)明的所有方面中，MEMS梁結(jié)構(gòu)可以是懸臂梁或者橋梁(通過這里的任意相關圖示出的)。如在此表示中所示，在MEMS梁結(jié)構(gòu)28的開口中形成壓電層32。圖5b中，在絕緣體層16上，在暴露的壓電層32之下形成例如交錯信號電極和接地電極的布線20a。同樣示出了在絕緣體層16上形成致動器20b，其面向MEMS梁結(jié)構(gòu)28。在此配置中，在MEMS梁結(jié)構(gòu)28的致動后，壓電層32將接觸交錯信號電極和接地電極20a以形成在“開”狀態(tài)的SAW濾波器。在圖5c和5d中，在壓電層32的下側(cè)上形成信號電極20a'；然而，在絕緣體層16上形成接地電極20a。當然，本領域的技術人員應該明白，可以在壓電層32的下側(cè)上形成接地電極并且可以在絕緣體層16上形成信號電極。可以使用常規(guī)沉積和構(gòu)圖工藝形成信號電極20a'。在此配置中，例如，在形成MEMS梁結(jié)構(gòu)之前，在犧牲材料上形成信號電極20a'。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的SAW濾波器結(jié)構(gòu)和各制造工藝。圖7a-7b示出了圖6的SAW濾波器的分解圖。在圖6中，與MEMS梁結(jié)構(gòu)28對照(圖4中示出)，在絕緣體層16上形成壓電層32。如圖6、7a和7b所示，MEMS梁28和布線層20a'接地。在絕緣體層34a的下側(cè)上形成布線層20a'并且MEMS梁結(jié)構(gòu)28圍繞布線層20a'。即，在MEMS梁結(jié)構(gòu)28的開口中形成布線層20a'。本領域的技術人員應該明白，布線層20a'可以懸浮于MEMS梁結(jié)構(gòu)28的開口中，如通過參考標號34a所示。如圖7b所示，在壓電層32上提供布線層20a，并且標記為信號布線。同樣，圖7b示出了與MEMS梁結(jié)構(gòu)28對準的致動器20b。在此結(jié)構(gòu)中，布線層20a可以是信號電極并且布線層20a'可以是接地電極。如在前述實施例中所示，在MEMS梁結(jié)構(gòu)28致動后，信號電極將變?yōu)榕c接地電極交錯以形成在“開”狀態(tài)的SAW濾波器。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的備選SAW濾波器結(jié)構(gòu)和各制造工藝。更具體地，在圖8中，在布線層20a之下形成壓電層32a。壓電層32a可以是這里已經(jīng)討論的任意壓電材料。在實施例中，可以在沉積絕緣體層16之后且在布線層20a的形成，例如沉積和構(gòu)圖，之前形成壓電層32a?？梢允褂脗鹘y(tǒng)沉積和構(gòu)圖工藝形成壓電層32a，以便這里不需要進一步的解釋。本領域的技術人員應該明白，可以由與壓電層32相同或者不同的材料形成壓電層32a。這樣的壓電層的組合可以用在實施兩個或更多壓電層的本發(fā)明的任意方面。圖9a和9b示出了圖8的SAWfSAW濾波器的分解圖。如圖9a和9b所示，在壓電層32的下側(cè)之下形成部分布線層20a'；然而，在壓電層32a的上表面上形成布線層20a的剩余部分。本領域的技術人員應該明白，在整個結(jié)構(gòu)的順序處理流程中，可以通過任意常規(guī)沉積和構(gòu)圖工藝形成布線層20a。同樣，本領域的技術人員應該明白，圖9a和9b僅示出了交錯布線層20a，20a'的一個特定圖形，并且其它配置同樣包括在本發(fā)明中。例如，在實施例中，布線層20a可以表示為接地電極或者信號電極或者其部分。圖10和11示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的用于制造備選SAW濾波器結(jié)構(gòu)的制造工藝和各結(jié)構(gòu)。在圖10和11中，使用兩個分離的壓電層，例如壓電層32和壓電層32b形成兩個SAW濾波器結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中，在壓電層32之下形成布線層28，如參考圖1-4所討論的。另外，使用與布線層28類似的工藝和材料在壓電層32b之下形成布線層28c。在實施例中，布線層28和28c是MEMS梁結(jié)構(gòu)，如本領域的技術人員應該明白的。仍參考圖10和11，在布線層28c和壓電層32之間形成布線層28b。在實施例中，布線層28b可以是在犧牲層22a上形成的例如使用壓電層32b的上SAW濾波器的固定信號電極或者接地電極(或者兩者)。在實施例中，布線層28b還可以用作在參考標號20b'處的上MEMS梁28c的拉近致動器。在實施例中，使用如這里描述的常規(guī)沉積和構(gòu)圖工藝在犧牲層22a上形成布線層28b。在布線層28b的形成前，可以使用常規(guī)光刻和蝕刻工藝構(gòu)圖犧牲層22和22a以形成開口。然后在開口中形成接觸柱18a，到下層布線層14。在實施例中，接觸柱18a可以由與用于形成接觸柱18的材料相同的材料形成。在附加的實施例中，可以穿過絕緣體層而不是犧牲材料形成接觸柱18a，如本領域的技術人員應該明白的。在形成布線層28b和致動器20b'之后，在布線層28b上使用常規(guī)工藝形成(如沉積和構(gòu)圖)犧牲材料22b。犧牲材料22b可以是這里已經(jīng)描述的任意犧牲材料，沉積的厚度約2微米，雖然其它尺寸同樣包含在本發(fā)明中。可以使用如這里描述的常規(guī)構(gòu)圖和沉積工藝穿過幾個絕緣體層形成到布線層14的接觸柱18a'。在犧牲材料22b上形成布線層28c，與接觸圖柱18a電接觸?？梢詷?gòu)圖布線層28c以形成MEMS梁的梁結(jié)構(gòu)。在實施例中，還可以作為上SAW濾波器結(jié)構(gòu)的信號電極或者接地電極(或者兩者)形成布線層28c。以類似于壓電層32的方式在布線層28c上形成壓電層32b，這里不再需要另外的解釋。在壓電層32b上形成犧牲材料22c到約2微米的厚度，雖然其它尺寸同樣包含在本發(fā)明中。然后在犧牲層22d上沉積絕緣體層34，具有這里形成的一個或多個排出孔36。在圖11中，從過一個或多個排出孔36排出犧牲材料以形成腔38a-38d?？梢允褂眠@里已經(jīng)描述的對犧牲材料選擇性的任意剝脫技術進行排出。然后使用如介質(zhì)材料或者金屬的密封材料40密封一個或多個排出孔。應該明白，如這里討論的，可以在壓電襯底上以多種不同的配置形成信號電極和接地電極。例如，基于期望的構(gòu)圖工藝，本發(fā)明涵蓋圖5a-5d和9a-9b的任意結(jié)合用于在圖10中示出的SAW濾波器結(jié)構(gòu)。圖12和13示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的用于制造備選SAW濾波器結(jié)構(gòu)的制造工藝和各結(jié)構(gòu)。具體地，在圖12和13中示出了使用兩個分離的壓電層，例如壓電層32和壓電層32b的單個SAW濾波器結(jié)構(gòu)的形成。在此結(jié)構(gòu)中，在壓電層32的下側(cè)表面上形成布線層20a并且在壓電層32b的表面上形成布線層20a'(在犧牲材料22a之上)。如本領域的技術人員應該明白的，布線層20a，20a'是使用如這里已經(jīng)描述的常規(guī)沉積和構(gòu)圖工藝形成的接地電極和信號電極。同樣，布線層28是金屬布線層，被構(gòu)圖以形成MEMS梁結(jié)構(gòu)。使用致動器20b'拉近MEMS梁結(jié)構(gòu)28。在實施例中，在壓電層32上形成犧牲層22a，以上述討論的方式。其后，使用如這里已經(jīng)討論的常規(guī)沉積和構(gòu)圖工藝在犧牲層22a上形成布線層20a'。在形成布線層20a'之后，通過如這里討論的沉積和構(gòu)圖工藝，在布線層20a'上形成壓電層32b。在壓電層32b上形成如金屬梁的布線層28。在布線層28和如犧牲層22a的任意其它暴露表面上形成犧牲材料22a'。以這里描述的方式形成絕緣體層34和一個或多個排出孔36。可以排出犧牲材料并且用材料40密封排出孔36，如這里描述的。圖14a和14b示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的圖13的SAW濾波器的分解圖。更具體地，圖14a示出了壓電層32b的下側(cè)表面，其上具有布線層20a'。如圖14a所示，金屬梁28延伸超過壓電層32b，以便其可以被致動器20b'拉近，在圖14b中示出。圖14b還示出了壓電層32b的頂表面，其上形成布線層20a。在此配置中，在MEMS梁結(jié)構(gòu)28致動后，壓電層32b將向壓電層32b移動，以便交錯信號電極和接地電極20a，20a'以形成在“開”狀態(tài)的SAW濾波器。應該明白，如在這里討論的，還可以在壓電襯底上以多種不同的配置形成信號電極和接地電極。(參見，例如5a-5d和9a-9b)。圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的BAW結(jié)構(gòu)和各制造工藝。更具體地，在圖15中，在金屬布線層20c和28的各表面上提供壓電層32和32b。在實施例中，構(gòu)圖布線層28以形成MEMS梁結(jié)構(gòu)。在實施例中，MEMS梁結(jié)構(gòu)28是金屬梁或者金屬合金梁，如本領域的技術人員應該明白的(并且其可以用在本發(fā)明的任意方面)。本領域的技術人員還應該明白，在此結(jié)構(gòu)中，首先在犧牲材料上形成(例如沉積和構(gòu)圖)壓電層32b，在壓電層32b上形成MEMS梁結(jié)構(gòu)28?？梢砸匀邕@里已經(jīng)描述的方式形成剩余結(jié)構(gòu)。在此配置中，致動MEMS梁結(jié)構(gòu)28以拉向致動器20b，以便兩個壓電層32、32b變?yōu)閵A在兩個電極之間，例如MEMS梁結(jié)構(gòu)28和電極20c。圖16a-16c示出了圖15的BAW濾波器結(jié)構(gòu)的備選結(jié)構(gòu)的分解圖。更具體地，在圖16a中，在MEMS梁結(jié)構(gòu)28b的之下形成壓電層32b；然而，在圖16b中，示出了金屬布線20c上形成了壓電層32。本領域的技術人員應該明白，圖16a的視角從壓電層32b之下，向上看；然而，圖16b的視角是從壓電層32之上，向下看。在圖16c示出的實施例中，可以不同的圖形形成金屬層28b，28c。本領域的技術人員應該明白，圖16c的視角是從金屬層28b的頂部，向下看。在圖16c的結(jié)構(gòu)中，金屬圖形28c可以是質(zhì)量加載條。在任意這些配置中，在致動MEMS梁28b后，壓電層32、32b變?yōu)榧釉诮饘匐姌O28b和28c之間以形成“開”狀態(tài)的BAW濾波器結(jié)構(gòu)。圖17示出了根據(jù)本發(fā)明的方面的多個BAW結(jié)構(gòu)和各制造工藝。在圖17中，多個BAW濾波器結(jié)構(gòu)包括在結(jié)構(gòu)的不同層上提供的壓電層32、32b和32c。在實施例中，在布線層28和28b的下側(cè)表面上分別形成壓電層32b和32c，例如構(gòu)圖以形成各MEMS梁結(jié)構(gòu)。設置并構(gòu)造MEMS梁結(jié)構(gòu)28、28b以分別面向各致動器20b和20b'，其將分別拉近MEMS梁結(jié)構(gòu)28、28c。在實施例中，布線層20c、28和28b是用于BAW濾波器結(jié)構(gòu)的各電極。本領域的技術人員應該明白，MEMS梁結(jié)構(gòu)28、28b的每一個都可以獨立激活以向本發(fā)明的結(jié)構(gòu)提供特定調(diào)整。圖18示出了具有在MEMS梁結(jié)構(gòu)28的下側(cè)表面上形成的壓電層32的BAW濾波器結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中，在MEMS梁結(jié)構(gòu)28的下側(cè)表面上面向電極20c提供壓電層32。致動器20b被設置為拉近MEMS梁結(jié)構(gòu)28以便壓電層32變?yōu)閵A在電極，即，MEMS梁結(jié)構(gòu)28和電極20C之間。圖19示出了具有在MEMS梁結(jié)構(gòu)28的下側(cè)表面上形成的壓電層32的BAW濾波器結(jié)構(gòu)。然而，在圖19中，在電極20c之下形成腔38g?？梢允褂脿奚牧铣练e和排出工藝形成腔38g，如這里所述。在此實施例中，致動器20b被構(gòu)造為拉近MEMS梁結(jié)構(gòu)28以便壓電層32變?yōu)閵A在電極，即，MEMS梁結(jié)構(gòu)28和電極20C之間。圖20示出了具有在電極20c上形成的壓電層32的BAW濾波器結(jié)構(gòu)。在壓電層32之上形成MEMS梁結(jié)構(gòu)28。在圖20中，同樣在電極20c之下形成腔38g?？梢允褂脿奚牧铣练e和排出工藝形成腔38g，如這里所述。類似于圖19的實施例，在此實施例中，致動器20b被構(gòu)建為拉近MEMS梁結(jié)構(gòu)28以便壓電層32變?yōu)閵A在電極，即，MEMS梁結(jié)構(gòu)28和電極20C之間。圖21示出了具有在電極20c上形成的壓電層32的BAW濾波器結(jié)構(gòu)。在此實施例中，在壓電層32上形成加載條50。加載條50可以是使用常規(guī)沉積和構(gòu)圖工藝形成的介質(zhì)材料或者金屬材料。在壓電層32之上形成MEMS梁結(jié)構(gòu)28。在圖21中，還在電極20c之下形成腔38h?？梢允褂梦g刻工藝，例如，在絕緣體層14中蝕刻淺溝槽形成此腔38h以便現(xiàn)在MEMS梁結(jié)構(gòu)28在兩端被支撐。還包括以與在圖20中所示出的相同的配置形成腔38h。一種使用本發(fā)明的濾波器結(jié)構(gòu)的方法包括確定濾波器的頻率或者需要使濾波器被激活。響應于該確定，該方法包括通過致動MEMS梁，交錯與所述壓電襯底接觸的電極或者將至少一個壓電襯底夾在電極之間，來開啟一個或多個濾波器。圖22是在半導體設計、制造和/或測試中使用的設計過程的流程圖。圖22示出了如在半導體IC邏輯設計、仿真、測試、布圖和制造中使用的示范性設計流程900的方塊圖。設計流程900包括用于處理設計結(jié)構(gòu)或器件以產(chǎn)生在上面描述且在圖1-4、5a-5d、6、7a、7b、8、9a、9b、10-13、14a、14b、15、16a-16c以及17-2中示出的設計結(jié)構(gòu)和/或器件的邏輯上或其他功能上等效表示的過程、機器和/或機制。由設計流程900處理和/或產(chǎn)生的設計結(jié)構(gòu)可以在機器可讀傳輸或存儲介質(zhì)上被編碼以包括數(shù)據(jù)和/或指令，所述數(shù)據(jù)和/或指令在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)上執(zhí)行或以其他方式處理時，產(chǎn)生硬件組件、電路、器件或系統(tǒng)的邏輯上、結(jié)構(gòu)上、機械上或其他功能上的等效表示。機器包括但不限于用于IC設計過程(例如設計、制造或仿真電路、組件、器件或系統(tǒng))的任何機器。例如，機器可以包括：用于產(chǎn)生掩模的光刻機、機器和/或設備(例如電子束直寫儀)、用于仿真設計結(jié)構(gòu)的計算機或設備、用于制造或測試過程的任何裝置，或用于將所述設計結(jié)構(gòu)的功能上的等效表示編程到任何介質(zhì)中的任何機器(例如，用于對可編程門陣列進行編程的機器)。設計流程900可隨被設計的表示類型而不同。例如，用于構(gòu)建專用IC(ASIC)的設計流程900可能不同于用于設計標準組件的設計流程900，或不同于用于將設計實例化到可編程陣列(例如，由Inc.或Inc.提供的可編程門陣列(PGA)或現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA))中的設計流程900。圖22示出了多個此類設計結(jié)構(gòu)，其中包括優(yōu)選地由設計過程910處理的輸入設計結(jié)構(gòu)920。設計結(jié)構(gòu)920可以是由設計過程910生成和處理以產(chǎn)生硬件器件的邏輯上等效的功能表示的邏輯仿真設計結(jié)構(gòu)。設計結(jié)構(gòu)920還可以或備選地包括數(shù)據(jù)和/或程序指令，所述數(shù)據(jù)和/或程序指令由設計過程910處理時，生成硬件器件的物理結(jié)構(gòu)的功能表示。無論表示功能和/或結(jié)構(gòu)設計特性，均可以使用例如由核心開發(fā)人員/設計人員實施的電子計算機輔助設計(ECAD)生成設計結(jié)構(gòu)920。當編碼在機器可讀數(shù)據(jù)傳輸、門陣列或存儲介質(zhì)上時，設計結(jié)構(gòu)920可以由設計過程910內(nèi)的一個或多個硬件和/或軟件模塊訪問和處理以仿真或以其他方式在功能上表示例如圖1-4、5a-5d、6、7a、7b、8、9a、9b、10-13、14a、14b、15、16a-16c以及17-21中示出的那些電子組件、電路、電子或邏輯模塊、裝置、器件或系統(tǒng)。因此，設計結(jié)構(gòu)920可以包括文件或其他數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，其中包括人類和/或機器可讀源代碼、編譯結(jié)構(gòu)和計算機可執(zhí)行代碼結(jié)構(gòu)，當所述文件或其他數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)由設計或仿真數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)處理時，在功能上仿真或以其他方式表示電路或其他級別的硬件邏輯設計。此類數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)可以包括硬件描述語言(HDL)設計實體或遵循和/或兼容低級HDL設計語言(例如Verilog和VHDL)和/或高級設計語言(例如C或C++)的其他數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。設計過程910優(yōu)選地采用和結(jié)合硬件和/或軟件模塊，所述模塊用于合成、轉(zhuǎn)換或以其他方式處理圖1-4、5a-5d、6、7a、7b、8、9a、9b、10-13、14a、14b、15、16a-16c以及17-21中示出的組件、電路、器件或邏輯結(jié)構(gòu)的設計/仿真功能等價物以生成可以包含設計結(jié)構(gòu)(例如設計結(jié)構(gòu)920)的網(wǎng)表980。網(wǎng)表980例如可以包括編譯或以其他方式處理的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)表示描述與集成電路設計中的其他元件和電路的連接的線纜、分離組件、邏輯門、控制電路、I/O設備、模型等的列表。網(wǎng)表980可以使用迭代過程合成，其中網(wǎng)表980被重新合成一次或多次，具體取決于器件的設計規(guī)范和參數(shù)。對于在此所述的其他設計結(jié)構(gòu)類型，網(wǎng)表980可以記錄在機器可讀數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)上或編程到可編程門陣列中。所述介質(zhì)可以是非易失性存儲介質(zhì)，例如磁或光盤驅(qū)動器、可編程門陣列、壓縮閃存或其他閃存。此外或備選地，所述介質(zhì)可以是可在其上經(jīng)由因特網(wǎng)或其他適合聯(lián)網(wǎng)手段傳輸和中間存儲數(shù)據(jù)分組的系統(tǒng)或高速緩沖存儲器、緩沖器空間或?qū)щ娀蚬鈱骷筒牧?。設計過程910可以包括用于處理包括網(wǎng)表980在內(nèi)的各種輸入數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型的硬件和軟件模塊。此類數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型例如可以駐留在庫元件930內(nèi)并包括一組常用元件、電路和器件，其中包括給定制造技術(例如，不同的技術節(jié)點，32納米、45納米、90納米等)的模型、布圖和符號表示。所述數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)類型還可包括設計規(guī)范940、特征數(shù)據(jù)950、檢驗數(shù)據(jù)960、設計規(guī)則970和測試數(shù)據(jù)文件985，它們可以包括輸入測試模式、輸出測試結(jié)果和其他測試信息。設計過程910還可例如包括標準機械設計過程，例如用于諸如鑄造、成型和模壓成形等操作的應力分析、熱分析、機械事件仿真、過程仿真。機械設計領域的技術人員可以在不偏離本發(fā)明的范圍和精神的情況下理解在設計過程910中使用的可能機械設計工具和應用的范圍。設計過程910還可包括用于執(zhí)行諸如定時分析、驗證、設計規(guī)則檢查、放置和路由操作之類的標準電路設計過程的模塊。設計過程910采用和結(jié)合邏輯和物理設計工具(例如HDL編譯器)以及仿真建模工具以便與任何其他機械設計或數(shù)據(jù)(如果適用)一起處理設計結(jié)構(gòu)920連同示出的部分或全部支持數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，從而生成第二設計結(jié)構(gòu)990。設計結(jié)構(gòu)990以用于機械設備和結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)交換的數(shù)據(jù)格式(例如以IGES、DXF、ParasolidXT、JT、DRC或任何其他用于存儲或呈現(xiàn)此類機械設計結(jié)構(gòu)的適合格式)駐留在存儲介質(zhì)或可編程門陣列上。類似于設計結(jié)構(gòu)920，設計結(jié)構(gòu)990優(yōu)選地包括一個或多個文件、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)或其他計算機編碼的數(shù)據(jù)或指令，它們駐留在傳輸或數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)上，并且由ECAD系統(tǒng)處理時生成圖1-4、5a-5d、6、7a、7b、8、9a、9b、10-13、14a、14b、15、16a-16c以及17-21中示出的本發(fā)明的一個或多個實施例的邏輯上或以其他方式在功能上等效的形式。在一個實施例中，設計結(jié)構(gòu)990可以包括在功能上仿真圖1-4、5a-5d、6、7a、7b、8、9a、9b、10-13、14a、14b、15、16a-16c以及17-21中示出的器件的編譯后的可執(zhí)行HDL仿真模型。設計結(jié)構(gòu)990還可以采用用于集成電路的布圖數(shù)據(jù)交換的數(shù)據(jù)格式和/或符號數(shù)據(jù)格式(例如以GDSII(GDS2)、GL1、OASIS、圖文件或任何其他用于存儲此類設計數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的適合格式存儲的信息)。設計結(jié)構(gòu)990可以包括信息，例如符號數(shù)據(jù)、圖文件、測試數(shù)據(jù)文件、設計內(nèi)容文件、制造數(shù)據(jù)、布圖參數(shù)、線纜、金屬級別、通孔、形狀、用于在整個生產(chǎn)線中路由的數(shù)據(jù)，以及制造商或其他設計人員/開發(fā)人員制造上述以及圖1-4、5a-5d、6、7a、7b、8、9a、9b、10-13、14a、14b、15、16a-16c以及17-21中示出的器件或結(jié)構(gòu)所需的任何其他數(shù)據(jù)。設計結(jié)構(gòu)990然后可以繼續(xù)到階段995，例如，在階段995，設計結(jié)構(gòu)990：繼續(xù)到流片(tape-out)，被發(fā)布到制造公司、被發(fā)布到掩模室(maskhouse)、被發(fā)送到其他設計室，被發(fā)回給客戶等。上述方法用于集成電路芯片的制造。制造者可以以原始晶片形式(即，作為具有多個未封裝芯片的單晶片)、作為裸管芯或以封裝的形式分發(fā)所得到的集成電路芯片。在后者的情況中，以單芯片封裝(例如，引線固定到母板的塑料載體或其他更高級別的載體)或多芯片封裝(例如，具有一個或兩個表面互連或掩埋互連的陶瓷載體)來安裝芯片。在任何情況下，所述芯片然后都作為(a)中間產(chǎn)品(如母板)或(b)最終產(chǎn)品的一部分與其他芯片、分離電路元件和/或其他信號處理裝置集成。最終產(chǎn)品可以是任何包括集成電路芯片的產(chǎn)品，范圍從玩具和其他低端應用到具有顯示器、鍵盤或其他輸入設備及中央處理器的高級計算機產(chǎn)品。出于示例目的給出了對本發(fā)明的各種實施例的描述，但所述描述并非旨在是窮舉的或限于所公開的各實施例。在不偏離所描述的實施例的范圍和精神的情況下，對于本領域的技術人員而言，許多修改和變化都將是顯而易見的。在此使用的術語的選擇是為了最佳地解釋各實施例的原理、實際應用或?qū)κ袌鲋写嬖诘募夹g的技術改進，或者使本領域的其他技術人員能夠理解在此公開的各實施例。