觸控電極裝置及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明是關于一種觸控電極裝置，包含多個絕緣底座，設于基板上，每一個絕緣底座具有底切剖面，使得絕緣底座的頂部面積大于底部面積；多條第一電極列，分別設于上述絕緣底座上；及多條第二電極列，設于基板上。
【專利說明】觸控電極裝置及其形成方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種觸控電極裝置，特別是關于一種無痕化的觸控電極裝置。
【背景技術】
[0002]觸控顯示器結合感測技術及顯示技術所形成的一種輸入/輸出裝置，普遍使用于電子裝置中，例如可攜式及手持式電子裝置。
[0003]電容式觸控面板為一種常用的觸控面板，其利用電容耦合效應以偵測觸碰位置。當手指觸碰電容式觸控面板的表面時，相應位置的電容量會受到改變，因而得以偵測到觸碰位置。
[0004]圖1顯示傳統(tǒng)觸控面板的俯視圖。其中，垂直電極列11與水平電極列12形成于玻璃板的同一面，借由絕緣橋接元件13互相電性絕緣。圖1所示傳統(tǒng)觸控面板的垂直電極列11與水平電極列12必須以個別步驟來形成，且垂直電極列11與水平電極列12彼此間必須留有間隙(gap)，才不會造成垂直電極列11與水平電極列12之間的短路。當使用者由上俯視觸控面板時，會產(chǎn)生視覺上的痕跡(trace)現(xiàn)象。
[0005]鑒于傳統(tǒng)觸控面板須使用復雜的制造工藝且具有視覺的痕跡，因此亟需提出一種新穎的觸控電極裝置及其形成方法，用以改善傳統(tǒng)觸控面板的缺點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于，提出一種觸控電極裝置及其形成方法，其可使用單一步驟而全面形成觸控電極，且由上俯視觸控電極裝置時，電極之間不會具有間隙，因而使得觸控電極裝置呈現(xiàn)視覺無痕化。
[0007]本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出觸控電極裝置，其包含:基板；多個絕緣底座，設于該基板上，每一個該絕緣底座具有底切剖面，使得該絕緣底座的頂部面積大于底部面積；多條第一電極列，分別設于上述絕緣底座上；及多條第二電極列，設于該基板上。
[0008]本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。
[0009]前述的觸控電極裝置，其中該第一電極列及該第二電極列包含氧化銦錫(IT0)。
[0010]前述的觸控電極裝置，其中每一條該第一電極列呈第一方向排列且包含多個實體串接的第一電極；且每一條該第二電極列呈第二方向排列且包含多個第二電極。
[0011]前述的觸控電極裝置，其還包含多個導電件設于該基板與該第二電極列之間，用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極。
[0012]前述的觸控電極裝置，其還包含多個導電件設于該第二電極列上，用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極，并借由相應絕緣橋接元件與該第一電極列電性絕緣。
[0013]前述的觸控電極裝置，其中沿該第二方向相鄰的上述第一電極的間距，以及沿該第一方向相鄰的上述第二電極的間距為2(T50微米。[0014]前述的觸控電極裝置，其中該絕緣層包含光刻膠材料。
[0015]前述的觸控電極裝置，其中該絕緣底座的光折射率相同于該第一電極的光折射率。
[0016]前述的觸控電極裝置，其中該絕緣底座的底切角度大于95°。
[0017]前述的觸控電極裝置，其中該絕緣底座的頂部高于該第二電極的上表面至少20微米。
[0018]本發(fā)明的目的及解決其技術問題另外還采用以下技術方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的形成觸控電極裝置的方法，該觸控電極裝置包含多條第一電極列及多條第二電極列，該方法包含以下步驟:形成絕緣層于基板上；圖案化(patterning)該絕緣層以形成多個絕緣底座，上述絕緣底座具有上述第一電極列的圖案，每一個該絕緣底座具有底切剖面，使得該絕緣底座的頂部面積大于底部面積；及形成電極層于該基板及上述絕緣底座上，因而分別形成上述第一電極列于上述絕緣底座上，且形成上述第二電極列于該基板上。
[0019]本發(fā)明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現(xiàn)。
[0020]前述形成觸控電極裝置的方法，其中該第一電極列及該第二電極列包含氧化銦錫(ITO)0
[0021]前述形成觸控電極裝置的方法，其中每一條該第一電極列呈第一方向排列且包含多個實體串接的第一電極；且每一條該第二電極列呈第二方向排列且包含多個第二電極。
[0022]前述形成觸控電極裝置的方法，其中于形成該絕緣層之前，還包含形成多個導電件于該基板上，用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極。
[0023]前述形成觸控電極裝置的方法，其中于形成該電極層之后，還包含依序形成多個絕緣橋接元件及多個導電件，其中上述導電件形成于該第二電極列上，用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極，并借由相應上述絕緣橋接元件與該第一電極列電性絕緣。
[0024]前述形成觸控電極裝置的方法，其中于形成該電極層之后，還包含沿該第二方向相鄰的上述第一電極之間，以及沿該第一方向相鄰的上述第二電極之間，使用激光形成20?50微米的間距。
[0025]前述形成觸控電極裝置的方法，其中該絕緣層包含光刻膠材料。
[0026]前述形成觸控電極裝置的方法，其中該絕緣底座的光折射率相同于該第一電極的光折射率。
[0027]前述形成觸控電極裝置的方法，其中該絕緣底座的底切角度大于95°。
[0028]前述形成觸控電極裝置的方法，其中該電極層是以濺鍍制造工藝形成。
[0029]本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術方案，本發(fā)明觸控電極裝置及其形成方法可達到相當?shù)募夹g進步性及實用性，并具有產(chǎn)業(yè)上的廣泛利用價值，其至少具有下列優(yōu)點:可使用單一步驟而全面形成觸控電極，且由上俯視觸控電極裝置時，電極之間不會具有間隙，因而使得觸控電極裝置呈現(xiàn)視覺無痕化。
[0030]上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0031]圖1顯示傳統(tǒng)觸控面板的俯視圖。
[0032]圖2A及圖2B顯示本發(fā)明實施例的觸控電極裝置的俯視圖。
[0033]圖3A-圖3D顯示圖2A/B的觸控電極裝置的形成方法的剖視圖。
[0034]圖4顯示圖2A沿剖線F-F的剖視圖。
[0035]圖5顯示圖2B沿剖線G-G的剖視圖。
[0036]【主要元件符號說明】
[0037]11:垂直電極列12:水平電極列
[0038]13:絕緣橋接元件 2:觸控電極裝置
[0039]20:電極層21:第一電極列
[0040]211:第一電極212:間距
[0041]213:光掩模22:第二電極列
[0042]221:第二電極222A:導電件
[0043]222B:導電件 223:絕緣橋接元件
[0044]30:基板31:絕緣層
[0045]31A:絕緣底座 Dl:第一方向
[0046]D2:第二方向 A:底切角度
【具體實施方式】
[0047]為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的觸控電極裝置及其形成方法其【具體實施方式】、結構、方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
[0048]圖2A顯示本發(fā)明實施例的觸控電極裝置2的俯視圖。觸控電極裝置2包含多條平行的第一電極列21，每一條第一電極列21的方向呈第一方向Dl排列，且每一條第一電極列21包含串接的多個第一電極211。在本實施例中，同一條第一電極列21的上述第一電極211是互相實體串接，因此也互相電性串接。觸控電極裝置2還包含多條平行的第二電極列22，每一條第二電極列22的方向呈第二方向D2排列，且每一條第二電極列22包含串接的多個第二電極221。在本實施例中，同一條第二電極列22的上述第二電極221未互相實體串接，而是借由多個導電件222A，分別設于同一條第二電極列22的相鄰第二電極221間，使得每一條第二電極列22的上述第二電極221互相電性串接，其中導電件222A位于第二電極221底下。此外，沿第二方向D2相鄰的第一電極211之間且沿第一方向Dl相鄰的第二電極221之間具有一適當間距212，使得相鄰的第一電極列21之間以及相鄰的第二電極列22之間互相電性絕緣。上述間距212可于制造工藝后段使用激光技術形成。在一較佳實施例中，間距212的寬度為20~50微米。上述第一方向Dl及第二方向D2可為實質(zhì)正交方向，例如X及Y方向。然而，第一方向Dl及第二方向D2也可為其它特定交角。本實施例的第一電極211及第二電極221雖以菱形電極作為例示，然而，也可使用其它形狀的電極。上述第一電極211及第二電極221的材質(zhì)必須具有透光性,例如氧化銦錫(indium tinoxide, IT0)o
[0049]圖2B顯示本發(fā)明另一實施例的觸控電極裝置2的俯視圖。在這個實施例中，多個導電件222B分別設于同一條第二電極列22的相鄰第二電極221間，使得每一條第二電極列22的上述第二電極221互相電性串接，其中導電件222B位于第二電極221上方，并借由絕緣橋接元件223與第一電極211電性絕緣。此外，沿第二方向D2相鄰的第一電極211之間且沿第一方向Dl相鄰的第二電極221之間具有一適當間距212，使得相鄰的第一電極列21之間以及相鄰的第二電極列22之間互相電性絕緣。上述間距212可于制造工藝后段使用激光技術形成。在一較佳實施例中，間距212的寬度為20?50微米。上述第一方向Dl及第二方向D2可為實質(zhì)正交方向，例如X及Y方向。然而，第一方向Dl及第二方向D2也可為其它特定交角。本實施例的第一電極211及第二電極221雖以菱形電極作為例示，然而，也可使用其它形狀的電極。上述第一電極211及第二電極221的材質(zhì)必須具有透光性，例如氧化銦錫(indium tin oxide, ITO)。
[0050]圖3A-圖3D顯示圖2A/B的觸控電極裝置2的形成方法的剖視圖。首先，如圖2A所示，形成多個導電件222A于基板30上，設于(后續(xù)形成的)同一條第二電極列22的相鄰第二電極221間。在另一實施例中，如圖2B所示，其導電件222B是在制造工藝后段形成第二電極221之后才形成的。上述基板30的材質(zhì)可為玻璃，但不限定于此。
[0051]接著，如圖3A所示，形成絕緣層31于基板30上。在本實施例中，絕緣層31包含光刻膠材料，但不限定于此，也可使用其它絕緣材料。一般來說，本實施例的絕緣層31必須具有透光性，且其光折射率大約相同于第一電極211的光折射率。
[0052]如圖3B所示，使用具有第一電極列21的圖案(pattern)的光掩模213對絕緣層31進行曝光顯影制造工藝，以形成圖案化的絕緣層31，如圖3C所示。圖3C及圖3D顯示圖2A/B沿剖線E-E的剖視圖。若使用光刻膠材料的絕緣層31，則圖案化的絕緣層31可再進行烘烤制造工藝，例如以約280°C烘烤約20分鐘。
[0053]根據(jù)本實施例的特征之一，如圖3C所示，圖案化的絕緣層31包含多個絕緣底座31A，每一絕緣底座3IA具有底切(undercut)剖面，使得絕緣底座3IA的頂部面積大于底部面積。在一較佳實施例中，絕緣底座31A的底切角度A大于95°。
[0054]接下來，如圖3D所示，全面形成(透明)電極層20于基板30及上述絕緣底座31A上，例如使用濺鍍(sputter)制造工藝，因而得以同時形成第一電極211于絕緣底座31A上，且形成第二電極221于基板30上。根據(jù)本實施例的另一特征,第一電極211的邊緣會與相鄰第二電極221的邊緣大致上切齊，因此使用者由上俯視觸控電極裝置2 (圖2A/B)時，第一電極211與相鄰第二電極221之間不會具有間隙，因而使得觸控電極裝置2呈現(xiàn)視覺無痕化。
[0055]在一較佳實施例中，如圖3D所示，絕緣底座31A的頂部與第二電極221的上表面之間必須大于一適當高度，例如20微米，且底切角度A必須大于一適當角度，例如95°，以確保相鄰第一電極211與第二電極221之間不會電性導通。
[0056]圖4顯示圖2A沿剖線F-F的剖視圖。其中，導電件222A用以電性導通同一條第二電極列22的相鄰兩個第二電極221。圖5顯示圖2B沿剖線G-G的剖視圖。其中，導電件222B用以電性導通同一條第二電極列22的相鄰兩個第二電極221，并借由絕緣橋接元件223與第一電極211電性絕緣。
[0057]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案的范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.一種觸控電極裝置，其特征在于其包含: 基板； 多個絕緣底座，設于該基板上，每一個該絕緣底座具有底切剖面，使得該絕緣底座的頂部面積大于底部面積； 多條第一電極列，分別設于上述絕緣底座上 '及 多條第二電極列，設于該基板上。
2.根據(jù)權利要求1所述的觸控電極裝置，其特征在于該第一電極列及該第二電極列包含氧化銦錫。
3.根據(jù)權利要求1所述的觸控電極裝置，其特征在于每一條該第一電極列呈第一方向排列且包含多個實體串接的第一電極；且每一條該第二電極列呈第二方向排列且包含多個第二電極。
4.根據(jù)權利要求3所述的觸控電極裝置，其特征在于還包含多個導電件設于該基板與該第二電極列之間，用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極。
5.根據(jù)權利要求3所述的觸控電極裝置，其特征在于還包含多個導電件設于該第二電極列上，用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極，并借由相應絕緣橋接元件與該第一電極列電性絕緣。
6.根據(jù)權利要求3所述的觸控電極裝置，其特征在于沿該第二方向相鄰的上述第一電極的間距，以及沿該第一方向相鄰的上述第二電極的間距為2(T50微米。
7.根據(jù)權利要求1所述的觸控電極裝置，其特征在于該絕緣層包含光刻膠材料。
8.根據(jù)權利要求1所述的觸控電極裝置，其特征在于該絕緣底座的光折射率相同于該第一電極的光折射率。
9.根據(jù)權利要求1所述的觸控電極裝置，其特征在于該絕緣底座的底切角度大于95°C
10.根據(jù)權利要求1所述的觸控電極裝置，其特征在于該絕緣底座的頂部高于該第二電極的上表面至少20微米。
11.一種形成觸控電極裝置的方法，該觸控電極裝置包含多條第一電極列及多條第二電極列，其特征在于該方法包含以下步驟: 形成絕緣層于基板上； 圖案化該絕緣層以形成多個絕緣底座，上述絕緣底座具有上述第一電極列的圖案，每一個該絕緣底座具有底切剖面，使得該絕緣底座的頂部面積大于底部面積；及 形成電極層于該基板及上述絕緣底座上，因而分別形成上述第一電極列于上述絕緣底座上，且形成上述第二電極列于該基板上。
12.根據(jù)權利要求11所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于該第一電極列及該第二電極列包含氧化銦錫。
13.根據(jù)權利要求11所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于每一條該第一電極列呈第一方向排列且包含多個實體串接的第一電極；且每一條該第二電極列呈第二方向排列且包含多個第二電極。
14.根據(jù)權利要求13所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于于形成該絕緣層之前，還包含形成多個導電件于該基板上，用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極。
15.根據(jù)權利要求13所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于于形成該電極層之后，還包含依序形成多個絕緣橋接元件及多個導電件，其中上述導電件形成于該第二電極列上，用以電性串接每一條該第二電極列的上述第二電極，并借由相應上述絕緣橋接元件與該第一電極列電性絕緣。
16.根據(jù)權利要求15所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于于形成該電極層之后，還包含沿該第二方向相鄰的上述第一電極之間，以及沿該第一方向相鄰的上述第二電極之間，使用激光形成2(T50微米的間距。
17.根據(jù)權利要求11所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于該絕緣層包含光刻膠材料。
18.根據(jù)權利要求11所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于該絕緣底座的光折射率相同于該第一電極的光折射率。
19.根據(jù)權利要求11所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于該絕緣底座的底切角度大于95°。
20.根據(jù)權利要求11所述形成觸控電極裝置的方法，其特征在于該電極層是以濺鍍制造工藝形成。`
【文檔編號】G06F3/041GK103631428SQ201210356457
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年9月21日 優(yōu)先權日:2012年8月23日
【發(fā)明者】馬冠炎 申請人:恒顥科技股份有限公司