專(zhuān)利名稱(chēng)：具有相變存儲(chǔ)器的rfid標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種射頻領(lǐng)域，特別是涉及一種具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
相變存儲(chǔ)器單元是基于20世紀(jì)60年代末70年代初提出的相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲(chǔ)介質(zhì)的構(gòu)想建立起來(lái)的，是一種價(jià)格便宜、性能穩(wěn)定的存儲(chǔ)器件。相變存儲(chǔ)器單元可以做在硅晶片襯底上，其關(guān)鍵材料是可記錄的相變薄膜、加熱電極材料、絕熱材料和引出電極材，其研究熱點(diǎn)也就圍繞器件工藝展開(kāi)。器件的物理機(jī)制研究包括如何減小器件料等。相變存儲(chǔ)器單元的基本原理是用電脈沖信號(hào)作用于器件單元上，使相變材料在非晶態(tài)與多晶態(tài)之間發(fā)生可逆相變，通過(guò)分辨非晶態(tài)時(shí)的高阻與多晶態(tài)時(shí)的低阻實(shí)現(xiàn)信息的寫(xiě)入、擦除和讀出操作。
相變存儲(chǔ)器(PCRAM)由于具有高速讀取、高可擦寫(xiě)次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強(qiáng)震動(dòng)和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，被國(guó)際半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)認(rèn)為最有可能取代目前的閃存存儲(chǔ)器而成為未來(lái)存儲(chǔ)器主流產(chǎn)品和最先成為商用產(chǎn)品的器件。相變存儲(chǔ)器的讀、寫(xiě)、擦操作就是在器件單元上施加不同寬度和高度的電壓或電流脈沖信號(hào)擦操作(RESET)，當(dāng)加一個(gè)短且強(qiáng)的脈沖信號(hào)使器件單元中的相變材料溫度升高到熔化溫度以上后，再經(jīng)過(guò)快速冷卻從而實(shí)現(xiàn)相變材料多晶態(tài)到非晶態(tài)的轉(zhuǎn)換，即“I”態(tài)到“0”態(tài)的轉(zhuǎn)換；寫(xiě)操作(SET)，當(dāng)施加一個(gè)長(zhǎng)且中等強(qiáng)度的脈沖信號(hào)使相變材料溫度升到熔化溫度之下、結(jié)晶溫度之上后，并保持一段時(shí)間促使晶核生長(zhǎng)，從而實(shí)現(xiàn)非晶態(tài)到多晶態(tài)的轉(zhuǎn)換，即“0”態(tài)到“I”態(tài)的轉(zhuǎn)換；讀操作，當(dāng)加一個(gè)對(duì)相變材料的狀態(tài)不會(huì)產(chǎn)生影響的很弱的脈沖信號(hào)后，通過(guò)測(cè)量器件單元的電阻值來(lái)讀取它的狀態(tài)。因此，如何基于相變存儲(chǔ)器來(lái)形成RFID標(biāo)簽已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)課題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種壽命長(zhǎng)、且能與CMOS工藝兼容的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其至少包括包含天線(xiàn)的信號(hào)收發(fā)單元；與所述信號(hào)收發(fā)單元連接的模擬信號(hào)處理單元，用于由所述信號(hào)收發(fā)單元所接收的射頻信號(hào)中獲取有用信號(hào)、以及將待發(fā)送信號(hào)處理成射頻信號(hào)以便由所述信號(hào)收發(fā)單元來(lái)發(fā)送；相變存儲(chǔ)器單元；以及與所述模擬信號(hào)處理單元及相變存儲(chǔ)器單元相連接的數(shù)字信號(hào)處理單元，用于基于所述有用信號(hào)來(lái)與所述相變存儲(chǔ)器單元通信，以便所述相變存儲(chǔ)器單元將有用信號(hào)中的待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)予以存儲(chǔ)、并將待發(fā)送信號(hào)提供給所述數(shù)字信號(hào)處理單元。優(yōu)選地，所述相變存儲(chǔ)器單元包括控制電路，用于識(shí)別所述數(shù)字信號(hào)處理單元由所述有用信號(hào)中獲取的控制信號(hào)為讀操作還是寫(xiě)操作；存儲(chǔ)器陣列，其包括多個(gè)相變存儲(chǔ)單元；譯碼器，用于基于所述數(shù)字信號(hào)處理單元由所述有用信號(hào)中獲取的地址信號(hào)來(lái)選擇相變存儲(chǔ)單元；寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路，用于當(dāng)控制電路識(shí)別出控制信號(hào)為寫(xiě)操作時(shí)提供特定電流脈沖驅(qū)動(dòng)來(lái)改變所述譯碼器所選擇的相變存儲(chǔ)單元；
靈敏放大器，用于當(dāng)控制電路識(shí)別出控制信號(hào)為讀操作中感測(cè)所述譯碼器所選擇的相變存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)；以及I/O鎖存器，用于在寫(xiě)操作中將所述數(shù)字信號(hào)處理單元由所述有用信號(hào)中獲取的待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)傳送到所述寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路所驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)單元，并在讀操作中輸出所述靈敏放大器所感測(cè)到的數(shù)據(jù)。優(yōu)選地，所述模擬信號(hào)處理單元包括整流電路，用于將所述信號(hào)收發(fā)單元所接收到的交流電信號(hào)轉(zhuǎn)換為用作電源的直流電信號(hào)；以及穩(wěn)壓電路，用于將所述整流電路輸出的直流電信號(hào)進(jìn)行穩(wěn)壓以提供給所述相變存儲(chǔ)器單元。優(yōu)選地，所述模擬信號(hào)處理單元包括上電復(fù)位電路，用于基于所述整流電路輸出 的直流電信號(hào)來(lái)輸出復(fù)位信號(hào)至所述數(shù)字信號(hào)處理單元。優(yōu)選地，所述模擬信號(hào)處理單元包括時(shí)鐘產(chǎn)生器，用于基于所述整流電路輸出的直流電信號(hào)來(lái)輸出時(shí)鐘信號(hào)至所述數(shù)字信號(hào)處理單元。優(yōu)選地，所述信號(hào)收發(fā)單元、模擬信號(hào)處理單元、相變存儲(chǔ)器單元、及數(shù)字信號(hào)處理單元設(shè)置于同一芯片。優(yōu)選地，所述天線(xiàn)包含設(shè)置在所述芯片外圍區(qū)域的金屬層。如上所述，本發(fā)明的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，具有以下有益效果壽命長(zhǎng)；功耗低；與CMOS藝兼容等。


圖I顯不為本發(fā)明的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽不意圖。圖2顯示為本發(fā)明的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽的相變存儲(chǔ)器單元的優(yōu)選示意圖。圖3a至3c顯示為本發(fā)明的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽的相變存儲(chǔ)器單元中的相變存儲(chǔ)子單元的優(yōu)選示意圖。圖4顯示為本發(fā)明的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽的相變存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入時(shí)序示意圖。圖5顯示為本發(fā)明的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽的相變存儲(chǔ)器單元的讀出時(shí)序示意圖。元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明IRFID 標(biāo)簽
11信號(hào)收發(fā)單元12模擬信號(hào)處理單元13相變存儲(chǔ)器單元131控制電路132存儲(chǔ)器陣列133譯碼器134寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路135靈敏放大器
·
136I/O 鎖存器14數(shù)字信號(hào)處理單元
具體實(shí)施例方式以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。請(qǐng)參閱圖I至圖5。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語(yǔ)，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。如圖所示，本發(fā)明提供一種具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽。所述RFID標(biāo)簽I至少包括信號(hào)收發(fā)單元11、模擬信號(hào)處理單元12、相變存儲(chǔ)器單元13、及數(shù)字信號(hào)處理單元14。所述信號(hào)收發(fā)單元11包含天線(xiàn)，用于收發(fā)射頻信號(hào)。優(yōu)選地，所述信號(hào)收發(fā)單元11包括天線(xiàn)及與所述天線(xiàn)連接的匹配網(wǎng)絡(luò)，如圖I所示。其中，所述匹配網(wǎng)絡(luò)包括任何一種能與RFID標(biāo)簽所采用的射頻頻率匹配的頻率網(wǎng)絡(luò)，例如，由RC或RLC構(gòu)成的匹配網(wǎng)絡(luò)等。更為優(yōu)選地，若所述RFID標(biāo)簽I形成在一芯片上，則所述天線(xiàn)包含設(shè)置在所述芯片外圍區(qū)域的金屬層。所述模擬信號(hào)處理單元12與所述信號(hào)收發(fā)單元11相連接，用于由所述信號(hào)收發(fā)單元11所接收的射頻信號(hào)中獲取有用信號(hào)、以及將待發(fā)送信號(hào)處理成射頻信號(hào)以便由所述信號(hào)收發(fā)單元11來(lái)發(fā)送。具體地，所述模擬信號(hào)處理單元12包含解調(diào)器，如圖I所示，該解調(diào)器由所述信號(hào)收發(fā)單元11所接收的射頻信號(hào)中解調(diào)出操作命令信號(hào)CMD ;此外，所述模擬信號(hào)處理單元12還包含調(diào)制器，該調(diào)制器將待發(fā)送信號(hào)RES處理成射頻信號(hào)后傳輸至天線(xiàn)，以便發(fā)射。作為一種優(yōu)選方式，所述模擬信號(hào)處理單元12還包括整流電路及穩(wěn)壓電路。所述整流電路用于將所述信號(hào)收發(fā)單元11所接收到的交流電信號(hào)轉(zhuǎn)換為用作電源的直流電信號(hào)，以便為所述RFID標(biāo)簽I提供電源VDD。所述穩(wěn)壓電路用于將所述整流電路輸出的直流電信號(hào)進(jìn)行穩(wěn)壓，以產(chǎn)生比較穩(wěn)定的直流電壓提供給所述相變存儲(chǔ)器單元13，為簡(jiǎn)化圖示，圖I中未示出穩(wěn)壓電路向相變存儲(chǔ)器單元13提供電源VDD。作為另一種優(yōu)選方式，所述模擬信號(hào)處理單元12還包括上電復(fù)位電路。所述上電復(fù)位電路用于基于所述整流電路輸出的直流電信號(hào)VDD來(lái)輸出復(fù)位信號(hào)POR至所述數(shù)字信號(hào)處理單元14。作為再一種優(yōu)選方式，所述模擬信號(hào)處理單元12還包括時(shí)鐘產(chǎn)生器。所述時(shí)鐘產(chǎn)生器用于基于所述整流電路輸出的直流電信號(hào)VDD來(lái)輸出時(shí)鐘信號(hào)CLK至所述數(shù)字信號(hào)處理單元14。所述相變存儲(chǔ)器單元13用于存儲(chǔ)信息，例如，存儲(chǔ)所述RFID標(biāo)簽I的身份信息 (即ID)以及外部設(shè)備寫(xiě)入的數(shù)據(jù)等信息。其中，所述相變存儲(chǔ)器單元13采用相變材料所形成的存儲(chǔ)單元來(lái)存儲(chǔ)信息。所述數(shù)字信號(hào)處理單元14與所述模擬信號(hào)處理單元12及相變存儲(chǔ)器單元13相連接，用于基于所述模擬信號(hào)處理單元12輸出的有用信號(hào)來(lái)與所述相變存儲(chǔ)器單元13通信，以便所述相變存儲(chǔ)器單元13將有用信號(hào)中的待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)予以存儲(chǔ)、并將待發(fā)送信號(hào)提供給所述數(shù)字信號(hào)處理單元14。優(yōu)選地，所述數(shù)字信號(hào)處理單元14基于所述模擬信號(hào)處理單元12輸出的電壓VDD、上電復(fù)位(P0R)、時(shí)鐘信號(hào)CLK及操作命令信號(hào)CMD，來(lái)輸出控制信號(hào)CTR(包括CS，WE，OE三個(gè))，地址信號(hào)ADD、時(shí)鐘信號(hào)CLK和數(shù)據(jù)DATA至所述相變存儲(chǔ)器單元13，使得所述相變存儲(chǔ)器單元13根據(jù)該控制信號(hào)CTR來(lái)讀取待發(fā)送信息，然后經(jīng)過(guò)數(shù)字信號(hào)處理單元14、及模擬信號(hào)處理單元12的處理后轉(zhuǎn)換為射頻信號(hào)予以發(fā)射；或者所述相變存儲(chǔ)器單元13根據(jù)該控制信號(hào)CTR將外部傳輸至的待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)予以存儲(chǔ)。作為一種優(yōu)選方式，如圖2所示，所述相變存儲(chǔ)器單元13包括控制電路131、存儲(chǔ)器陣列132、譯碼器133、寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路134、靈敏放大器135、以及I/O鎖存器136。所述控制電路131用于識(shí)別所述數(shù)字信號(hào)處理單元14由所述有用信號(hào)中獲取的控制信號(hào)CTR為讀操作還是寫(xiě)操作。所述存儲(chǔ)器陣列132包括多個(gè)相變存儲(chǔ)子單元。優(yōu)選地，各相變存儲(chǔ)子單元的結(jié)構(gòu)可采用ITlR結(jié)構(gòu)，如圖3a所示，在該ITlR結(jié)構(gòu)中，相變存儲(chǔ)子單元包括一個(gè)可變電阻R及作開(kāi)關(guān)用的晶體管T。字線(xiàn)WL連到晶體管T的柵極，控制晶體管T的開(kāi)啟和關(guān)閉，可變電阻R的一端接晶體管T的漏極，另一端接位線(xiàn)BL。當(dāng)字線(xiàn)WL選通，晶體管T開(kāi)啟，驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)位線(xiàn)BL注入，使相變材料GST發(fā)生相變(也就是可變電阻R的電阻改變)。優(yōu)選地，各相變存儲(chǔ)子單元的結(jié)構(gòu)可采用IDlR結(jié)構(gòu)，如圖3b所示，在該IDlR結(jié)構(gòu)中，相變存儲(chǔ)子單元包括一個(gè)可變電阻R及作開(kāi)關(guān)用的二極管D。字線(xiàn)WL連到二極管D的負(fù)極，控制二極管D的開(kāi)啟和關(guān)閉，可變電阻R的一端接二極管D的正極，另一端接位線(xiàn)BL。當(dāng)字線(xiàn)WL選通，二極管D開(kāi)啟，驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)位線(xiàn)BL注入，使相變材料GST發(fā)生相變(也就是使可變電阻R的電阻改變)。優(yōu)選地，各相變存儲(chǔ)子單元的結(jié)構(gòu)可采用IBlR結(jié)構(gòu)，如圖3c所示。在該IBlR結(jié)構(gòu)中，相變存儲(chǔ)子單元包括一個(gè)可變電阻R及作開(kāi)關(guān)用的三極管B。字線(xiàn)WL連到三極管B的基極，控制三極管B的開(kāi)啟和關(guān)閉，可變電阻R的一端接三極管B的集電極，另一端接位線(xiàn)BL。當(dāng)字線(xiàn)WL選通，三極管B開(kāi)啟，驅(qū)動(dòng)電流通過(guò)位線(xiàn)BL注入，使相變材料GST發(fā)生相變(也就是可變電阻R的電阻改變)。所述譯碼器133用于基于所述數(shù)字信號(hào)處理單元14由所述有用信號(hào)中獲取的地址信號(hào)ADD來(lái)選擇相變存儲(chǔ)單元。所述寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路134用于當(dāng)控制電路131識(shí)別出控制信號(hào)為寫(xiě)操作時(shí)提供特定電流脈沖驅(qū)動(dòng)來(lái)改變所述譯碼器133所選擇的相變存儲(chǔ)單元的狀態(tài)。所述靈敏放大器135用于當(dāng)控制電路131識(shí)別出控制信號(hào)為讀操作時(shí)感測(cè)所述譯碼器133所選擇的相變存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。所述I/O鎖存器136用于在寫(xiě)操作中將所述數(shù)字信號(hào)處理單元14由所述有用信號(hào)中獲取的待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)傳送到所述寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路134所驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)單元，并在讀操作中輸出所述靈敏放大器135所感測(cè)到的數(shù)據(jù)至所述數(shù)字信號(hào)處理單元14。請(qǐng)參見(jiàn)圖4，其為相變存儲(chǔ)器單元的寫(xiě)入時(shí)序示意圖，當(dāng)控制信號(hào)中的片選信號(hào)CS為低電平時(shí)，輸入的地址(ADD)和數(shù)據(jù)(DATA)才有效，相變存儲(chǔ)器單元才能進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作。當(dāng)控制信號(hào)中的WE為低電平、OE為高電平時(shí)，數(shù)據(jù)輸入有效。請(qǐng)參見(jiàn)圖5，其為相變存儲(chǔ)器單元的讀出時(shí)序示意圖，當(dāng)控制信號(hào)中的片選信號(hào)CS為低電平時(shí)，輸入的地址(ADD)和數(shù)據(jù)(DATA)才有效，相變存儲(chǔ)器單元才能進(jìn)行讀取操作。當(dāng)控制信號(hào)中的OE為低電平、WE為高電平時(shí)，數(shù)據(jù)讀出有效。綜上所述，本發(fā)明的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽采用相變存儲(chǔ)器單元來(lái)存儲(chǔ)數(shù) 據(jù)，從而具有壽命長(zhǎng)、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，更為重要的是，能與CMOS工藝相兼容。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.ー種具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其特征在于，所述具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽至少包括 包含天線(xiàn)的信號(hào)收發(fā)單元； 與所述信號(hào)收發(fā)單元連接的模擬信號(hào)處理單元，用于由所述信號(hào)收發(fā)單元所接收的射頻信號(hào)中獲取有用信號(hào)、以及將待發(fā)送信號(hào)處理成射頻信號(hào)以便由所述信號(hào)收發(fā)單元來(lái)發(fā)送； 相變存儲(chǔ)器単元； 與所述模擬信號(hào)處理單元及相變存儲(chǔ)器単元相連接的數(shù)字信號(hào)處理單元，用于基于所述有用信號(hào)來(lái)與所述相變存儲(chǔ)器単元通信，以便所述相變存儲(chǔ)器單元將有用信號(hào)中的待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)予以存儲(chǔ)、并將待發(fā)送信號(hào)提供給所述數(shù)字信號(hào)處理單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其特征在于所述相變存儲(chǔ)器單元包括 控制電路，用于識(shí)別所述數(shù)字信號(hào)處理單元由所述有用信號(hào)中獲取的控制信號(hào)為讀操作還是寫(xiě)操作； 存儲(chǔ)器陣列，其包括多個(gè)相變存儲(chǔ)子単元； 譯碼器，用于基于所述數(shù)字信號(hào)處理單元由所述有用信號(hào)中獲取的地址信號(hào)來(lái)選擇相變存儲(chǔ)単元； 寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路，用于當(dāng)控制電路識(shí)別出控制信號(hào)為寫(xiě)操作時(shí)提供特定電流脈沖驅(qū)動(dòng)來(lái)改變所述譯碼器所選擇的相變存儲(chǔ)単元； 靈敏放大器，用于當(dāng)控制電路識(shí)別出控制信號(hào)為讀操作中感測(cè)所述譯碼器所選擇的相變存儲(chǔ)単元的數(shù)據(jù)；以及 I/o鎖存器，用于在寫(xiě)操作中將所述數(shù)字信號(hào)處理單元由所述有用信號(hào)中獲取的待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)傳送到所述寫(xiě)驅(qū)動(dòng)電路所驅(qū)動(dòng)的存儲(chǔ)單元，并在讀操作中輸出所述靈敏放大器所感測(cè)到的數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其特征在于所述相變存儲(chǔ)子單元的結(jié)構(gòu)包括1T1R，IDlR及IBlR結(jié)構(gòu)中的ー種。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其特征在于所述模擬信號(hào)處理單元包括 整流電路，用于將所述信號(hào)收發(fā)單元所接收到的交流電信號(hào)轉(zhuǎn)換為用作電源的直流電信號(hào); 穩(wěn)壓電路，用于將所述整流電路輸出的直流電信號(hào)進(jìn)行穩(wěn)壓以提供給所述相變存儲(chǔ)器單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其特征在于所述模擬信號(hào)處理單元包括 上電復(fù)位電路，用于基于所述整流電路輸出的直流電信號(hào)來(lái)輸出復(fù)位信號(hào)至所述數(shù)字信號(hào)處理單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其特征在于所述模擬信號(hào)處理單元包括 時(shí)鐘產(chǎn)生器，用于基于所述整流電路輸出的直流電信號(hào)來(lái)輸出時(shí)鐘信號(hào)至所述數(shù)字信號(hào)處理單兀。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其特征在于所述信號(hào)收發(fā)單元、模擬信號(hào)處理單元、相變存儲(chǔ)器単元、及數(shù)字信號(hào)處理單元設(shè)置于同一芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽，其特征在于所述天線(xiàn)包含設(shè)置在所述芯片外圍區(qū)域的金屬層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有相變存儲(chǔ)器的RFID標(biāo)簽。所述RFID標(biāo)簽包括包含天線(xiàn)的信號(hào)收發(fā)單元；與所述信號(hào)收發(fā)單元連接的模擬信號(hào)處理單元，用于由所述信號(hào)收發(fā)單元所接收的射頻信號(hào)中獲取有用信號(hào)、以及將待發(fā)送信號(hào)處理成射頻信號(hào)以便由所述信號(hào)收發(fā)單元來(lái)發(fā)送；相變存儲(chǔ)器單元；以及與所述模擬信號(hào)處理單元及相變存儲(chǔ)器單元相連接的數(shù)字信號(hào)處理單元，用于基于所述有用信號(hào)來(lái)與所述相變存儲(chǔ)器單元通信，以便所述相變存儲(chǔ)器單元將有用信號(hào)中的待存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)予以存儲(chǔ)、并將待發(fā)送信號(hào)提供給所述數(shù)字信號(hào)處理單元。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)包括壽命長(zhǎng)、功耗低、能與CMOS工藝兼容等。
文檔編號(hào)G06K19/077GK102708398SQ20121020903
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月21日
發(fā)明者宋志棠, 王兆敏, 蔡道林, 陳后鵬 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所